專(zhuān)利名稱(chēng)：非易失性存儲(chǔ)器件的擦除系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，更具體地，涉及非易失性存儲(chǔ)器件、其擦除方法、其操作方法、包括該非易失性存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)系統(tǒng)以及該存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等等半導(dǎo)體制造的存儲(chǔ)器件。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件分成易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。易失性存儲(chǔ)器件在斷電時(shí)會(huì)丟失存儲(chǔ)的內(nèi)容。易失性存儲(chǔ)器件包括靜態(tài)RAM(SRAM)、動(dòng)態(tài)RAM (DRAM)、同步DRAM (SDRAM)等等。非易失性存儲(chǔ)器件即使在斷電時(shí)也可以保持存儲(chǔ)的內(nèi)容。非易失性存儲(chǔ)器件包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可編程ROM (PR0M)、電可編程ROM (EPR0M)、電可擦除可編程ROM (EEPR0M)、快閃存儲(chǔ)器器件、相變RAM (phase changeRAM，PRAM)、磁性 RAM (magnetic RAM，MRAM)、電阻式 RAM (resistive RAM，RRAM)、鐵電 RAM(ferroelectric RAM，F(xiàn)RAM)等等?？扉W存儲(chǔ)器件粗略地分成NOR (或非)型和NAND (與非)型。近來(lái)，開(kāi)發(fā)了具有三維陣列結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件以提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的完整性。

發(fā)明內(nèi)容
本總體發(fā)明構(gòu)思提供非易失性存儲(chǔ)器件、其擦除方法、包括非易失性存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)系統(tǒng)、具有非易失性存儲(chǔ)器件的電子裝置、存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法、以及具有非易失性存儲(chǔ)器件的電子裝置。本總體發(fā)明構(gòu)思的其他方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分地闡明，并將從描述中部分地變得明顯，或者可以通過(guò)實(shí)踐本總體發(fā)明構(gòu)思而部分地習(xí)得。本總體發(fā)明構(gòu)思的上述和/或其他特征及功用可以通過(guò)提供非易失性存儲(chǔ)器件的擦除方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，擦除方法包括向多個(gè)存儲(chǔ)單元供應(yīng)擦除電壓；利用到多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)的讀取電壓執(zhí)行讀操作；以及利用到多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)中的至少一條字線(xiàn)的擦除驗(yàn)證電壓來(lái)執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作，擦除驗(yàn)證電壓低于讀取電壓。讀取電壓可以包括將被施加到相應(yīng)字線(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)電平的電壓。 讀取電壓可以包括將被施加到字線(xiàn)的單個(gè)電平的電壓。擦除驗(yàn)證電壓可以相對(duì)于多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)中的對(duì)應(yīng)的一條字線(xiàn)是可變的，并且可變擦除驗(yàn)證電壓可以低于讀取電壓。讀取電壓可以高于多個(gè)存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)的閾值電壓的電壓。
多個(gè)存儲(chǔ)單元可以包括至少一個(gè)偽單元以及一個(gè)或多個(gè)常規(guī)存儲(chǔ)單元。在讀取操作和擦除驗(yàn)證操作中，可以向至少一個(gè)偽單元供應(yīng)與供應(yīng)到常規(guī)存儲(chǔ)單元的工作電壓不同的電壓。本總體發(fā)明構(gòu)思的上述和/或其他特征及功用還可以通過(guò)提供非易失性存儲(chǔ)器件的擦除方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，擦除方法包括向多個(gè)串供應(yīng)擦除電壓，每個(gè)串具有多個(gè)存儲(chǔ)單元；利用到多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)的讀取電壓執(zhí)行讀操作；根據(jù)執(zhí)行的讀取操作，確定一個(gè)或多個(gè)串為斷開(kāi)串；對(duì)斷開(kāi)串處理擦除驗(yàn)證通過(guò)；以及利用到多個(gè)串的字線(xiàn)的擦除驗(yàn)證電壓執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。擦除方法還可以包括根據(jù)執(zhí)行的擦除驗(yàn)證操作向多個(gè)串供應(yīng)修改后的擦除電壓。多個(gè)存儲(chǔ)單元可以根據(jù)讀取操作而被確定為斷開(kāi)串和非斷開(kāi)串，并且擦除驗(yàn)證操作可以包括避免對(duì)斷開(kāi)串執(zhí)行位線(xiàn)預(yù)充電操作。擦除方法還可以包括向斷開(kāi)串和非斷開(kāi)串的位線(xiàn)供應(yīng)不同的電壓以作為預(yù)充電
電壓；以及在擦除驗(yàn)證操作中向多個(gè)存儲(chǔ)單元的相應(yīng)字線(xiàn)供應(yīng)擦除驗(yàn)證電壓。多個(gè)存儲(chǔ)單元可以包括至少一個(gè)偽單元以及一個(gè)或多個(gè)常規(guī)存儲(chǔ)單元，并且在讀取操作和擦除驗(yàn)證操作中，可以向至少一個(gè)偽單元供應(yīng)與供應(yīng)到常規(guī)存儲(chǔ)單元的工作電壓不同的電壓。本總體發(fā)明構(gòu)思的上述和/或其他特征及功用還可以通過(guò)提供非易失性存儲(chǔ)器件來(lái)實(shí)現(xiàn)，非易失性存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)單元陣列，其具有襯底和多個(gè)塊，每個(gè)塊具有多個(gè)串，每個(gè)串具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)串沿垂直于襯底的方向形成在襯底上；控制單元，用于利用到多個(gè)串的字線(xiàn)的電壓執(zhí)行讀取操作；以及頁(yè)緩存單元，用于存儲(chǔ)通過(guò)讀取操作確定的關(guān)于多個(gè)串當(dāng)中的一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)串的信息?？刂茊卧梢岳玫蕉鄠€(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)中的至少一條字線(xiàn)的擦除驗(yàn)證電壓執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作，并且擦除驗(yàn)證電壓可以低于讀取電壓。多個(gè)串分別具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)存儲(chǔ)單元具有不同的尺寸，以及，相鄰的串可以通過(guò)間隙而相互間隔?？刂茊卧梢愿鶕?jù)讀取操作確定串當(dāng)中的第一斷開(kāi)串，并且根據(jù)擦除驗(yàn)證操作確定第二斷開(kāi)串，并且控制單元利用修改的擦除電壓對(duì)第一斷開(kāi)串和第二斷開(kāi)串執(zhí)行擦除操作。控制單元可以在利用第一擦除電壓對(duì)包括斷開(kāi)串和非斷開(kāi)串的串執(zhí)行擦除操作之后，對(duì)非斷開(kāi)串執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作?？刂茊卧梢愿鶕?jù)擦除驗(yàn)證操作，利用修改后的擦除電壓對(duì)斷開(kāi)串執(zhí)行另一個(gè)擦除操作。當(dāng)被選串被確定為是代表擦除失敗串的斷開(kāi)串時(shí)，控制單元可以根據(jù)執(zhí)行的擦除驗(yàn)證，控制將對(duì)被選串執(zhí)行的另一個(gè)擦除操作。本總體發(fā)明構(gòu)思的上述和/或其他特征和功用還可以通過(guò)提供一種存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，方法包括從控制器生成命令以對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件執(zhí)行擦除操作，非易失性存儲(chǔ)器件具有存儲(chǔ)單元陣列，存儲(chǔ)單元陣列具有襯底和多個(gè)串，每個(gè)串具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)串沿垂直于襯底的方向形成在襯底上；以及根據(jù)生成的命令在非易失性存儲(chǔ)器件中執(zhí)行擦除操作。擦除操作包括對(duì)多個(gè)串執(zhí)行擦除操作；利用到多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)的讀取電壓執(zhí)行讀取操作；根據(jù)執(zhí)行的讀取操作確定一個(gè)或多個(gè)串為斷開(kāi)串；對(duì)斷開(kāi)串處理擦除驗(yàn)證通過(guò)；以及利用到多個(gè)串的字線(xiàn)的擦除驗(yàn)證電壓執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作，擦除驗(yàn)證電壓低于讀取電壓。處理擦除驗(yàn)證操作可以包括避免對(duì)第一確定的斷開(kāi)串執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。操作方法還可以包括利用第二擦除電壓對(duì)第一確定和第二確定的斷開(kāi)串執(zhí)行第二擦除操作。在擦除操作和擦除驗(yàn)證操作之間可以不執(zhí)行讀取操作?？梢圆粚?duì)確定的斷開(kāi)串執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。操作方法還可以包括從非易失性存儲(chǔ)器件向控制器傳送對(duì)擦除操作的第一響應(yīng)信號(hào)；從控制器生成第二命令以控制非易失性存儲(chǔ)器件執(zhí)行第二擦除操作；以及從非易失性存儲(chǔ)器件傳送對(duì)第二擦除操作的第二響應(yīng)信號(hào)，以便控制器根據(jù)第一響應(yīng)信號(hào)和第二響`應(yīng)信號(hào)執(zhí)行錯(cuò)誤處理以確定損壞的塊。操作方法還可以包括當(dāng)擦除操作完成時(shí)，向控制器傳送關(guān)于斷開(kāi)串的信息，以便控制器用傳送的信息更新先前的信息。操作方法還可以包括向控制器傳送關(guān)于斷開(kāi)串的信息；向非易失性存儲(chǔ)器件傳送讀取命令以執(zhí)行從串讀取數(shù)據(jù)的第二讀取操作；以及根據(jù)讀取的數(shù)據(jù)和關(guān)于斷開(kāi)串的信息糾正錯(cuò)誤。操作方法還可以包括向非易失性存儲(chǔ)器件生成命令以執(zhí)行預(yù)讀取操作；根據(jù)預(yù)讀取操作從非易失性存儲(chǔ)器件接收關(guān)于第二斷開(kāi)串的信息；以及控制非易失性存儲(chǔ)器件將關(guān)于第二斷開(kāi)串的信息存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件的緩存區(qū)中。操作方法還可以包括向非易失性存儲(chǔ)器件生成第二命令以向控制器輸出存儲(chǔ)的斷開(kāi)串信息；接收根據(jù)擦除操作的第二斷開(kāi)串的信息；以及根據(jù)第二斷開(kāi)串信息和斷開(kāi)串信息更新信息。操作方法還可以包括選擇連接預(yù)定數(shù)量的串的串選擇線(xiàn)，以對(duì)被選串選擇線(xiàn)的預(yù)定數(shù)量的串執(zhí)行讀取操作，直到被選串選擇線(xiàn)被確定為是串的最后的串選擇線(xiàn)為止。多個(gè)串可以被分成多個(gè)組，以便連接到多條串選擇線(xiàn)；擦除操作可以包括選擇多條串選擇線(xiàn)中的第一串選擇線(xiàn)；并且相對(duì)于與被選串選擇線(xiàn)連接的串執(zhí)行讀取操作和擦除驗(yàn)證操作。操作方法還可以包括重復(fù)執(zhí)行讀取操作以及檢測(cè)斷開(kāi)串，直到多條串選擇線(xiàn)中的最后的串選擇線(xiàn)被選擇，多條串選擇線(xiàn)分別連接到相應(yīng)的串，并且被順序地選擇。重復(fù)可以包括選擇多條串選擇線(xiàn)中的第二串選擇線(xiàn)；通過(guò)向連接到第二選擇線(xiàn)的串的字線(xiàn)施加高電壓來(lái)執(zhí)行讀取操作；以及根據(jù)執(zhí)行的讀取操作確定一個(gè)或多個(gè)第二串為斷開(kāi)串。本總體發(fā)明構(gòu)思的上述和/或其他特征和功用還可以通過(guò)提供一種存儲(chǔ)系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)，存儲(chǔ)系統(tǒng)包括非易失性存儲(chǔ)器件，其包括存儲(chǔ)單元陣列，存儲(chǔ)單元陣列具有襯底和多個(gè)串，每個(gè)串具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，多個(gè)串沿垂直于襯底的方向形成在襯底上；以及控制器，用于生成命令以對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件執(zhí)行擦除操作，從而使非易失性存儲(chǔ)器件擦除多個(gè)串，利用到多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)的讀取電壓執(zhí)行讀取操作，根據(jù)執(zhí)行的讀取操作確定一個(gè)或多個(gè)串為斷開(kāi)串，對(duì)斷開(kāi)串處理擦除驗(yàn)證通過(guò)，以及利用到多個(gè)串的字線(xiàn)的擦除驗(yàn)證電壓執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作，擦除驗(yàn)證電壓低于讀取電壓。串可以通過(guò)間隙相互間隔，在間隙中，形成溝道膜單元以連接串的存儲(chǔ)單元，并且溝道膜單元具有導(dǎo)致斷開(kāi)串的缺點(diǎn)。非易失性存儲(chǔ)器件可以包括連接到相鄰的串的溝道膜單元，并且斷開(kāi)串通過(guò)與襯底沒(méi)有電接觸的溝道膜單元形成。非易失性存儲(chǔ)器件可以包括漏極以及連接到相鄰的串的溝道膜單元，并且斷開(kāi)串通過(guò)與襯底沒(méi)有電接觸的溝道膜單元形成。非易失性存儲(chǔ)器件可以避免對(duì)第一確定的斷開(kāi)串執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。本總體發(fā)明構(gòu)思的上述和/或其他特征和功用還可以通過(guò)提供一種存儲(chǔ)系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)，存儲(chǔ)系統(tǒng)包括非易失性存儲(chǔ)器件和控制器，控制器被配置成控制非易失性存儲(chǔ)器件。非易失性存儲(chǔ)器件可以包括存儲(chǔ)單元陣列，存儲(chǔ)單元陣列包括多個(gè)串，每個(gè)串具有多個(gè)存
儲(chǔ)單元；讀取/寫(xiě)入單元，被配置成響應(yīng)于從控制器發(fā)送的命令執(zhí)行讀取操作并輸出讀取結(jié)果，讀取操作通過(guò)向與多個(gè)串連接的字線(xiàn)施加高電壓來(lái)進(jìn)行；計(jì)數(shù)單元，被配置成接收輸出的讀取結(jié)果并且對(duì)在讀取操作中被讀取為斷開(kāi)的斷開(kāi)串的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)；以及數(shù)據(jù)輸入/輸出電路，被配置成輸出讀取結(jié)果或計(jì)數(shù)結(jié)果，以作為與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息?？刂破骺梢员慌渲贸苫谂c斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息控制非易失性存儲(chǔ)器件。非易失性存儲(chǔ)器件可以包括襯底，并且多個(gè)串可以沿垂直于襯底的方向布置在襯底上，并且多個(gè)串可以被分成多個(gè)串的組，組連接到多條串選擇線(xiàn)，控制器控制非易失性存儲(chǔ)器件對(duì)多條串選擇線(xiàn)的組的串執(zhí)行擦除操作?？刂破骺梢钥刂品且资源鎯?chǔ)器件將一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)串處理為擦除通過(guò)，并且以每個(gè)組為單位對(duì)其他串執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。相鄰的串通過(guò)柱相互間隔，柱具有電連接到每個(gè)串的存儲(chǔ)單元的溝道膜。柱可以具有寬度，寬度根據(jù)距襯底的距離而變寬。每個(gè)串的存儲(chǔ)單元可以具有長(zhǎng)度，長(zhǎng)度根據(jù)距襯底的距離而變短。本總體發(fā)明構(gòu)思的上述和/或其他特征和功用還可以通過(guò)提供一種存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，存儲(chǔ)系統(tǒng)包括非易失性存儲(chǔ)器件和控制器，非易失性存儲(chǔ)器件包括多個(gè)串，控制器被配置成控制非易失性存儲(chǔ)器件，每個(gè)串包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，操作方法包括從控制器向非易失性存儲(chǔ)器件發(fā)送命令；響應(yīng)于命令執(zhí)行對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件的讀取操作，讀取操作通過(guò)向與多個(gè)串連接的所有字線(xiàn)施加高電壓來(lái)進(jìn)行；從非易失性存儲(chǔ)器件向控制器發(fā)送與在讀取操作中被讀取為斷開(kāi)的斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息；以及在控制器中存儲(chǔ)發(fā)送的信息。操作方法還可以包括從控制器向非易失性存儲(chǔ)器件發(fā)送存儲(chǔ)的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息和擦除命令；以及響應(yīng)于存儲(chǔ)的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息和擦除命令執(zhí)行對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件的擦除操作。當(dāng)擦除操作的結(jié)果指示擦除失敗時(shí)，可以再次執(zhí)行發(fā)送命令、執(zhí)行讀取操作、發(fā)送信息以及存儲(chǔ)發(fā)送的信息。操作方法還可以包括從控制器向非易失性存儲(chǔ)器件發(fā)送讀取命令；從非易失性存儲(chǔ)器件向控制器發(fā)送根據(jù)讀取命令的讀取結(jié)果；以及使用存儲(chǔ)的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息糾正發(fā)送的讀取結(jié)果的錯(cuò)誤，糾正由控制器進(jìn)行。操作方法還可以包括使用寫(xiě)入數(shù)據(jù)和存儲(chǔ)的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息生成碼字，生成由控制器進(jìn)行；從控制器向非易失性存儲(chǔ)器件發(fā)送生成的碼字和寫(xiě)入命令；以及響應(yīng)于寫(xiě)入命令在非易失性存儲(chǔ)器件中寫(xiě)入發(fā)送的碼字。操作方法還可以包括從控制器向非易失性存儲(chǔ)器件發(fā)送存儲(chǔ)的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息和第二命令；以及響應(yīng)于第二命令在非易失性存儲(chǔ)器件中寫(xiě)入所發(fā)送的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息。


從以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，本總體發(fā)明構(gòu)思的這些和/或其他方面及優(yōu)點(diǎn)將變得清楚和更加容易理解。附圖中圖I是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的框圖。圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖I的非易失性存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元陣列的示圖。`圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖I的非易失性存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)塊之一的平面圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖3的IV-IV’線(xiàn)截取的透視圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖4的IV-IV’線(xiàn)截取的截面圖。圖6是圖示圖5的單元晶體管之一的示圖。圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路的電路圖。圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的擦除方法的流程圖。圖9是圖示可在圖8的擦除方法中使用的偏置條件的示圖。圖10是圖示襯底、溝道膜(channel film)以及字線(xiàn)的電壓變化的時(shí)序圖。圖11是圖示在圖8的操作S113和S114存儲(chǔ)單元陣列的電壓變化的時(shí)序圖。圖12是圖示在圖8的操作S115和S116存儲(chǔ)單元陣列的電壓變化的時(shí)序圖。圖13A是圖示在圖8的擦除方法中執(zhí)行的斷開(kāi)(off)串處理操作的流程圖。圖13B是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的擦除方法的流程圖。圖14是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖I的頁(yè)緩存單元的框圖。圖15是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的框圖。圖16是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的預(yù)讀取方法的流程圖。圖17是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的預(yù)讀取方法的流程圖。圖18是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的框圖。圖19是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的框圖。圖20是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的擦除方法的流程圖。圖21是圖示可在圖20的擦除方法中使用的電壓條件的示圖。圖22是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的框圖。圖23是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的擦除方法的流程圖。圖24是圖示生成和信號(hào)(sum signal)和進(jìn)位信號(hào)(carry signal)的方法的流程圖。圖25是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的脈動(dòng)進(jìn)位(ripple and carry)計(jì)算器的框圖。圖26是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路的電路圖。圖27是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路的電路圖。圖28是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路的電路圖。圖29是圖示當(dāng)根據(jù)參照?qǐng)D8到圖13描述的方法擦除存儲(chǔ)單元時(shí)供應(yīng)到存儲(chǔ)塊的電壓的示圖。圖30是圖示當(dāng)根據(jù)參照?qǐng)D20和圖21描述的方法擦除存儲(chǔ)單元時(shí)供應(yīng)到存儲(chǔ)塊的電壓的示圖。圖31是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路的電路圖。圖32是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路的電路圖。圖33是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路的電路圖。圖34是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖3的IV-IV’線(xiàn)截取的透視圖。圖35是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖3的IV-IV’線(xiàn)截取的截面圖。圖36是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖2的存儲(chǔ)塊之一的平面圖。圖37是沿圖36的XXXVn- XXXVT線(xiàn)截取的透視圖。圖38是沿圖36的XXXVn- XXXVT線(xiàn)截取的截面圖。圖39是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖2的存儲(chǔ)塊之一的平面圖。圖40是沿圖39的ΧΧΧΧ-ΧΧΧΧ ’線(xiàn)截取的透視圖。圖41是沿圖39的ΧΧΧΧ-ΧΧΧΧ ’線(xiàn)截取的截面圖。圖42是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖2的存儲(chǔ)塊之一的平面圖。圖43是沿圖42的X X X XIII- ΧΧΧΧΙΙΓ線(xiàn)截取的透視圖。圖44是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖2的存儲(chǔ)塊之一的平面圖。圖45是沿圖44的XXXXV-XXXXV’線(xiàn)截取的透視圖。圖46是沿圖44的XXXX V - XXXX V’線(xiàn)截取的截面圖。圖47是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖2的存儲(chǔ)塊之一的平面圖。圖48是沿圖47的X X X XVDI- XXXXW線(xiàn)截取的透視圖。圖49是沿圖47的X X X XVDI- XXXXW線(xiàn)截取的截面圖。圖50是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖47的EC部分的等效電路的電路圖。圖51是沿圖47的X X X XVDI- XXXXW線(xiàn)截取的透視圖。圖52是沿圖47的X X X XVDI - X X X XVT線(xiàn)截取的截面圖。圖53是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖47的EC部分的等效電路的電路圖。
