專利名稱：磁記錄介質(zhì)用玻璃基板、及使用該磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)用玻璃基板及磁記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
近年來，在磁盤裝置中，高密度化記錄飛速發(fā)展。磁盤裝置中，通過使磁頭在高速旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)(磁盤)上稍微浮起并進(jìn)行掃描，使高密度記錄和高速存取同時(shí)實(shí)現(xiàn)。目前，雖然磁盤的基材主流是在鋁(Al)上實(shí)施了鍍鎳ー磷(Ni — P)的基板，但正在要使用比鋁合金基板硬且對(duì)于磁頭帶來的沖擊的耐性優(yōu)異且平坦性、平滑性優(yōu)異的玻璃基板。在磁盤裝置中，為了提高記錄密度，有進(jìn)ー步縮小磁頭的浮起量的傾向，但與之相伴，產(chǎn)生磁頭與磁記錄介質(zhì)(磁盤)碰撞的磁頭碰撞等不良的擔(dān)心増大。另ー方面，為了實(shí)現(xiàn) 磁盤數(shù)據(jù)的高速存取，需要磁盤高速旋轉(zhuǎn)，但由于在磁盤高速旋轉(zhuǎn)中產(chǎn)生的氣流引起的稱為顫振的磁盤的振動(dòng)的產(chǎn)生，所以存在磁頭的浮起穩(wěn)定性惡化，更易產(chǎn)生磁頭碰撞等不良的問題。另外，磁頭與磁盤的表面接觸，磁盤也可能會(huì)破損。因此，比以往更需要抑制高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的磁盤的顫振，而變得重要。目前，提案有一種磁盤裝置，通過規(guī)定固定于主軸電動(dòng)機(jī)的輪轂的玻璃基板內(nèi)周部的截面形狀，使玻璃基板的耐沖擊強(qiáng)度提高(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。另外，還提案有ー種磁盤裝置，通過使用于將磁盤安裝于硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的部件的剛性及構(gòu)造形成規(guī)定的關(guān)系，防止磁盤的變形，使磁頭的浮起穩(wěn)定化(例如，參照專利文獻(xiàn)2 )。但是，在專利文獻(xiàn)I及專利文獻(xiàn)2記載的磁盤中，均不能充分抑制安裝于HDD的磁盤的形狀的變形、及其結(jié)果產(chǎn)生的顫振位移，因此，磁頭的浮起穩(wěn)定性惡化，不能充分防止磁頭碰撞等。另外，就現(xiàn)有的磁盤而言，因落下等而對(duì)磁盤裝置施加了沖擊的情況的耐沖擊性也不充分。專利文獻(xiàn)I :國際公開W02008/111427號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開2003 — 217249號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而開發(fā)的，其目的在于，提供一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其抑制在磁盤裝置中使磁記錄介質(zhì)高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的顫振的位移，并且使磁記錄介質(zhì)的耐沖擊性提聞。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板為圓盤形狀的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板,在中央部具有貫通的圓孔，且具有相互對(duì)置的ー對(duì)主平面，其特征在于，所述主平面上包含將磁記錄介質(zhì)固定于硬盤驅(qū)動(dòng)器時(shí)由連接部件緊固的部位的夾緊區(qū)域的平坦度為I μ m以下，且所述夾緊區(qū)域的板厚偏差為O. 3 μ m以下。在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板中，優(yōu)選所述平坦度為O. 7μπι以下，更優(yōu)選為
