專利名稱：：芳香族胺衍生物以及應(yīng)用該衍生物的有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及芳香族胺衍生物以及應(yīng)用該衍生物的有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件，尤其涉及通過將具有特定取代基的芳香族胺衍生物用于空穴輸送材料，來抑制分子的結(jié)晶化，提高制造有機(jī)EL元件時的成品率，改善有機(jī)EL元件的壽命以及實現(xiàn)該元件的芳香族胺衍生物。
背景技術(shù)：
：有機(jī)EL元件為一種自發(fā)發(fā)光元件，原理是在施加電場時，熒光物質(zhì)通過從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子的復(fù)合能發(fā)光。自從^一7卜7y^夕、、乂夕社的C.W.Tang等人報導(dǎo)了層壓型元件的低電壓驅(qū)動有機(jī)EL元件(C.W.Tang,S.A.Vanslyke，77°，^K7<-、7夕7k夕一X(AppliedPhysicsLetters),第51巻，第913頁，1987年等)以來，有關(guān)把有機(jī)材料作為結(jié)構(gòu)材料的有機(jī)EL元件的研究方興未艾。Tang等人將三(8-羥基喹啉)鋁用于發(fā)光層，將三苯基二胺衍生物用于空穴輸送層。作為層壓結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢，可列舉提高將空穴注入到發(fā)光層的效率，提高通過阻斷并復(fù)合從陰極注入的電子形成激子的生成效率，并可將發(fā)光層中形成的激子封閉起來。作為這種例子的有機(jī)EL元件的元件結(jié)構(gòu)，熟知的是空穴輸送(注入)層、電子輸送發(fā)光層的兩層型結(jié)構(gòu)或者空穴輸送(注入)層、發(fā)光層、電子輸送(注入)層的三層型結(jié)構(gòu)等。在這種層壓型元件中，為了提高注入的空穴和電子的復(fù)合效率，對元件結(jié)構(gòu)及形成方法進(jìn)行了研究。通常，在高溫環(huán)境下驅(qū)動有機(jī)EL元件，或者保管時，產(chǎn)生發(fā)光色改變、發(fā)光效率下降、驅(qū)動電壓上升、發(fā)光壽命時間短等不好的影響。為了防止這種不好的影響，需要提高空穴輸送材料的玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)。因此，需要在空穴輸送材料的分子內(nèi)具有大量的芳香族基(例如，專利文獻(xiàn)1的芳香族二胺衍生物、專利文獻(xiàn)2的芳香族稠環(huán)二胺衍生物)，通常優(yōu)選使用具有812個苯環(huán)的結(jié)構(gòu)。但是，如果在分子內(nèi)具有大量的芳香族基，則使用這些空穴輸送材料形成薄膜來制作有機(jī)EL元件時易于產(chǎn)生結(jié)晶化，堵塞用于蒸鍍的柑堝的出口，或者薄膜因結(jié)晶化產(chǎn)生缺陷，產(chǎn)生導(dǎo)致有機(jī)EL元件的成品率下降等問題。另外，通常認(rèn)為在分子內(nèi)具有大量的芳香族基的化合物雖然一般玻璃轉(zhuǎn)化溫度(Tg)高，但是升華溫度高，產(chǎn)生蒸鍍時分解和蒸鍍不均勻形成等現(xiàn)象，從而具有壽命短的問題。另一方面，具有公開了非對稱的芳香族胺衍生物的公知文獻(xiàn)。例如，在專利文獻(xiàn)3中，雖然記載了具有非對稱結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物，但是沒有具體的實施例，即使關(guān)于非對稱化合物的特征都沒有記載。另外，沒有記載關(guān)于通式(2)中記載的特定單元的特征，也沒有利用通式(2)記載的具有特定單元的化合物的藍(lán)色元件的實施例。此外，在專利文獻(xiàn)4中，雖然作為實施例記載了具有菲的非對稱結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物，但是與對稱化合物同列使用，同時關(guān)于非對稱化合物的特征沒有任何記載。此外，雖然非對稱化合物需要特殊的合成方法，但是在這些專利中并沒有明確的關(guān)于非對稱化合物的制備方法的記載。另外，在專利文獻(xiàn)5中，雖然對具有非對稱結(jié)構(gòu)的芳香族胺衍生物的制備方法有記載，但是關(guān)于非對稱化合物的特征沒有記載。在專利文獻(xiàn)6中，雖然對玻璃轉(zhuǎn)化溫度高的熱穩(wěn)定的非對稱化合物有記載，但是僅列舉了具有咔唑的化合物。另外，本發(fā)明者等使用該化合物制作元件，結(jié)果具有壽命短的問題。如上所述，雖然報道了壽命長的有機(jī)EL元件，但是還不能說是很充分。因此，迫切希望開發(fā)一種具有更優(yōu)異性能的有機(jī)EL元件。專利文獻(xiàn)1:美國專利第4,720,432號說明書專利文獻(xiàn)2:美國專利第5，061，569號說明書專利文獻(xiàn)3:特開平8—48656號公報專利文獻(xiàn)4:特開平11一135261號公報專利文獻(xiàn)5:特開2003—171366號公報專利文獻(xiàn)6:美國專利第6,242,115號說明書