圖54是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。圖55是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法的流程圖。圖56是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法的流程圖。圖57是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法的流程圖。圖58是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法的流程圖。圖59是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法的流程圖。圖60是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法的流程圖。圖61是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法的流程圖。圖62是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的框圖。圖63是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的作為具有非易失性存儲(chǔ)器件和存儲(chǔ)系統(tǒng)之一的電子裝置的存儲(chǔ)卡的示圖。圖64是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的作為具有非易失性存儲(chǔ)器件和存儲(chǔ)系統(tǒng)之一的電子裝置的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器的示圖。圖65是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的作為具有非易失性存儲(chǔ)器件和存儲(chǔ)系統(tǒng)之一的電子裝置的計(jì)算系統(tǒng)的框圖。圖66是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的作為具有非易失性存儲(chǔ)器件和存儲(chǔ)系統(tǒng)之一的電子裝置的測(cè)試系統(tǒng)的框圖。圖67是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)描述本總體發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，在附圖中圖示了本總體發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的例子，附圖中相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。下面參考附圖描述實(shí)施例，以便解釋本發(fā)明總體構(gòu)思。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式來(lái)具體實(shí)現(xiàn)，不應(yīng)被解釋為局限于此處闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使本公開(kāi)全面和完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明構(gòu)思的范圍。附圖中，為清楚起見(jiàn)，可能放大了層和區(qū)域的大小及相對(duì)大小。相同的參考標(biāo)記始終指代相同的元件。將會(huì)理解，盡管此處可能使用詞語(yǔ)第一、第二、第三等等來(lái)描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受到這些詞語(yǔ)的限制。這些詞語(yǔ)僅僅用于將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開(kāi)來(lái)。因而，下面討論的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或第一部分也可以被稱(chēng)為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分而不會(huì)偏離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。為了便于描述，此處可能使用空間關(guān)系詞，如“在...之下”、“下方”、“下”、“在...下面”、“上方”、“上”等等，來(lái)描述圖中示出的一個(gè)元件或特征與另外的元件或特征之間的關(guān)系。將會(huì)理解，所述空間關(guān)系詞意圖涵蓋除了附圖中描繪的方向之外的、器件在使用或操作中的不同方向。例如，如果附圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件或特征“下方”、“之下”或“下面”的元件的方位將變成在所述其他元件或特征的“上方”。因而，示例性的詞語(yǔ)“下方”和“下面”可以涵蓋上下兩個(gè)方位?？梢允蛊骷哂衅渌较?旋轉(zhuǎn)90度或其他方向)，而此處使用的空間關(guān)系描述詞應(yīng)做相應(yīng)解釋。另外，還將理解，當(dāng)一層被稱(chēng)為位于兩層“之間”時(shí)，它可以是該兩層之間唯一的層，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)位于其間的層。此處使用的術(shù)語(yǔ)僅僅是為了描述特定實(shí)施例，并非意圖限制本發(fā)明構(gòu)思。此處使用的單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”意圖也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文明確給出相反指示。還將理解，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用詞語(yǔ)“包括”和/或“包含”時(shí)，表明存在所描述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。此處使用的術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)目中的任意一個(gè)以及所有組合。將會(huì)理解，當(dāng)一個(gè)元件或?qū)颖环Q(chēng)為在另一元件或?qū)印爸稀?、“連接”或“耦接”到另一元件或?qū)?、或“鄰近”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在該另一元件或?qū)又?、直接連接或耦接到該另一元件或?qū)?、或直接鄰近該另一元件或?qū)?，或者也可以存在居間的元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)一個(gè)元件被稱(chēng)為“直接”在另一元件或?qū)印爸稀薄ⅰ爸苯舆B接”或“直接耦接”到另一元件或?qū)?、或“緊鄰”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在居間的元件或?qū)?。除非另外定義，否則此處使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))所具有的含義與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。還將理解，術(shù)語(yǔ)，如通常使`用的詞典中定義的那些術(shù)語(yǔ)，應(yīng)該被解釋為所具有的含義與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域和/或本說(shuō)明書(shū)的上下文中的含義一致，而不應(yīng)理想化地或過(guò)分形式化地對(duì)其進(jìn)行解釋?zhuān)谴颂幟鞔_地如此定義。術(shù)語(yǔ)“被選位線(xiàn)”可用于指示多條位線(xiàn)當(dāng)中與將被編程或讀取的單元晶體管連接的位線(xiàn)。術(shù)語(yǔ)“未選位線(xiàn)”可用來(lái)指示多條位線(xiàn)當(dāng)中的與將被禁止編程或禁止讀取的單元晶體管連接的位線(xiàn)。術(shù)語(yǔ)“被選串選擇線(xiàn)”可以用來(lái)指示多條串選擇線(xiàn)當(dāng)中的、與包括將被編程或讀取的單元晶體管的單元串連接的串選擇線(xiàn)。術(shù)語(yǔ)“未選串選擇線(xiàn)”可以用來(lái)指示多條串選擇線(xiàn)當(dāng)中除了被選串選擇線(xiàn)之外的剩余串選擇線(xiàn)。術(shù)語(yǔ)“被選串選擇晶體管”可以用來(lái)指示與被選串選擇線(xiàn)連接的串選擇晶體管。術(shù)語(yǔ)“未選串選擇晶體管”可以用來(lái)指示與未選串選擇線(xiàn)連接的串選擇晶體管。術(shù)語(yǔ)“被選地選擇線(xiàn)”可以用來(lái)指示多條地選擇線(xiàn)當(dāng)中的、與包括將被編程或讀取的單元晶體管的單元串連接的地選擇線(xiàn)。術(shù)語(yǔ)“未選地選擇線(xiàn)”可以用來(lái)指示多條地選擇線(xiàn)當(dāng)中除了被選地選擇線(xiàn)之外的剩余的地選擇線(xiàn)。術(shù)語(yǔ)“被選地選擇晶體管”可以用來(lái)指示與被選地選擇線(xiàn)連接的地選擇晶體管。術(shù)語(yǔ)“未選地選擇晶體管”可以用來(lái)指示與未選地選擇線(xiàn)連接的地選擇晶體管。術(shù)語(yǔ)“未選字線(xiàn)”可以用來(lái)指示多條字線(xiàn)當(dāng)中的與將被編程或讀取的單元晶體管連接的字線(xiàn)。術(shù)語(yǔ)“未選字線(xiàn)”可以用來(lái)指示多條字線(xiàn)當(dāng)中除了被選字線(xiàn)之外的剩余的字線(xiàn)。術(shù)語(yǔ)“被選存儲(chǔ)單元”可以用來(lái)表示多個(gè)存儲(chǔ)單元當(dāng)中的將被編程或讀取的存儲(chǔ)單元。術(shù)語(yǔ)“未選存儲(chǔ)單元”可以用來(lái)指示多個(gè)存儲(chǔ)單元當(dāng)中除了被選存儲(chǔ)單元之外剩余的存儲(chǔ)單元。將參照NAND快閃存儲(chǔ)器描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思不局限于此。本發(fā)明構(gòu)思可以應(yīng)用于諸如電可擦除可編程ROM (EEPR0M)、N0R快閃存儲(chǔ)器、相變RAM (PRAM)、磁性 RAM (MRAM)、電阻式 RAM (RRAM)、鐵電 RAM (FRAM)等等。
圖I是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件100的框圖。參照?qǐng)D1，非易失性存儲(chǔ)器件100可以包括存儲(chǔ)單元陣列110、地址譯碼單元120、頁(yè)緩存單元130、數(shù)據(jù)輸入/輸出(I/O)單元140、計(jì)數(shù)單元150、通過(guò)/失敗(pass/fail, P/F)校驗(yàn)單元160和控制邏輯170。地址譯碼單元120、頁(yè)緩存單元130、數(shù)據(jù)輸入/輸出單元140、計(jì)數(shù)單元150、通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元160和控制邏輯170可被稱(chēng)為用來(lái)控制存儲(chǔ)單元陣列110的控制單元。存儲(chǔ)單元陣列100可以包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元(memory unit),所述存儲(chǔ)器單元具有多個(gè)存儲(chǔ)單元。所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元可以是按照行方向和列方向排列在襯底上的多個(gè)單元串。每個(gè)單元串可以包括沿垂直于襯底的方向堆疊的多個(gè)存儲(chǔ)單元。也就是說(shuō)，可以沿行和列在襯底上提供存儲(chǔ)單元，并且存儲(chǔ)單元可以沿垂直于襯底的方向堆疊以形成三維結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)單元陣列110可以包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元分別存儲(chǔ)一比特或多比特?cái)?shù)據(jù)。地址譯碼單元120可以經(jīng)由字線(xiàn)WL、串選擇線(xiàn)SSL和地選擇線(xiàn)GSL與存儲(chǔ)單元陣列110耦合。地址譯碼單元120可以被配置成響應(yīng)于控制邏輯170的控制而工作。地址譯
碼單元120可以從外部設(shè)備接收輸入地址ADDR。地址譯碼單元120可以被配置成譯碼輸入地址ADDR的行地址。地址譯碼單元120可以被配置成選擇字線(xiàn)WL當(dāng)中的與譯碼的行地址相對(duì)應(yīng)的字線(xiàn)。地址譯碼單元120可以被配置成選擇串選擇線(xiàn)SSL和地選擇線(xiàn)GSL當(dāng)中的與譯碼的行地址相對(duì)應(yīng)的串選擇線(xiàn)和地選擇線(xiàn)。地址譯碼單元120可以被配置成譯碼輸入地址ADDR當(dāng)中的列地址。地址譯碼單元120可以將譯碼的列地址DCA傳送到頁(yè)緩存單元130。地址譯碼單元120可以被配置成從控制邏輯170接收預(yù)讀取信號(hào)PRS。當(dāng)預(yù)讀取信號(hào)PRS被激活時(shí)，地址譯碼單元120可以向串選擇線(xiàn)SSL、字線(xiàn)WL和地選擇線(xiàn)GSL供應(yīng)用于預(yù)讀取的電壓。地址譯碼單元120可以根據(jù)控制邏輯170的控制向串選擇線(xiàn)SSL、字線(xiàn)WL和地選擇線(xiàn)GSL供應(yīng)用于擦除、寫(xiě)入和讀取的電壓。在本實(shí)施例中，盡管圖I中未示出，但是地址譯碼單元120可以包括被配置成譯碼行地址的行譯碼器、被配置成譯碼列地址的列譯碼器、被配置成存儲(chǔ)輸入地址ADDR的地址緩沖器等等。頁(yè)緩存單元130可以經(jīng)由位線(xiàn)BL與存儲(chǔ)單元陣列110耦合。頁(yè)緩存單元130可以響應(yīng)于控制邏輯170的控制而工作。頁(yè)緩存單元130可以從地址譯碼單元120接收譯碼的列地址DCA。頁(yè)緩存單元130可以響應(yīng)于譯碼的列地址DCA選擇位線(xiàn)BL。頁(yè)緩存單元130可以與地址譯碼單元120執(zhí)行讀取和寫(xiě)入操作。通過(guò)經(jīng)由地址譯碼單元120控制串選擇線(xiàn)SSL、字線(xiàn)WL和地選擇線(xiàn)GSL以及經(jīng)由頁(yè)緩存單元130控制位線(xiàn)BL可以執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)單元陣列110的讀取和寫(xiě)入。頁(yè)緩存單元130可以包括分別與位線(xiàn)BL相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)。將被寫(xiě)入存儲(chǔ)單元陣列110中的數(shù)據(jù)可以加載到頁(yè)緩存單元130的鎖存器上。從存儲(chǔ)單元陣列110讀取的數(shù)據(jù)可以存儲(chǔ)在頁(yè)緩存單元130的鎖存器中。頁(yè)緩存單元130可以經(jīng)由數(shù)據(jù)線(xiàn)DL接收數(shù)據(jù)。頁(yè)緩存單元130中的輸入數(shù)據(jù)可以被寫(xiě)入存儲(chǔ)單元陣列110中。頁(yè)緩存單元130可以從存儲(chǔ)單元陣列110讀取數(shù)據(jù)，以經(jīng)由數(shù)據(jù)線(xiàn)DL將讀取的數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)輸入/輸出單元140。頁(yè)緩存單元130可以存儲(chǔ)從存儲(chǔ)單元陣列110的第一存儲(chǔ)區(qū)讀出的數(shù)據(jù)。在頁(yè)緩存單元130中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以被寫(xiě)入到存儲(chǔ)單元陣列110的第二存儲(chǔ)區(qū)中。也就是說(shuō)，可以執(zhí)行回寫(xiě)(copy-back)操作。頁(yè)緩存單元130可以將讀取的數(shù)據(jù)作為讀取結(jié)果RR輸出。例如，頁(yè)緩存單元130可以在擦除驗(yàn)證操作輸出讀取的數(shù)據(jù)或者在寫(xiě)入驗(yàn)證操作輸出讀取的數(shù)據(jù)以作為讀取結(jié)果RR。頁(yè)緩存單元130可以被配置成從控制邏輯170接收預(yù)讀取信號(hào)PRS。當(dāng)預(yù)讀取信號(hào)PRS被激活時(shí)，頁(yè)緩存單元130可以與地址譯碼單元120執(zhí)行預(yù)讀取。在預(yù)讀取讀取的數(shù)據(jù)可以作為讀取結(jié)果RR輸出。數(shù)據(jù)輸入/輸出單元140可以經(jīng)由數(shù)據(jù)線(xiàn)DL與頁(yè)緩存單元130連接。數(shù)據(jù)輸入/輸出單元140可以被配置成與外部設(shè)備交換數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)輸入/輸出單元140可以經(jīng)由數(shù)
據(jù)線(xiàn)DL將從頁(yè)緩存單元130傳送的數(shù)據(jù)輸出到外部設(shè)備。數(shù)據(jù)輸入/輸出單元140可以經(jīng)由數(shù)據(jù)線(xiàn)DL將從外部設(shè)備輸入的數(shù)據(jù)傳送到頁(yè)緩存單元130。計(jì)數(shù)單元150可以被配置成從頁(yè)緩存單元130接收讀取結(jié)果RR以及從控制邏輯170接收預(yù)讀取信號(hào)PRS。當(dāng)預(yù)讀取信號(hào)PRS被激活時(shí)，計(jì)數(shù)單元150可以被配置成基于讀取結(jié)果RR進(jìn)行計(jì)數(shù)以生成計(jì)數(shù)值CV，該計(jì)數(shù)值CV將被發(fā)送到控制邏輯170。通過(guò)/失敗計(jì)數(shù)單元160可以被配置成從頁(yè)緩存單元130接收讀取結(jié)果RR。在擦除驗(yàn)證操作或者寫(xiě)入驗(yàn)證操作，通過(guò)/失敗計(jì)數(shù)單元160可以被配置成基于讀取結(jié)果RR輸出通過(guò)信號(hào)PASS或者失敗信號(hào)FAIL。控制邏輯170可以被配置成控制非易失性存儲(chǔ)器件100的總體操作?？刂七壿?70可以被配置成生成預(yù)讀取信號(hào)PRS。控制邏輯170可以從計(jì)數(shù)單元150接收計(jì)數(shù)值CV并且從通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元160接收通過(guò)信號(hào)PASS或者失敗信號(hào)FAIL?？刂七壿?70可以將計(jì)數(shù)值CV與寄存器REGl中存儲(chǔ)的值進(jìn)行比較，以根據(jù)計(jì)數(shù)值CV與寄存器REGl中存儲(chǔ)的值之間的比較結(jié)果控制擦除操作?？刂七壿?70可以響應(yīng)于從通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元160輸入的通過(guò)信號(hào)PASS或者失敗信號(hào)FAIL控制擦除操作?？刂七壿?70可以根據(jù)從外部設(shè)備輸入的控制信號(hào)CTRL和命令CMD而工作。圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖I的存儲(chǔ)單元陣列110的示圖。參照?qǐng)DI和圖2，存儲(chǔ)單元陣列110可以包括多個(gè)存儲(chǔ)塊BLKl到BLKz，每個(gè)存儲(chǔ)塊被形成為具有三維結(jié)構(gòu)(或者，垂直結(jié)構(gòu))。例如，存儲(chǔ)塊BLKl到BLKz中的每一個(gè)可以包括沿第一方向到第三方向延伸的結(jié)構(gòu)。盡管圖2中未示出，但是存儲(chǔ)塊BLKl到BLKz中的每一個(gè)可以包括多個(gè)沿第二方向延伸的單元串。盡管圖2中未示出，但是所述多個(gè)單元串可以沿第一和第三方向相互間隔。一個(gè)存儲(chǔ)塊內(nèi)的單元串可以與多條位線(xiàn)BL、多條串選擇線(xiàn)SSL、多條字線(xiàn)WL、一條或多條地選擇線(xiàn)GSL以及公共源極線(xiàn)(未示出)耦合。多個(gè)存儲(chǔ)塊BLKl到BLKz中的單元串可以共用多條位線(xiàn)。例如，所述多條位線(xiàn)可以沿第二方向延伸，以便由多個(gè)存儲(chǔ)塊BLKl到BLKz共用。圖I的地址譯碼單元120可以選擇所述多個(gè)存儲(chǔ)塊BLKl到BLKz。例如，地址譯碼單元120可以被配置成選擇多個(gè)存儲(chǔ)塊BLKl到BLKz當(dāng)中的與輸入地址ADDR相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)塊?？梢栽诒贿x存儲(chǔ)塊進(jìn)行擦除、編程和讀取。將參照?qǐng)D3到圖6充分地描述多個(gè)存儲(chǔ)塊 BLKl 到 BLKz。圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖I的存儲(chǔ)塊中的一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKa的平面圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖3的IV-IV’線(xiàn)截取的透視圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖3的IV-IV’線(xiàn)截取的截面圖。參照?qǐng)D3到圖5，可以提供沿第一到第三方向延伸的三維結(jié)構(gòu)。提供襯底111。襯底111可以是例如具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的阱。襯底111可以是其中注入了諸如硼的第III族元素的P阱。襯底111可以是在η阱內(nèi)提供的袋型P講。下面，假定襯底111是P阱(或者，袋型P阱)。然而，襯底111不局限于此。襯底111可以不同于P型襯底其他類(lèi)型的襯底?？梢栽谝r底111中提供多個(gè)沿第一方向延伸的公共源極區(qū)CSR。所述多個(gè)公共源極區(qū)CSR可以沿第二方向相互間隔。公共源極區(qū)CSR可以公共連接以形成公共源極線(xiàn)。公共源極區(qū)CSR可以具有不同于襯底111的導(dǎo)電類(lèi)型的第二導(dǎo)電類(lèi)型。例如，公`共源極區(qū)CSR可以是η型。下面，假定公共源極區(qū)CSR是η型。然而，公共源極區(qū)CSR不局限于此。公共源極區(qū)CSR可以是不同于η型的其他類(lèi)型。在兩個(gè)相鄰的公共源極區(qū)CSR的區(qū)域之間，可以沿第三方向(B卩，垂直于襯底111的方向)在襯底111上順序地提供多個(gè)絕緣材料112和112a。絕緣材料112和112a可以沿第三方向間隔開(kāi)。絕緣材料112和112a可以沿第一方向延伸。例如，絕緣材料112和112a可以包括諸如半導(dǎo)體氧化膜的絕緣材料。與襯底111接觸的絕緣材料112a的厚度可以比其他絕緣材料112的厚度薄。在兩個(gè)相鄰的公共源極區(qū)CSR的區(qū)域之間，多個(gè)柱PL可以沿第一方向順序地排列，以便沿第二方向穿透多個(gè)絕緣材料112和112a。例如，柱PL可以穿過(guò)絕緣材料112和112a與襯底111接觸。在示例性實(shí)施例中，在兩個(gè)相鄰的公共源極區(qū)之間的柱PL可以沿第一方向間隔開(kāi)。柱PL可以沿第一方向的線(xiàn)來(lái)布置。在示例性實(shí)施例中，柱PL可以分別由多種材料形成。所述柱PL中的每一個(gè)可以包括溝道膜114和在溝道膜114內(nèi)的內(nèi)部材料115。溝道膜114可以包括具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體材料(例如，硅)。例如，溝道膜114可以包括具有與襯底111相同類(lèi)型的半導(dǎo)體材料(例如，硅)。溝道膜114能夠包括作為絕緣體的本征半導(dǎo)體。內(nèi)部材料115可以包括絕緣材料。例如，內(nèi)部材料115可以包括諸如硅氧化物的絕緣材料?？商鎿Q地，內(nèi)部材料115可以包括空氣隙。在兩個(gè)相鄰的公共源極區(qū)CSR的區(qū)域之間，可以在絕緣材料112和112a以及柱PL的暴露表面上提供信息存儲(chǔ)膜116。信息存儲(chǔ)膜116可以通過(guò)捕捉(trap)電荷或者將電荷放電(discharge)來(lái)存儲(chǔ)信息。在兩個(gè)相鄰的公共源極區(qū)之間以及在絕緣材料112和112a之間，可以在信息存儲(chǔ)膜116的暴露表面上提供導(dǎo)電材料CMl到CM8。導(dǎo)電材料CMl到CM8可以沿第一方向延伸。字線(xiàn)切口(word line cut)可以分隔在公共源極區(qū)CSR上的導(dǎo)電材料CMl到CM8。字線(xiàn)切口可以暴露公共源極區(qū)CSR。字線(xiàn)切口可以沿第一方向延伸。
在示例性實(shí)施例中，導(dǎo)電材料CMl到CM8可以包括金屬導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料CMl到CM8可以包括非金屬導(dǎo)電材料,如多晶娃。在示例性實(shí)施例中，可以去除在絕緣材料112和112a當(dāng)中的位于最上層的絕緣材料的上表面上提供的信息存儲(chǔ)膜116。示例性地，可以去除在絕緣材料112和112a的各側(cè)當(dāng)中的、柱PL的相反側(cè)處提供的信息存儲(chǔ)膜?？梢栽诙鄠€(gè)柱PL上分別提供多個(gè)漏極320。漏極320可以包括具有例如第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體材料(例如，硅)。漏極320可以包括η型半導(dǎo)體材料(例如，硅)。下面，假定漏極320包括η型硅。然而，本發(fā)明不局限于此?？梢允孤O320延伸到柱PL的溝道膜114的上側(cè)?？梢栽诼O320上提供在第二方向上延伸的位線(xiàn)BL，以使得所述位線(xiàn)BL沿第一方向相互間隔。位線(xiàn)BL可以與漏極320耦合。在本實(shí)施例中，漏極320和位線(xiàn)BL可以經(jīng)由接觸插頭(plug)(未示出)連接。位線(xiàn)BL可以包括金屬導(dǎo)電材料?？商鎿Q地,位線(xiàn)BL可以