O.5 μ m以下。另外，優(yōu)選，在所述主平面上，所述夾緊區(qū)域的表面波紋度的振幅值為20nm以下。更優(yōu)選所述表面波紋度的振幅值為IOnm以下。另外，優(yōu)選所述板厚偏差為O. 2μπι以下。此外，優(yōu)選所述夾緊區(qū)域?yàn)樗鲋髌矫嫔媳扰c所述圓孔同心的圓的圓周更靠中央部側(cè)的圓環(huán)的區(qū)域，該與所述圓孔同心的圓的直徑為所述圓孔的直徑的128%。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)使用前述的本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，將在該磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的表面形成磁性層等的磁記錄介質(zhì)搭載于磁盤裝置的情況下，抑制了使磁記錄介質(zhì)高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的顫振，因此，能夠防止磁頭碰撞等不良的發(fā)生，使磁盤裝置的可靠性提高，井能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度化。另外，在對(duì)磁盤裝置施加強(qiáng)的沖擊的情況下，磁記錄介質(zhì)也不會(huì)破損，所以能夠得到可靠性高的磁盤裝置。



圖I是表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的一例的剖面立體圖；圖2是用于說明在本發(fā)明的實(shí)施例中測定上下平板的研磨面的平行度的方法的平面圖；圖3表示上下平板的研磨面的形狀，Ca)是示意地表示D2比Dl大的形狀的剖面圖，(b)是示意地表示D2比Dl小的形狀的剖面圖。標(biāo)號(hào)說明10…磁記錄介質(zhì)用玻璃基板、Iト··圓孔、10ト··內(nèi)周側(cè)面、102…外周側(cè)面、103…主平面、104…倒角部、105…夾緊區(qū)域、30...上平板、40...下平板
具體實(shí)施例方式對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行說明，但本發(fā)明不限定于下面記載的實(shí)施方式。本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，磁盤(磁記錄介質(zhì))所使用的玻璃基板的規(guī)定的區(qū)域的平坦度等影響上述顫振的位移大小、及向上述磁盤裝置施加落下等沖擊時(shí)的磁盤的耐沖擊性。S卩，在將磁盤搭載于硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)時(shí)，利用夾子等部件(下面，稱為夾緊部件)緊固固定磁盤的主平面的靠內(nèi)周端部的規(guī)定部位，并且將該夾緊部件與輪轂組裝在一起并安裝于主軸電動(dòng)機(jī)，但在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主平面上，由上述夾緊部件緊固固定的部位的平坦度變差吋，緊固夾緊部件時(shí)玻璃基板的形狀變形，作為磁盤整體的平坦度變差。其結(jié)果是，磁頭的浮起穩(wěn)定性惡化，易產(chǎn)生磁頭碰撞等。將包含由夾緊部件緊固固定的部位的區(qū)域也稱為夾緊區(qū)域。另外，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的夾緊區(qū)域的平坦度變差時(shí)，在緊固固定夾緊部件時(shí)，在玻璃基板的凸部分產(chǎn)生應(yīng)力集中，產(chǎn)生沖擊強(qiáng)度降低、耐沖擊性的容許范圍(極限)減少等不良。此外，在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板上，與夾緊區(qū)域?qū)?yīng)的部位的板厚不均一時(shí)，在由夾緊部件緊固固定該區(qū)域時(shí)，產(chǎn)生不能適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行玻璃基板的固定，而在使磁盤高速旋轉(zhuǎn)時(shí)顫振増大的問題。其結(jié)果是，磁頭的浮起穩(wěn)定性惡化，易產(chǎn)生磁頭碰撞等。