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述課題而提出的，目的是提供分子難以結(jié)晶的、制造有機(jī)EL元件時的成品率提高的、壽命長的有機(jī)EL元件以及實現(xiàn)該元件的芳香族胺衍生物。本發(fā)明人等為了實現(xiàn)上述目的，進(jìn)行了反復(fù)專心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)把下述通式(1)表示的具有特定取代基的新的芳香族胺衍生物用作有機(jī)EL元件用材料，特別是用作空穴輸送材料時，解決了上述課題，至此完成了本發(fā)明。另外，發(fā)現(xiàn)通式(2)表示的被芳基取代的氨基適合作為具有特定取代基的胺單元。該胺單元由于具有空間位阻性而分子間的相互作用小，所以具有抑制結(jié)晶化，提高制備有機(jī)EL元件的成品率，延長得到的有機(jī)EL元件的壽命的效果，尤其是通過使其與藍(lán)色發(fā)光元件組合，可判斷獲得了明顯延長壽命的效果。艮P，本發(fā)明提供了下述通式(1)表示的芳香族胺衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>另外，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其在陰極和陽極間挾持有至少含有發(fā)光層的由一層或多個層組成的有機(jī)薄膜層，其中，該有機(jī)薄膜層的至少一層，將所述芳香族胺衍生物作為單獨(dú)的成分或者混合物的成分而含有。發(fā)明效果本發(fā)明芳香族胺衍生物和應(yīng)用該衍生物的有機(jī)EL元件分子為不容易結(jié)晶，提高了制造有機(jī)EL元件時的成品率，壽命長的元件。具體實施例方式本發(fā)明的芳香族胺衍生物用下述通式(1)表示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(1)通式(1)中，Ri表示氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)550的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)150的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)l50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)250的烷氧基羰基、用取代或未取代的環(huán)原子數(shù)550的芳基取代的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或者羧基。通式(1)中，a是04的整數(shù)，b是l3的整數(shù)。當(dāng)b為2以上時多個R,可以互相結(jié)合形成飽和或不飽和的任選取代的五元環(huán)或者六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。Ar,Ar4中的至少一個是下述通式(2)的基。通式(2)中，R2和R3分別獨(dú)立地選自與上述通式(1)中的R!相同的基。Ar5是環(huán)碳原子數(shù)620的稠合芳香族環(huán)基。c和d分別是04的整數(shù)，e是02的整數(shù)。R2和R3或者多個R3彼此可以互相結(jié)合形成飽和或不飽和的任選取代的五元環(huán)或者六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。通式(1)中，Ar,Ar4之中不是通式(2)的基分別獨(dú)立地是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)650的芳基或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)550的芳香族雜環(huán)基。本發(fā)明通式(O的芳香族胺衍生物，除了取代基以外的碳原子總數(shù)是56以上，優(yōu)選為58以上，更優(yōu)選為6880。