包括諸如多晶硅的非金屬導(dǎo)電材料。下面，導(dǎo)電材料CMl到CM8可以根據(jù)距襯底111的距離而具有第一高度到第八高度。多個(gè)柱PL可以與信息存儲(chǔ)膜116和多個(gè)導(dǎo)電材料CMl到CM8 —起形成多個(gè)單元串。每個(gè)柱PL可以與信息存儲(chǔ)膜116以及相鄰的導(dǎo)電材料CMi (i是I到8之一)形成單元串?？梢匝匦泻土蟹较蛟谝r底111上提供柱PL。第八導(dǎo)電材料CM8可以構(gòu)成行。與第八導(dǎo)電材料CM8當(dāng)中的相同導(dǎo)電材料連接的柱可以構(gòu)成一行。位線(xiàn)BL可以構(gòu)成列。與位線(xiàn)BL當(dāng)中的相同位線(xiàn)連接的柱可以構(gòu)成列。柱PL可以與信息存儲(chǔ)膜116以及多個(gè)導(dǎo)電材料CMl到CM8—起構(gòu)成沿行和列方向排列的多個(gè)串。每個(gè)單元串可以包括沿垂直于襯底111的方向堆疊的多個(gè)單元晶體管CT。圖6是圖示圖5的單元晶體管CT之一的示圖。參照?qǐng)D3到圖6，單元晶體管CT可以由導(dǎo)電材料CMl到CM8、柱PL、以及在導(dǎo)電材料CMl到CM8與柱PL之間提供的信息存儲(chǔ)膜116形成。信息存儲(chǔ)膜116可以從導(dǎo)電材料CMl到CM8與柱PL之間的區(qū)域延伸到導(dǎo)電材料CMl到CM8的上表面和下表面。每個(gè)信息存儲(chǔ)膜116可以包括第一到第三子絕緣膜117、118和 119。在單元晶體管CT中，柱PL的溝道膜114可以包括與襯底111相同的P型硅。溝道膜114可以用作單元晶體管CT的主體。溝道膜114可以沿垂直于襯底111的方向形成。柱PL的溝道膜114可以用作垂直主體?？梢栽跍系滥?14處形成垂直溝道。鄰近柱PL的第一子絕緣膜117可以用作單元晶體管CT的隧道絕緣膜。例如，第一子絕緣膜117可以分別包括熱氧化膜。第一子絕緣膜117可以分別包括硅氧化物膜。第二子絕緣膜118可以用作單元晶體管CT的電荷存儲(chǔ)膜。例如，第二子絕緣膜118可以分別用作電荷捕獲膜。例如，第二子絕緣膜118可以分別包括氮化物膜或者金屬氧化物膜。鄰近導(dǎo)電材料CMl到CM8的第三子絕緣膜119可以用作單元晶體管CT的阻擋絕緣膜。在本實(shí)施例中，第三子絕緣膜119可以由單層或者多層形成。第三子絕緣膜119可以是介電常數(shù)大于第一和第二子絕緣膜117和118的高介電膜(例如，鋁氧化物膜、鉿氧化物膜等等)。第三子絕緣膜119可以分別包括硅氧化物膜。在本實(shí)施例中，第一到第三子絕緣膜117到119可以構(gòu)成ONA (氧化物-氮化物-鋁-氧化物)或者ONO (氧化物-氮化物-氧化物)。多個(gè)導(dǎo)電材料CMl到CM8可以分別用作柵極(或者控制柵極)。也就是說(shuō)，用作柵極(或者，控制柵極)的多個(gè)導(dǎo)電材料CMl到CM8、用作阻擋絕緣膜的第三子絕緣膜119、用作電荷存儲(chǔ)膜的第二子絕緣膜118、用作隧道絕緣膜的第一子絕緣膜117以及用作垂直主體的溝道膜114可以構(gòu)成沿垂直于襯底111的方向堆疊的單元晶體管CT。示例性地,單元晶體管CT可以是電荷捕獲型單元晶體管。單元晶體管CT根據(jù)其高度能被用于不同的目的。例如，在單元晶體管CT當(dāng)中，具有至少一個(gè)高度且位于上部的單元晶體管可以用作串選擇晶體管。串選擇晶體管可以被配置成執(zhí)行單元串與位線(xiàn)之間的切換操作。在單元晶體管CT當(dāng)中，具有至少一個(gè)高度且下部
的單元晶體管可以用作地選擇晶體管。地選擇晶體管可以被配置成執(zhí)行單元串與由公共源極區(qū)CSR形成的公共源極線(xiàn)之間的切換操作。用作串選擇晶體管和地選擇晶體管的單元晶體管之間的單元晶體管可以用作存儲(chǔ)單元和偽存儲(chǔ)單元。導(dǎo)電材料CMl到CM8可以沿第一方向延伸以與多個(gè)柱PL連接。導(dǎo)電材料CMl到CM8可以構(gòu)成將柱PL的單元晶體管CT相互連接的導(dǎo)線(xiàn)。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電材料CMl到CM8根據(jù)高度可以用作串選擇線(xiàn)、地選擇線(xiàn)、字線(xiàn)或者偽字線(xiàn)。相互連接用作串選擇晶體管的單元晶體管的導(dǎo)線(xiàn)可以用作串選擇線(xiàn)。相互連接用作地選擇晶體管的單元晶體管的導(dǎo)線(xiàn)可以用作地選擇線(xiàn)。相互連接用作存儲(chǔ)單元的單元晶體管的導(dǎo)線(xiàn)可以用作字線(xiàn)。相互連接用作偽存儲(chǔ)單元的單元晶體管的導(dǎo)線(xiàn)可以用作偽字線(xiàn)。圖7是電路圖，圖示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3中的平面圖的EC部分的等效電路。參照?qǐng)D3到圖7，可以在位線(xiàn)BLl和BL2與公共源極線(xiàn)CSL之間提供單元串CS11、CS12、CS21和CS22。單元串CSll和CS21可以連接在第一位線(xiàn)BLl與公共源極線(xiàn)CSL之間，并且單元串CS12和CS22可以連接在第二位線(xiàn)BL2與公共源極線(xiàn)CSL之間。公共源極區(qū)CSR可以公共連接以形成公共源極線(xiàn)CSL。單元串CS 11、CS 12、CS21和CS22可以對(duì)應(yīng)于圖3中的平面圖的EC部分的四個(gè)柱。所述四個(gè)柱可以與導(dǎo)電材料CMl到CM8以及信息存儲(chǔ)膜116 —起構(gòu)成四個(gè)單元串CSlI、CS12、CS21 和 CS22。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電材料CMl可以與信息存儲(chǔ)膜116和柱PL構(gòu)成地選擇晶體管GST。第一導(dǎo)電材料CMl可以形成地選擇線(xiàn)GSL。第一導(dǎo)電材料CMl可以相互連接以形成地選擇線(xiàn)GSL。第二到第七導(dǎo)電材料CM2到CM7可以與信息存儲(chǔ)膜116和柱PL構(gòu)成第一到第六存儲(chǔ)單元MCl到MC6。第二到第七導(dǎo)電材料CM2到CM7可以用作第一到第六字線(xiàn)WLl到WL6。第二導(dǎo)電材料CM2可以相互連接以形成第一字線(xiàn)WLl。第三導(dǎo)電材料CM3可以相互連接以形成第二字線(xiàn)WL2。第四導(dǎo)電材料CM4可以相互連接以形成第三字線(xiàn)WL3。第五導(dǎo)電材料CM5可以相互連接以形成第四字線(xiàn)WL4。第六導(dǎo)電材料CM6可以相互連接以形成第五字線(xiàn)WL5。第六導(dǎo)電材料CM6可以相互連接以形成第五字線(xiàn)WL5。第七導(dǎo)電材料CM7可以相互連接以形成第六字線(xiàn)WL6。第八導(dǎo)電材料CM8可以與信息存儲(chǔ)膜116和柱PL構(gòu)成串選擇晶體管SST。第八導(dǎo)電材料CM8可以形成串選擇線(xiàn)SSLl和SSL2。相同高度的存儲(chǔ)單元可以共同與一條字線(xiàn)連接。因此，當(dāng)施加于特定高度的字線(xiàn)時(shí)，電壓可以被施加于所有單元串CS11、CS12、CS21和CS22。不同的行中的單元串可以與不同的串選擇線(xiàn)SSLl和SSL2連接。通過(guò)選擇或者不選擇串選擇線(xiàn)SSLl和SSL2，可以按行選擇或者不選擇單元串CS11、CS12、CS21和CS22。例如，與未選串選擇線(xiàn)SSLl或SSL2連接的單元串(CS11和CS12)或者(CS21和CS22)可以與位線(xiàn)BLl和BL2電分離。與被選串選擇線(xiàn)SSL2或SSLl連接的單元串(CS21和CS22)或(CS11和CS12)可以與位線(xiàn)BLl和BL2電連接。單元串CS11、CS12、CS21和CS22可以被形成為列，以與位線(xiàn)BLl和BL2連接。單元串CSll和CS21可以與位線(xiàn)BLl連接，并且單元串CS12和CS22可以與位線(xiàn)BL2連接。單元串CS11、CS12、CS21和CS22可以是列，所述列將通過(guò)選擇和不選擇位線(xiàn)BLl和BL2而被`選擇或不被選擇。由于形成柱PL時(shí)的工藝誤差，用于柱PL的孔可能不接觸襯底111。也就是說(shuō)，可能未將用于柱PL的孔形成得足夠深。此時(shí)，溝道膜114可能不與襯底111接觸。也就是說(shuō)，單元串CS可以包括斷開(kāi)(off)串。由于形成漏極320時(shí)的工藝誤差，漏極320可以不與柱PL的溝道膜114接觸。也就是說(shuō)，單元串CS可以包括斷開(kāi)串。如果存在斷開(kāi)單元串(下文中，稱(chēng)為斷開(kāi)串)，則可能錯(cuò)誤地進(jìn)行存儲(chǔ)塊BLKal的擦除、讀取和寫(xiě)入。在本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，可以使用糾錯(cuò)碼(error correcting code,ECC)所支持的糾錯(cuò)能力，避免因斷開(kāi)串所致的異常操作。圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的擦除方法的流程圖。圖9是圖示根據(jù)圖8的擦除方法的偏置條件的示圖。下面，將參照?qǐng)DI和圖7到圖9更充分描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的擦除方法。在操作S111，可以供應(yīng)擦除電壓?？梢愿≈梦痪€(xiàn)BLl和BL2，并且可以浮置串選擇線(xiàn)SSLl和SSL2或者向串選擇線(xiàn)SSLl和SSL2供應(yīng)第一串選擇線(xiàn)電壓VSSLl?？梢苑謩e向字線(xiàn)WLl到WL6施加第一字線(xiàn)擦除電壓Vwel。第一字線(xiàn)擦除電壓Vwel可以是低電壓或者具有與地電壓VSS類(lèi)似的電平的低電壓(例如，低正電壓或低負(fù)電壓)?？梢愿≈玫剡x擇線(xiàn)GSL或者向地選擇線(xiàn)GSL供應(yīng)第一地選擇線(xiàn)電壓VGSL1。公共源極線(xiàn)CSL可以被浮置。可以向襯底111施加第一擦除電壓Versl。第一擦除電壓Versl可以是高電壓。第一串選擇線(xiàn)電壓VSSLl和第一地選擇線(xiàn)電壓VGSLl可以具有第一擦除電壓Versl與地電壓VSS之間的電平。在圖10中圖示了襯底111、溝道膜(或者，溝道層)114以及字線(xiàn)WLl到WL6的電壓變化。在圖10的時(shí)間Tl，可以將供應(yīng)到襯底111的第一擦除電壓Versl施加到溝道膜114。溝道膜114可以被充電到第一擦除電壓Versl。在存儲(chǔ)單元MCl到MC6捕獲的電荷可以因供應(yīng)到字線(xiàn)WLl到WL6的第一字線(xiàn)擦除電壓Vwel與供應(yīng)到溝道膜114的第一擦除電壓Versl之間的電壓差而被放電。也就是說(shuō)，存儲(chǔ)單元MCl到MC6的閾值電壓可以降低。在操作S112，第一串選擇線(xiàn)SSLl可以被選擇?？梢詫?dǎo)通電壓施加到被選串選擇線(xiàn)，即第一串選擇線(xiàn)SSL1，并且可以將截止電壓施加到未選串選擇線(xiàn)SSL2。在操作S113，可以通過(guò)向字線(xiàn)WLl到WL6施加第一高電壓VHl來(lái)進(jìn)行讀操作?？梢韵蛭痪€(xiàn)BLl和BL2提供第一位線(xiàn)電壓VBLl?？梢韵虮贿x串選擇線(xiàn)(例如，SSL1)提供第二串選擇線(xiàn)電壓VSSL2。第二串選擇線(xiàn)電壓VSSL2可以是足夠?qū)ǖ谝淮x擇晶體管SSTl (與第一串選擇線(xiàn)SSLl連接的串選擇晶體管)的電壓。第二串選擇線(xiàn)電壓VSSL2可以是電源電壓VCC或者非選擇讀取電壓Vread。非選擇讀取電壓Vread可以是在讀操作時(shí)供應(yīng)到未選字線(xiàn)的電壓?？梢韵蛭催x串選擇線(xiàn)(例如，SSL2)提供第三串選擇線(xiàn)電壓VSSL3。第三串選擇線(xiàn)電壓VSSL3可以是足夠?qū)ǖ诙x擇晶體管SST2 (與第二串選擇線(xiàn)SSL2連接的串選擇晶體管)的電壓。第三串選擇線(xiàn)電壓VSSL3可以是地電壓VSS或者具有類(lèi)似于地電壓VSS的電平的低電壓(包括正電壓和負(fù)電壓)?？梢韵蜃志€(xiàn)WLl到WL6提供第一高電壓VH1。第一高電壓VHl可以是不管存儲(chǔ)單元MCl到MC6的邏輯狀態(tài)如何都足夠?qū)ù鎯?chǔ)單元MCl到MC6的電壓。第一高電壓VHl可以是非選擇讀取電壓Vread?？梢韵虻剡x擇線(xiàn)GSL提供第二地選擇線(xiàn)電壓VGSL2。第二地選擇線(xiàn)電壓VGSL2可以是足夠?qū)ǖ剡x擇晶體管GST的電壓。第二地選擇線(xiàn)電壓VGSL2可以是電源電壓VCC或者非選擇讀取電壓Vread?？梢韵蚬苍礃O線(xiàn)CSL供應(yīng)第一公共源極線(xiàn)電壓VCSL1。第一公共源極線(xiàn)電壓VCSLl可以是地電壓VSS或者具有類(lèi)似于地電壓VSS的電平的低電壓(包括正電壓和負(fù)電壓)?？梢韵蛞r底111供應(yīng)第一襯底電壓VSUBI。第一襯底電壓VSUBI可以是地電壓VSS或者具有類(lèi)似于地電壓VSS的電平的低電壓(包括正電壓和負(fù)電壓)。圖11中圖示了在操作S113存儲(chǔ)單元陣列110的電壓變化。在時(shí)間Tl，可以用第一位線(xiàn)電壓VBLl對(duì)位線(xiàn)BL預(yù)充電。在時(shí)間T2，可以向串選擇線(xiàn)SSLl和SSL2、字線(xiàn)WLl到WL6、地選擇線(xiàn)GSL以及公共源極線(xiàn)CSL施加電壓。當(dāng)向被選串選擇線(xiàn)SSLl施加第二串選擇線(xiàn)電壓VSSL2時(shí)，被選串選擇晶體管SSTl可以被導(dǎo)通。當(dāng)向字線(xiàn)WLl到WL6施加第一高電壓VHl時(shí)，存儲(chǔ)單元MCl到MC6可以被導(dǎo)通。當(dāng)向地選擇線(xiàn)GSL施加第二地選擇線(xiàn)電壓VGSL2時(shí)，地選擇晶體管GST可以被導(dǎo)通。當(dāng)在與被選串選擇線(xiàn)SSLl連接的單元串CSll和CS12當(dāng)中，單元串不是斷開(kāi)串而是正常串時(shí)，位線(xiàn)的電壓可能變得較低，因?yàn)槌潆姷轿痪€(xiàn)的第一位線(xiàn)電壓VBLl被放電到公共源極線(xiàn)CSL。當(dāng)在與被選串選擇線(xiàn)SSLl連接的單元串CSll和CS12當(dāng)中，單元串是斷開(kāi)串時(shí)，位線(xiàn)可以保持第一位線(xiàn)電壓VBL1，因?yàn)槲痪€(xiàn)和公共源極線(xiàn)CSL相互電絕緣。 當(dāng)特定位線(xiàn)的電壓高于參考電壓Vref時(shí)，頁(yè)緩存單元130可以在與特定位線(xiàn)相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)中存儲(chǔ)第一邏輯值(例如，邏輯高電平)。當(dāng)特定位線(xiàn)的電壓低于參考電壓Vref時(shí)，頁(yè)緩存單元130可以在與特定位線(xiàn)相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出沖存儲(chǔ)第二邏輯值(例如，邏輯低電平)。所述第二邏輯值可以存儲(chǔ)在與正常串相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)中。所述第一邏輯值可以存儲(chǔ)在與斷開(kāi)串相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)中。也就是說(shuō)，可以通過(guò)使用第一高電壓VHl執(zhí)行讀操作來(lái)檢測(cè)斷開(kāi)串。檢測(cè)斷開(kāi)串的操作可以稱(chēng)為預(yù)讀取操作。
可以響應(yīng)于預(yù)讀取信號(hào)PRS進(jìn)行預(yù)讀取操作。地址譯碼單元120和頁(yè)緩存單元130可以響應(yīng)于預(yù)讀取信號(hào)PRS向存儲(chǔ)單元陣列110供應(yīng)電壓。頁(yè)緩存單元130可以響應(yīng)于預(yù)讀取信號(hào)PRS將預(yù)讀取結(jié)果存儲(chǔ)在鎖存器(未示出)中。在操作S114，可以確定一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)串。例如，可以將存儲(chǔ)第一邏輯值的鎖存器(未示出)所對(duì)應(yīng)的串確定為斷開(kāi)串。在操作S115，一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)串可以被確定為擦除通過(guò)，也就是說(shuō)，一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)串被確定為通過(guò)了擦除操作的串，為臨時(shí)擦除通過(guò)的串，然后可以進(jìn)行擦除驗(yàn)證操作?？梢詫⒌诙痪€(xiàn)電壓VBL2施加到在預(yù)讀取操作被檢測(cè)為正常串的單元串。第二位線(xiàn)電壓VBL2可以是電源電壓VCC或者具有與電源電壓VCC類(lèi)似的電平的電壓?？梢詫⒌谌痪€(xiàn)電壓VBL3供應(yīng)到在預(yù)讀取操作被檢測(cè)為斷開(kāi)串的單元串。第三位線(xiàn)電壓VBL3可以是地電壓VSS或者具有類(lèi)似于地電壓VSS的電平的電壓(包括正電壓和負(fù)電壓)。在示例性實(shí)施例中，在預(yù)讀取操作，頁(yè)緩存單元130可以根據(jù)存儲(chǔ)在頁(yè)緩存單元130的鎖存器(未示出)中的預(yù)讀取結(jié)果，向與斷開(kāi)串連接的位線(xiàn)供應(yīng)第三位線(xiàn)電壓VBL3。`在實(shí)施例中，可以將預(yù)讀取結(jié)果RR提供給控制邏輯170?？刂七壿?70可以控制頁(yè)緩存單元130，以便根據(jù)預(yù)讀取結(jié)果RR，將第三位線(xiàn)電壓VBL3供應(yīng)到與斷開(kāi)串連接的位線(xiàn)。可以在頁(yè)緩存單元130和控制邏輯170之間提供用于向控制邏輯170傳送預(yù)讀取結(jié)果RR的信號(hào)線(xiàn)?？梢韵虮贿x串選擇線(xiàn)SSLl提供第四串選擇線(xiàn)電壓VSSL4。第四串選擇線(xiàn)電壓VSSL4可以是足夠?qū)ū贿x串選擇晶體管SSTl的電壓。第四串選擇線(xiàn)電壓VSSL4可以是非選擇讀取電壓Vread或電源電壓VCC?？梢韵蛭催x串選擇線(xiàn)SSL2提供第五串選擇線(xiàn)電壓VSSL5。第五串選擇線(xiàn)電壓VSSL5可以是足夠?qū)ㄎ催x串選擇晶體管SST2的電壓。第五串選擇線(xiàn)電壓VSSL5可以是地電壓VSS或者具有類(lèi)似于地電壓VSS的電平的低電壓(包括正電壓和負(fù)電壓)。可以向字線(xiàn)WLl到WL6提供第一驗(yàn)證電壓VFY1。第一驗(yàn)證電壓VFYl可以是擦除的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的上限。第一驗(yàn)證電壓VFYl可以是地電壓VSS或負(fù)電壓?？梢韵虻剡x擇線(xiàn)GSL提供第三地選擇線(xiàn)電壓VGSL3。第三地選擇線(xiàn)電壓VGSL3可以是足夠?qū)ǖ剡x擇晶體管GST的電壓。第三地選擇線(xiàn)電壓VGSL3可以是非選擇讀取電壓Vread或電源電壓VCC?？梢韵蚬苍礃O線(xiàn)CSL提供第二公共源極線(xiàn)電壓VCSL2。第二公共源極線(xiàn)電壓VCSL2可以是地電壓VSS或者具有類(lèi)似于地電壓VSS的電平的低電壓(包括正電壓和負(fù)電壓)?？梢韵蛞r底111供應(yīng)第二襯底電壓VSUB2。第二襯底電壓VSUB2可以是地電壓VSS或者具有類(lèi)似于地電壓VSS的電平的低電壓(包括正電壓和負(fù)電壓)。圖12中圖示了在操作S115存儲(chǔ)單元陣列110的電壓變化。在時(shí)間Tl，與正常串連接的正常位線(xiàn)可以被預(yù)充電到第二位線(xiàn)電壓VBL2。可以向與斷開(kāi)串連接的位線(xiàn)供應(yīng)第三位線(xiàn)電壓VBL3。在時(shí)間T2，可以向串選擇線(xiàn)SSLl和SSL2、字線(xiàn)WLl到WL6、地選擇線(xiàn)GSL以及公共源極線(xiàn)CSL供應(yīng)電壓。被選串選擇晶體管SSTI可以被導(dǎo)通，并且未選串選擇晶體管SST2可以被截止。地選擇晶體管GST可以被導(dǎo)通。存儲(chǔ)單元MCl到MC6當(dāng)中的具有高于驗(yàn)證電壓VFYl的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可以被截止，并且具有低于驗(yàn)證電壓VFYl的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可以被導(dǎo)通。如果特定單元串中的存儲(chǔ)單元MCl到MC6被導(dǎo)通，則位線(xiàn)與公共源極線(xiàn)CSL可以相互電絕緣。與特定單元串連接的位線(xiàn)的電壓可以變得低于第二位線(xiàn)電壓VBL2。如果特定單元串中的存儲(chǔ)單元MCl到MC6中的至少一個(gè)被截止，則位線(xiàn)與公共源極線(xiàn)CSL可以相互電絕緣。這意味著與特定單元串連接的位線(xiàn)保持第二位線(xiàn)電壓VBL2。當(dāng)特定位線(xiàn)的電壓高于參考電壓Vref時(shí)，頁(yè)緩存單元130可以在與特定位線(xiàn)相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)中存儲(chǔ)第一邏輯值。當(dāng)特定位線(xiàn)的電壓低于參考電壓Vref時(shí)，頁(yè)緩存單元130可以在與特定位線(xiàn)相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)中存儲(chǔ)第二邏輯值。也就是說(shuō)，第二邏輯值可以存儲(chǔ)在與正常串中的擦除通過(guò)的單元串相對(duì)應(yīng)的鎖存
器(未示出)中。第一邏輯值可以存儲(chǔ)在與正常串中的擦除失敗的單元串相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)中。由于第三位線(xiàn)電壓VBL3被施加到斷開(kāi)串，所以第二邏輯值可以存儲(chǔ)在與斷開(kāi)串相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)中。在頁(yè)緩存單元130的鎖存器(未示出)中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以是擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果RR。擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果RR可以被傳送到通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元160。通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元160可以從頁(yè)緩存單元130接收擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果RR。通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元160可以確定指示第二邏輯值的結(jié)果為擦除通過(guò)，以及指示第一邏輯值的讀取結(jié)果為擦除失敗。由于斷開(kāi)串的擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果RR具有第二邏輯值，所以斷開(kāi)串可以被確定為擦除通過(guò)，或者被作為擦除通過(guò)串處理。也就是說(shuō)，如果正常串擦除通過(guò)，則在擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果RR中可以不包括第一邏輯值。如果擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果RR中未包括第一邏輯值，則通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元160可以生成通過(guò)信號(hào)PASS。如果在擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果RR中包括第一邏輯值，則通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元160可以生成失敗信號(hào)FAIL。在操作S116，可以確定通過(guò)信號(hào)PASS是否被激活。如果通過(guò)信號(hào)PASS沒(méi)有被激活，也就是說(shuō)，如果失敗信號(hào)FAIL被激活，則在操作S117，可以供應(yīng)擦除電壓并且可以再次選擇先前選擇的串選擇線(xiàn)SSL1。操作S117的擦除電壓可以不同于先前施加的電壓。操作S117的擦除電壓可以比先前施加的電壓高。然后，方法進(jìn)行到操作S115。如果通過(guò)信號(hào)PASS被激活，則方法進(jìn)行到操作S118。在操作S118，可以確定被選串選擇線(xiàn)SSLl是否是最后的串選擇線(xiàn)。在操作S119，如果被選串選擇線(xiàn)SSLl不是最后的串選擇線(xiàn)，則可以選擇下一個(gè)串選擇線(xiàn)(例如，SSL2)。然后，方法進(jìn)行到操作S113。如果被選串選擇線(xiàn)SSLl是最后的串選擇線(xiàn)，則方法可以結(jié)束。可以通過(guò)操作S117、S115和S116，使已經(jīng)被確定為臨時(shí)擦除通過(guò)存儲(chǔ)單元或串、并且具有先前的第一邏輯值的存儲(chǔ)單元或斷開(kāi)串能夠被確定為“擦除通過(guò)”從而具有第二邏輯值。還可以操作S117、S115和S116被執(zhí)行或重復(fù)地執(zhí)行一次或多次，直到具有先前的第一邏輯值的斷開(kāi)串被確定為“擦除通過(guò)”從而具有第二邏輯值為止。具有先前的第一邏輯值的存儲(chǔ)單元或斷開(kāi)串可以包括在斷開(kāi)串確定操作S114中確定的存儲(chǔ)單元或斷開(kāi)串和/或在擦除驗(yàn)證操作S115中在正常串當(dāng)中確定的存儲(chǔ)單元或斷開(kāi)串。上述具有先前的第一邏輯值的存儲(chǔ)單元或斷開(kāi)串可以經(jīng)歷操作S117、S115和S116，直到進(jìn)行到操作S118。
如上所述，可以進(jìn)行擦除直到單元串CSlI、CS12、CS21和CS22中的存儲(chǔ)單元MCl到MC6擦除通過(guò)為止。在擦除驗(yàn)證操作，斷開(kāi)串可以被確定為擦除通過(guò)。因此，可以在擦除驗(yàn)證操作避免因斷開(kāi)串所導(dǎo)致的“擦除失敗”。因斷開(kāi)串導(dǎo)致的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤可以通過(guò)在非易失性存儲(chǔ)器件100內(nèi)部或外部提供的糾錯(cuò)單元(未示出)來(lái)糾正。因此，盡管存儲(chǔ)單元陣列110包括斷開(kāi)串，非易失性存儲(chǔ)器件100仍可以正常地工作而無(wú)需諸如修復(fù)的單獨(dú)的過(guò)程。示例性地描述了在操作SI 16 —個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元或者一個(gè)或多個(gè)串被確定為“擦除通過(guò)”、在操作S117供應(yīng)擦除電壓、以及在操作S115執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作的情況。然而，當(dāng)在操作SI 16存儲(chǔ)單元或串被確定為“擦除通過(guò)”時(shí)，代替操作SI 17、可以在操作SI 12供應(yīng)擦除電壓，在操作SI 13可以在被選存儲(chǔ)單元或串中執(zhí)行預(yù)讀取操作，在操作SI 14可以根據(jù)預(yù)讀取操作檢測(cè)斷開(kāi)串，并且在操作S115可以確定斷開(kāi)串為擦除通過(guò)并且可以執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。圖13A是圖示在圖8的擦除方法中執(zhí)行的斷開(kāi)串處理操作的流程圖。參照?qǐng)DI、