本發(fā)明實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板為圓盤形狀的玻璃基板，在中央部具有貫通的圓孔，且具有相互對(duì)置的ー對(duì)主平面。而且，其特征在于，在ー對(duì)主平面上，夾緊區(qū)域的平坦度為I μ m以下，且該夾緊區(qū)域的玻璃基板的板厚偏差為O. 3 μ m以下。首先，圖I表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的一例。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10在中央部具有圓形的貫通孔即圓孔11，且具有由圓孔11的內(nèi)壁面即內(nèi)周側(cè)面101、外周側(cè)面102、及上下ー對(duì)主平面103構(gòu)成的圓盤形狀。另外，在內(nèi)周側(cè)面101及外周側(cè)面102和上下兩方的主平面103的交叉部分別形成有倒角部104 (內(nèi)周倒角部及外周倒角部)。而且，在ー對(duì)主平面103即上下兩主平面103上，夾緊區(qū)域105的平坦度為Iym以下，并且該夾緊區(qū)域105的玻璃基板10的板厚偏差為O. 3 μ m以下。在本說明書中，夾緊區(qū)域105為在將磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10作為磁記錄介質(zhì)裝入HDD使用時(shí)，包含由夾子等連接部件緊固固定的主平面的部位的區(qū)域。具體地說，在規(guī)定的主平面103上，優(yōu)選將具有圓孔11的內(nèi)徑D1的128%的直徑(I. 28D1)的、從與圓孔同心的圓(下面,稱為同心圓)105a的圓周上至主平面103的內(nèi)周端部105b的圓環(huán)形(比105a的圓周上更靠中央部側(cè)的圓環(huán))的區(qū)域作為包含由夾子等連接部 件緊固固定的主平面的部位的夾緊區(qū)域105。例如，在外徑65m且圓孔11的內(nèi)徑D1為20mm的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10中，在主平面103上,從直徑25. 6mm的同心圓的圓周上至內(nèi)周端部105b的區(qū)域(夾緊區(qū)域105)、或在其一部分進(jìn)行基于夾子等連接部材的緊固固定。另夕卜，在外徑為95mm且圓孔11的內(nèi)徑D1為25mm的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10中，在主平面103上，從直徑32. Omm的同心圓105a的圓周上至內(nèi)周端部105b的區(qū)域?yàn)閵A緊區(qū)域105，在比該區(qū)域更靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域，由夾子等連接部件進(jìn)行緊固固定。這種夾緊區(qū)域105的平坦度由最大峰值和最大谷深之差即TIR(Total IndicatedRunout :總指示偏差量)值表示。平坦度的測定例如可以使用干渉式平坦度測定機(jī)，以規(guī)定的測定波長，利用相位測定干涉法進(jìn)行(相移法)。在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板中，主平面的夾緊區(qū)域105的平坦度為Ιμπι以下，優(yōu)選為O. 7 μ m以下，更優(yōu)選為O. 5 μ m以下，特別優(yōu)選為O. 3 μ m以下。平坦度超過
I.O μ m時(shí),高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的磁記錄介質(zhì)的振動(dòng)(顫振位移)增大,有可能產(chǎn)生磁頭碰撞等不良。另外，在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板中，夾緊區(qū)域105的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10的板厚偏差為O. 3μπι以下，優(yōu)選為O. 2μπι以下，更優(yōu)選為O. Ιμπι以下。在板厚偏差超過O. 