作為通式(1)和(2)中的RiR3的芳基，可列舉例如苯基、l一萘基、2_萘基、1—蒽基、2—蒽基、9—蒽基、l一菲基、2—菲基、3—菲基、4一菲基、9—菲基、l一并四苯基、2—并四苯基、9一并四苯基、1—芘基、2—芘基、4一芘基、2—聯(lián)苯基、3—聯(lián)苯基、4—聯(lián)苯基、對聯(lián)三苯一4一基、對聯(lián)三苯—3—基、對聯(lián)三苯一2—基、間聯(lián)三苯一4一基、間聯(lián)三苯一3—基、間聯(lián)三苯一2—基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、鄰叔丁基苯基、對(2—苯基丙基)苯基、3—甲基一2—萘基、4一甲基一1一萘基、4一甲基一1一蒽基、4'一甲基聯(lián)苯基、4"一叔丁基一對三聯(lián)苯一4—基、熒蒽基、芴基、l一吡咯基、2—吡咯基、3—吡咯基、吡嗪基、2一吡啶基、3—吡啶基、4一吡啶基、l一吲哚基、2—吲哚基、3—吲哚基、4一吲哚基、5—吲哚基、6—吲哚基、7—吲哚基、l一異吲哚基、2—異吲哚基、3—異吲哚基、4一異吲哚基、5—異吲哚基、6—異吲哚基、7—異吲哚基、2—呋喃基、3—呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4一苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、l一異苯并呋喃基、3—異苯并呋喃基、4一異苯并呋喃基、5—異苯并呋喃基、6—異苯并呋喃基、7—異苯并呋喃基、喹啉基、3—喹啉基、4一喹啉基、5—喹啉基、6—喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、l一異喹啉基、3—異喹啉基、4一異喹啉基、5—異喹啉基、6—異喹啉基、7—異喹啉基、8—異喹啉基、2—喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、l一咔唑基、2—咔唑基、3—咔唑基、4一咔唑基、9一咔唑基、l一菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4一菲啶基、6—菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9一菲啶基、10—菲啶基、l一吖啶基、2—吖啶基、3—吖啶基、4一吖啶基、9一吖啶基、1，7—菲繞啉一2—基、1，7—菲繞啉一3—基、1，7—菲繞啉一4一基、1，7_菲繞啉一5—基、1，7—菲繞啉一6—基、1，7—菲繞啉一8—基、1，7—菲繞啉—9一基、1，7—菲繞啉一10—基、1，8—菲繞啉一2—基、1，8—菲繞啉一3—基、1，8—菲繞啉一4一基、1，8—菲繞啉一5—基、1，8一菲繞啉一6—基、1，8—菲繞啉一7—基、1，8—菲繞啉一9一基、1，8一菲繞啉一10—基、1，9—菲繞啉一2—基、1，9一菲繞啉一3—基、1，9—菲繞啉一4一基、1，9一菲繞啉一5—基、1，9—菲繞啉—6—基、1，9一菲繞啉一7—基、1，9—菲繞啉一8—基、1，9一菲繞啉一10—基、1，IO—菲繞啉一2—基、1，IO—菲繞啉一3—基、1，10—菲繞啉一4一基、1，10—菲繞啉一5—基、2，9—菲繞啉一l一基、2，9一菲繞啉一3—基、2，9一菲繞啉—4一基、2，9—菲繞啉一5—基、2，9一菲繞啉一6—基、2，9一菲繞啉一7—基、2，9—菲繞啉一8—基、2，9一菲繞啉一IO—基、2，8一菲繞啉一1一基、2，8—菲繞啉一3—基、2，8—菲繞啉一4一基、2，8一菲繞啉一5—基、2，8—菲繞啉一6—基、2，8—菲繞啉一7—基、2，8—菲繞啉—9—基、2，8—菲繞啉一10—基、2，7—菲繞啉一l一基、2，7_菲繞啉一3—基、2，7—菲繞啉一4—基、2，7—菲繞啉一5—基、2，7—菲繞啉—6—基、2，7—菲繞啉一8—基、2，7—菲繞啉一9一基、2,7—菲繞啉一10—基、l一吩嗪基、2—吩嗪基、l一吩噻嗪基、2—吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4一吩噻嗪基、IO—吩噻嗪基、l一吩嗨嗪基、2—吩嚼、嗪基、3—吩隨嗪基、4一吩卩惡嗪基、IO—吩嗯嗪基、2—嚼、唑基、4一嗨唑基、5—曙、唑基、2—嗯二唑基、5—嗨二唑基、3—呋咱基、2—噻嗯基、3—噻嗯基、2—甲基吡咯一l一基、2—甲基吡咯一3—基、2—甲基吡咯一4一基、2—甲基吡咯一5—基、3—甲基吡咯一l—基、3—甲基吡咯一2—基、3—甲基吡咯一4—基、3—甲基吡咯一5—基、2—叔丁基吡咯一4一基、3—(2—苯基丙基)吡咯一l一基、2—甲基一l一吲哚基、4一甲基一1—吲哚基、2—甲基一3—吲哚基、4一甲基一3—吲哚基、2—叔丁基一l一吲哚基、4一叔丁基一l一吲哚基、2—叔丁基一3—吲哚基、4一叔丁基一3—吲哚基等。