圖8和圖13A，在操作S121，可以對(duì)斷開(kāi)串的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。例如，計(jì)數(shù)單元150可以對(duì)從頁(yè)緩存單元130提供的預(yù)讀取結(jié)果RR進(jìn)行計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)單元150可以對(duì)預(yù)讀取結(jié)果RR的第一邏輯值的數(shù)量，即斷開(kāi)串的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)的值CV可以被提供給控制邏輯170。在操作S122，確定斷開(kāi)串的數(shù)量是否低于第一參考值Vl。如果斷開(kāi)串的數(shù)量低于第一值VI，則在操作S123，可以連續(xù)地進(jìn)行擦除操作。如果斷開(kāi)串的數(shù)量超過(guò)第一參考值VI，則在操作S124，可以生成錯(cuò)誤信息并且可以停止擦除操作。例如，控制邏輯170可以將計(jì)數(shù)值CV與存儲(chǔ)在第一寄存器REGl中的第一參考值Vl進(jìn)行比較?；诒容^結(jié)果，控制邏輯170可以控制非易失性存儲(chǔ)器件100以便繼續(xù)執(zhí)行擦除操作或者停止擦除操作。在示例性實(shí)施例中，第一參考值Vl可以指示能夠通過(guò)糾錯(cuò)單元(未示出)糾正的比特?cái)?shù)量，該糾錯(cuò)單元被配置成糾正從非易失性存儲(chǔ)器件100讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。第一參考值Vl可以具有小于糾錯(cuò)單元(未示出)的可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)的值，并且可以根據(jù)可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)來(lái)確定。例如，可以根據(jù)可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)的特定比率來(lái)確定第一參考值VI。當(dāng)斷開(kāi)串的數(shù)量超過(guò)可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)時(shí)，從相應(yīng)存儲(chǔ)塊讀取的數(shù)據(jù)可以是不可糾正的數(shù)據(jù)。因此，可以經(jīng)由操作S121到S124檢測(cè)導(dǎo)致不可糾正的錯(cuò)誤的存儲(chǔ)塊。在示例性實(shí)施例中，與錯(cuò)誤消息相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)塊可以被判定為損壞的塊。在操作S113運(yùn)行預(yù)讀取操作之后，可以進(jìn)行操作S121到S124。當(dāng)擦除特定存儲(chǔ)塊時(shí)，可以在第一預(yù)讀取操作之后的時(shí)間運(yùn)行操作si2i到Sm。圖13B是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的擦除方法的流程圖。參照?qǐng)DI、圖8和圖13B，在操作S113a，可以選擇第一串選擇線(xiàn)。在操作S113b，可以通過(guò)向字線(xiàn)供應(yīng)高電壓來(lái)執(zhí)行讀取操作，即預(yù)讀取操作。在操作S113c，可以確定斷開(kāi)串，并且可以存儲(chǔ)斷開(kāi)串信息。例如，可以根據(jù)預(yù)讀取結(jié)果確定斷開(kāi)串，并且可以存儲(chǔ)預(yù)讀取結(jié)果。例如，預(yù)讀取結(jié)果可以存儲(chǔ)在頁(yè)緩存單元130中。在操作S113d，確定被選串選擇線(xiàn)是否是最后的串選擇線(xiàn)。如果被選串選擇線(xiàn)不是最后的串選擇線(xiàn)，則在操作S113e，可以選擇下一條串選擇線(xiàn)。如果被選串選擇線(xiàn)是最后的串選擇線(xiàn)，則方法進(jìn)行到操作S114a。
在操作S114a，可以通過(guò)施加擦除電壓執(zhí)行擦除操作。在操作S114b，可以選擇第一串選擇線(xiàn)。在操作S114c，可以將斷開(kāi)串處理為(treated)擦除通過(guò)，并且可以進(jìn)行擦除驗(yàn)證操作。例如，操作S114c可以與圖8的操作S115相同。在操作S114c，可以根據(jù)頁(yè)緩存單元130中存儲(chǔ)的預(yù)讀取結(jié)果將斷開(kāi)串處理為擦除通過(guò)。在操作S114d，確定與被選串選擇線(xiàn)連接的串是否擦除通過(guò)。如果與被選串選擇線(xiàn)連接的串被確定為未擦除通過(guò)，則在操作S114e可以施加擦除電壓，并且可以再次選擇先前選擇的串選擇線(xiàn)。然后，方法可以從操作S114c運(yùn)行。如果與被選串選擇線(xiàn)連接的串被確定為擦除通過(guò)，則方法進(jìn)行到操作SI Hf。在操作S114f，確定被選串選擇線(xiàn)是否是最后的串選擇線(xiàn)。如果被選串選擇線(xiàn)不是最后的串選擇線(xiàn)，則在操作S114g，可以選擇下一條串選擇線(xiàn)。然后，方法進(jìn)行到操作S114c。如果被選串選擇線(xiàn)是最后的串選擇線(xiàn)，則方法可以結(jié)束。也就是說(shuō)，在操作SI 13a到SI 13e，可以順序地選擇串選擇線(xiàn)SSLl和SSL2，并且可以檢測(cè)斷開(kāi)串。檢測(cè)結(jié)果可以存儲(chǔ)在頁(yè)緩存單元130中。在操作S114a到S114g，可以順序地選擇串選擇線(xiàn)SSLl和SSL2，并且可以執(zhí)行擦除操作和擦除驗(yàn)證操作。根據(jù)存儲(chǔ)在頁(yè)緩存`單元130中的檢測(cè)結(jié)果，斷開(kāi)串可以被確定為“擦除通過(guò)”。圖14是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖I的頁(yè)緩存單元130的框圖。參照?qǐng)DI和圖14，頁(yè)緩存單元130可以包括多個(gè)頁(yè)緩存器PBl到PBn。多個(gè)頁(yè)緩存器PBl到PBn可以被配置成具有多個(gè)多級(jí)結(jié)構(gòu)HAl到HAm。第一頁(yè)緩存器PBl可以構(gòu)成第一級(jí)Stagel。第二頁(yè)緩存器PB2可以構(gòu)成第二級(jí)Stage2。第η頁(yè)緩存器PBn可以構(gòu)成第η級(jí)Stagen。在每個(gè)多級(jí)結(jié)構(gòu)HA中，頁(yè)緩存器可以相互連接。例如，在第一個(gè)多級(jí)結(jié)構(gòu)HAl中，頁(yè)緩存器PBl到PBn可以以線(xiàn)或(wired-OR)的方式與第一頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSl連接。在第二個(gè)多級(jí)結(jié)構(gòu)HA2中，頁(yè)緩存器PBl到PBn可以以線(xiàn)或的方式與第二頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBS2連接。在第m個(gè)多級(jí)結(jié)構(gòu)HAm中，頁(yè)緩存器PBl到PBn可以以線(xiàn)或的方式與第m個(gè)頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSm連接。頁(yè)緩存器PBl到PBn中的每一個(gè)可以包括多個(gè)鎖存器。每個(gè)頁(yè)緩存器中的鎖存器之一可以用于存儲(chǔ)預(yù)讀取結(jié)果。每級(jí)中的頁(yè)緩存器可以共同與傳送信號(hào)線(xiàn)PF連接。當(dāng)?shù)谝粋魉托盘?hào)線(xiàn)PFl被激活時(shí)，第一級(jí)Stagel中的頁(yè)緩存器可以將存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)輸出到頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSl到PBSm。當(dāng)?shù)诙魉托盘?hào)線(xiàn)PF2被激活時(shí)，第二級(jí)Stage2中的頁(yè)緩存器可以將存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)輸出到頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSl到PBSm。當(dāng)?shù)讦莻魉托盘?hào)線(xiàn)PFn被激活時(shí)，第η級(jí)Stagen中的頁(yè)緩存器可以將存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)輸出到頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSl到PBSm。傳送信號(hào)PFl到PFn可以被順序地激活。當(dāng)傳送信號(hào)PFl到PFn被順序地激活時(shí)，可以順序地輸出讀取結(jié)果(包括預(yù)讀取結(jié)果和擦除驗(yàn)證結(jié)果)。在示例性實(shí)施例中，讀取結(jié)果(包括預(yù)讀取結(jié)果和擦除驗(yàn)證結(jié)果)可以被分成與級(jí)Stagel到Stagen相對(duì)應(yīng)的組,并且分成的組可以順序地輸出讀取結(jié)果。當(dāng)順序地輸出讀取結(jié)果(包括預(yù)讀取結(jié)果和擦除驗(yàn)證結(jié)果)時(shí)，計(jì)數(shù)單元150可以對(duì)讀取結(jié)果順序地計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)單元150可以順序地進(jìn)行通過(guò)/失敗確定。圖15是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件200的框圖。參照?qǐng)D15，非易失性存儲(chǔ)器件200可以包括存儲(chǔ)單元陣列210、地址譯碼單元220、頁(yè)緩存單元230、數(shù)據(jù)輸入/輸出單元240、計(jì)數(shù)單元250、通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元260和控制邏輯270。除了計(jì)數(shù)值CV被提供到數(shù)據(jù)輸入/輸出單元240以及從控制邏輯270中去除了寄存器REGl之外，圖15的非易失性存儲(chǔ)器件200可以與圖I的相同。圖16是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的預(yù)讀取方法的流程圖。參照?qǐng)D7、圖15和圖16，在操作S211，可以接收命令。例如，可以接收與預(yù)讀取操作相對(duì)應(yīng)的命令。能夠接收用于請(qǐng)求非易失性存儲(chǔ)器件200的狀態(tài)信息的命令。輸入的命令可以是不同于典型的寫(xiě)入、讀取和擦除命令的命令?？梢耘c命令一起接收用于指定或指示特定存儲(chǔ)塊和特定串選擇線(xiàn)的地址?？梢愿鶕?jù)輸入地址選擇特定存儲(chǔ)塊和特定串選擇線(xiàn)。在操作S212，可以通過(guò)分別向字線(xiàn)WLl到WL6施加第一高電壓VHl來(lái)執(zhí)行讀取操
作(預(yù)讀取操作)。圖16的操作S212可以與圖8的操作S113相同。在操作S212之后，可以將預(yù)讀取結(jié)果RR存儲(chǔ)在頁(yè)緩存單元230中包括的鎖存器中。在操作S213，可以確定斷開(kāi)串。例如，如參照操作圖8的操作S114描述的，可以根據(jù)預(yù)讀取結(jié)果RR確定斷開(kāi)串。在操作S214，可以輸出斷開(kāi)串信息。斷開(kāi)串信息可以包括與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息。斷開(kāi)串信息可以包括斷開(kāi)串的數(shù)量。可以將預(yù)讀取結(jié)果RR提供給計(jì)數(shù)單元250。可以經(jīng)由數(shù)據(jù)輸入/輸出單元240將計(jì)數(shù)單元250的計(jì)數(shù)值CV輸出到外部設(shè)備。斷開(kāi)串信息可以包括預(yù)讀取結(jié)果RR?？梢越?jīng)由數(shù)據(jù)輸入/輸出單元240將預(yù)讀取結(jié)果RR提供到非易失性存儲(chǔ)器件200外部。斷開(kāi)串信息可以包括計(jì)數(shù)值CV和預(yù)讀取結(jié)果兩者。在示例性實(shí)施例中，可以根據(jù)在操作S211輸入的命令確定是否輸出了任何類(lèi)型的斷開(kāi)串信息。在操作S211到S214之后，可以存在與特定存儲(chǔ)塊中的特定串選擇線(xiàn)相對(duì)應(yīng)的單元串中的斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的輸出信息。圖17是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的預(yù)讀取方法的流程圖。參照?qǐng)D7、圖15和圖17，在操作S211，可以接收命令。例如，可以接收與預(yù)讀取操作相對(duì)應(yīng)的命令。能夠接收用于請(qǐng)求非易失性存儲(chǔ)器件200的狀態(tài)信息的命令。輸入的命令可以是不同于典型的寫(xiě)入、讀取和擦除命令的命令。可以與命令一起接收用于指定或指示特定存儲(chǔ)塊和特定串選擇線(xiàn)的地址。可以根據(jù)輸入地址選擇特定存儲(chǔ)塊和特定串選擇線(xiàn)。在操作S222，可以選擇第一串選擇線(xiàn)SSLl。在操作S223，可以通過(guò)分別向字線(xiàn)WLl到WL6施加第一高電壓VHl來(lái)執(zhí)行讀取操作(預(yù)讀取操作)。圖16的操作S223可以與圖8的操作S113相同。在操作S224，可以確定斷開(kāi)串。圖16的操作S224可以與圖8的操作S114相同。在操作S225，可以輸出斷開(kāi)串信息。斷開(kāi)串信息可以包括被選存儲(chǔ)塊中的被選串選擇線(xiàn)的斷開(kāi)串的數(shù)量、預(yù)讀取結(jié)果、或者斷開(kāi)串的數(shù)量和預(yù)讀取結(jié)果兩者。在操作S226，可以判定被選串選擇線(xiàn)是否是最后的串選擇線(xiàn)。如果被選串選擇線(xiàn)不是最后的串選擇線(xiàn)，則方法進(jìn)行到操作S227，在操作S227選擇下一條串選擇線(xiàn)SSL2。然后，方法進(jìn)行到操作S223。如果被選串選擇線(xiàn)是最后的串選擇線(xiàn)，則方法可以結(jié)束。在操作S221到S227之后，可以存在與特定存儲(chǔ)塊的單元串中的斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的輸出信息?？梢愿鶕?jù)輸入命令確定斷開(kāi)串信息的類(lèi)型。圖18是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件300的框圖。參照?qǐng)D18，非易失性存儲(chǔ)器件300可以包括存儲(chǔ)單元陣列310、地址譯碼單元320、頁(yè)緩存單元330、數(shù)據(jù)輸入/輸出單元340、計(jì)數(shù)單元350、通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元360和控制邏輯370。除了還向數(shù)據(jù)輸入/輸出單元340提供計(jì)數(shù)值CV之外，非易失性存儲(chǔ)器件300可以與圖I的相同。非易失性存儲(chǔ)器件300可以根據(jù)參照?qǐng)D8到圖13描述的擦除方法執(zhí)行擦除操作。非易失性存儲(chǔ)器件300可以根據(jù)參照?qǐng)D16和圖17描述的預(yù)讀取方法執(zhí)行預(yù)讀取操作。圖19是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件400的框圖。參照?qǐng)D19，非易失性存儲(chǔ)器件400可以包括存儲(chǔ)單元陣列410、地址譯碼單元420、頁(yè)緩存單元430、數(shù)據(jù)輸入/輸出單元440、計(jì)數(shù)單元450、通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元460和控制邏輯470。存儲(chǔ)單元陣列410可以具有與圖I圖示的相同的結(jié)構(gòu)。`地址譯碼單元420可以經(jīng)由串選擇線(xiàn)SSL、字線(xiàn)WL和地選擇線(xiàn)GSL與存儲(chǔ)單元陣列410連接。地址譯碼單元420可以將譯碼的列地址DCA提供給頁(yè)緩存單元430。頁(yè)緩存單元430可以經(jīng)由位線(xiàn)與存儲(chǔ)單元陣列410連接并且經(jīng)由數(shù)據(jù)線(xiàn)DL與數(shù)據(jù)輸入/輸出單元440連接。頁(yè)緩存單元430可以輸出讀取結(jié)果(包括擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果)。計(jì)數(shù)單元450可以對(duì)輸入的讀取結(jié)果RR計(jì)數(shù)以輸出計(jì)數(shù)值CV。通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元460可以將輸入的計(jì)數(shù)值CV與寄存器REG2中存儲(chǔ)的值進(jìn)行比較，以根據(jù)比較結(jié)果輸出通過(guò)信號(hào)PASS或者失敗信號(hào)FAIL?？刂七壿?70可以控制非易失性存儲(chǔ)器件400的總體操作。圖20是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的擦除方法的流程圖。圖21是圖示在圖20的擦除方法中生成的且可在圖20的擦除方法中使用的電壓條件的示圖。參照?qǐng)D7、圖19和圖20，在操作S411，可以供應(yīng)擦除電壓。在操作S412，可以選擇第一串選擇線(xiàn)SSL1?？梢愿≈梦痪€(xiàn)BLl和BL2，并且可以浮置串選擇線(xiàn)SSLl和SSL2或者向串選擇線(xiàn)SSLl和SSL2供應(yīng)第六串選擇線(xiàn)電壓VSSL6。第二字線(xiàn)電壓Vwe2可以是地電壓VSS或者具有與地電壓VSS類(lèi)似的電平的低電壓(包括正電壓或負(fù)電壓)?？梢愿≈玫剡x擇線(xiàn)GSL或者向地選擇線(xiàn)GSL供應(yīng)第四地選擇線(xiàn)電壓VGSL4。公共源極線(xiàn)CSL可以被浮置?？梢韵蛞r底111供應(yīng)第二擦除電壓Vers2。第二擦除電壓Vers2可以是高電壓。第六串選擇線(xiàn)電壓VSSL6和第四地選擇線(xiàn)電壓VGSL4可以具有第二擦除電壓Vers2與地電壓VSS之間的電平。當(dāng)供應(yīng)第二擦除電壓Vers2時(shí)，存儲(chǔ)單元陣列410的電壓可以如圖10所示那樣改變。在操作S413，可以通過(guò)供應(yīng)擦除驗(yàn)證電壓進(jìn)行擦除驗(yàn)證操作?？梢韵蛭痪€(xiàn)BLl和BL2供應(yīng)第四位線(xiàn)電壓VBL4。第四位線(xiàn)電壓VBL4可以是電源電壓VCC或者具有與電源電壓VCC類(lèi)似的電平的電壓?？梢韵虮贿x串選擇線(xiàn)SSLl供應(yīng)第七串選擇線(xiàn)電壓VSSL7。第七串選擇線(xiàn)電壓VSSL7可以是足夠?qū)ū贿x串選擇晶體管SS Tl的電壓。第七串選擇線(xiàn)電壓VSSL7可以是非選擇讀取電壓Vread或電源電壓VCC?？梢韵蛭催x串選擇線(xiàn)SSL2提供第八串選擇線(xiàn)電壓VSSL8。第八串選擇線(xiàn)電壓VSSL8可以是足夠?qū)ㄎ催x串選擇線(xiàn)晶體管SST2的電壓。第八串選擇線(xiàn)電壓VSSL8可以是地電壓VSS或者具有類(lèi)似于地電壓VSS的電平的低電壓(包括正電壓和負(fù)電壓)?？梢韵蜃志€(xiàn)WLl到WL6提供第二驗(yàn)證電壓VFY2。第二驗(yàn)證電壓VFY2可以是擦除的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的上限。第二驗(yàn)證電壓VFY2可以是地電壓VSS或負(fù)電壓?？梢韵虻剡x擇線(xiàn)GSL施加第五地選擇線(xiàn)電壓VGSL5。第五地選擇線(xiàn)電壓VGSL5可以是足夠?qū)ǖ剡x擇晶體管GST的電壓。第五地選擇線(xiàn)電壓VGSL5可以是非選擇讀取電壓Vread或電源電壓VCC?？梢韵蚬苍礃O線(xiàn)CSL提供第三公共源極線(xiàn)電壓VCSL3。第三公共源極線(xiàn)電壓VCSL3可以是地電壓VSS或者具有類(lèi)似于地電壓VSS的電平的低電壓(包括正電壓和負(fù)電壓)。可以向襯底111供應(yīng)第三襯底電壓VSUB3。第三襯底電壓VSUB3可以是地電壓VSS或者具有類(lèi)似于地電壓VSS的電平的低電壓(包括正電壓和負(fù)電壓)。`當(dāng)供應(yīng)擦除驗(yàn)證電壓時(shí)，存儲(chǔ)單元陣列410的電壓可以如圖12所示改變。當(dāng)特定串中的存儲(chǔ)單元MCl到MC6根據(jù)第二驗(yàn)證電壓VFY2導(dǎo)通時(shí)，與特定串連接的位線(xiàn)的電壓可以從第四位線(xiàn)電壓VBL4降低。當(dāng)特定串中的至少一個(gè)存儲(chǔ)單元根據(jù)第二驗(yàn)證電壓VFY2截止時(shí)，與特定串連接的位線(xiàn)可以保持第四位線(xiàn)電壓VBL4。截止的串可以是擦除失敗的串。當(dāng)特定位線(xiàn)的電壓低于參考電壓Vref時(shí)，頁(yè)緩存單元430可以在與特定位線(xiàn)相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)中存儲(chǔ)第二邏輯值。當(dāng)特定位線(xiàn)的電壓超過(guò)參考電壓Vref時(shí)，頁(yè)緩存單元430可以在與特定位線(xiàn)相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)中存儲(chǔ)第一邏輯值。與斷開(kāi)串連接的位線(xiàn)可以保持第四位線(xiàn)電壓VBL4。也就是說(shuō)，頁(yè)緩存單元430可以在與斷開(kāi)串相對(duì)應(yīng)的鎖存器中存儲(chǔ)第一邏輯值。在頁(yè)緩存單元430中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以是擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果RR，該擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果RR被提供給計(jì)數(shù)單元450。在操作S414，可以對(duì)失敗串的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。失敗串可以指示擦除失敗單元串。計(jì)數(shù)單元450可以對(duì)擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果RR的第一邏輯值進(jìn)行計(jì)數(shù)，即對(duì)擦除失敗串的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)值CV可以被提供給通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元460。在操作S415，可以將失敗串的數(shù)量與第二參考值V2進(jìn)行比較。通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元460可以將計(jì)數(shù)值CV與寄存器REG2中存儲(chǔ)的第二參考值V2進(jìn)行比較。如果計(jì)數(shù)值CV大于第二參考值V2，則通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元460可以輸出失敗信號(hào)FAIL。根據(jù)失敗信號(hào)FAIL，可以在控制邏輯470的控制下運(yùn)行操作S416。在操作S416，可以供應(yīng)擦除電壓并且可以再次選擇先前選擇的串選擇線(xiàn)。然后，方法進(jìn)行到操作S413。如果計(jì)數(shù)值CV低于第二參考值V2，也就是說(shuō)，如果失敗串的數(shù)量低于第二參考值V2,則通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元460可以輸出通過(guò)信號(hào)PASS。根據(jù)通過(guò)信號(hào)PASS，可以在控制邏輯470的控制下運(yùn)行操作S417。在操作S417，可以確定被選串選擇線(xiàn)SSLl是否是最后的串選擇線(xiàn)。如果被選串選擇線(xiàn)SSLl不是最后的串選擇線(xiàn)，則在操作S418，可以選擇下一條串選擇線(xiàn)SSL2。然后，方法進(jìn)行到操作S413。如果被選串選擇線(xiàn)SSLl是最后的串選擇線(xiàn)，則方法可以結(jié)束。在示范性實(shí)施例中，第二參考值V2可以指示能夠通過(guò)糾錯(cuò)單元(未示出)糾正的比特?cái)?shù)量，該糾錯(cuò)單元被配置成糾正從非易失性存儲(chǔ)器件400讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。第二參考值V2可以具有小于糾錯(cuò)單元(未示出)的可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)的值，并且可以根據(jù)可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)來(lái)確定。例如，可以根據(jù)可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)的特定比率來(lái)確定第二參考值V2。如上所述，如果失敗串的數(shù)量低于第二參考值V2，則方法可以結(jié)束?？梢詫嚅_(kāi)串確定為失敗的串。也就是說(shuō)，盡管存在斷開(kāi)串，但非易失性存儲(chǔ)器件400仍可以正常工作。在示例性實(shí)施例中，如參照?qǐng)D16和圖17描述的，非易失性存儲(chǔ)器件400可以被配置成執(zhí)行預(yù)讀取操作。圖22是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件500的框圖。參照?qǐng)D22，非易失性存儲(chǔ)器件500可以包括存儲(chǔ)單元陣列510、地址譯碼單元520、頁(yè)緩存單元530、數(shù)據(jù)輸入/輸出單元540、計(jì)數(shù)單元550、通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元560和控制邏輯570。