3 μ m時(shí),主平面103的夾緊區(qū)域105的平坦度即使為I μ m以下,使磁記錄介質(zhì)高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的顫振位移也會(huì)増大，有可能產(chǎn)生磁頭碰撞等不良。夾緊區(qū)域105的玻璃基板10的板厚偏差用下面所示的方法求出。即，使用玻璃基板的板厚測定器，在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10的夾緊區(qū)域105內(nèi)的多個(gè)部位(例如，在同心圓105a的圓周上，中心角為0°、90。、180。、270。的總計(jì)四個(gè)部位)的位置分別測定板厚，求出得到的板厚值的最大值和最小值之差，并將其作為板厚偏差。此外，在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10中，在上下兩主平面103上，夾緊區(qū)域105的表面波紋度振幅值優(yōu)選為20nm以下。在此，表面波紋度是指磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10的主平面的、周期為數(shù)十μπι 數(shù)mm的微小的波紋形狀。另外，表面波紋度振幅值是指波紋形狀的最大峰值和最小谷深之差即 PV (Peak to Valley:峰谷)值。在本發(fā)明中，優(yōu)選具有500 μ m 5000 μ m的周期的表面波紋度振幅值(PV值)為20nm以下的情況。表面波紋度振幅值(PV值)更優(yōu)選為IOnm以下，進(jìn)ー步優(yōu)選為5nm以下。
通過減小磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的夾緊區(qū)域表面波紋度振幅值(PV值)，在緊固固定夾緊部件時(shí)，能夠抑制在玻璃基板的凸部分發(fā)生應(yīng)力集中且沖擊強(qiáng)度降低的情況，且可以增加耐沖擊性的容許范圍(極限)。因此，表面波紋度振幅值(PV值)為20nm以下時(shí)，可以得到耐沖擊性高的磁記錄介質(zhì)。即，即使對(duì)磁盤裝置施加強(qiáng)的沖擊的情況下，所搭載的磁記錄介質(zhì)也難以破損。磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10的表面波紋度的測定例如使用白色光干涉計(jì)型形狀測定機(jī)，利用基于白色光的干涉方式將帶通濾波器設(shè)定在500 μ m 500 0 μ m的范圍而進(jìn)行測定。而且，求出作為所測定的表面波紋度的最大峰值和最小谷深之差的PV值，作為表面波紋度的振幅值。在這樣構(gòu)成的實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10中，主平面103的夾緊區(qū)域105的平坦度為I μ m以下,并且該夾緊區(qū)域105的玻璃基板10的板厚偏差為O. 3 μ m以下，因此，在將由該磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10得到的磁記錄介質(zhì)利用夾緊部件等緊固固定并組裝于HDD的磁盤裝置中，抑制磁記錄介質(zhì)顫振。其結(jié)果是，磁頭的浮起穩(wěn)定性提高，難以產(chǎn)生磁頭碰撞等不良。另外，防止夾緊區(qū)域的局部的應(yīng)カ集中，因此，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的耐沖擊性提高，即使對(duì)磁盤裝置施加強(qiáng)的沖擊的情況下，磁記錄介質(zhì)也難以破損。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板可以通過具有下面的各エ序的制造方法得到。在下面所示的各エ序間也可以實(shí)施玻璃基板清洗(エ序間清洗)、玻璃基板表面(玻璃基板的一部分或整面)的蝕刻(エ序間蝕刻)。另外，對(duì)于磁記錄介質(zhì)用玻璃基板要求高的機(jī)械強(qiáng)度的情況下，也可以在主平面研磨エ序前或主平面研磨エ序后、或主平面研磨エ序之間(一次研磨エ序和二次研磨エ序之間，或二次研磨エ序和三次研磨エ序之間)實(shí)施在玻璃基板的表層形成強(qiáng)化層(壓縮應(yīng)カ層)的強(qiáng)化工序(例如，化學(xué)強(qiáng)化工序)。