信息記錄介質(zhì)以及再現(xiàn)裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及能夠記錄信息的信息記錄介質(zhì)以及能夠再現(xiàn)該信息記錄介質(zhì)的再現(xiàn)
目.0
【背景技術】
[0002]近年來,為了保存高畫質(zhì)的影像等大容量的數(shù)據(jù),需要大容量的信息記錄介質(zhì)。作為滿足這種要求的高密度信息記錄介質(zhì)之一,期待超分辨率介質(zhì),其通過包含比光學系統(tǒng)分辨極限短的凹坑(PU)的凹坑群來記錄內(nèi)容信息,并且通過比通常更高的再現(xiàn)功率來進行再現(xiàn)。
[0003]在信息記錄介質(zhì)中,除了數(shù)據(jù)區(qū)域(S卩,記錄有內(nèi)容的區(qū)域),為了確保信息記錄介質(zhì)的兼容性,一般還分配有介質(zhì)信息區(qū)域(即,記錄有用于識別信息記錄介質(zhì)的種類的信息的區(qū)域)。再現(xiàn)裝置通過再現(xiàn)介質(zhì)信息區(qū)域,從而讀取為了再現(xiàn)數(shù)據(jù)區(qū)域所需的信息。接著,再現(xiàn)裝置再現(xiàn)數(shù)據(jù)區(qū)域。
[0004]在超分辨率介質(zhì)中,也與通常介質(zhì)(即,非超分辨率介質(zhì))同樣地,以同樣的記錄密度而分配有介質(zhì)信息區(qū)域和數(shù)據(jù)區(qū)域。因此,提出了各種用于解決記錄密度的大容量化所導致的總簇(cluster)數(shù)的增加的方法。
[0005]專利文獻I中公開了根據(jù)與通常介質(zhì)不同的地址數(shù)據(jù)格式,在超分辨率介質(zhì)的介質(zhì)信息區(qū)域以及數(shù)據(jù)區(qū)域記錄地址信息的方法。圖15(b)是表示專利文獻I中公開的超分辨率介質(zhì)的地址數(shù)據(jù)格式的圖。此外,圖15(a)是表示專利文獻I中公開的通常介質(zhì)的地址數(shù)據(jù)格式的圖。
[0006]在先技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本公開特許公報“特開2010-262713號公報(2010年11月18日公開)”
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]-發(fā)明要解決的課題_
[0010]但是,在通過能夠再現(xiàn)超分辨率介質(zhì)與通常介質(zhì)這兩個信息記錄介質(zhì)的現(xiàn)有的再現(xiàn)裝置(即,具有再現(xiàn)的向下兼容性的再現(xiàn)裝置)來進行信息記錄介質(zhì)的再現(xiàn)的情況下,存在以下的問題。
[0011]也就是說,如專利文獻I的方法那樣,除了在超分辨率介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)域,還在介質(zhì)信息區(qū)域也應用了與通常介質(zhì)不同的地址數(shù)據(jù)格式(即,面向超分辨率介質(zhì)的地址數(shù)據(jù)格式)的情況下,由于在通過再現(xiàn)裝置來開始信息記錄介質(zhì)的介質(zhì)信息區(qū)域的再現(xiàn)的時刻,介質(zhì)的種類不明確,因此需要假定作為再現(xiàn)對象的信息記錄介質(zhì)是不適合用來再現(xiàn)超分辨率介質(zhì)的更高的再現(xiàn)功率的通常介質(zhì)的情況。因此,再現(xiàn)裝置需要通過通常介質(zhì)用的再現(xiàn)設定(即,更低的再現(xiàn)功率以及通常介質(zhì)用糾錯方法等),來開始信息記錄介質(zhì)的再現(xiàn)。