元件510、520、540、550和570可以與圖19中示出的相同。頁(yè)緩存器530可以包括脈動(dòng)進(jìn)位計(jì)算器531。脈動(dòng)進(jìn)位計(jì)算器531可以根據(jù)擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果輸出和信號(hào)SUM和進(jìn)位信號(hào)CARRY。`計(jì)數(shù)單元550可以被配置成從頁(yè)緩存單元530接收和信號(hào)SUM。計(jì)數(shù)單元550可以被配置成對(duì)和信號(hào)SUM的激活數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。計(jì)數(shù)單元550可以輸出計(jì)數(shù)值CV。通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元560可以從頁(yè)緩存單元530接收進(jìn)位信號(hào)CARRY并且從計(jì)數(shù)單元550接收計(jì)數(shù)值CV。當(dāng)進(jìn)位信號(hào)CARRY被激活時(shí)，通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元560可以激活失敗信號(hào)FAIL。當(dāng)進(jìn)位信號(hào)處于非激活狀態(tài)時(shí)，通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元560可以將計(jì)數(shù)值CV與寄存器REG3中存儲(chǔ)的參考值進(jìn)行比較，以根據(jù)比較結(jié)果輸出通過(guò)信號(hào)PASS或者失敗信號(hào) FAIL。圖23是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的擦除方法的流程圖。參照?qǐng)D7、圖22和圖23，在操作S511，可以供應(yīng)擦除電壓。在操作S512，可以選擇第一串選擇線(xiàn)SSL1。在操作S513，可以通過(guò)供應(yīng)擦除驗(yàn)證電壓進(jìn)行擦除驗(yàn)證操作。在操作S512和S513供應(yīng)到存儲(chǔ)單元陣列510的電壓可以與圖21中圖示的相同。如果運(yùn)行操作S512和S513，則擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果可以存儲(chǔ)在頁(yè)緩存單元530中包括的鎖存器(未示出)中。例如，第二邏輯值可以存儲(chǔ)在與擦除通過(guò)串相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)中，并且第一邏輯值可以存儲(chǔ)在與擦除失敗串相對(duì)應(yīng)的鎖存器(未示出)中。在操作S514，可以生成和信號(hào)SUM和進(jìn)位信號(hào)CARRY。頁(yè)緩存單元530的脈動(dòng)進(jìn)位計(jì)算器531可以根據(jù)擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果生成和信號(hào)SUM以及進(jìn)位信號(hào)CARRY。這將參照?qǐng)D24更充分地描述。在操作S515，確定進(jìn)位信號(hào)CARRY是否處于非激活狀態(tài)。如果進(jìn)位信號(hào)CARRY處于激活狀態(tài)，則通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元560可以生成失敗信號(hào)FAIL。根據(jù)失敗信號(hào)FAIL，可以在控制邏輯570的控制下運(yùn)行操作S516。在操作S516，可以執(zhí)行擦除操作，并且可以再次選擇先前選擇的串選擇線(xiàn)。然后，方法進(jìn)行到操作S513。如果進(jìn)位信號(hào)CARRY處于非激活狀態(tài)，則方法進(jìn)行到操作S517，在操作S517，將和信號(hào)SUM的激活數(shù)量與第三參考值V3進(jìn)行比較。計(jì)數(shù)單元550可以向通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元560提供指示和信號(hào)SUM的激活數(shù)量的計(jì)數(shù)值CV。當(dāng)計(jì)數(shù)值CV大于第三參考值V3時(shí)，通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元560可以生成失敗信號(hào)FAIL。根據(jù)失敗信號(hào)FAIL，可以在控制邏輯570的控制下運(yùn)行操作S516。如果計(jì)數(shù)值CV低于第三參考值V3，則失敗校驗(yàn)單元560可以生成通過(guò)信號(hào)PASS。根據(jù)通過(guò)信號(hào)PASS，可以在控制邏輯570的控制下運(yùn)行操作S518。
在操作S518，可以確定被選串選擇線(xiàn)SSLl是否是最后的串選擇線(xiàn)。如果被選串選擇線(xiàn)SSLl不是最后的串選擇線(xiàn)，則在操作S519，可以選擇下一條串選擇線(xiàn)SSL2。然后，方法進(jìn)行到操作S513。如果被選串選擇線(xiàn)SSLl是最后的串選擇線(xiàn)，則方法可以結(jié)束。圖24是圖示生成和信號(hào)以及進(jìn)位信號(hào)的方法的流程圖。參照?qǐng)D7、圖22和圖24，在操作S521，可以選擇第一組擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果。例如，擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果可以被分成多個(gè)組，并且可以選擇分成的組中的第一組。在操作S522，可以確定被選組的擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果所代表的失敗串的數(shù)量是否是一。在示例性實(shí)施例中，被選組的驗(yàn)證結(jié)果的第一邏輯值可以指示失敗串?？梢源_定被選組的驗(yàn)證結(jié)果的第一邏輯值的數(shù)量是否是I。如果是，則方法進(jìn)行到操作S523。如果不是，則方法進(jìn)行到操作S524。在操作S523，激活和信號(hào)SUM。脈動(dòng)進(jìn)位計(jì)算器531可以激活和信號(hào)SUM。然后，方法進(jìn)行到操作S526。在操作S524，可以確定失敗串的數(shù)量是否超過(guò)2。在示例性實(shí)施例中，可以確定被選組的驗(yàn)證結(jié)果的第一邏輯值的數(shù)量是否超過(guò)2。如果是，則方法進(jìn)行到操作S525。如果不是，則方法進(jìn)行到操作S526。在操作S525，可以激活進(jìn)位信號(hào)CARRY。然后，方法進(jìn)行到操作S526。`如果運(yùn)行操作S522到S525，則頁(yè)緩存單元530可以激活和信號(hào)SUM或進(jìn)位信號(hào)CARRY,或者可以去激活和信號(hào)SUM和進(jìn)位信號(hào)CARRY。如果檢測(cè)到一個(gè)失敗串，則可以激活和信號(hào)SUM。如果檢測(cè)到兩個(gè)或更多個(gè)失敗串，則可以激活進(jìn)位信號(hào)CARRY。在操作S526，可以確定被選組是否是最后的組。如果被選組不是最后的組，則在操作S527可以去激活和信號(hào)SUM和進(jìn)位信號(hào)CARRY，并且可以選擇下一個(gè)組。然后，方法進(jìn)行到步驟S521。如果被選組是最后的組，則和信號(hào)SUM和進(jìn)位信號(hào)CARRY的生成可以結(jié)束。如參照?qǐng)D24描述的，如果進(jìn)位信號(hào)CARRY被激活，則可以激活失敗信號(hào)FAIL。也就是說(shuō)，如果從被選組的擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果檢測(cè)到兩個(gè)或更多失敗串，則可以確定擦除失敗。當(dāng)進(jìn)位信號(hào)CARRY處于去激活狀態(tài)時(shí)，可以將和信號(hào)SUM的激活數(shù)量與第三參考值V3進(jìn)行比較，并且可以根據(jù)比較結(jié)果確定擦除失敗或擦除通過(guò)。也就是說(shuō)，當(dāng)每組不包括兩個(gè)或更多失敗串并且總的擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果的失敗串的數(shù)量低于第三參考值V3時(shí)，可以確定擦除通過(guò)。第三參考值V3可以指示能夠通過(guò)糾錯(cuò)單元(未示出)糾正的比特?cái)?shù)量,該糾錯(cuò)單元被配置成糾正從非易失性存儲(chǔ)器件500讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。第三參考值V3可以具有小于糾錯(cuò)單元(未示出)的可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)的值，并且可以根據(jù)可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)來(lái)確定。例如，可以根據(jù)可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)的特定比率來(lái)確定第三參考值V3。圖25是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件500的脈動(dòng)進(jìn)位計(jì)算器531的框圖。在示例性實(shí)施例中，頁(yè)緩存單元530可以具有圖14中圖示的結(jié)構(gòu)。頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSl到PBSm可以與脈動(dòng)進(jìn)位計(jì)算器531連接。參照?qǐng)D7、圖14、圖22和圖25，脈動(dòng)進(jìn)位計(jì)算器531可以包括多個(gè)計(jì)算器Cl到Ck。頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSl到PBSm中的相鄰的頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)與一個(gè)計(jì)算器連接。例如，第一頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSl和第二頁(yè)緩存器PBS2可以與第一計(jì)算器Cl連接，第三頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBS3和第四頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBS4可以與第二計(jì)算器C2連接，并且頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSm-I和PBSm可以與計(jì)算器Ck連接。當(dāng)傳送信號(hào)PFl到PFn被順序地激活時(shí)，頁(yè)緩存器PBl到PBn可以將擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果順序地輸出到頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSl到PBSm。也就是說(shuō)，擦除驗(yàn)證讀取結(jié)果可以按照頁(yè)緩存器PBl到PBn的級(jí)Stagel到Stagen分成多個(gè)組。第一計(jì)算器Cl可以對(duì)第一頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSl和第二頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBS2的邏輯值求和，以輸出第一和信號(hào)SUM1。例如，第一計(jì)算器Cl可以通過(guò)對(duì)第一頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSl和第二頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBS2的邏輯值執(zhí)行異或(XOR)運(yùn)算，來(lái)輸出第一和信號(hào)SUMl。當(dāng)?shù)谝豁?yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBSl和第二頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBS2具有第一邏輯值(例如，邏輯高電平)時(shí)，第一計(jì)算器Cl可以輸出第一進(jìn)位信號(hào)CARRYl作為第一邏輯值。第二計(jì)算器C2可以通過(guò)對(duì)第三頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBS3和第四頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBS4的邏輯值執(zhí)行XOR運(yùn)算，來(lái)輸出第二和信號(hào)SUM2。當(dāng)?shù)谌?yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBS3和第四頁(yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBS4具有第一邏輯值時(shí)，或者當(dāng)?shù)谌?yè)緩存器信號(hào)線(xiàn)PBS3和第四頁(yè)緩存器
PBS4的邏輯值與第一和信號(hào)SUMl的XOR值具有第一邏輯值時(shí)，第二計(jì)算器C2可以輸出第二進(jìn)位信號(hào)CARRY2作為第一邏輯值。當(dāng)?shù)谝贿M(jìn)位信號(hào)CARRYl具有第一邏輯值時(shí)，第二計(jì)算器C2可以輸出第二進(jìn)位信號(hào)CARRY2作為第一邏輯值。計(jì)算器Ck可以與第二計(jì)算器C2相同地操作。計(jì)算器Ck可以基于頁(yè)緩存單元530的輸出信號(hào)和前一級(jí)的輸出信號(hào)輸出和信號(hào)SUM以及進(jìn)位信號(hào)CARRY。當(dāng)和信號(hào)SUM或者進(jìn)位信號(hào)CARRY具有第一邏輯值時(shí)，和信號(hào)SUM或者進(jìn)位信號(hào)CARRY可以被激活。和信號(hào)可以被提供給計(jì)數(shù)單元550，并且進(jìn)位信號(hào)CARRY可以被提供給通過(guò)/失敗校驗(yàn)單元560。如上所述，當(dāng)失敗串的數(shù)量在可校正范圍內(nèi)時(shí)，可以確定擦除通過(guò)。在擦除驗(yàn)證操作可以將斷開(kāi)串確定為失敗串。因此，盡管存在斷開(kāi)串，但非易失性存儲(chǔ)器件500仍可以正常工作。圖26是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路BLKa2的電路圖。圖26的等效電路BLKa2可以不同于圖7中圖不的等效電路，其不同之處在于，在每個(gè)單元串中添加了橫向晶體管LTR。參照?qǐng)D3到圖6以及圖26，每個(gè)單元串中的橫向晶體管LTR可以連接在地選擇晶體管GST和公共源極線(xiàn)CSL之間。每個(gè)單元串中的橫向晶體管LTR的柵極可以與其中的地選擇晶體管GST的柵極(或者控制柵極)一起連接到地選擇線(xiàn)GSL。溝道膜114可以用作第一導(dǎo)電材料CMl的垂直主體。也就是說(shuō)，第一導(dǎo)電材料CMl可以與溝道膜114 一起構(gòu)成縱向晶體管。第一導(dǎo)電材料CMl可以與溝道膜114 一起構(gòu)成垂直于襯底111的地選擇晶體管GST?？梢栽谝r底111與第一導(dǎo)電材料CMl之間提供信息存儲(chǔ)膜116。襯底111可以用作第一導(dǎo)電材料CMl的橫向主體。也就是說(shuō)，第一導(dǎo)電材料CMl可以與襯底111 一起形成縱向晶體管LTR。當(dāng)電壓被施加到第一導(dǎo)電材料CMl時(shí)，可以在第一導(dǎo)電材料CMl與溝道膜114之間形成(forced)電場(chǎng)。該電場(chǎng)可以使得能夠在溝道膜114形成溝道。當(dāng)電壓被施加到第一導(dǎo)電材料CMl時(shí),可以在第一導(dǎo)電材料CMl與襯底111之間形成電場(chǎng)。該電場(chǎng)可以使得能夠在襯底111形成溝道。在襯底111形成的溝道可以與公共源極區(qū)CSR和溝道膜114耦合。當(dāng)電壓被施加到地選擇線(xiàn)GSL時(shí)，地選擇晶體管GST和橫向晶體管LTR可以導(dǎo)通。這可以使得單元串CS11、CS12、CS21和CS22能夠與公共源極線(xiàn)CSL連接。圖27是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路BLKa3的電路圖。圖27的等效電路BLKa3可以不同于圖7的等效電路，不同之處在于地選擇晶體管GST與第一地選擇線(xiàn)GSLl和第二地選擇線(xiàn)GSL2連接。參照?qǐng)D3、圖6和圖27，第一導(dǎo)電材料CMl可以構(gòu)成第一地選擇線(xiàn)GSLl和第二地選擇線(xiàn)GSL2。可以以與參照?qǐng)D8到圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方式擦除存儲(chǔ)單元。可以向被選地選擇線(xiàn)施加導(dǎo)通電壓，并且可以向未選地選擇線(xiàn)施加截止電壓。可以與被選串選擇線(xiàn)相同地偏置被選地選擇線(xiàn)，并且可以與未選串選擇線(xiàn)相同地偏置未選地選擇線(xiàn)。可以與參照?qǐng)D16和圖17描述的相同的方式對(duì)存儲(chǔ)單元MCl到MC6進(jìn)行預(yù)讀取?？梢韵虮贿x地選擇線(xiàn)施加導(dǎo)通電壓，并且可以向未選地選擇線(xiàn)施加截止電壓?？梢耘c被選串選擇線(xiàn)相同地偏置被選地選擇線(xiàn)，并且可以與未選串選擇線(xiàn)相同地偏置未選地選擇線(xiàn)。如參照?qǐng)D26描述的，可以向等效電路BLKa3提供橫向晶體管LTR。`圖28是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路BLKa4的電路圖。參照?qǐng)D3到圖6和圖28，可以提供多個(gè)子塊。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電材料CM2和第三導(dǎo)電材料CM3可以構(gòu)成被用作第一子塊的第一存儲(chǔ)單元MCl和第二存儲(chǔ)單元MC2。第六導(dǎo)電材料CM6和第七導(dǎo)電材料CM7可以構(gòu)成被用作第二子塊的第三存儲(chǔ)單元MC3和第四存儲(chǔ)單元MC4。第四導(dǎo)電材料CM4和第五導(dǎo)電材料CM5可以構(gòu)成提供在第一和第二子塊之間的第一偽存儲(chǔ)單元DMCl和第二偽存儲(chǔ)單元DMC2。第一子塊和第二子塊可以相互獨(dú)立地編程、讀取和擦除?？梢砸耘c參照?qǐng)D8到圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方法擦除存儲(chǔ)單元MCl到MC4。當(dāng)根據(jù)參照?qǐng)D8到圖13描述的方法擦除存儲(chǔ)單元MCl到MC4時(shí)，供應(yīng)到存儲(chǔ)塊BLKa4的電壓在圖29中示出。與圖9中的電壓相比，當(dāng)供應(yīng)擦除電壓Versl時(shí)，可以向被選子塊的字線(xiàn)供應(yīng)第一字線(xiàn)擦除電壓Versl，并且可以浮置未選子塊的字線(xiàn)或者向未選子塊的字線(xiàn)供應(yīng)第一字線(xiàn)電壓VWLl。第一字線(xiàn)電壓VWLl可以具有擦除電壓Vwel與地電壓VSS之間的電平。偽字線(xiàn)DWLl和DWL2可以被浮置或者被供應(yīng)以第一偽字線(xiàn)電壓VDWLl。第一偽字線(xiàn)電壓VDWLl可以具有擦除電壓Vwel與地電壓VSS之間的電平。當(dāng)供應(yīng)第一擦除電壓Versl時(shí)，可以擦除被選子塊的存儲(chǔ)單元，并且可以不擦除未選子塊的存儲(chǔ)單元和偽存儲(chǔ)單元。當(dāng)執(zhí)行預(yù)讀取操作時(shí)，可以向字線(xiàn)WLl到WL4施加第一高電壓VH1。第一高電壓VHl可以是非選擇讀取電壓Vread。第二偽字線(xiàn)電壓VDWL2可以具有足夠?qū)▊未鎯?chǔ)單元DMCl和DMC2的電平。第二偽字線(xiàn)電壓VDWL2可以與非選擇讀取電壓Vread相同或者其電平可以低于非選擇讀取電壓Vread。當(dāng)執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作時(shí)，可以向被選子塊的字線(xiàn)施加驗(yàn)證電壓VFY1，并且可以向未選子塊的字線(xiàn)供應(yīng)第二高電壓VH2。第二高電壓HV2可以是非選擇讀取電壓Vread?？梢韵騻巫志€(xiàn)DWLl和DWL2施加第三偽字線(xiàn)電壓VDWL3。第三偽字線(xiàn)電壓VDWL3可以具有足夠?qū)▊未鎯?chǔ)單元DMCl和DMC2的電平。第三偽字線(xiàn)電壓VDWL3可以與非選擇讀取電壓Vread相同或者其電平可以低于非選擇讀取電壓Vread。
當(dāng)根據(jù)參照?qǐng)D20和圖21描述的方法擦除存儲(chǔ)單元時(shí)，供應(yīng)到存儲(chǔ)塊BLKa4的電壓在圖30中示出。與圖21中的電壓相比，當(dāng)供應(yīng)擦除電壓Vers2時(shí)，可以向被選子塊的字線(xiàn)供應(yīng)字線(xiàn)擦除電壓Vwe2，并且可以浮置未選子塊的字線(xiàn)或者向未選子塊的字線(xiàn)供應(yīng)第二字線(xiàn)電壓VWL2。第二字線(xiàn)電壓VWL2可以具有在擦除電壓Vwe2和地電壓VSS之間的電平。偽字線(xiàn)DWLl和DWL2可以被浮置或者被供應(yīng)以第四偽字線(xiàn)電壓VDWL4。第四偽字線(xiàn)電壓DVWL4可以具有在擦除電壓Vwe2和地電壓VSS之間的電平。當(dāng)執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作時(shí)，可以向被選子塊的字線(xiàn)提供驗(yàn)證電壓VFY2，并且可以向未選子塊的字線(xiàn)施加第三字線(xiàn)電壓VWL3。第三字線(xiàn)電壓VWL3可以是足夠?qū)ù鎯?chǔ)單元的電壓。第三字線(xiàn)電壓VWL3可以具有與非選擇讀取電壓Vread相同或相似的電平?？梢韵騻巫志€(xiàn)DWLl和DWL2施加第五偽字線(xiàn)電壓VDWL5。第五偽字線(xiàn)電壓VDWL5
可以是足夠?qū)▊未鎯?chǔ)單元DMCl和DMC2的電壓。第五偽字線(xiàn)電壓DVWL5可以具有與非選擇讀取電壓Vread相同或相似的電平。當(dāng)根據(jù)參照?qǐng)D20和圖21描述的方法擦除存儲(chǔ)單元MCl到MC4時(shí)，供應(yīng)到存儲(chǔ)塊BLKa4的電壓可以與圖29中不出的相同。當(dāng)根據(jù)參照?qǐng)D16和圖17描述的方法對(duì)存儲(chǔ)單元MCl到MC4進(jìn)行預(yù)讀取操作時(shí)，供應(yīng)到存儲(chǔ)塊BLKa4的電壓可以與在圖29的步驟S113和S114供應(yīng)的電壓相同。如參照?qǐng)D26描述的，可以向等效電路BLKa4提供橫向晶體管LTR。圖31是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路BLKa5的電路圖。參照?qǐng)D3到圖6和圖31，第一導(dǎo)電材料CMl和第二導(dǎo)電材料CM2可以構(gòu)成地選擇晶體管GSTa和GSTb，地選擇晶體管GSTa和GSTb分別具有第一高度和第二高度。第七導(dǎo)電材料CM7和第八導(dǎo)電材料CM8可以構(gòu)成串選擇晶體管SSTa和SSTb，串選擇晶體管SSTa和SSTb分別具有第七高度和第八高度。第三到第六導(dǎo)電材料CM3到CM6可以構(gòu)成第一到第四存儲(chǔ)單元MCl到MC4。第一導(dǎo)電材料CMl和第二導(dǎo)電材料CM2可以共同連接以形成地選擇線(xiàn)GSL。第一導(dǎo)電材料CMl可以共同連接以形成具有第一高度的地選擇線(xiàn)(未示出)。第二導(dǎo)電材料CM2可以共同連接以形成具有第二高度的地選擇線(xiàn)(未示出)。單元串CSll和CS12可以與兩條地選擇線(xiàn)(未示出)連接，所述兩條地選擇線(xiàn)分別具有第一高度和第二高度，并且由第一導(dǎo)電材料CMl和第二導(dǎo)電材料CM2形成。單元串CS21和CS22可以與兩條地選擇線(xiàn)(未示出)連接，所述兩條地選擇線(xiàn)分別具有第一高度和第二高度，并且由第一導(dǎo)電材料CMl和第二導(dǎo)電材料CM2形成。與至少三個(gè)高度相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電材料可以形成地選擇晶體管。單元串CSll和CS12可以與兩條串選擇線(xiàn)SSLla和SSLlb連接，串選擇線(xiàn)SSLla和SSLlb分別具有第七高度和第八高度，并且由第七導(dǎo)電材料CM7和第八導(dǎo)電材料CM8形成。單元串CS21和CS22可以與兩條串選擇線(xiàn)SSL2a和SSL2b連接，串選擇線(xiàn)SSL2a和SSL2b分別具有第七高度和第八高度，并且由第七導(dǎo)電材料CM7和第八導(dǎo)電材料CM8形成。分別與至少三個(gè)高度相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電材料可以形成串選擇晶體管?？梢砸耘c參照?qǐng)D8到圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方法擦除存儲(chǔ)單元MCl到MC4。可以與在圖16和圖17中描述的相同的方法對(duì)存儲(chǔ)單元MCl到MC4進(jìn)行
預(yù)讀取操作。
與參照?qǐng)D26描述的等效電路BLKa2 —樣，可以向圖31的等效電路BLKa5提供橫向晶體管LTR。與參照?qǐng)D27描述的等效電路BLKa3—樣，單元串CSll和CS12可以與一條地選擇線(xiàn)(未示出)連接，并且單元串CS21和CS22可以與另一條地選擇線(xiàn)(未示出)連接。與參照?qǐng)D28描述的等效電路BLKa4 —樣，存儲(chǔ)單元MC可以構(gòu)成多個(gè)子塊。圖32是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路BLKa6的電路圖。圖32的等效電路BLKa6可以不同于圖31示出的等效電路BLKa6，不同之處在于串選擇晶體管SSTa和SSTb共用串選擇線(xiàn)。單元串CSll和CS12中的串選擇晶體管SSTa和SSTb可以共同連接到第一串選擇線(xiàn)SSL1，并且單元串CS21和CS22中的串選擇晶體管SSTa和SSTb可以共同連接到第二串選擇線(xiàn)SSL2?？梢砸耘c參照?qǐng)D8到圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方法擦除存儲(chǔ)單元MCl到MC4?？梢耘c在圖16和圖17中描述的相同的方法對(duì)存儲(chǔ)單元MCl到MC4進(jìn)行
