一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法。
【背景技術(shù)】
[0002]非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory)由于具有可多次進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取、擦除、編程等操作，且存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會(huì)消失的優(yōu)點(diǎn)，因此，非易失性存儲(chǔ)器被廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦和電子設(shè)備等電子裝置中。
[0003]非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)塊(Block)通常包括多個(gè)扇區(qū)(Sector)，每一個(gè)扇區(qū)包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元的柵極加負(fù)壓，襯底加負(fù)壓時(shí)，扇區(qū)中存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)被擦除?，F(xiàn)有技術(shù)中，在對(duì)非易失性存儲(chǔ)器進(jìn)行存儲(chǔ)塊擦除時(shí)，首先對(duì)存儲(chǔ)塊中扇區(qū)的依次進(jìn)行擦除驗(yàn)證(EV)，當(dāng)存儲(chǔ)塊中有一個(gè)扇區(qū)沒(méi)有通過(guò)擦除驗(yàn)證，則對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)塊進(jìn)行擦除，再通過(guò)過(guò)擦除驗(yàn)證(OEV)檢驗(yàn)是否存在擦除過(guò)深的存儲(chǔ)單元，若存在擦除過(guò)深的存儲(chǔ)單元，則對(duì)擦除過(guò)深的存儲(chǔ)單元進(jìn)行過(guò)擦除編程，將擦除過(guò)深的存儲(chǔ)單元的電壓進(jìn)行校正，使其位于閾值電壓。
[0004]然而，利用上述現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行存儲(chǔ)塊擦除時(shí)，對(duì)于已經(jīng)全部存儲(chǔ)單元都通過(guò)擦除驗(yàn)證的扇區(qū)仍需執(zhí)行擦除流程，容易導(dǎo)致該扇區(qū)中的存儲(chǔ)單元產(chǎn)生過(guò)擦除，在之后進(jìn)行過(guò)擦除驗(yàn)證時(shí)需要花費(fèi)大量時(shí)間對(duì)過(guò)擦除的存儲(chǔ)單元的電壓進(jìn)行校正，從而導(dǎo)致擦除速度慢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法，以節(jié)省非易失性存儲(chǔ)器的擦除時(shí)間，從而加快擦除速度。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法，所述非易失性存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)塊，每一個(gè)存儲(chǔ)塊包含多個(gè)扇區(qū)，每一個(gè)扇區(qū)包含多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述方法包括:
[0007]SI對(duì)存儲(chǔ)塊中的所有扇區(qū)進(jìn)行第一次擦除驗(yàn)證，將通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)進(jìn)行標(biāo)記；
[0008]S2對(duì)存儲(chǔ)塊中所有扇區(qū)進(jìn)行第二次擦除驗(yàn)證，若存儲(chǔ)塊中所有扇區(qū)沒(méi)有全部通過(guò)第二次擦除驗(yàn)證，則對(duì)所有扇區(qū)中除通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)以外的剩余扇區(qū)進(jìn)行擦除操作；
[0009]S3對(duì)擦除操作后的所述剩余扇區(qū)中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行過(guò)擦除驗(yàn)證，對(duì)沒(méi)有通過(guò)過(guò)擦除驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元進(jìn)行過(guò)擦除編程。
[0010]進(jìn)一步地，在步驟S3之后，所述方法還包括:
[0011]重復(fù)執(zhí)行上述步驟S2和S3，直至所有扇區(qū)都通過(guò)第二次擦除驗(yàn)證或者對(duì)所述剩余扇區(qū)的擦除次數(shù)達(dá)到閾值擦除次數(shù)為止。
[0012]進(jìn)一步地，所述對(duì)存儲(chǔ)塊中的所有扇區(qū)進(jìn)行第一次擦除驗(yàn)證包括:
[0013]依次讀取存儲(chǔ)塊中每一個(gè)扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)信息，對(duì)于每一個(gè)扇區(qū)，若該扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)信息全部為1，則該扇區(qū)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證；若該扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)信息不全部為1，則該扇區(qū)沒(méi)有通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證。
[0014]進(jìn)一步地，所述對(duì)所有扇區(qū)中除通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)以外的剩余扇區(qū)進(jìn)行擦除操作包括:
