智能卡eeprom的測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及智能卡測試領(lǐng)域，特別是涉及一種智能卡EEPR0M(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)的快速測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]智能卡因?yàn)槠浒踩砸?，不能在芯片中留有生產(chǎn)測試掃描鏈，這對樣片測試以及生產(chǎn)測試提出了新的要求。所有的測試需要通過智能卡既有接口接收測試指令，再由處理器解析后執(zhí)行指令進(jìn)行。時(shí)間成本是生產(chǎn)測試的關(guān)鍵，接口通訊的速度、處理器處理的效率、測試方法的優(yōu)化覆蓋率都是需要考慮的部分。而一般智能卡的EEPROM存儲(chǔ)器容量都在64K?192K，甚至更多，在數(shù)據(jù)線、地址線無法涉及到的情況下，以接口通訊APDU(應(yīng)用協(xié)議數(shù)據(jù)單元)指令的形式對EEPROM進(jìn)行所有存儲(chǔ)單元測試是一個(gè)時(shí)間非常長的過程。如果充分利用一次通訊的效率，減少通訊時(shí)間，并輔之以科學(xué)的算法，就可以在有限的時(shí)間內(nèi)完成保證覆蓋率的測試。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種智能卡EEPROM的測試方法，能夠快速、全面的對智能卡EEPROM進(jìn)行測試。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的智能卡EEPROM的測試方法，是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:以不同EEPROM存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)背景，逐一進(jìn)行存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)測試，實(shí)現(xiàn)對包括EEPROM地址線粘連、數(shù)據(jù)線粘連和單元字節(jié)錯(cuò)誤在內(nèi)的EEPROM常見失效的測試，對EEPROM連續(xù)多頁擦寫壓力測試。
[0005]采用本發(fā)明的方法，可以通過智能卡既有接口(接觸或非接觸)進(jìn)行內(nèi)部存儲(chǔ)器EEPROM測試，在保證一定覆蓋率的前提下，既快速又全面的完成測試，節(jié)約生產(chǎn)測試時(shí)間。本發(fā)明兼容各種EEPROM容量，可以用于生產(chǎn)測試或樣品測試。
[0006]采用本發(fā)明的方法，可以便捷的定位分析EEPROM的故障，得到故障地址與數(shù)據(jù)。
【附圖說明】
[0007]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0008]圖1是所述智能卡EEPROM的測試方法流程圖。
[0009]圖2是APDU嵌入式代碼流程圖(一)。
[0010]圖3是APDU嵌入式代碼流程圖(二)。
【具體實(shí)施方式】
[0011]所述智能卡EEPROM的測試方法，是以不同EEPROM存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)背景，逐一進(jìn)行存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)測試(讀寫擦功能測試)，實(shí)現(xiàn)對EEPROM地址線粘連、數(shù)據(jù)線粘連和單元字節(jié)錯(cuò)誤(單元漏電不穩(wěn)定錯(cuò)誤)等EEPROM常見失效的測試，對EEPROM連續(xù)多頁擦寫壓力測試。
[0012]對所述智能卡EEPROM進(jìn)行測試時(shí)，可以將EEPROM所有存儲(chǔ)單元設(shè)置存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為背景0，從首地址開始讀確認(rèn)，再擦寫全I(xiàn)后讀確認(rèn)，并讀確認(rèn)EEPROM其他存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)O沒有被改變，最后將測試地址寫回背景數(shù)據(jù)。依次重復(fù)至EEPROM所有存儲(chǔ)單元。再設(shè)置EEPROM所有存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為背景1，按照上述方法進(jìn)行重復(fù)測試。
[0013]所述智能卡EEPROM的測試可以采用一測試套件進(jìn)行測試，該測試套件包括由智能卡嵌入式軟件實(shí)現(xiàn)的EEPROM快速讀寫、快速測試的程序與一組調(diào)用上述程序的APDU (應(yīng)用協(xié)議數(shù)據(jù)單元)指令組成的測試腳本。
[0014]采用所述測試套件進(jìn)行測試時(shí)，可以將大部分的EEPROM擦寫、背景測試算法由智能卡MCU (微控制器)程序完成，測試完成后僅以簡單的測試正確或錯(cuò)誤的標(biāo)記作為APDU指令的返回，節(jié)約通訊時(shí)間。
[0015]采用所述測試套件進(jìn)行測試時(shí)，采用較少數(shù)量的APDU(應(yīng)用協(xié)議數(shù)據(jù)單元)指令組合用以指定EEPROM的起始和結(jié)束地址。因?yàn)榕坎翆慐EPROM的時(shí)間較長，考慮到APDU反向時(shí)間的限制，對將較大空間的EEPROM進(jìn)行測試時(shí)，可對EEPROM進(jìn)行整體測試，也可將EEPROM分成幾部分，分部分進(jìn)行測試。
[0016]下面是所述智能卡EEPROM的測試方法一實(shí)施例,參見圖1所示，具體步驟如下:
[0017]第一步對EEPROM(即圖中的EE，下同)所有區(qū)域?qū)懭氡尘皵?shù)據(jù)0X00。