預(yù)讀取操作。與參照?qǐng)D26描述的等效電路BLKa2—樣，可以向等效電路BLKa6提供橫向晶體管`LTR0與參照?qǐng)D27描述的等效電路BLKa3 —樣，單元串CSll和CS12可以與一條地選擇線(xiàn)(未示出)連接，并且單元串CS21和CS22可以與另一條地選擇線(xiàn)(未示出)連接。與參照?qǐng)D28描述的等效電路BLKa4 —樣，存儲(chǔ)單元MC可以構(gòu)成多個(gè)子塊。圖33是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖3的EC部分的等效電路BLKa7的電路圖。參照?qǐng)D3到圖6以及圖33，第二導(dǎo)電材料CM2可以構(gòu)成第一偽存儲(chǔ)單元DMCl，并且第七導(dǎo)電材料CM7可以構(gòu)成第二偽存儲(chǔ)單元DMC2。在示例性實(shí)施例中，與兩個(gè)或更多高度相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電材料可以構(gòu)成布置在存儲(chǔ)單元和地選擇晶體管GST之間的偽存儲(chǔ)單元(未示出)。與兩個(gè)或更多高度相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電材料可以構(gòu)成布置在存儲(chǔ)單元和串選擇晶體管SST之間的偽存儲(chǔ)單元(未示出)。偽存儲(chǔ)單元(未示出)可以布置為與地選擇晶體管GST和串選擇晶體管SST中的任何一個(gè)相鄰。可以以與參照?qǐng)D8到圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方法擦除存儲(chǔ)單元MCl到MC4?？梢耘c在圖16和圖17中描述的相同的方法對(duì)存儲(chǔ)單元MCl到MC4進(jìn)行預(yù)讀取操作。施加到偽字線(xiàn)DWLl和DWL2的電壓可以是參照?qǐng)D29和圖30描述的偽字線(xiàn)電壓VDffLl 到麗L5。與參照?qǐng)D26描述的等效電路BLKa2—樣，可以向等效電路BLKa6提供橫向晶體管LTR0與參照?qǐng)D27描述的等效電路BLKa3 —樣，單元串CSll和CS12可以與一條地選擇線(xiàn)(未示出)連接，并且單元串CS21和CS22可以與另一條地選擇線(xiàn)(未示出)連接。與參照?qǐng)D28描述的等效電路BLKa4—樣，存儲(chǔ)單元MC可以構(gòu)成多個(gè)子塊。如參照?qǐng)D31描述的，兩個(gè)或更多高度的導(dǎo)電材料可以構(gòu)成串選擇晶體管SSTa和SSTb。兩個(gè)或更多高度的導(dǎo)電材料可以構(gòu)成地選擇晶體管GSTa和GSTb。如參照?qǐng)D32描述的，相同行的串選擇晶體管SSTa和SSTb可以與一條串選擇線(xiàn)SSLl或SSL2連接。圖34是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的沿圖3的IV-IV’線(xiàn)截取的透視圖。圖35是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例沿圖3的IV-IV’線(xiàn)截取的截面圖。參照?qǐng)D3、圖34和圖35，可以提供沿垂直于襯底111的方向堆疊的下柱PLa和上柱PLb。下柱PLa可以沿第三方向穿透絕緣膜112和112a以與襯底111接觸。下柱PLa中的每一個(gè)可以包括下溝道膜114a和下內(nèi)部材料115a。下溝道膜114a可以包括具有與襯底111相同導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體材料或本征半導(dǎo)體。下溝道膜114a可以分別用作第一到第四導(dǎo)電材料CMl到CM4的垂直主體。下內(nèi)部材料115a可以包括絕緣材料?？梢栽谙轮鵓La中的相應(yīng)下柱上提供上柱PLb。上柱PLb可以沿第三方向穿透絕緣膜112以與下柱PLa的上表面接觸。上柱PLb中的每一個(gè)可以包括上溝道膜114b和上內(nèi)部材料115b。上溝道膜114b可以包括具有與下溝道膜114a相同導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體材料或本征半導(dǎo)體。上溝道膜114b可以分別用作第五到第八導(dǎo)電材料CM5和CM8的垂直主體。上內(nèi)部材料115b可以包括絕緣材料。下溝道膜114a和上溝道膜114b可以連接以用作垂直主體。例如，可以在下柱PLa中的相應(yīng)下柱上提供半導(dǎo)體墊SP。半導(dǎo)體墊SP可以包括具有與下溝道膜114a相同導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體材料或本征半導(dǎo)體。下溝道膜114a和上溝道膜114b可以經(jīng)由半導(dǎo)體墊SP相互連接。在本實(shí)施例中，在第一到第八導(dǎo)電材料CMl到CM8當(dāng)中，鄰近半導(dǎo)體墊SP的導(dǎo)電材料可以構(gòu)成偽字線(xiàn)和偽存儲(chǔ)單元。例如，第四導(dǎo)電材料CM4、第五導(dǎo)電材料CM5、或第四和第五導(dǎo)電材料CM4和CM5可以構(gòu)成偽字線(xiàn)和偽存儲(chǔ)單元。參照?qǐng)D3、圖34和圖35描述的存儲(chǔ)塊的等效電路可以與分別在圖7、圖26、圖27、圖28、圖31、圖32和圖33中圖示的上述等效電路BLKal到BLKa7之一相同。在參照?qǐng)D3、圖34和圖35描述的存儲(chǔ)塊中，可以以與參照?qǐng)D8到圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方法執(zhí)行擦除操作。在參照?qǐng)D3、圖34和圖35描述的存儲(chǔ)塊中，可以用與圖16和圖17中描述的相同的方法進(jìn)行預(yù)讀取操作。圖36是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖2的存儲(chǔ)單元陣列110的存儲(chǔ)塊的一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKb的平面圖。圖37是沿圖36的X X XVII - X X XW線(xiàn)截取的透視圖。圖38是沿圖36的ΧΧΧΥΠ-XXXVT線(xiàn)截取的截面圖。與參照?qǐng)D3到圖6描述的存儲(chǔ)塊BLKa相比，存儲(chǔ)塊BLKb可以具有在第二方向上提供的、沿第一方向延伸的串選擇線(xiàn)切口 SSL Cut和字線(xiàn)切口 WLCut?？梢栽谕ㄟ^(guò)字線(xiàn)切口WL Cut暴露的襯底111處提供公共源極區(qū)CSR?？梢栽趦蓚€(gè)相鄰的公共源極區(qū)CSR、即兩個(gè)相鄰的字線(xiàn)切口 WL Cut之間，在沿第一方向的兩條線(xiàn)上形成柱PL。可以在兩條線(xiàn)的柱PL之間形成串選擇線(xiàn)切口 SSL Cut。串選擇線(xiàn)切口 SSL Cut可以隔離構(gòu)成串選擇晶體管SST的第八導(dǎo)線(xiàn)CM8。當(dāng)兩個(gè)或更多高度的導(dǎo)線(xiàn)構(gòu)成串選擇晶體管SST時(shí)，串選擇線(xiàn)切口 SSL Cut可以隔離兩個(gè)或更多高度的導(dǎo)電材料。在本實(shí)施例中，如圖34和圖35中描述的，柱PL可以由下柱和上柱形成。圖36的EC部分可以對(duì)應(yīng)于分別在圖7、圖26、圖27、圖28、圖31、圖32和圖33中圖示的上述等效電路BLKal到BLKa7之一。在存儲(chǔ)塊BLKb中，可以以與參照?qǐng)D8圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方法執(zhí)行擦除操作。在存儲(chǔ)塊BLKb中，可以與在圖16和圖17中描述的相同的方法進(jìn)行預(yù)讀取操作。圖39是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖2的存儲(chǔ)塊中的一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKc的平面圖。圖40是沿圖39的XX XX-XX XX’線(xiàn)截取的透視圖。圖41是沿圖39的XXXX - XXXX’線(xiàn)截取的截面圖。與圖3到圖6中描述的存儲(chǔ)塊BLKa相比，存儲(chǔ)塊BLKc可以具有在相鄰的公共源極區(qū)之間提供的柱，所述相鄰的公共源極區(qū)沿第一方向以鋸齒(zigzag)形狀布置。如在圖34和圖35中描述的，柱PL可以由下柱和上柱形成。如在圖36到圖38中描述的，可以提供串選擇線(xiàn)切口 SSL Cut。可以在彼此相鄰的字線(xiàn)切口 WL Cut和串選擇線(xiàn)切口 SSL Cut之間提供沿第一方向以鋸齒形狀布置一條線(xiàn)的柱。圖39的EC部分可以對(duì)應(yīng)于分別在圖7、圖26、圖27、圖28、圖31、圖32和圖33中圖示的上述等效電路BLKal到BLKa7之一。在存儲(chǔ)塊BLKc中，可以以與參照?qǐng)D8圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方法執(zhí)行擦除操作。在存儲(chǔ)塊BLKc中，可以與在圖16和圖17中描述的相同的方法進(jìn)行預(yù)讀取操作。圖42是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖2的存儲(chǔ)塊中的一個(gè)存儲(chǔ)塊`BLKd的平面圖。圖43是沿圖42的XXXXIII-ΧΧΧΧΙΙΓ線(xiàn)截取的透視圖。沿圖42由X X X XIII-X X X XIII’線(xiàn)截取的截面圖可以與圖5中示出的相同，因此省略對(duì)其的描述。與在圖3到圖6中描述的存儲(chǔ)塊BLKa相比，存儲(chǔ)塊BLKd使存儲(chǔ)塊BLKd包括正方形柱PL。可以在柱PL之間提供絕緣材料頂。柱PL可以在相鄰的公共源極區(qū)CSR之間沿第一方向布置成直線(xiàn)。絕緣材料頂可以沿第三方向延伸以便與襯底111接觸。柱PL中的每一個(gè)可以包括溝道膜114和內(nèi)部材料115。示例性地，溝道膜114可以在相應(yīng)柱的四個(gè)側(cè)面當(dāng)中的鄰近導(dǎo)電材料CMl到CM8的兩個(gè)側(cè)面上提供，而不是包圍相應(yīng)柱。在每個(gè)柱的一個(gè)側(cè)面上的溝道膜可以與導(dǎo)電材料CMl到CM8和信息存儲(chǔ)膜116 —起構(gòu)成單元串。在每個(gè)柱的另一個(gè)側(cè)面上的溝道膜可以與導(dǎo)電材料CMl到CM8和信息存儲(chǔ)膜116 —起構(gòu)成另一個(gè)單元串。也就是說(shuō)，一個(gè)柱可以用以形成兩個(gè)單元串。在示例性實(shí)施例中，如在圖34和圖35中描述的，柱PL可以由下柱和上柱形成。如在圖36到圖38中描述的，可以提供串選擇線(xiàn)切口 SSL Cut。如在圖39到圖41中描述的，可以沿第一方向以鋸齒形狀布置柱PL。圖42的EC部分可以對(duì)應(yīng)于分別在圖7、圖26、圖27、圖28、圖31、圖32和圖33中圖示的上述等效電路BLKal到BLKa7之一。在存儲(chǔ)塊BLKd中，可以以與參照?qǐng)D8圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方法執(zhí)行擦除操作。在存儲(chǔ)塊BLKd中，可以以與在圖16和圖17中描述的相同的方法進(jìn)行預(yù)讀取操作。圖44是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖2的存儲(chǔ)塊中的一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKe的平面圖。圖45是沿圖44的XXXX V - XXXX V’線(xiàn)截取的透視圖。圖46是沿圖44的XXXX V - XXXX V’線(xiàn)截取的截面圖。參照?qǐng)D44到圖46，可以在襯底111上提供沿第一方向延伸的第一到第八上導(dǎo)電材料CMUl到CMU8。第一到第四上導(dǎo)電材料CMUl到CMU4可以沿垂直于襯底111的方向堆疊，并且沿垂直于襯底111的方向相互間隔。第五到第八上導(dǎo)電材料CMU5到CMU8可以沿垂直于襯底111的方向堆疊，并且沿垂直于襯底111的方向相互間隔。第一到第四上導(dǎo)電材料CMUl到CMU4的組可以沿第二方向與第五到第八上導(dǎo)電材料CMU5到CMU8的組相間隔?？梢栽诘谝坏降谒纳蠈?dǎo)電材料CMUl到CMU4與第五到第八上導(dǎo)電材料CMU5到CMU8之間提供沿第一方向延伸的下導(dǎo)電材料CMDla、CMDlb和CMD2到CMD4。下導(dǎo)電材料CMD2到CMD4可以沿垂直于襯底111的方向堆疊，并且沿垂直于襯底111的方向相互間隔?？梢栽谙聦?dǎo)電材料CMD2上提供下導(dǎo)電材料CMDla和CMDlb。下導(dǎo)電材料CMDla和CMDlb可以沿第二方向相間隔。多個(gè)上柱PLU可以被配置成沿垂直于襯底111的方向穿透第一到第四上導(dǎo)電材料CMUl到CMU4或者第五到第八上導(dǎo)電材料CMU5到CMU8。上柱PLU可以接觸襯底111。在第一上導(dǎo)電材料CMUl中，上柱可以沿第一方向布置成直線(xiàn)，并且可以沿第一方向相間隔。在第八上導(dǎo)電材料CMU8中，上柱可以沿第一方向布置成直線(xiàn)，并且可以沿第一方向相間隔。
上柱PLU中的每一個(gè)可以包括信息存儲(chǔ)膜116和溝道膜114。信息存儲(chǔ)膜116可以通過(guò)捕獲或者放電電荷來(lái)存儲(chǔ)信息。信息存儲(chǔ)膜116可以包括隧道絕緣膜、電荷捕獲膜
和阻擋絕緣膜。溝道膜114可以用作上柱PLU的垂直主體。溝道膜114可以分別包括本征半導(dǎo)體。溝道膜114可以包括具有與襯底111相同導(dǎo)電類(lèi)型(例如，P型)的半導(dǎo)體?？梢孕纬啥鄠€(gè)下柱PLD。多個(gè)下柱PLD可以沿垂直于襯底111的方向穿透下導(dǎo)電材料CMD2到CMD4以及下導(dǎo)電材料CMDla或者CMDlb，以便接觸襯底111。在下導(dǎo)電材料CMDla中，下柱可以沿第一方向布置成直線(xiàn)，并且可以沿第一方向相間隔。在下導(dǎo)電材料CMDlb中，下柱可以沿第一方向布置成直線(xiàn)，并且可以沿第一方向相間隔。下柱PLD中的每一個(gè)可以包括信息存儲(chǔ)膜116和溝道膜114。信息存儲(chǔ)膜116可以通過(guò)捕獲或者放電電荷來(lái)存儲(chǔ)信息。信息存儲(chǔ)膜116可以包括隧道絕緣膜、電荷捕獲膜和阻擋絕緣膜。溝道膜114可以用作下柱PLD的垂直主體。溝道膜114可以分別包括本征半導(dǎo)體。溝道膜114可以包括具有與襯底111相同導(dǎo)電類(lèi)型(例如，P型)的半導(dǎo)體?？梢栽谝r底111提供多個(gè)管道接觸件(pipeline contact)PC0管道接觸件PC可以在位線(xiàn)方向上延伸以便將在第一上導(dǎo)電材料CMUl處形成的上柱PLU的下表面與在下導(dǎo)電材料CMDla處形成的下柱PLD的下表面連接。管道接觸件PC可以在位線(xiàn)方向上延伸，以便將在第八上導(dǎo)電材料CMU8處形成的上柱PLU的下表面與在下導(dǎo)電材料CMDlb處形成的下柱PLD的下表面連接。在本實(shí)施例中，管道接觸件PC中的每一個(gè)可以包括溝道膜114和信息存儲(chǔ)膜116。管道接觸件PC的溝道膜114可以將上柱PLU的溝道膜114和下柱PLD的溝道膜相互連接。管道接觸件PC的信息存儲(chǔ)膜116可以將上柱PLU的信息存儲(chǔ)膜116和下柱PLD的信息存儲(chǔ)膜116相互連接。可以在下柱PLD上提供沿第一方向延伸的公共源極區(qū)CSR。公共源極區(qū)CSR可以沿第一方向延伸以便與多個(gè)下柱PLD連接。公共源極區(qū)CSR可以形成公共源極線(xiàn)CSL。公共源極區(qū)CSR可以包括金屬材料。公共源極區(qū)CSR可以具有不同于襯底111的導(dǎo)電類(lèi)型?？梢栽谏现鵓LU上提供漏極320。漏極320可以包括具有不同于襯底111的導(dǎo)電類(lèi)型(例如，η型)的半導(dǎo)體材料?？梢栽诼O320上形成位線(xiàn)BL。位線(xiàn)BL可以沿第一方向相間隔。位線(xiàn)BL可以沿第二方向延伸以便與漏極320連接。
在本實(shí)施例中，位線(xiàn)BL和漏極320可以經(jīng)由接觸插頭連接，并且公共源極區(qū)CSR和下柱PLD可以經(jīng)由接觸插頭連接。一個(gè)單元串可以由經(jīng)由一個(gè)管道接觸件相互連接的下柱和上柱形成。在示例性實(shí)施例中，如在圖39到圖41中描述的，可以沿第一方向以鋸齒形狀布置上柱PLU和下柱PLD。圖44的EC部分可以對(duì)應(yīng)于分別在圖7、圖26、圖27、圖28、圖31、圖32和圖33中圖示的上述等效電路BLKal到BLKa7之一。在存儲(chǔ)塊BLKe中，可以以與參照?qǐng)D8圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方法執(zhí)行擦除操作。在存儲(chǔ)塊BLKe中，可以以與在圖16和圖17中描述的相同的方法進(jìn)行預(yù)讀取操作。圖47是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個(gè)示例性實(shí)施例的圖2的存儲(chǔ)塊中的一個(gè)存儲(chǔ)塊BLKf的平面圖。圖48是沿圖47的XXXXVDI-XXXXVT線(xiàn)截取的透視圖。圖49是沿圖47的X X X XVDI- XXXXW線(xiàn)截取的截面圖。參照?qǐng)D47到圖49，可以在襯底111形成公共源極區(qū)CSR。公共源極區(qū)CSR可以例如由一個(gè)摻雜區(qū)形成。公共源極區(qū)CSR可以構(gòu)成公共源極線(xiàn)CSL。可以在公共源極區(qū)CSR上形成第一到第八導(dǎo)電材料CMl到CM8。第一到第八導(dǎo)電材料CMl到CM8可以沿垂直于襯底111的方向堆疊，并且可以沿垂直于襯底111的方向相間隔。在第一到第八導(dǎo)電材料CMl到CM8當(dāng)中，構(gòu)成串選擇晶體管SST的導(dǎo)電材料可以由串選擇線(xiàn)切口 SSL Cut分隔。串選擇線(xiàn)切口 SSL Cut可以沿第一方向延伸并且沿第二方向相間隔。剩余的導(dǎo)電材料(未用于串選擇晶體管的導(dǎo)電材料)可以在公共源極區(qū)CSR上形成，以具有沿第一和第二方向延伸的板型形狀。例如，第一到第七導(dǎo)線(xiàn)CMl到CM7可以具有板型形狀，并且第八導(dǎo)電材料CM8可以被串選擇線(xiàn)切口 SSL Cut分隔。第八導(dǎo)電材料CM8可以沿第一方向延伸并且沿第二方向相間隔。多個(gè)柱PL可以被提供為沿垂直于襯底111的方向穿透第一到第八導(dǎo)電材料CMl到CM8，以與襯底111接觸。在第八導(dǎo)電材料CM8之一中，沿第一方向在直線(xiàn)上提供柱PL。柱PL中的每一個(gè)可以包括信息存儲(chǔ)膜116、溝道膜114和內(nèi)部材料115。信息存儲(chǔ)膜116可以通過(guò)捕獲或者放電電荷來(lái)存儲(chǔ)信息。信息存儲(chǔ)膜116可以包括隧道絕緣膜、電荷捕獲膜和阻擋絕緣膜。溝道膜114可以用作柱PL的垂直主體。溝道膜114可以包括本征半導(dǎo)體。溝道膜114可以包括具有與襯底111相同類(lèi)型(例如，P型)的半導(dǎo)體材料。內(nèi)部材料Π5可以包括絕緣材料或者空氣隙。在示例性實(shí)施例中，如在圖34和圖35中描述的，柱PL可以由上柱和下柱形成。如在圖39到圖41中描述的，可以沿第一方向以鋸齒形狀布置柱PL。圖50是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖47的EC部分的等效電路BLKfl的電路圖。參照?qǐng)D47到圖50，可以在柱PL和襯底111之間形成公共源極區(qū)CSR。溝道膜114可以是P型，并且公共源極區(qū)CSR可以是η型。溝道膜114當(dāng)中與地選擇晶體管GST相對(duì)應(yīng)的部分可以是P型，并且公共源極區(qū)CSR可以是η型。也就是說(shuō)，溝道膜114和公共源極區(qū)CSR可以形成PN結(jié)。因此，在由柱PL形成的單元串CS11、CS12、CS21和CS22與由公共源極區(qū)CSR形成的公共源極線(xiàn)之間可以形成二極管D。除了在其中提供二極管D之外，圖50的等效電路BLKfl可以與圖7中圖示的相同?？梢韵穹謩e在圖26、圖27、圖28、圖31、圖32和圖33中圖示的上述等效電路BLKa2到BLKa7那樣應(yīng)用等效電路BLKfl。在存儲(chǔ)塊BLKfl中，可以以與參照?qǐng)D8圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方法執(zhí)行擦除操作。在存儲(chǔ)塊BLKfl中，可以以與在圖16和圖17中描述的相同的方法進(jìn)行預(yù)讀取操作。圖51是沿圖47的X XX XVDI-XXXXVT線(xiàn)截取的透視圖。圖52是沿圖47的X X X XVDI- XXXXW線(xiàn)截取的截面圖。參照?qǐng)D47、圖51和圖52，在第一到第八導(dǎo)電材料CMl到CM8當(dāng)中，構(gòu)成地選擇晶體管GST的導(dǎo)電材料可以沿第一方向延伸并且沿第二方向相間隔。構(gòu)成地選擇晶體管GST的導(dǎo)電材料可以與構(gòu)成串選擇晶體管SST的導(dǎo)電材料具有相同的結(jié)構(gòu)。例如，第一導(dǎo)電材料CMl可以與第八導(dǎo)電材料CM8具有相同的結(jié)構(gòu)。`在示例性實(shí)施例中，如在圖34和圖35中描述的，柱PL可以由上柱和下柱形成。如在圖39到圖41中描述的，可以沿第一方向以鋸齒形狀布置柱PL。圖53是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖47的EC部分的等效電路BLKf2的電路圖。參照?qǐng)D47以及圖50到圖53，可以在單元串CS11，CS12、CS21和CS22與公共源極線(xiàn)CSL之間形成二極管D。地選擇晶體管GST可以與多條地選擇線(xiàn)GSLl和GSL2連接。例如，單元串CSll和CS12的地選擇晶體管可以與第一地選擇線(xiàn)GSLl連接，并且單元串CS21和CS22的地選擇晶體管可以與第二地選擇線(xiàn)GSL2連接?？梢韵穹謩e在圖26、圖27、圖28、圖31、圖32和圖33中圖示的上述等效電路BLKa2到BLKa7那樣應(yīng)用等效電路BLKf2。在存儲(chǔ)塊BLKf2中，可以以與參照?qǐng)D8圖13、圖20、圖21、圖23和圖24描述的相同的方法執(zhí)行擦除操作。在存儲(chǔ)塊BLKf2中，可以以與在圖16和圖17中描述的相同的方法進(jìn)行預(yù)讀取操作。圖54是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)1000的框圖。這里，存儲(chǔ)系統(tǒng)1000被圖示為具有至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器件的電子裝置。參照?qǐng)D54，存儲(chǔ)系統(tǒng)1000可以包括非易失性存儲(chǔ)器件1100和控制器1200。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以基本上與分別在圖I、圖15、圖18、圖19和圖22中圖示的非易失性存儲(chǔ)器件100到500之一相同。也就是說(shuō)，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以包括在襯底111上提供的多個(gè)單元串CS11、CS12、CS21和CS22，并且單元串CS11、CS12、CS21和CS22中的每一個(gè)可以包括沿垂直于襯底111的方向堆疊的多個(gè)單元晶體管CT。非易失性存儲(chǔ)器件1100可以根據(jù)上述的擦除方法進(jìn)行擦除操作。非易失性存儲(chǔ)器件1100可以根據(jù)上述的預(yù)讀取方法執(zhí)行預(yù)讀取操作。控制器1200可以與主機(jī)(或者外部主機(jī)設(shè)備)和非易失性存儲(chǔ)器件1100連接。響應(yīng)于來(lái)自主機(jī)的請(qǐng)求，控制器1200可以被配置成訪(fǎng)問(wèn)非易失性存儲(chǔ)器件1100。例如，控制器1200可以被配置成控制非易失性存儲(chǔ)器件1100的讀取、寫(xiě)入、擦除、預(yù)讀取和后臺(tái)操作。控制器1200可以被配置成提供非易失性存儲(chǔ)器件1100與主機(jī)之間的接口?？刂破?200可以被配置成驅(qū)動(dòng)固件以控制非易失性存儲(chǔ)器件1100。
控制器1200可以被配置成向非易失性存儲(chǔ)器件1100提供控制信號(hào)CTRL、命令CMD和地址ADDR。響應(yīng)于從控制器1200提供的控制信號(hào)CTRL、命令CMD和地址ADDR，非易失性存儲(chǔ)器件可以執(zhí)行讀取、寫(xiě)入、預(yù)讀取和擦除操作。控制器1200可以包括內(nèi)部存儲(chǔ)器1210和糾錯(cuò)單元1220。內(nèi)部存儲(chǔ)器1210可以是控制器1200的工作存儲(chǔ)器。糾錯(cuò)單元1220可以編碼將被寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器件1100的數(shù)據(jù)。糾錯(cuò)單元1220可以通過(guò)解碼從非易失性存儲(chǔ)器件1100讀取的數(shù)據(jù)來(lái)糾正錯(cuò)誤。糾錯(cuò)單元1220可以使用低密度奇偶校驗(yàn)(Low Density Parity Check，LDPC)碼糾正錯(cuò)誤。糾錯(cuò)單兀 1220 可以使用 BCH (Bose Chaudhuri Hocquenghem)或者 RS (Reed Solomon)碼進(jìn)行糾錯(cuò)。可以根據(jù)糾錯(cuò)單元1220能夠糾正的比特?cái)?shù)量來(lái)確定非易失性存儲(chǔ)器件1100的第一到第三值Vl到V3。在示例性實(shí)施例中，控制器1200還可以包括諸如處理單元、主機(jī)接口和存儲(chǔ)器接口的組成元件。處理單元可以控制控制器1200的總體操作。主機(jī)接口可以包括用于執(zhí)行主機(jī)和控制器1200之間的數(shù)據(jù)交換的協(xié)議。主機(jī)接口可以經(jīng)由各種協(xié)議中的至少一個(gè)與外部設(shè)備(例如，主機(jī))通信，所述各種協(xié)議諸如通用串行總線(xiàn)(Universal Serial Bus,USB)協(xié)議、多媒體卡(multimedia card,MMC)協(xié)議、夕卜圍組件互聯(lián)(peripheral component interconnection, PCI)協(xié)議、高速 PCI (PCI-express,PCI-E)協(xié)議、高級(jí)技術(shù)附件(Advanced Technology Attachment,ΑΤΑ)協(xié)議、串行 ATA 協(xié)議、并行ATA協(xié)議、小型計(jì)算機(jī)小型接口(small computer small interface, SCSI)協(xié)議、增強(qiáng)型小磁盤(pán)接口(enhanced small disk interface,ESDI)協(xié)議、以及集成驅(qū)動(dòng)器電子電路(Integrated Drive Electronics, IDE)協(xié)議。存儲(chǔ)器接口可以與非易失性存儲(chǔ)器件1100接口。存儲(chǔ)器接口可以包括NAND接口或者NOR接口。存儲(chǔ)系統(tǒng)1000可以被用作計(jì)算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、超移動(dòng)PC (Ultra Mobile PC,UMPC)、工作站、上網(wǎng)本、PDA、上網(wǎng)平板、無(wú)線(xiàn)電話(huà)、移動(dòng)電話(huà)、智能電話(huà)、非接觸智能卡、電子書(shū)、便攜式多媒體播放器(PMP)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字音頻記錄器/播放器、數(shù)字圖片/視頻記錄器/播放器、便攜式游戲機(jī)、導(dǎo)航系統(tǒng)、黑匣子、3維電視、能夠在無(wú)線(xiàn)環(huán)境中發(fā)送和接收信息的設(shè)備、構(gòu)成家庭網(wǎng)絡(luò)的各種電子設(shè)備之一、構(gòu)成計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的各種電子設(shè)備之一、構(gòu)成電子信息通信網(wǎng)絡(luò)的各種電子設(shè)備之一、RFID、或者構(gòu)成計(jì)算系統(tǒng)的各種電子設(shè)備之一。非易失性存儲(chǔ)器件1100或者存儲(chǔ)系統(tǒng)1000可以通過(guò)各種類(lèi)型的封裝來(lái)封裝，所述各種類(lèi)型的封裝諸如層疊封裝(Package on Package, PoP)、球柵陣列(Ball gridarrays, BGA)、芯片尺寸封裝(Chip scale package, CSP)、塑料帶引線(xiàn)芯片載體(PlasticLeaded Chip Carrier,PLCC)、塑料雙列直插封裝(Plastic Dual In-Line Package,F1DIP)、疊片內(nèi)裸片封裝(Die in Waffle Pack)、晶片內(nèi)裸片形式(Die in WaferForm)、板上芯片(Chip On Board,COB)、陶瓷雙列直插式封裝(Ceramic Dual In-Line Package,CERDIP)、塑料標(biāo)準(zhǔn)四邊扁平封裝(Plastic Metric Quad Flat Pack, MQFP)、薄型四邊扁平封裝(ThinQuad Flatpack, TQFP)、小外型封裝(Small Outline, S0IC)、縮小型小外型封裝(ShrinkSmall Outline Package,SS0P)、薄型小外型封裝(Thin Small Outline,TS0P)、薄型四邊扁平封裝(Thin Quad Flatpack, TQFP)、系統(tǒng)級(jí)封裝(System In Package, SIP)、多芯片封裝(Multi Chip Package, MCP)、晶片級(jí)結(jié)構(gòu)封裝(Wafer-level Fabricated Package, WFP)、晶片級(jí)處理堆疊封裝(Wafer-Level Processed Stack Package, WSP)等等。