[0015]對(duì)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)中的存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)加正電壓，襯底加高電壓；
[0016]對(duì)所有扇區(qū)中除通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)以外的剩余扇區(qū)中的存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)加負(fù)電壓，襯底加高電壓。
[0017]進(jìn)一步地，所述高電壓的范圍為10V-15V。
[0018]進(jìn)一步地，所述對(duì)擦除操作后的所述剩余扇區(qū)中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行過(guò)擦除驗(yàn)證包括:
[0019]判斷擦除操作后所述剩余扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于預(yù)定閾值電壓，若是，則判斷閾值電壓小于預(yù)定閾值電壓的存儲(chǔ)單元沒(méi)有通過(guò)過(guò)擦除驗(yàn)證。
[0020]進(jìn)一步地，所述判斷擦除操作后所述剩余扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元的閾值電壓是否小于預(yù)定閾值電壓包括:
[0021]依次讀取擦除操作后所述剩余扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)信息，對(duì)于每一個(gè)存儲(chǔ)單元，若該存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)信息為0，則判斷該存儲(chǔ)單元的閾值電壓大于預(yù)定閾值電壓；若該存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)信息為1，則判斷該存儲(chǔ)單元的閾值電壓小于預(yù)定閾值電壓。
[0022]進(jìn)一步地，所述對(duì)沒(méi)有通過(guò)過(guò)擦除驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元進(jìn)行過(guò)擦除編程包括:
[0023]對(duì)沒(méi)有通過(guò)過(guò)擦除驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元進(jìn)行過(guò)擦除編程時(shí)的編程電壓為一固定電位的正電壓。
[0024]本發(fā)明通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)塊中所有扇區(qū)進(jìn)行第一次擦除驗(yàn)證，對(duì)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)進(jìn)行標(biāo)記，對(duì)沒(méi)有通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)進(jìn)行擦除操作，在之后的擦除過(guò)程中，不需要對(duì)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)施加擦除電壓，防止通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)發(fā)生過(guò)擦除，節(jié)省了對(duì)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)進(jìn)行過(guò)擦除編程的時(shí)間，從而提高了非易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)塊的擦除速度。
【附圖說(shuō)明】
[0025]下面將通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更清楚本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖中:
[0026]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法流程圖；
[0027]圖2是本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法進(jìn)行擦除操作時(shí)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[0029]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法流程圖，該方法可適用于非易失性存儲(chǔ)器中進(jìn)行數(shù)據(jù)擦除，該實(shí)現(xiàn)流程詳述如下:
[0030]步驟S1、對(duì)存儲(chǔ)塊中的所有扇區(qū)進(jìn)行第一次擦除驗(yàn)證，將通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)進(jìn)行標(biāo)記。
[0031]存儲(chǔ)器中一般存在著兩種基本存儲(chǔ)單元，擦除存儲(chǔ)單元和編程存儲(chǔ)單元，也即“I”和“0”，因此，對(duì)應(yīng)也就存在著擦除和編程這兩種存儲(chǔ)器單元的基本操作，其中，將“O”變?yōu)椤癐”的過(guò)程稱(chēng)之為擦除，反之稱(chēng)之為編程。
[0032]非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)塊一般包括多個(gè)扇區(qū)，每一個(gè)扇區(qū)包含多個(gè)存儲(chǔ)單元，在本實(shí)施例中，首選對(duì)存儲(chǔ)塊中的所有扇區(qū)進(jìn)行第一次擦除驗(yàn)證，將通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)進(jìn)行標(biāo)記，具體地，可以將通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)存儲(chǔ)于鎖存器中，以便對(duì)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)中的信息暫存，以維持通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元中的信息全部為I電平狀態(tài)。
