1.一種基于單量子點產(chǎn)生雙光子輻射的方法，其特征在于，通過抑制量子點雙激子的非輻射俄歇復(fù)合實現(xiàn)單量子點的雙光子輻射；首先是制備能夠抑制量子點雙激子的非輻射俄歇復(fù)合實現(xiàn)單量子點的雙光子輻射的樣品，包括以下步驟：（a）將熒光發(fā)射中心波長為800nm的近紅外CdSeTe/ZnS核殼量子點利用旋涂法制備在蒸鍍有氧化銦錫薄膜的玻片上，其中氧化銦錫薄膜的厚度為70nm，電阻為70~100歐姆，量子點溶解在光譜純度的甲苯溶劑中，濃度為10-8~10-9mol/L，旋涂的轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/分，旋涂時間為90s，使單量子點均勻地分散在氧化銦錫薄膜上，每平方微米0.1個量子點，制備有量子點的玻片樣品放置在80℃的真空環(huán)境下120min；（b）在制備有單量子點的玻片樣品上采用旋涂法制備氧化銦錫納米粒子，氧化銦錫納米粒子的尺寸為18nm，該氧化銦錫中三氧化二銦與氧化錫所占質(zhì)量比分別為90%和10%，將質(zhì)量分數(shù)為10%的氧化銦錫納米粒子的水溶液旋涂到量子點之上，旋涂的轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分，旋涂時間為120s，使氧化銦錫納米粒子有效地覆蓋在單量子點上，之后將覆蓋有氧化銦錫納米粒子的樣品放置在90℃的真空環(huán)境下120min；（c）在氧化銦錫納米粒子上旋涂質(zhì)量分數(shù)為0.5%聚苯乙烯的氯仿溶液，其中聚苯乙烯的平均分子量為280000，旋涂的轉(zhuǎn)速為4000轉(zhuǎn)/分，旋涂時間為120s，產(chǎn)生厚度為100nm的聚苯乙烯薄膜；（d）將步驟（c）制得的覆蓋有聚苯乙烯薄膜的樣品放置在溫度為110℃的真空環(huán)境下5小時之后自然冷卻到室溫環(huán)境下得到能夠抑制量子點雙激子的非輻射俄歇復(fù)合實現(xiàn)單量子點的雙光子輻射的樣品；對該樣品進行激光共聚焦單量子點產(chǎn)生雙光子熒光輻射。