(圓形加工エ序)首先，將利用浮法、溶解法、下拉法或沖壓成形法成形的玻璃原板加工成在中央部具有圓孔的圓盤形狀。玻璃原板既可以是利用浮法成形，也可以是利用溶解法成形，也可以用下拉法或擠壓成形法成形。另外，構(gòu)成玻璃原板的玻璃既可以是非結(jié)晶玻璃，也可以是結(jié)晶化玻璃。(倒角加工エ序)對(duì)進(jìn)行了圓形加工后的玻璃基板的內(nèi)周側(cè)面和上下兩主平面的交叉部、及外周側(cè)面和上下兩主平面的交叉部分別進(jìn)行倒角加工,形成內(nèi)周倒角部及外周倒角部。(主平面的一次研磨エ序游離磨粒研磨エ序)為了調(diào)整玻璃基板的平坦度、板厚,利用兩面研磨裝置或單面研磨裝置,使用含有磨粒的研磨液對(duì)玻璃基板的上下兩主平面進(jìn)行研磨(游離磨粒研磨エ序)。游離磨粒可以使用平均粒子直徑比在后述的二次研磨エ序中使用的固定磨粒大的金剛石粒子、氧化鋁粒子、碳化硅粒子等。優(yōu)選在一次研磨后，清洗玻璃基板并去除磨粒。(主平面的二次研磨エ序固定磨粒研磨エ序)為了調(diào)整玻璃基板的平坦度、板厚，優(yōu)選利用兩面研磨裝置或單面研磨裝置進(jìn)行使用了固定磨粒工具的固定磨粒研磨。包含于固定磨粒工具的磨粒例如可以使用平均粒子直徑為O. 5 10 μ m的金剛石粒子、氧化鋁粒子、碳化硅粒子等。在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造エ序中，作為用于調(diào)整玻璃基板的平坦度、板厚的研磨エ序，也可以只實(shí)施游離磨粒研磨エ序，也可以只實(shí)施固定磨粒研磨エ序，也可以實(shí)施游離磨粒研磨エ序和固定磨粒研磨エ序這兩方。(端面研磨エ序)使用含有磨粒的研磨液和研磨刷對(duì)玻璃基板的內(nèi)周端面(內(nèi)周側(cè)面和內(nèi)周倒角部)進(jìn)行研磨，去除圓形加工及倒角加工等時(shí)在內(nèi)周端面產(chǎn)生的缺陷等，以成為鏡面的方式進(jìn)行平滑化。另外，使用含有磨粒的研磨液和研磨刷對(duì)玻璃基板的外周端面(外周側(cè)面和外周倒角部)進(jìn)行研磨，去除圓形加工及倒角加工等時(shí)在外周端面產(chǎn)生的缺陷等，以成為鏡面的方式進(jìn)行平滑化。在端面研磨エ序中，例如優(yōu)選，層疊多張玻璃基板而形成玻璃基板層疊體，使用研磨液和研磨刷對(duì)該玻璃基板層疊體進(jìn)行研磨?？梢酝瑫r(shí)進(jìn)行內(nèi)周端面的研磨和外周端面的研磨，也可以分別進(jìn)行。另外，也可以僅實(shí)施內(nèi)周端面的研磨或外周端面的研磨中的一方。在分別進(jìn)行內(nèi)周端面研磨和外周端面研磨的情況下，進(jìn)行的順序沒有特別地限定，先進(jìn)行哪種研磨都可以。例如可以采用，對(duì)層疊了玻璃基板的玻璃基板層疊體進(jìn)行外周端面的研 磨，接著，以玻璃基板層疊體的狀態(tài)進(jìn)行內(nèi)周端面的研磨，之后將層疊拆散，將玻璃基板逐張收納在盒等內(nèi)，并送至下ーエ序。作為磨粒，可以使用氧化鈰粒子、ニ氧化硅粒子、氧化鋁粒子、氧化鋯粒子、鋯石粒子、碳化硅粒子、碳化硼粒子、金剛石粒子、氧化錳粒子等。從研磨速度的方面來看，優(yōu)選使用氧化鈰粒子。磨粒的平均粒子直徑從端面研磨效率(研磨速度)和通過研磨得到的端面的平滑性等觀點(diǎn)來看，優(yōu)選為O. I 5 μ m。在本說明書中，平均粒子直徑為表示粒度分布的累積50%的粒子直徑的d50值。平均粒子直徑是使用激光折射方式或激光散射方式等粒度分布計(jì)進(jìn)行測定而求出的值。(主平面研磨エ序)玻璃基板的主平面的研磨是為了去除圓形加工、倒角加工、主平面的研磨等時(shí)產(chǎn)生的缺陷等并使凹凸平滑化而形成為鏡面而進(jìn)行的。在主平面研磨エ序中，優(yōu)選使用含有磨粒的研磨液和發(fā)泡樹脂制等的研磨墊(硬質(zhì)研磨墊或軟質(zhì)研磨墊)，利用兩面研磨裝置對(duì)上下兩主平面進(jìn)行研磨。作為磨粒，可以使用ニ氧化硅粒子、氧化鋁粒子、氧化鋯粒子、鋯石粒子、氧化鈰粒子、氧化錳粒子等。例如，可以使用平均粒子直徑為O. 3 5 μ m的上述磨粒進(jìn)行研磨(一次研磨)。既可以只進(jìn)行一次研磨，但進(jìn)行一次研磨后，也可以使用平均粒子直徑更小的磨粒進(jìn)行二次研磨。