[0018]第二步對待驗(yàn)證page (頁)(從page 00依次往上)寫入數(shù)據(jù)OXFF并校驗(yàn)數(shù)據(jù)寫入的正確性。
[0019]第三步對除待驗(yàn)證page外的其他所有page進(jìn)行背景數(shù)據(jù)0X00讀校驗(yàn),如發(fā)現(xiàn)校驗(yàn)不正確，則返回校驗(yàn)失敗地址。
[0020]第四步將待驗(yàn)證page的數(shù)據(jù)寫回背景數(shù)據(jù)0X00。
[0021]第五步對其他每個(gè)page都重復(fù)第二步到第四步的操作直至遍歷整塊EEPR0M。
[0022]第六步改變背景數(shù)據(jù)為0XFF，重復(fù)第二步到第五步的操作。
[0023]圖2、3為本所述智能卡EEPROM的測試方法的APDU嵌入式代碼流程圖，其中，圖2可以通過一條指令對多個(gè)page寫入相同的數(shù)據(jù)或一次性讀校驗(yàn)多個(gè)page,這樣提高擦寫或校驗(yàn)EE的效率。圖3則是用來對包含指定起始地址的page在內(nèi)的指定數(shù)目的page進(jìn)行背景測試，可以一次同時(shí)進(jìn)行指定數(shù)目次數(shù)的背景測試，提高了測試效率。
[0024]目前非揮發(fā)性存儲(chǔ)器EEPROM測試方法是針對EEPROM獨(dú)立IP (知識(shí)產(chǎn)權(quán))模塊的測試，可以通過EEPROM地址總線與數(shù)據(jù)總線按一定的算法進(jìn)行遍歷。整合在智能卡內(nèi)的EEPROM因?yàn)槠涞刂肪€、數(shù)據(jù)線不能直接探測到，原先針對IP的測試算法和測試方法不適用。因?yàn)橹悄芸▽ν獬尸F(xiàn)的是接觸式或非接觸式接口，按存儲(chǔ)器測試的要求，需要大規(guī)模數(shù)據(jù)的擦寫并讀出校驗(yàn)，大量的時(shí)間花費(fèi)在通訊上。出于測試時(shí)間的考慮，一般的測試僅進(jìn)行了 EEPROM —部分區(qū)間的讀寫擦測試。本發(fā)明的對智能卡EEPROM的測試方法，兼顧了測試覆蓋率與測試速度。
[0025]以上所述僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】和實(shí)施例，本發(fā)明保護(hù)范圍并不局限于此。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種智能卡EEPROM的測試方法，其特征在于:以不同EEPROM存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)背景，逐一進(jìn)行存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)測試，實(shí)現(xiàn)對包括EEPROM地址線粘連、數(shù)據(jù)線粘連和單元字節(jié)錯(cuò)誤在內(nèi)的EEPROM常見失效的測試，對EEPROM連續(xù)多頁擦寫壓力測試。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:將EEPROM所有存儲(chǔ)單元設(shè)置存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為背景0，從首地址開始讀確認(rèn)，再擦寫全I(xiàn)后讀確認(rèn)，并讀確認(rèn)EEPROM其他存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)O沒有被改變，最后將測試地址寫回背景數(shù)據(jù)；依次重復(fù)至EEPROM所有存儲(chǔ)單元； 再設(shè)置EEPROM所有存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)為背景1，按照上述方法進(jìn)行重復(fù)測試。3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于:采用一測試套件進(jìn)行測試，該測試套件包括由智能卡嵌入式軟件實(shí)現(xiàn)的EEPROM快速讀寫、快速測試的程序與一組調(diào)用上述程序的APDU指令組成的測試腳本。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，將EEPROM擦寫和背景測試算法由智能卡MCU程序完成，測試完成后僅以測試正確或錯(cuò)誤的標(biāo)記作為APDU指令的返回。5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，采用APDU指令組合指定EEPROM的起始和結(jié)束地址；對EEPROM進(jìn)行測試時(shí)，可對EEPROM進(jìn)行整體測試，也可將EEPROM分成幾部分，分部分進(jìn)行測試。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種智能卡EEPROM的測試方法，是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：以不同EEPROM存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)背景，逐一進(jìn)行存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)測試，實(shí)現(xiàn)對包括EEPROM地址線粘連、數(shù)據(jù)線粘連和單元字節(jié)錯(cuò)誤在內(nèi)的EEPROM常見失效的測試，對EEPROM連續(xù)多頁擦寫壓力測試。本發(fā)明能夠快速、全面的對智能卡EEPROM進(jìn)行測試。
【IPC分類】G11C29/08
【公開號(hào)】CN105575437
【申請?zhí)枴緾N201410529067
【發(fā)明人】戴昭君, 潘曉輝
【申請人】上海華虹集成電路有限責(zé)任公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年10月10日