[0012]圖16是表示現(xiàn)有的再現(xiàn)裝置再現(xiàn)信息記錄介質(zhì)的處理流程的一個例子的流程圖。再現(xiàn)裝置在通常介質(zhì)用的再現(xiàn)設定被選擇之后(處理S101),嘗試介質(zhì)信息區(qū)域的再現(xiàn)(處理S102)。然后,在介質(zhì)信息區(qū)域未被適當?shù)卦佻F(xiàn)的情況下(S102中為否),再現(xiàn)裝置判斷為作為再現(xiàn)對象的信息記錄介質(zhì)是超分辨率介質(zhì),選擇超分辨率介質(zhì)用的再現(xiàn)設定(處理S104),并再現(xiàn)數(shù)據(jù)區(qū)域(處理S105)。另外,在上述介質(zhì)信息區(qū)域被適當?shù)卦佻F(xiàn)的情況下(S102中為是),再現(xiàn)裝置判斷為作為再現(xiàn)對象的信息記錄介質(zhì)是通常介質(zhì),在不改變通常介質(zhì)用的再現(xiàn)設定的情況下,再現(xiàn)數(shù)據(jù)區(qū)域(處理S103)。
[0013]但是,根據(jù)圖16的處理,即使在由于污漬等某些理由而處于介質(zhì)信息區(qū)域無法適當?shù)卦佻F(xiàn)的狀態(tài)的通常介質(zhì)被插入到再現(xiàn)裝置的情況下,再現(xiàn)裝置也將該通常介質(zhì)判斷為超分辨率介質(zhì)。
[0014]這是由于:在現(xiàn)有的再現(xiàn)裝置中,以不能再現(xiàn)介質(zhì)信息區(qū)域作為該信息記錄介質(zhì)是超分辨率介質(zhì)的判斷基準。
[0015]因此,假定存下如下情況,即便再現(xiàn)對象的信息記錄介質(zhì)是通常介質(zhì),但被應用超分辨率介質(zhì)用的再現(xiàn)設定,向通常介質(zhì)的介質(zhì)信息區(qū)域照射具有用于再現(xiàn)超分辨率介質(zhì)的更高的再現(xiàn)功率的再現(xiàn)光。
[0016]但是,由于通常介質(zhì)沒有針對用于再現(xiàn)超分辨率介質(zhì)的更高的再現(xiàn)功率的耐久性,因此在該再現(xiàn)光被照射的情況下,通常介質(zhì)可能被損壞。
[0017]因此,存在如下的問題,S卩:由于在信息記錄介質(zhì)附著有污漬等理由,再現(xiàn)裝置的向下兼容性受損,本質(zhì)上沒有問題的通常介質(zhì)可能被錯誤地損壞的問題。
[0018]本發(fā)明為了解決上述課題而提出,其目的在于,提供一種適合于提高基于再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)的可靠性的信息記錄介質(zhì)。
[0019]-解決課題的手段_
[0020]為了解決上述課題,本發(fā)明的一方式所涉及的信息記錄介質(zhì)具備:第I區(qū)域,其按照規(guī)定的調(diào)制方式來形成比再現(xiàn)裝置所具有的光學系統(tǒng)分辨極限的長度長的長度的凹以及/或者凸,從而記錄用于識別信息記錄介質(zhì)的種類的種類識別信息;和第2區(qū)域,其按照規(guī)定的調(diào)制方式來形成包含比上述光學系統(tǒng)分辨極限的長度短的長度的凹以及/或者凸,從而記錄內(nèi)容數(shù)據(jù),上述第I區(qū)域的地址信息通過第I地址數(shù)據(jù)格式而被記錄,上述第2區(qū)域的地址信息通過與上述第I地址數(shù)據(jù)格式不同的第2地址數(shù)據(jù)格式而被記錄。
[0021]-發(fā)明效果-
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一方式所涉及的信息記錄介質(zhì),起到能夠提供適合于提高再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)可靠性的信息記錄介質(zhì)的效果。
【附圖說明】
[0023]圖1(a)是示例本發(fā)明的實施方式I所涉及的光盤的構(gòu)成的俯視圖,(b)是示例光盤的各記錄層的構(gòu)成的剖視圖。
[0024]圖2是將本發(fā)明的實施方式I所涉及的光盤的介質(zhì)信息區(qū)域與數(shù)據(jù)區(qū)域的邊界部放大的圖。
[0025]圖3是示意性地表示發(fā)明的實施方式I所涉及的光盤的剖面的圖。