另外，也可以在二次研磨后再使用平均粒子直徑小的磨粒進(jìn)行三次研磨(精研磨)。(精密清洗エ序)在精密清洗エ序中，對(duì)研磨了主平面的玻璃基板進(jìn)行例如使用洗滌劑的擦洗清洗后，依次進(jìn)行浸潰于洗滌劑溶液的狀態(tài)下的超聲波清洗、浸潰于純水的狀態(tài)下的超聲波清洗等。清洗后，實(shí)施干燥。作為干燥方法例如具有基于異丙醇蒸氣的蒸汽干燥、基于熱風(fēng)的熱水熱風(fēng)干燥、旋轉(zhuǎn)干燥等。經(jīng)過這樣的各エ序，得到本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。磁盤(磁記錄介質(zhì))具有在這樣得到的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主平面上設(shè)置了磁性層、保護(hù)層、及潤滑膜等的構(gòu)造。
磁性層既可以是長度方向記錄方式，也可以是垂直記錄方式，但特別是從記錄密度提高的方面來看，優(yōu)選垂直記錄方式。垂直記錄用磁性層是易磁化軸相對(duì)于基板面朝向垂直方向的磁性層，至少包含Co、Pt。為了降低成為高固有介質(zhì)噪音的原因的粒間交換結(jié)合，優(yōu)選形成良好隔離的微粒子構(gòu)造。具體而言，優(yōu)選在CoPt系合金等中添加氧化物(Si02、SiO、Cr2O3> CoO、Ta2O3> TiO2等)、Cr、B、Cu、Ta、Zr 等。在垂直記錄方式的情況下，通常將由起到使來自磁頭的記錄磁場環(huán)流的作用的軟磁性材料構(gòu)成的軟磁性基底層設(shè)置于磁性層的下層。對(duì)于軟磁性基底層可以使用CoNiFe、FeCoB, CoCuFe, NiFe, FeAlSi, FeTaN, FeN, FeTaC, CoFeB, CoZrN 等。另外，優(yōu)選在軟磁性基底層和垂直記錄用磁性層之間形成Ru、Ru合金等非磁性中間層。該非磁性中間層具有容易形成垂直記錄用磁性層的外延成長的功能及切斷軟磁性基底層和垂直記錄用磁性層的磁交換耦合的功能。
這些軟磁性基底層、非磁性中間層、及垂直記錄用磁性層等磁性層可利用直接濺射法、DC磁控管濺射法等連續(xù)形成。為了防止磁性層的腐蝕且防止磁頭與磁記錄介質(zhì)接觸時(shí)的介質(zhì)表面的損傷，在磁性層上設(shè)有保護(hù)層。保護(hù)層可以使用含C、Zr02、Si02等的材料而形成。作為形成方法可以用直接濺射法、等離子CVD法、旋涂法等。為了減少磁頭和磁記錄介質(zhì)的摩擦，優(yōu)選在保護(hù)膜的表面形成潤滑膜。潤滑膜例如由全氟聚醚、氟化醇、含氟羧酸等構(gòu)成，可以由浸泡法、噴射法等形成。實(shí)施例下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行具體說明，本發(fā)明不限定于實(shí)施例。在下面的例I 13中，例I 8是本發(fā)明的實(shí)施例，例9 13是比較例。例I 13按順序進(jìn)行下面所示的各エ序，制造磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。(圓形加工エ序)將玻璃原板以得到外徑為65mm、內(nèi)徑為20mm、板厚為O. 635mm的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的方式加工成在中央部具有圓孔的圓盤形狀，所述玻璃原板是通過浮法成形的以SiO2為主成分的玻璃原板。(倒角加工エ序)對(duì)被加工成在中央部具有圓孔的圓盤形狀的玻璃基板的內(nèi)周側(cè)面和上下兩主平面的交叉部、及外周側(cè)面和上下兩主平面的交叉部以最終得到倒角寬O. 15mm、倒角角度45°的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的方式進(jìn)行倒角加工。(主平面的一次研磨エ序)利用兩面研磨裝置(SpeedFam公司制、產(chǎn)品名DSM — 16B — 5PV — 4MH)，使用含有平均粒子直徑25 μπι的氧化鋁磨粒的研磨液，進(jìn)行玻璃基板的上下兩主平面的一次研磨。一次研磨后，清洗基板而去除磨粒。在例I 4、例7 8及例12 13中，進(jìn)行兩步驟的研磨加工。