圖55是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)1000的操作方法的流程圖。參照?qǐng)D54和圖55，在操作SI 110，控制器1200可以向非易失性存儲(chǔ)器件1100發(fā)送擦除命令?？梢耘c擦除命令一起發(fā)送將被擦除的區(qū)域的地址。在操作S1120，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以按照根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的擦除方法之一執(zhí)行擦除操作。例如，如參照?qǐng)D8和圖13B描述的，可以通過(guò)執(zhí)行預(yù)讀取操作以及將一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)串設(shè)置成“擦除通過(guò)”來(lái)執(zhí)行非易失性存儲(chǔ)器件1100的擦除操作?？商鎿Q地，如參照?qǐng)D20和圖23描述的，可以通過(guò)將失敗串的數(shù)量與參考值進(jìn)行比較來(lái)執(zhí)行非易失性存儲(chǔ)器件1100的擦除操作。如果擦除操作結(jié)束則，則在操作S1130，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以向控制器1200提供指示擦除操作完成的響應(yīng)。在操作SI 140，控制器1200可以向非易失性存儲(chǔ)器件1100發(fā)送擦除命令。在操作S1150，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以根據(jù)在圖8、圖13B和圖20中描述的擦除方法之一執(zhí)行擦除操作。當(dāng)經(jīng)由預(yù)讀取操作檢測(cè)到的斷開(kāi)串的數(shù)量超過(guò)第一參考值VI，和/或當(dāng)擦除操作在失敗串的數(shù)量超過(guò)第二參考值V2或者第三參考值V3的條件下結(jié)束時(shí)，可以確定在擦除操作產(chǎn)生錯(cuò)誤。如果在擦除操作產(chǎn)生錯(cuò)誤，則在操作S1160，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以向控制器1200提供響應(yīng)信號(hào)以指示擦除錯(cuò)誤。如果接收到指示擦除錯(cuò)誤的響應(yīng)信號(hào)，則控制器1200可以執(zhí)行錯(cuò)誤處理操作。例如，控制器1200可以確定包括擦除錯(cuò)誤的存儲(chǔ)塊為損壞的塊。如上所述，盡管在非易失性存儲(chǔ)器件1100中存在一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)串，控制器1200仍可以控制非易失性存儲(chǔ)器件1100，以便正常工作。圖56是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)1000的操作方法的流程圖。在圖54和圖56中，在操作S1210，控制器1200可以向非易失性存儲(chǔ)器件1100發(fā)送命令。該命令可以是不同于讀取、寫(xiě)入或擦除命令的命令。在操作S1220，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以按照根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的預(yù)讀取方法之一執(zhí)行預(yù)讀取操作。通過(guò)預(yù)讀取操作，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以檢測(cè)斷開(kāi)串信息。斷開(kāi)串信息可以包括斷開(kāi)串的數(shù)量、預(yù)讀取結(jié)果、或者斷開(kāi)串的數(shù)量和預(yù)讀取結(jié)果兩者。斷開(kāi)串信息的類(lèi)型可以根據(jù)操作S1210中傳送的命令來(lái)確定。在操作S1230，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以將斷開(kāi)串信息輸出到控制器1200。在操作S1240，控制器1200可以在內(nèi)部存儲(chǔ)器1210中存儲(chǔ)輸入的斷開(kāi)串信息?？刂破?200可以使用存儲(chǔ)在內(nèi)部存儲(chǔ)器1210中的斷開(kāi)串信息控制非易失性存儲(chǔ)器件1100。在示例性實(shí)施例中，斷開(kāi)串信息可以臨時(shí)存儲(chǔ)在內(nèi)部存儲(chǔ)器1210中。斷開(kāi)串信息可以利用映射表存儲(chǔ)在內(nèi)部存儲(chǔ)器1210中，該映射表用于將來(lái)自主機(jī)的邏輯地址映射到非易失性存儲(chǔ)器件1100的物理地址上。圖57是圖示圖54的存儲(chǔ)系統(tǒng)1000的操作方法的流程圖。參照?qǐng)D54和圖57，在操作S1310，控制器1200可以向非易失性存儲(chǔ)器件1100發(fā)送擦除命令和斷開(kāi)串信息?？梢酝瑫r(shí)發(fā)送指示將被擦除的區(qū)域的地址。在操作S1320，一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)串可以被確定為擦除通過(guò)，并且可以擦除存儲(chǔ)單元。例如，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以如參照?qǐng)D8的操作S115描述的那樣確定斷開(kāi)串為“擦除通過(guò)”，并且可以擦除存儲(chǔ)單元。在示例性實(shí)施例中，可以在從圖8的擦除方法中去除操作S113和S114的預(yù)讀取操作的條件下運(yùn)行操作S1320。如果擦除操作完成，則非易失性存儲(chǔ)器件1100可以向控制器1200提供指示擦除完成的響應(yīng)信號(hào)。在操作S1340，控制器1200可以向非易失性存儲(chǔ)器件1100提供擦除命令和斷開(kāi)串信息。可以同時(shí)發(fā)送指示將被擦除的區(qū)域的地址。在操作S1350，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以確定斷開(kāi)串為擦除通過(guò)，并且可以擦除存儲(chǔ)單兀。如果在擦除操作產(chǎn)生錯(cuò)誤，則在操作S1360，可以向控制器1200發(fā)送指示擦除錯(cuò)誤的響應(yīng)。如果接收到指示擦除錯(cuò)誤的響應(yīng)信號(hào)，則在操作S1370，控制器1200可以向非易`失性存儲(chǔ)器件1100提供命令?？梢酝瑫r(shí)發(fā)送指示產(chǎn)生擦除錯(cuò)誤的區(qū)域的地址。在操作S1380，非易失性存儲(chǔ)器件110可以響應(yīng)于輸入的命令執(zhí)行預(yù)讀取操作。非易失性存儲(chǔ)器件1100可以經(jīng)由預(yù)讀取操作檢測(cè)斷開(kāi)串信息。在操作S1390，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以向控制器1200發(fā)送斷開(kāi)串信息。在操作S1395，控制器1200可以使用輸入的斷開(kāi)串信息更新存儲(chǔ)在內(nèi)部存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)或者執(zhí)行錯(cuò)誤處理。在示例性實(shí)施例中，可能因存儲(chǔ)單元的退化而附加產(chǎn)生斷開(kāi)串。在這種情況下，在擦除操作可能產(chǎn)生錯(cuò)誤。如果經(jīng)由在產(chǎn)生擦除錯(cuò)誤時(shí)運(yùn)行的預(yù)讀取操作更新斷開(kāi)串信息，則非易失性存儲(chǔ)器件1100可以正常地工作而不管附加產(chǎn)生的斷開(kāi)串。在示例性實(shí)施例中，如果斷開(kāi)串的數(shù)量超過(guò)可糾錯(cuò)比特?cái)?shù)或者因斷開(kāi)串之外的原因產(chǎn)生擦除錯(cuò)誤，則控制器1200可以執(zhí)行錯(cuò)誤處理。例如，控制器1200可以確定錯(cuò)誤的存儲(chǔ)塊是損壞的塊。圖58是圖示圖54的存儲(chǔ)系統(tǒng)1000的操作方法的流程圖。參照?qǐng)D54和圖58，在操作S1410，控制器1200可以向非易失性存儲(chǔ)器件1100發(fā)送讀取命令?？梢酝瑫r(shí)發(fā)送將被讀取的區(qū)域的地址。在操作S1420，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以向控制器1200發(fā)送讀取的數(shù)據(jù)。在操作S1430，控制器1200可以使用斷開(kāi)串信息糾正讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。例如，控制器1200可以使用斷開(kāi)串信息糾正讀取的數(shù)據(jù)當(dāng)中與斷開(kāi)串相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)的位置。與斷開(kāi)串相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)可以是可能錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)。通過(guò)取得可能錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)的位置，可以改善(bettered)控制器1200的糾錯(cuò)單元1220的糾錯(cuò)效率或糾錯(cuò)能力(capacity)。具體來(lái)說(shuō)，如果糾錯(cuò)單元1220使用LDPC，則可以改善糾錯(cuò)效率或糾錯(cuò)能力。圖59是圖示圖54的存儲(chǔ)系統(tǒng)1000的操作方法的流程圖。參照?qǐng)D54和圖59，在操作S1510，控制器1200可以使用寫(xiě)入數(shù)據(jù)和斷開(kāi)串信息生成碼字。在示例性實(shí)施例中，與斷開(kāi)串相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)可能在讀取操作時(shí)導(dǎo)致錯(cuò)誤?？刂破?200可以生成碼字，以便當(dāng)讀取數(shù)據(jù)時(shí)容易地進(jìn)行糾錯(cuò)?？刂破?200可以將與斷開(kāi)串相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)映射到與高閾值電壓相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)上。在操作S1520，控制器1200可以向非易失性存儲(chǔ)器件1100發(fā)送該碼字以及寫(xiě)入命令。
在操作S1530，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以寫(xiě)入輸入的碼字。在操作S1540，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以向控制器1200提供指示寫(xiě)入完成的響應(yīng)。如果根據(jù)斷開(kāi)串的位置生成碼字，則在讀取碼字時(shí)可以改善糾錯(cuò)效率或糾錯(cuò)能力。圖60是圖示圖54的存儲(chǔ)系統(tǒng)1000的操作方法的流程圖。參照?qǐng)D54和圖60，在操作S1610，控制器1200可以向非易失性存儲(chǔ)器件1100發(fā)送命令。可以同時(shí)發(fā)送指示特定區(qū)域的地址。當(dāng)請(qǐng)求斷開(kāi)串信息時(shí)，控制器1200可以發(fā)送命令。在操作S1620，非易失性存儲(chǔ)器件110可以執(zhí)行預(yù)讀取操作?？梢越?jīng)由預(yù)讀取操作
檢測(cè)斷開(kāi)串信息。在操作S1630，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以向控制器1200提供斷開(kāi)串信息。在操作S1640，控制器1200可以在非易失性存儲(chǔ)器件1100中寫(xiě)入輸入的斷開(kāi)串信息。例如，非易失性存儲(chǔ)器件1100的存儲(chǔ)塊BLKl到BLKz (參照?qǐng)D2)可以被分成數(shù)據(jù)區(qū)和緩存區(qū)。用戶(hù)數(shù)據(jù)可以存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)區(qū)中。緩存區(qū)可以用于存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)區(qū)相關(guān)聯(lián)的信息或者與寫(xiě)入數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的信息?？刂破?200可以控制非易失性存儲(chǔ)器件1100，從而使斷開(kāi)串信息存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件1100的緩存區(qū)中?？刂破?200可以使用斷開(kāi)串信息執(zhí)行附加的操作。例如，控制器1200可以使用
斷開(kāi)串信息進(jìn)行讀取、寫(xiě)入或者擦除。然后，可以刪除在控制器1200的內(nèi)部存儲(chǔ)器1210中存儲(chǔ)的斷開(kāi)串信息。當(dāng)未請(qǐng)求斷開(kāi)串信息時(shí)，控制器1200可以刪除斷開(kāi)串信息。在操作S1650，非易失性存儲(chǔ)器件1200可以向非易失性存儲(chǔ)器件1100發(fā)送命令。例如，當(dāng)需要特定區(qū)域的斷開(kāi)串信息時(shí)，控制器1200可以發(fā)送命令?？刂破?200可以發(fā)送請(qǐng)求特定區(qū)域的斷開(kāi)串信息的命令以對(duì)該特定區(qū)域進(jìn)行讀取、寫(xiě)入或者擦除。在操作S1660，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以輸出存儲(chǔ)在緩存區(qū)中的斷開(kāi)串信息?？刂破?200可以使用斷開(kāi)串信息執(zhí)行諸如讀取、寫(xiě)入、擦除等等的操作。在操作S1670，可以如參照?qǐng)D57的操作S1340到S1360描述的那樣產(chǎn)生擦除錯(cuò)誤。如果產(chǎn)生擦除錯(cuò)誤，則可以如參照?qǐng)D57的步驟S1370到S1395描述的那樣，在操作S1680更新斷開(kāi)串信息。如果斷開(kāi)串信息被更新，則控制器1200可以將更新的斷開(kāi)串信息寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器件1100的緩存區(qū)中。圖61是圖示圖54的存儲(chǔ)系統(tǒng)1000的操作方法的流程圖。參照?qǐng)D54和圖61，在操作S1710，控制器1200可以向非易失性存儲(chǔ)器件1100發(fā)送命令?？梢酝瑫r(shí)發(fā)送指示特定區(qū)域的地址。當(dāng)請(qǐng)求斷開(kāi)串信息時(shí)，控制器1200可以發(fā)送命令。在操作S1720，非易失性存儲(chǔ)器件1100可以向控制器1200發(fā)送先前存儲(chǔ)的斷開(kāi)串信息。在示例性實(shí)施例中，斷開(kāi)串信息可以在非易失性存儲(chǔ)器件1100的測(cè)試電平(testlevel)檢測(cè)并且可以存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件中。斷開(kāi)串信息可以存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件1200的存儲(chǔ)塊BLKl到BLKz的緩存區(qū)中?？刂破?200可以使用斷開(kāi)串信息執(zhí)行附加的操作。例如，控制器1200可以使用
斷開(kāi)串信息進(jìn)行讀取、寫(xiě)入或者擦除。
然后，可以刪除在控制器1200的內(nèi)部存儲(chǔ)器1210中存儲(chǔ)的斷開(kāi)串信息。當(dāng)未請(qǐng)求斷開(kāi)串信息時(shí)，控制器1200可以刪除斷開(kāi)串信息。在操作S1730到S1770，如果產(chǎn)生擦除錯(cuò)誤，則可以更新斷開(kāi)串信息，并且更新的斷開(kāi)串信息可以被寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器件1100中?？梢杂门c圖60的操作S1650到S1690同樣的方式執(zhí)行操作S1770。在從非易失性存儲(chǔ)器件生成的斷開(kāi)串信息被輸出到控制器以及從控制器傳送的斷開(kāi)串信息被寫(xiě)入到非易失性存儲(chǔ)器件中的條件下，描述了以上實(shí)施例。然而，在控制器的控制下，從非易失性存儲(chǔ)器件生成的斷開(kāi)串信息可以直接寫(xiě)入到非易失性存儲(chǔ)器件中。圖62是圖示根據(jù)本總體發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)2000的框圖。這里，存儲(chǔ)系統(tǒng)2000被圖示為具有至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器件的電子裝置。參照?qǐng)D62，存儲(chǔ)系統(tǒng)2000可以包括非易失性存儲(chǔ)器件2100和控制器2200。非易失性存儲(chǔ)器件2100可以包括形成多個(gè)組的多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器芯片。每個(gè)組中的非易失性存儲(chǔ)器芯片可以被配置
成經(jīng)由一個(gè)公共通道與控制器2200通信。在示例性實(shí)施例中，多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器芯片可以經(jīng)由多個(gè)通道CHl到CHk與控制器2200通信。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，非易失性存儲(chǔ)芯片中的每一個(gè)可以基本上與非易失性存儲(chǔ)器件100到500之一相同。也就是說(shuō)，非易失性存儲(chǔ)器件2100可以包括在其襯底111上提供的多個(gè)單元串CS 11、CS12、CS21和CS22，并且單元串CS11、CS12、CS21和CS22中的每一個(gè)可以包括沿垂直于襯底111的方向堆疊的多個(gè)單元晶體管CT。非易失性存儲(chǔ)器件2100可以根據(jù)上述擦除方法執(zhí)行擦除操作。非易失性存儲(chǔ)器件2100可以根據(jù)上述預(yù)讀取方法執(zhí)行預(yù)讀取操作。如參照?qǐng)D54到圖61描述的，控制器2200可以響應(yīng)于來(lái)自非易失性存儲(chǔ)器件2100的斷開(kāi)串信息執(zhí)行各種操作。在圖62中，示例性地描述了一個(gè)通道與多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器芯片連接的情況。然而，存儲(chǔ)系統(tǒng)2000可以被修改，從而一個(gè)通道與一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器芯片連接。圖63是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)卡3000的示圖。這里，存儲(chǔ)卡3000被圖示為具有至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器件的電子裝置。參照?qǐng)D63，存儲(chǔ)卡3000可以包括非易失性存儲(chǔ)器件3100、控制器3200和連接器3300。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，非易失性存儲(chǔ)器件3100可以基本上與分別在圖I、圖15、圖18、圖19和圖22中圖示的非易失性存儲(chǔ)器件100到500之一相同。也就是說(shuō)，非易失性存儲(chǔ)器件3100可以包括在其襯底111上提供的多個(gè)單元串CSlI、CS12、CS21和CS22，并且單元串CS11、CS12、CS21和CS22中的每一個(gè)可以包括沿垂直于襯底111的方向堆疊的多個(gè)單元晶體管CT。非易失性存儲(chǔ)器件3100可以根據(jù)上述擦除方法進(jìn)行擦除操作。非易失性存儲(chǔ)器件3100可以根據(jù)上述預(yù)讀取方法執(zhí)行預(yù)讀取操作。如參照?qǐng)D54到圖61描述的，控制器3200可以使用從非易失性存儲(chǔ)器件3100提供的斷開(kāi)串信息執(zhí)行各種操作。連接器3300可以將存儲(chǔ)卡3000電連接到主機(jī)，以便發(fā)送或接收與數(shù)據(jù)、命令、功
率等等相對(duì)應(yīng)的信號(hào)。存儲(chǔ)卡3000可以由諸如PC (PCMCIA)卡、CF卡、SM (或者，SMC)卡、記憶棒、多媒體卡(麗(、1 -麗(、麗011丨(^0)、安全卡(50、111丨11丨50、111丨(^050、50!10、通用快閃存儲(chǔ)器(皿5)設(shè)備等等的存儲(chǔ)卡形成。圖64是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器4000的示圖。這里，固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSDM000被圖示為具有至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器件的電子裝置。參照?qǐng)D64，固態(tài)驅(qū)動(dòng)器4000可以包括多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器件4100、控制器4200和連接器4300。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，非易失性存儲(chǔ)器件4100中的每一個(gè)可以基本上與分別在圖I、圖15、圖18、圖19和圖22中圖示的非易失性存儲(chǔ)器件100到500之一相同。也就是說(shuō)，非易失性存儲(chǔ)器件4100中的每一個(gè)可以包括在其襯底111上提供的多個(gè)單元串CS11、CS12、CS21和CS22，并且單元串CS11、CS12、CS21和CS22中的每一個(gè)可以包括沿垂直于襯底111的方向堆疊的多個(gè)單元晶體管CT。非易失性存儲(chǔ)器件4100中的每一個(gè)可以根據(jù)上述擦除方法進(jìn)行擦除操作。非易失性存儲(chǔ)器件4100中的每一個(gè)可以根據(jù)上述預(yù)讀取方法執(zhí)行預(yù)讀取操作。如參照?qǐng)D54到圖61描述的，控制器400可以使用從非易失性存儲(chǔ)器件4100提供的斷開(kāi)串信息執(zhí)行各種操作。
`
連接器4300可以將固態(tài)驅(qū)動(dòng)器4000電連接到主機(jī)，以便發(fā)送或接收與數(shù)據(jù)、命
令、功率等等相對(duì)應(yīng)的信號(hào)。圖65是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)5000的框圖。這里，計(jì)算系統(tǒng)5000被圖示為具有至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器件的電子裝置。參照?qǐng)D65、計(jì)算系統(tǒng)5000可以包括中央處理單元5100、RAM5200、用戶(hù)接口 5300、調(diào)制解調(diào)器5400和存儲(chǔ)系統(tǒng)5600。存儲(chǔ)系統(tǒng)5600可以經(jīng)由系統(tǒng)總線(xiàn)5500電連接到元件5100到5400。經(jīng)由用戶(hù)接口 5300提供的數(shù)據(jù)或者由中央處理單元5100處理的數(shù)據(jù)可以存儲(chǔ)在存儲(chǔ)系統(tǒng)中。存儲(chǔ)系統(tǒng)5600可以包括非易失性存儲(chǔ)器件5610和控制器5620。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，存儲(chǔ)系統(tǒng)5600可以由存儲(chǔ)系統(tǒng)1000和2000、存儲(chǔ)卡3000、以及固態(tài)驅(qū)動(dòng)器4000之一形成。圖66是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的測(cè)試系統(tǒng)6000的框圖。這里，測(cè)試系統(tǒng)6000被圖示為具有至少一個(gè)非易失性存儲(chǔ)器件的電子裝置。參照?qǐng)D66，測(cè)試系統(tǒng)6000可以包括非易失性存儲(chǔ)器件6100和測(cè)試設(shè)備6200。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，非易失性存儲(chǔ)器件6100可以基本上與分別在圖I、圖15、圖18、圖19和圖22中圖示的非易失性存儲(chǔ)器件100到500之一相同。也就是說(shuō)，非易失性存儲(chǔ)器件6100可以包括在其襯底111上提供的多個(gè)單元串CSlI、CS12、CS21和CS22，并且單元串CS11、CS12、CS21和CS22中的每一個(gè)可以包括沿垂直于襯底111的方向堆疊的多個(gè)單元晶體管CT。非易失性存儲(chǔ)器件6100可以根據(jù)上述擦除方法進(jìn)行擦除操作。非易失性存儲(chǔ)器件6100可以根據(jù)上述預(yù)讀取方法執(zhí)行預(yù)讀取操作。圖67是圖示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的測(cè)試系統(tǒng)6000的測(cè)試方法的流程圖。參照?qǐng)D66和圖67，在操作S6100，測(cè)試設(shè)備6200可以向非易失性存儲(chǔ)器件6100發(fā)送命令。在操作S6210，非易失性存儲(chǔ)器件6100可以響應(yīng)于命令執(zhí)行預(yù)讀取操作。可以經(jīng)由預(yù)讀取操作檢測(cè)斷開(kāi)串信息。在操作S6130，非易失性存儲(chǔ)器件6100可以向測(cè)試設(shè)備6200輸出斷開(kāi)串信息。