[0026]圖4(a)是表示被用于本發(fā)明的實施方式I所涉及的光盤的介質(zhì)信息區(qū)域的地址單元編號的結(jié)構(gòu)例的圖,(b)是表示被用于光盤的數(shù)據(jù)區(qū)域的地址單元編號的結(jié)構(gòu)例的圖。
[0027]圖5(a)是表示本發(fā)明的實施方式I所涉及的光盤中的地址單元群的結(jié)構(gòu)例的圖,(b)是表示作為地址單元群之一的地址單元“AU0”的結(jié)構(gòu)例的圖。
[0028]圖6是表示本發(fā)明的實施方式I所涉及的光盤中記錄主數(shù)據(jù)的主數(shù)據(jù)塊(簇)的結(jié)構(gòu)與該主數(shù)據(jù)塊內(nèi)的地址單元(地址字段)的配置例的圖。
[0029]圖7是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的再現(xiàn)裝置的構(gòu)成的功能框圖。
[0030]圖8是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的解碼處理部的詳細構(gòu)成的圖。
[0031]圖9是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的再現(xiàn)裝置中的針對信息記錄介質(zhì)的再現(xiàn)動作的處理流程的一個例子的流程圖。
[0032]圖10是示例本發(fā)明的實施方式3所涉及的光盤的構(gòu)成的俯視圖。
[0033]圖11是將本發(fā)明的實施方式3所涉及的光盤中的介質(zhì)信息區(qū)域、空白區(qū)域與數(shù)據(jù)區(qū)域的邊界部放大的圖。
[0034]圖12是示例本發(fā)明的實施方式4所涉及的光盤的構(gòu)成的俯視圖。
[0035]圖13是將本發(fā)明的實施方式4所涉及的光盤中的介質(zhì)信息區(qū)域與數(shù)據(jù)區(qū)域的邊界部放大的圖。
[0036]圖14是示例本發(fā)明的實施方式5所涉及的光盤的構(gòu)成的俯視圖。
[0037]圖15(a)是表示專利文獻I中公開的通常介質(zhì)的地址數(shù)據(jù)格式的圖,(b)是表示專利文獻I中公開的超分辨率介質(zhì)的地址數(shù)據(jù)格式的圖。
[0038]圖16是表示現(xiàn)有的再現(xiàn)裝置再現(xiàn)信息記錄介質(zhì)的處理流程的一個例子的流程圖。
【具體實施方式】
[0039](實施方式I〕
[0040]以下,使用圖1?圖7來說明本發(fā)明的實施方式。
[0041](光盤100的構(gòu)成)
[0042]參照圖1,來說明光盤100(信息記錄介質(zhì))的構(gòu)成。圖1(a)是示例光盤100的構(gòu)成的俯視圖,圖1(b)是示例光盤100的各記錄層的構(gòu)成的剖視圖。另外,在本實施方式中,針對光盤100是再現(xiàn)專用的BD(Blu-ray(注冊商標)Disc,藍光光盤)的情況來進行說明。
[0043]光盤100是圓盤狀的超分辨率介質(zhì),具備:(i)記錄有與光盤100有關的信息的介質(zhì)信息區(qū)域101(第I區(qū)域)、和(ii)記錄有影像或者軟件等內(nèi)容的數(shù)據(jù)區(qū)域102(第2區(qū)域)。
[0044]在介質(zhì)信息區(qū)域101以及數(shù)據(jù)區(qū)域102中,使用規(guī)定的調(diào)制方式(例如,1-7PP(Parity Preserve/Prohibit,奇偶保留/禁止RMTR(Repeated Minimum Transit1n RunLength,重復的最小游程長度))調(diào)制記錄方式),通過由凹坑群構(gòu)成的標記以及間隔,分別記錄與光盤100有關的信息以及內(nèi)容(內(nèi)容數(shù)據(jù))。
[0045]也就是說,與光盤100有關的信息作為介質(zhì)信息區(qū)域101的形狀,被記錄于介質(zhì)信息區(qū)域1I。此外,內(nèi)容作為數(shù)據(jù)區(qū)域102的形狀,被記錄于數(shù)據(jù)區(qū)域102。