[0033]具體地，所述對(duì)存儲(chǔ)塊中所有扇區(qū)進(jìn)行第一次擦除驗(yàn)證包括:
[0034]步驟S11、依次讀取存儲(chǔ)塊中每一個(gè)扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)信息，對(duì)于每一個(gè)扇區(qū)，若該扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)信息全部為1，則該扇區(qū)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證；若該扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)信息不全部為1，則該扇區(qū)沒(méi)有通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證。
[0035]在本步驟中，可以向存儲(chǔ)塊中每一個(gè)扇區(qū)依次發(fā)送讀取信息的指令，所述存儲(chǔ)塊中每一個(gè)扇區(qū)根據(jù)所述讀取信息指令讀取該扇區(qū)中每一個(gè)存儲(chǔ)單元中的存儲(chǔ)信息，根據(jù)每一個(gè)扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)信息判斷該扇區(qū)是否通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證，對(duì)于每一個(gè)扇區(qū)，若該扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)的信息全部為1，則判斷該扇區(qū)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證，若該扇區(qū)中各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)信息不是全部為1，即該扇區(qū)中一部分存儲(chǔ)單元的信息為0，一部分存儲(chǔ)單元的信息為1，則判斷該扇區(qū)沒(méi)有通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證。
[0036]步驟S2、對(duì)存儲(chǔ)塊中所有扇區(qū)進(jìn)行第二次擦除驗(yàn)證，若存儲(chǔ)塊中所有扇區(qū)沒(méi)有全部通過(guò)第二次擦除驗(yàn)證，則對(duì)所有扇區(qū)中除通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)以外的剩余扇區(qū)進(jìn)行擦除操作。
[0037]對(duì)存儲(chǔ)塊中所有扇區(qū)進(jìn)行第二次擦除驗(yàn)證，若存儲(chǔ)塊中所有扇區(qū)沒(méi)有全部通過(guò)第二次擦除驗(yàn)證，則對(duì)所有扇區(qū)中除通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)以外的剩余扇區(qū)進(jìn)行擦除操作，由于對(duì)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)進(jìn)行了標(biāo)記，因此，不需要對(duì)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)進(jìn)行擦除，與現(xiàn)有技術(shù)中的整塊擦除相比，本發(fā)明實(shí)施例中只對(duì)沒(méi)有通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)進(jìn)行擦除操作，而沒(méi)有對(duì)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)進(jìn)行擦除操作，防止通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)發(fā)生過(guò)擦除，從而節(jié)省了過(guò)擦除編程的時(shí)間。
[0038]如圖2所示，圖2是本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的擦除方法進(jìn)行擦除操作時(shí)的示意圖，具體地，對(duì)所有扇區(qū)中除通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)以外的剩余扇區(qū)進(jìn)行擦除操作可包括:
[0039]步驟S21、對(duì)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)中的存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)加正電壓，襯底加高電壓。
[0040]所述存儲(chǔ)單元通常也是一個(gè)MOS管，擁有一個(gè)源極、一個(gè)漏極、一個(gè)柵極，另外還有一個(gè)浮動(dòng)?xùn)艠O，可見(jiàn)，它的構(gòu)造和一般的MOS管略有不同，多了一個(gè)浮動(dòng)?xùn)艠O，對(duì)通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)的存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)加正電壓Vras，襯底加高電壓，其中，所述正電壓Vras可以是3V，所述高電壓的范圍可以為10V-15V，如圖2所示，圖中扇區(qū)2里面各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)信息全部為I，因此對(duì)扇區(qū)2中各存儲(chǔ)單元的字線(xiàn)加正電壓，襯底加高電壓，防止通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)發(fā)生過(guò)擦除。
[0041]步驟S22、對(duì)所有扇區(qū)中除通過(guò)第一次擦除驗(yàn)證的扇區(qū)以外的剩余扇區(qū)中的存儲(chǔ)單元的