在操作S6140，測(cè)試設(shè)備6200可以執(zhí)行修復(fù)操作。例如，測(cè)試設(shè)備6200可以基于斷開(kāi)串信息或者其他測(cè)試數(shù)據(jù)執(zhí)行修復(fù)操作。例如，當(dāng)特定存儲(chǔ)塊中的斷開(kāi)串的數(shù)量超過(guò)預(yù)定參考值時(shí)，測(cè)試設(shè)備6200可以修復(fù)該特定存儲(chǔ)塊。修復(fù)可以包括控制非易失性存儲(chǔ)器件6100的熔絲(激光熔絲或者電熔絲)，所述控制由測(cè)試設(shè)備6200進(jìn)行。在操作S6150，測(cè)試設(shè)備6200可以在非易失性存儲(chǔ)器件6100中寫(xiě)入斷開(kāi)串信息。例如，測(cè)試設(shè)備6200可以在非易失性存儲(chǔ)器件6100的存儲(chǔ)塊BLKl到BLKz (參照?qǐng)D2)的緩存存儲(chǔ)塊中寫(xiě)入斷開(kāi)串信息。寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器件6100中的數(shù)據(jù)可以被用以控制非易失性存儲(chǔ)器件6100。上述作為電子裝置的存儲(chǔ)系統(tǒng)或設(shè)備可以具有用于執(zhí)行系統(tǒng)或設(shè)備的功能的功能單元。該功能單元可以是用于處理與將被顯示的圖像相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)的視頻圖像單元，用于處理與聲音相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)的音頻單元，用于處理將被發(fā)送或存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的信號(hào)處理單元
坐坐寸寸ο本總體發(fā)明構(gòu)思還可以被具體實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)可讀代碼。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以包括計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)和計(jì)算機(jī)可讀傳輸介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)是能夠存儲(chǔ)作為稍后能被計(jì)算機(jī)系統(tǒng)讀取的程序的數(shù)據(jù)的任何數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)的例子包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、CD-ROM、磁帶、軟盤(pán)和光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)還可以分布在經(jīng)網(wǎng)絡(luò)耦合的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上，從而使計(jì)算機(jī)可讀代碼以分布式方式存儲(chǔ)和運(yùn)行。計(jì)算機(jī)可讀傳輸介質(zhì)可以傳送載波或信號(hào)(例如，通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)的有線(xiàn)或無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸)。此外，用于實(shí)現(xiàn)本總體發(fā)明構(gòu)思的功能程序、代碼和代碼段能夠被本總體發(fā)明構(gòu)思所述領(lǐng)域中的熟練程序員容易地解釋。盡管已經(jīng)示出和描述了本總體發(fā)明構(gòu)思的幾個(gè)實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，可以對(duì)這些實(shí)施例做出改變而不會(huì)偏離本總體發(fā)明構(gòu)思的原理和精神。本總體發(fā)明構(gòu)思的范圍在權(quán)利要求及其等效物中限定。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲(chǔ)器件的擦除方法，該擦除方法包括 向多個(gè)存儲(chǔ)單元供應(yīng)擦除電壓； 利用到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)的讀取電壓執(zhí)行讀取操作；以及利用到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)中的至少一條字線(xiàn)的擦除驗(yàn)證電壓執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作，該擦除驗(yàn)證電壓低于讀取電壓。
2.如權(quán)利要求I所述的擦除方法，其中，所述讀取電壓包括將被施加到相應(yīng)字線(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)電平的電壓。
3.如權(quán)利要求I所述的擦除方法，其中，所述讀取電壓包括將被施加到字線(xiàn)的單電平的電壓。
4.如權(quán)利要求I所述的擦除方法，其中 相對(duì)于所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)中相應(yīng)的一條字線(xiàn)，所述擦除驗(yàn)證電壓是可變的；并且 可變的擦除驗(yàn)證電壓低于讀取電壓。
5.如權(quán)利要求I所述的擦除方法，其中，所述讀取電壓高于所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)的閾值電壓的電壓。
6.如權(quán)利要求I所述的擦除方法，其中 所述多個(gè)存儲(chǔ)單元包括至少一個(gè)偽單元以及一個(gè)或多個(gè)常規(guī)存儲(chǔ)單元；并且在讀取操作和擦除驗(yàn)證操作中，向所述至少一個(gè)偽單元供應(yīng)與供應(yīng)到常規(guī)存儲(chǔ)單元的工作電壓不同的電壓。
7.一種非易失性存儲(chǔ)器件的擦除方法，該擦除方法包括 向多個(gè)串供應(yīng)擦除電壓，每個(gè)串具有多個(gè)存儲(chǔ)單元； 利用到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)的讀取電壓執(zhí)行讀取操作； 根據(jù)執(zhí)行的讀取操作確定一個(gè)或多個(gè)串為斷開(kāi)串； 對(duì)斷開(kāi)串處理擦除驗(yàn)證通過(guò)；以及 利用到所述多個(gè)串的字線(xiàn)的擦除驗(yàn)證電壓執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。
8.如權(quán)利要求7所述的擦除方法，還包括 根據(jù)執(zhí)行的擦除驗(yàn)證操作向所述多個(gè)串供應(yīng)修改后的擦除電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的擦除方法，其中 根據(jù)讀取操作所述多個(gè)存儲(chǔ)單元被確定為斷開(kāi)串和非斷開(kāi)串；并且 擦除驗(yàn)證操作包括避免對(duì)斷開(kāi)串執(zhí)行位線(xiàn)預(yù)充電操作。
10.如權(quán)利要求7所述的擦除方法，還包括 向斷開(kāi)串和非斷開(kāi)串的位線(xiàn)供應(yīng)不同的電壓作為預(yù)充電電壓；以及 在擦除驗(yàn)證操作中向所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的相應(yīng)字線(xiàn)供應(yīng)擦除驗(yàn)證電壓。
11.如權(quán)利要求7所述的擦除方法，其中 所述多個(gè)存儲(chǔ)單元包括至少一個(gè)偽單元以及一個(gè)或多個(gè)常規(guī)存儲(chǔ)單元；并且在讀取操作和擦除驗(yàn)證操作中，向所述至少一個(gè)偽單元供應(yīng)與供應(yīng)到常規(guī)存儲(chǔ)單元的工作電壓不同的電壓。
12.—種非易失性存儲(chǔ)器件，包括 存儲(chǔ)單元陣列，其具有襯底和多個(gè)塊，每個(gè)塊具有多個(gè)串，每個(gè)串具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)串沿垂直于襯底的方向形成在襯底上； 控制單元，用于利用到所述多個(gè)串的字線(xiàn)的電壓執(zhí)行讀取操作；以及 頁(yè)緩存單元，用于存儲(chǔ)通過(guò)讀取操作確定的、關(guān)于所述多個(gè)串當(dāng)中的一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)串的信息， 其中，該控制單元利用到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)中的至少一條字線(xiàn)的擦除驗(yàn)證電壓執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作，并且該擦除驗(yàn)證電壓低于讀取電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，所述多個(gè)串中的每一個(gè)的所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)具有不同的尺寸，其中，相鄰的串通過(guò)間隙相互間隔。
14.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中 所述控制單元根據(jù)讀取操作確定所述串當(dāng)中的第一斷開(kāi)串，并且根據(jù)擦除驗(yàn)證操作確定第二斷開(kāi)串；并且 所述控制單元利用修改后的擦除電壓對(duì)第一斷開(kāi)串和第二斷開(kāi)串執(zhí)行擦除操作。
15.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，所述控制單元在利用第一擦除電壓對(duì)包括斷開(kāi)串和非斷開(kāi)串的所述串執(zhí)行擦除操作之后，對(duì)非斷開(kāi)串執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。
16.如權(quán)利要求15所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，所述控制單元根據(jù)擦除驗(yàn)證操作利用修改后的擦除電壓對(duì)斷開(kāi)串執(zhí)行另一個(gè)擦除操作。
17.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中，當(dāng)被選串被確定為代表擦除失敗串的斷開(kāi)串時(shí)，所述控制單元根據(jù)執(zhí)行的擦除驗(yàn)證，控制將對(duì)被選串執(zhí)行的另一個(gè)擦除操作。
18.—種存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，該方法包括 從控制器生成命令，以對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件執(zhí)行擦除操作，該非易失性存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)單元陣列，該存儲(chǔ)單元陣列具有襯底和多個(gè)串，每個(gè)串具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)串沿垂直于襯底的方向形成在襯底上；以及 根據(jù)生成的命令在非易失性存儲(chǔ)器件中執(zhí)行擦除操作，該擦除操作包括 對(duì)所述多個(gè)串執(zhí)行擦除操作； 利用到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)的讀取電壓執(zhí)行讀取操作； 根據(jù)執(zhí)行的讀取操作確定一個(gè)或多個(gè)串為斷開(kāi)串； 對(duì)斷開(kāi)串處理擦除驗(yàn)證通過(guò)；以及 利用到所述多個(gè)串的字線(xiàn)的擦除驗(yàn)證電壓執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作，所述擦除驗(yàn)證電壓低于讀取電壓。
19.如權(quán)利要求18所述的操作方法，其中，所述執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作包括避免對(duì)第一確定的斷開(kāi)串執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。
20.如權(quán)利要求19所述的操作方法，還包括 利用第二擦除電壓對(duì)第一確定和第二確定的斷開(kāi)串執(zhí)行第二擦除操作。
21.如權(quán)利要求18所述的操作方法，其中，在擦除操作和擦除驗(yàn)證操作之間不執(zhí)行讀取操作。
22.如權(quán)利要求18所述的操作方法，其中，不對(duì)確定的斷開(kāi)串執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。
23.如權(quán)利要求18所述的操作方法，還包括 從非易失性存儲(chǔ)器件向控制器傳送對(duì)擦除操作的第一響應(yīng)信號(hào)；從控制器生成第二命令以控制非易失性存儲(chǔ)器件執(zhí)行第二擦除操作；以及從非易失性存儲(chǔ)器件傳送對(duì)第二擦除操作的第二響應(yīng)信號(hào)，以便控制器根據(jù)第一響應(yīng)信號(hào)和第二響應(yīng)信號(hào)執(zhí)行錯(cuò)誤處理以確定損壞的塊。
24.如權(quán)利要求18所述的操作方法，還包括 當(dāng)擦除操作完成時(shí)向控制器傳送關(guān)于斷開(kāi)串的信息，以便控制器利用傳送的信息更新先前的信息。
25.如權(quán)利要求18所述的操作方法，還包括 向控制器傳送關(guān)于斷開(kāi)串的信息； 向非易失性存儲(chǔ)器件傳送讀取命令以執(zhí)行從所述串讀取數(shù)據(jù)的第二讀取操作；以及 根據(jù)讀取的數(shù)據(jù)和關(guān)于斷開(kāi)串的信息糾正錯(cuò)誤。
26.如權(quán)利要求18所述的操作方法，還包括 向非易失性存儲(chǔ)器件生成命令以執(zhí)行預(yù)讀取操作；以及 根據(jù)預(yù)讀取操作從非易失性存儲(chǔ)器件接收關(guān)于第二斷開(kāi)串的信息，并且控制非易失性存儲(chǔ)器件將關(guān)于第二斷開(kāi)串的信息存儲(chǔ)在該非易失性存儲(chǔ)器件的緩存區(qū)中。
27.如權(quán)利要求26所述的操作方法，還包括 向非易失性存儲(chǔ)器件生成第二命令，以便向控制器輸出所存儲(chǔ)的斷開(kāi)串信息； 接收根據(jù)擦除操作的第二斷開(kāi)串的信息；以及 根據(jù)該第二斷開(kāi)串信息和所述斷開(kāi)串信息來(lái)更新信息。
28.如權(quán)利要求18所述的操作方法，還包括 選擇連接預(yù)定數(shù)量的串的串選擇線(xiàn)，以對(duì)被選串選擇線(xiàn)的所述預(yù)定數(shù)量的串執(zhí)行讀取操作，直到該被選串選擇線(xiàn)被確定為是所述串的最后的串選擇線(xiàn)為止。
29.如權(quán)利要求18所述的操作方法，其中 所述多個(gè)串被分成多個(gè)組，以便被連接到多條串選擇線(xiàn)； 所述擦除操作包括選擇所述多條串選擇線(xiàn)中的第一串選擇線(xiàn)；以及 相對(duì)于與被選串選擇線(xiàn)連接的串執(zhí)行讀取操作和擦除驗(yàn)證操作。
30.如權(quán)利要求18所述的操作方法，還包括 重復(fù)執(zhí)行讀取操作以及檢測(cè)斷開(kāi)串，直到多條串選擇線(xiàn)中的最后的串選擇線(xiàn)被選擇為止，所述多條串選擇線(xiàn)每一條連接到相應(yīng)的串，并且被順序地選擇。
31.如權(quán)利要求30所述的操作方法，其中，所述重復(fù)包括 選擇多條串選擇線(xiàn)中的第二串選擇線(xiàn)； 通過(guò)向連接到第二串選擇線(xiàn)的串的字線(xiàn)施加高電壓，執(zhí)行讀取操作；以及 根據(jù)執(zhí)行的讀取操作，確定一個(gè)或多個(gè)第二串為斷開(kāi)串。
32.—種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括 非易失性存儲(chǔ)器件，其包括存儲(chǔ)單元陣列，該存儲(chǔ)單元陣列具有襯底和多個(gè)串，每個(gè)串具有多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)串沿垂直于襯底的方向形成在襯底上；以及 控制器，用于生成命令以對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件執(zhí)行擦除操作，從而使該非易失性存儲(chǔ)器件 擦除所述多個(gè)串； 利用到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)的讀取電壓執(zhí)行讀取操作；根據(jù)執(zhí)行的讀取操作確定一個(gè)或多個(gè)串為斷開(kāi)串； 對(duì)斷開(kāi)串處理擦除驗(yàn)證通過(guò)；以及 利用到所述多個(gè)串的字線(xiàn)的擦除驗(yàn)證電壓執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作，所述擦除驗(yàn)證電壓低于讀取電壓。
33.如權(quán)利要求32所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述串通過(guò)間隙相互間隔，在所述間隙中，形成溝道膜單元以連接所述串的存儲(chǔ)單元，并且該溝道膜單元具有導(dǎo)致斷開(kāi)串的缺點(diǎn)。
34.如權(quán)利要求33所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲(chǔ)器件包括連接到相鄰的串的溝道膜單元，并且所述斷開(kāi)串通過(guò)與襯底沒(méi)有電接觸的溝道膜單元形成。
35.如權(quán)利要求33所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲(chǔ)器件包括漏極以及連接到相鄰的串的溝道膜單元，并且所述斷開(kāi)串通過(guò)與襯底沒(méi)有電接觸的溝道膜單元形成。
36.如權(quán)利要求32所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述非易失性存儲(chǔ)器件避免對(duì)第一確定的斷開(kāi)串執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。
37.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括 非易失性存儲(chǔ)器件；以及 控制器，其被配置成控制該非易失性存儲(chǔ)器件， 其中，該非易失性存儲(chǔ)器件包括 存儲(chǔ)單元陣列，其包括多個(gè)串，每個(gè)串具有多個(gè)存儲(chǔ)單元； 讀取/寫(xiě)入單元，其被配置成響應(yīng)于從控制器發(fā)送的命令執(zhí)行讀取操作并且輸出讀取結(jié)果，該讀取操作通過(guò)將高電壓施加到與所述多個(gè)串連接的字線(xiàn)來(lái)進(jìn)行； 計(jì)數(shù)單元，其被配置成接收輸出的讀取結(jié)果，并且對(duì)于在讀取操作中被讀取為斷開(kāi)的斷開(kāi)串的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)；以及 數(shù)據(jù)輸入/輸出電路，其被配置成輸出讀取結(jié)果或計(jì)數(shù)結(jié)果，以作為與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息，并且 其中，所述控制器被配置成基于與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息控制非易失性存儲(chǔ)器件。
38.如權(quán)利要求37所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中 所述非易失性存儲(chǔ)器件包括襯底； 所述多個(gè)串沿垂直于襯底的方向布置在襯底上，并且被分成多個(gè)串的組，所述組連接到多條串選擇線(xiàn)； 所述控制器控制該非易失性存儲(chǔ)器件對(duì)所述多條串選擇線(xiàn)的組中的串執(zhí)行擦除操作；并且 所述控制器控制非易失性存儲(chǔ)器件將一個(gè)或多個(gè)斷開(kāi)串處理為擦除通過(guò)，并且以每個(gè)組為單位對(duì)其他串執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作。
39.如權(quán)利要求38所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述相鄰的串通過(guò)柱相互間隔，所述柱具有電連接到每個(gè)串的存儲(chǔ)單元的溝道膜。
40.如權(quán)利要求39所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，所述柱具有寬度，該寬度根據(jù)距襯底的距離而變寬。
41.如權(quán)利要求38所述的存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中，每個(gè)串的存儲(chǔ)單元具有長(zhǎng)度，該長(zhǎng)度根據(jù)距襯底的距離而變短。
42.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)的操作方法，該存儲(chǔ)系統(tǒng)包括非易失性存儲(chǔ)器件和控制器，該非易失性存儲(chǔ)器件包括多個(gè)串，該控制器被配置成控制該非易失性存儲(chǔ)器件，每個(gè)串包括多個(gè)存儲(chǔ)單元,所述操作方法包括 從控制器向非易失性存儲(chǔ)器件發(fā)送命令； 響應(yīng)于該命令執(zhí)行對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件的讀取操作，該讀取操作通過(guò)向與所述多個(gè)串連接的所有字線(xiàn)施加高電壓來(lái)進(jìn)行； 從非易失性存儲(chǔ)器件向控制器發(fā)送與在讀取操作中被讀取為斷開(kāi)的斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的/[目息;以及 在控制器中存儲(chǔ)所發(fā)送的信息。
43.如權(quán)利要求42所述的操作方法，還包括 從控制器向非易失性存儲(chǔ)器件發(fā)送所存儲(chǔ)的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息以及擦除命令；以及 響應(yīng)于所存儲(chǔ)的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息和擦除命令，執(zhí)行對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件的擦除操作。
44.如權(quán)利要求43所述的操作方法，其中，如果擦除操作的結(jié)果指示擦除失敗，則再次執(zhí)行發(fā)送命令、執(zhí)行讀取操作、發(fā)送信息以及存儲(chǔ)發(fā)送的信息。
45.如權(quán)利要求42所述的操作方法，還包括 從控制器向非易失性存儲(chǔ)器件發(fā)送讀取命令； 從非易失性存儲(chǔ)器件向控制器發(fā)送根據(jù)讀取命令的讀取結(jié)果；以及使用所存儲(chǔ)的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息糾正所發(fā)送的讀取結(jié)果的錯(cuò)誤，該糾正由控制器進(jìn)行。
46.如權(quán)利要求42所述的操作方法，還包括 使用寫(xiě)入數(shù)據(jù)和所存儲(chǔ)的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息生成碼字，該生成由控制器進(jìn)行； 從控制器向非易失性存儲(chǔ)器件發(fā)送生成的碼字和寫(xiě)入命令；以及 響應(yīng)于該寫(xiě)入命令在非易失性存儲(chǔ)器件中寫(xiě)入所發(fā)送的碼字。
47.如權(quán)利要求42所述的操作方法，還包括 從控制器向非易失性存儲(chǔ)器件發(fā)送所存儲(chǔ)的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息以及第二命令；以及 響應(yīng)于該第二命令在非易失性存儲(chǔ)器件中寫(xiě)入所發(fā)送的與斷開(kāi)串相關(guān)聯(lián)的信息。
全文摘要
非易失性存儲(chǔ)器件的擦除系統(tǒng)和方法包括向非易失性存儲(chǔ)器的多個(gè)存儲(chǔ)單元供應(yīng)擦除電壓；利用到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)的讀取電壓執(zhí)行讀取操作；以及利用到所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)中的至少一條字線(xiàn)的擦除驗(yàn)證電壓執(zhí)行擦除驗(yàn)證操作，該擦除驗(yàn)證電壓低于讀取電壓。
文檔編號(hào)G11C16/14GK102881329SQ20121024244
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月12日
發(fā)明者南尚完 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社