即，如表I所示，在初期(第一步驟)作為主壓カ采用2或3kPa的低壓，進(jìn)行8分鐘或7分鐘研磨后，在第二步驟作為主壓力在9kPa的壓カ下進(jìn)行15分鐘研磨。在例5 6及例9 11中，如表I所示，作為主壓カ采用8 12kPa的壓カ進(jìn)行16 22分鐘研磨。在加工壓カ高的例9 11中，利用研磨時(shí)的主壓力，以玻璃基板的平坦度被矯正的狀態(tài)進(jìn)行研磨，因此，觀察到研磨加工后放開研磨的壓カ時(shí)，平坦度復(fù)原的所謂“回弾”現(xiàn)象。(端面研磨エ序)使用含有氧化鈰磨粒的研磨液和研磨刷對(duì)玻璃基板的外周端面進(jìn)行研磨，去除外周端面的缺陷，研磨成鏡面。外周端面研磨后，清洗玻璃基板并去除磨粒。接著，使用含有氧化鈰磨粒的研磨液和研磨刷對(duì)玻璃基板的內(nèi)周端面進(jìn)行研磨，去除內(nèi)周端面的缺陷，研磨成鏡面。內(nèi)周端面研磨后，清洗玻璃基板并去除磨粒。(主平面的二次研磨エ序)使用含有平均粒子直徑4μ m的金剛石磨粒的固定磨粒工具和研磨液,利用兩面研磨裝置(SpeedFam公司制、產(chǎn)品名DSM — 16B 一 5PV 一 4MH)，對(duì)玻璃基板的上下兩主平 面進(jìn)行研磨。以IOkPa的主壓カ進(jìn)行10分鐘研磨。(主平面研磨エ序)使用兩面研磨裝置,對(duì)玻璃基板的兩主平面進(jìn)行研磨。研磨為一次研磨、二次研磨及三次研磨(精研磨)這三段研磨。(一次研磨エ序)在一次研磨エ序中，使用含有平均粒子直徑為I. 2 μ m的氧化鈰磨粒的研磨液和硬質(zhì)聚胺酯制的研磨墊，利用16B型兩面研磨裝置(SpeedFam公司制、產(chǎn)品名DSM — 16B —5PV)，對(duì)玻璃基板的主平面進(jìn)行研磨。I批為100張。另外，表I分別表示形成于研磨墊表面的槽的深度及上下平板的研磨面的平行度。上下平板的研磨面通過利用修整夾具切削研磨裝置的安裝于上下平板的研磨墊的表面的修整處理而形成。上下平板的研磨面(安裝于上下平板的研磨墊的研磨面)的平行度在將上下平板的內(nèi)周端側(cè)的上平板的研磨面和下平板的研磨面之間的距離設(shè)為D1、將外周端側(cè)的上平板的研磨面和下平板的研磨面之間的距離設(shè)為D2時(shí)，將(D2 — Dl)的絕對(duì)值設(shè)為上述平行度。上述(D2 — Dl)使用直線度計(jì)(Hitzハィテクノロジー公司制，產(chǎn)品名HSS —1700)進(jìn)行測定。如圖2所示，在上平板30的研磨面30a、下平板40的研磨面40b上沿直線X設(shè)置直線度計(jì)，直線度計(jì)的測定端子以通過研磨面30a、40a的外周端(XI及X4)和內(nèi)周端(X2及X3)的方式進(jìn)行掃描，通過測定上平板30的研磨面30a的研磨面和下平板40的研磨面40a的形狀而得到。圖3表示示意性表示上下平板的研磨面的形狀的例子的剖面圖。圖3 (a)表示上平板30的研磨面30a和下平板40的研磨面40a之間的距離在外周端側(cè)比內(nèi)周端側(cè)大的形狀的例子，該情況下，(D2 一 Dl)的值為正值。圖3 (b)表示上平板30的研磨面30a和下平板40的研磨面40之間的距離在內(nèi)周端側(cè)比外周端側(cè)大的形狀的例子，該情況下，(D2 —Dl)的值為負(fù)值。不管是何種形狀，(D2-D1)的絕對(duì)值越趨近于0，上下平板的研磨面的平行度能夠越高。在一次研磨エ序中，將主研磨壓カ設(shè)定為8. 5kPa，平板轉(zhuǎn)速設(shè)定為30rpm，以總研磨量按照兩主平面的厚度方向的總計(jì)成為40 μ m的方式設(shè)定研磨時(shí)間，實(shí)施研磨。一次研磨后，清洗玻璃基板，去除氧化鈰磨粒。