[0046]例如,在BD的情況下,使用1-7PP調(diào)制記錄方式,通過2T至8T的標記以及間隔,與光盤100有關的信息以及內(nèi)容被分別記錄。
[0047]介質(zhì)信息區(qū)域101被設置于光盤100的最內(nèi)周部(所謂的導入?yún)^(qū)域)。在介質(zhì)信息區(qū)域101,通過僅由比后述的光學系統(tǒng)分辨極限(0.119μπ0長的凹坑構(gòu)成的凹坑群,記錄例如介質(zhì)識別信息(種類識別信息)以及記錄數(shù)據(jù)的管理信息等,作為與光盤100有關的信息。介質(zhì)信息區(qū)域101的記錄密度與通常介質(zhì)的記錄密度相同。
[0048]介質(zhì)識別信息是用于識別信息記錄介質(zhì)的種類的信息。介質(zhì)識別信息中包含光盤100的種類(BD、DVD、再現(xiàn)專用型、一次寫入型以及可擦寫型等)、記錄容量等光盤類型識別信息以及用于識別各個光盤100的個體識別信息等。此外,管理信息是表示在信息記錄介質(zhì)中記錄信息的地址以及多個信息的相關關系等的信息。
[0049]數(shù)據(jù)區(qū)域102在光盤100中被設置于比介質(zhì)信息區(qū)域101更靠外周側(cè)。在數(shù)據(jù)區(qū)域102,使用1-7PP調(diào)制記錄方式,通過包含比光學系統(tǒng)分辨極限短的凹坑的凹坑群,記錄內(nèi)容(即,用戶使用的信息)。也就是說,數(shù)據(jù)區(qū)域102的記錄密度比介質(zhì)信息區(qū)域101的記錄密度尚O
[0050]另外,在將光盤100所對應的再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)光波長設為λ、將數(shù)值孔徑設為NA(Numerical Aperture)的情況下,該再現(xiàn)裝置的光學系統(tǒng)分辨極限被表示為λ/(4 XNA)。在光盤100中,人=405(歷),嫩=0.85,光學系統(tǒng)分辨極限被表示為人/(4\嫩)=0.119化111)。
[0051]圖2是將光盤100的介質(zhì)信息區(qū)域101與數(shù)據(jù)區(qū)域102的邊界部放大的圖。在光盤100中,各種信息使用1-7ΡΡ調(diào)制記錄方式被進行記錄,作為介質(zhì)信息區(qū)域1I的最小凹坑長的2Τ凹坑長(S卩,R2T)是0.149μπι,此外,作為數(shù)據(jù)區(qū)域102的最小凹坑長的2Τ凹坑長(SP,D2T)是 0.112μπι。
[0052]另外,所謂凹坑長,是指由凹以及/或者凸構(gòu)成的凹坑的長度,一般是指光盤100的圓周方向的長度。
[0053]此外,在介質(zhì)信息區(qū)域101中凹坑群所形成的軌道的軌道間距以及在數(shù)據(jù)區(qū)域102中凹坑群所形成的軌道的軌道間距彼此相同(例如,0.35μπ0。另外,所謂軌道間距,是指光盤100上的2個相鄰的軌道間的半徑方向的距離。
[0054]圖3是不意性地表不光盤100的剖面的圖。在光盤100中,從被入射了從再現(xiàn)裝置輸出的再現(xiàn)光的一側(cè)起,分別設置有覆蓋層191、功能層192以及基板193。
[0055]覆蓋層191例如由厚度ΙΟΟμπι的紫外線固化樹脂形成。在覆蓋層191由上述的紫外線固化樹脂形成的情況下,覆蓋層191在波長λ = 405ηπι的再現(xiàn)光中,具有1.5左右的折射率。
[0056]另外,覆蓋層191的材料是在再現(xiàn)光的波長λ中透過率高的材料即可。因此,覆蓋層191例如可以由聚碳酸酯(PC)薄膜與透明粘著劑來形成,并不被特別限定。
[0057]基板193例如由直徑120_、厚度1.1mm的聚碳酸酯來形成。在基板193,通過由在入射再現(xiàn)光的一側(cè)的表面所設置的凹以及/或者凸構(gòu)成的凹坑,來記錄信息。
[0058]另外,基板1