在例I 6及例9 13中，如表I所示，將研磨墊的槽的深度設(shè)為O. 8 I. Omm,將研磨載體的孔徑和玻璃基板的外徑之間的間隙設(shè)為I. 7_而進(jìn)行研磨。與之相對(duì)，在例7 8中，如表I所示，將研磨墊的槽的深度設(shè)為O. I O. 2_，將研磨載體的孔徑和玻璃基板的外徑之間的間隙設(shè)為O. 2mm而進(jìn)行研磨。(二次研磨エ序)使用含有平均粒子直徑為O. 5 μ m的氧化鈰磨粒的研磨液和軟質(zhì)聚胺酯制的研磨墊，利用與一次研磨相同的兩面研磨裝置對(duì)一次研磨后的玻璃基板的兩主平面進(jìn)行研磨。在二次研磨エ序中，將主研磨壓カ設(shè)定為9. 5MPa，將平板轉(zhuǎn)速設(shè)定為9rpm，以總研磨量按兩主平面的厚度方向的總計(jì)為5 μ m的方式設(shè)定研磨時(shí)間，實(shí)施研磨。二次研磨后清洗玻璃基板，去除氧化鋪磨粒。(三次研磨エ序) 使用一次粒子的平均粒子直徑為20 30nm的以膠態(tài)氧化硅為主成分的研磨液和軟質(zhì)聚胺酯制的研磨墊，利用16B型兩面研磨裝置(SpeedFam公司制、產(chǎn)品名DSM — 16B —5PV)對(duì)二次研磨后的玻璃基板的兩主平面進(jìn)行研磨(精研磨)。在三次研磨エ序中，以總研磨量按上下兩主平面的厚度方向的總計(jì)為Iym的方式設(shè)定研磨時(shí)間，實(shí)施研磨。(精密清洗エ序)對(duì)于三次研磨后的玻璃基板，依次進(jìn)行基于洗滌劑的擦洗、浸潰于洗滌劑溶液的狀態(tài)下的超聲波清洗、浸潰于純水的狀態(tài)下的超聲波清洗，接著，利用異丙醇蒸氣進(jìn)行干燥。表I
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，為圓盤形狀的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，在中央部具有貫通的圓孔，且具有相互對(duì)置的ー對(duì)主平面，其特征在干， 所述主平面上包含將磁記錄介質(zhì)固定于硬盤驅(qū)動(dòng)器時(shí)由連接部件緊固的部位的夾緊區(qū)域的平坦度為I μ m以下，且所述夾緊區(qū)域的板厚偏差為O. 3 μ m以下。
2.如權(quán)利要求I所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中， 所述平坦度為0.7μπι以下。
3.如權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中， 所述平坦度為O. 5μπι以下。
4.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板,其特征在于， 在所述主平面上，所述夾緊區(qū)域的表面波紋度的振幅值為20nm以下。
5.如權(quán)利要求4所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中， 所述表面波紋度的振幅值為IOnm以下。
6.如權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中， 所述板厚偏差為O. 2 μ m以下。
7.如權(quán)利要求I 6中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板,其特征在于， 所述夾緊區(qū)域?yàn)樗鲋髌矫嫔媳扰c所述圓孔同心的圓的圓周更靠中央部側(cè)的圓環(huán)的區(qū)域，該與所述圓孔同心的圓的直徑為所述圓孔的直徑的128%。
8.—種磁記錄介質(zhì)，其中， 使用權(quán)利要求I 7中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種抑制磁盤裝置的磁記錄介質(zhì)的顫振位移并且提高耐沖擊性的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板是圓盤形狀的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，在中央部具有貫通的圓孔，且具有相互對(duì)置的一對(duì)主平面，其特征在于，所述主平面上包含將磁記錄介質(zhì)固定于硬盤驅(qū)動(dòng)器時(shí)由連接部件緊固的部位的夾緊區(qū)域的平坦度為1μm以下，且所述夾緊區(qū)域的板厚偏差為0.3μm以下。
文檔編號(hào)G11B5/66GK102820040SQ20121023887
公開日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2012年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月22日
發(fā)明者大塚晴彥 申請(qǐng)人:旭硝子株式會(huì)社