其中，優(yōu)選苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲繞啉基、芘基、窟基、熒蒽基、荷基o作為通式(1)和(2)中&&的烷基，可列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、l一羥乙基、2—羥乙基、2—羥基異丁基、1，2一二羥基乙基、1，3—二羥基異丙基、2，3—二羥基叔丁基、1，2，3—三羥基丙基、氯甲基、l一氯乙基、2—氯乙基、2—氯異丁基、1，2—二氯乙基、1，3—二氯異丙基、2，3—二氯叔丁基、1，2，3—三氯丙基、溴甲基、l一溴乙基、2—溴乙基、2—溴異丁基、1，2—二溴乙基、1，3一二溴異丙基、2，3—二溴叔丁基、1，2，3—三溴丙基、碘甲基、l一碘乙基、2—碘乙基、2—碘異丁基、1，2—二碘乙基、1，3—二碘異丙基、2，3—二碘叔丁基、1，2，3—三碘丙基、氨基甲基、l一氨基乙基、2—氨基乙基、2—氨基異丁基、1，2—二氨基乙基、1，3—二氨基異丙基、2，3—二氨基叔丁基、1，2，3—三氨基丙基、氰基甲基、l一氰基乙基、2—氰基乙基、2—氰基異丁基、1，2—二氰基乙基、1，3—二氰基異丙基、2，3—二氰基叔丁基、1，2，3—三氰基丙基、硝基甲基、l一硝基乙基、2—硝基乙基、2—硝基異丁基、1，2—二硝基乙基、1，3—二硝基異丙基、2，3—二硝基叔丁基、1，2，3—三硝基丙基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4—甲基環(huán)己基、l一金剛烷基、2—金剛烷基、l一降冰片基、2—降冰片基等。作為通式(1)和(2)中RiR3的垸氧基是用一OY表示的基團(tuán)，作為Y的例子，可以舉出與上述垸基中說明的基團(tuán)相同的例子。作為通式(1)和(2)中R,R3的芳烷基，可列舉芐基、1—苯基乙基、2—苯基乙基、l一苯基異丙基、2—苯基異丙基、苯基叔丁基、a—萘基甲基、l一a—萘基乙基、2—a—萘基乙基、i一a一萘基異丙基、2一a—萘基異丙基、P—萘基甲基、l一3—萘基乙基、2—3—萘基乙基、l一e—萘基異丙基、2—e—萘基異丙基、l一吡咯基甲基、2—(l一吡咯基)乙基、對甲基節(jié)基、間甲基節(jié)基、鄰甲基節(jié)基、對氯節(jié)基、間氯芐基、鄰氯芐基、對溴芐基、間溴芐基、鄰溴芐基、對碘芐基、間碘芐基、鄰碘芐基、對羥基芐基、間羥基芐基、鄰羥基芐基、對氨基芐基、間氨基芐基、鄰氨基芐基、對硝基芐基、間硝基芐基、鄰硝基芐基、對氰基芐基、間氰基芐基、鄰氰基芐基、l一羥基一2—苯基異丙基、1—氯一2—苯基異丙基等。作為通式(1)和(2)中F4R3的芳氧基是用一OY'表示的基團(tuán)，作為Y，的例子，可以舉出與上述芳基中說明的基團(tuán)相同的例子。作為通式(1)和(2)中R,R3的芳硫基是用一SY'表示的基團(tuán)，作為Y，的例子，可以舉出與上述芳基中說明的基團(tuán)相同的例子。作為通式(1)和(2)中RiR3的烷氧基羰基是用一COOY表示的基團(tuán)，作為Y的例子，可以舉出與上述垸基中說明的基團(tuán)相同的例子。作為通式(1)和(2)中I^R3的芳基取代的氨基中的芳基的例子，可以舉出與上述芳基中列舉的基團(tuán)相同的例子。作為通式(1)禾Q(2)中&&的鹵原子，可以舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。通式(1)中，a是04的整數(shù)，b是l3的整數(shù)。當(dāng)b為2以上時多個Ri可以互相結(jié)合形成飽和或不飽和的任選取代的五元環(huán)或者六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。另外，通式(2)中，&和R3或者多個R3彼此可以互相結(jié)合形成飽和或不飽和的任選取代的五元環(huán)或者六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。作為可以這樣形成的五元環(huán)或六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，可列舉例如環(huán)戊烷、環(huán)己垸、金剛烷、降冰片烷等碳原子數(shù)412的環(huán)烷烴、環(huán)戊烯、環(huán)己烯等碳原子數(shù)412的環(huán)烯烴、環(huán)戊二烯、環(huán)己二烯等碳原子數(shù)612的環(huán)烷二烯、苯、萘、菲、蒽、吡喃、窟、苊烯等碳原子數(shù)650的芳香族環(huán)等。本發(fā)明的芳香族胺衍生物優(yōu)選為上述通式(1)中Ar,和Ar2為上述通式(2)。本發(fā)明的芳香族胺衍生物優(yōu)選為上述通式(1)中An和Ar3為上述通式(2)。本發(fā)明的芳香族胺衍生物優(yōu)選為上述通式(2)中e為O。作為上述通式(2)中的Ar5的稠合芳香族環(huán)的例子，可列舉l一萘基、2—萘基、菲基、以及芘基，優(yōu)選為l一萘基或者2—萘基。本發(fā)明的芳香族胺衍生物優(yōu)選為上述通式(1)中A&是下述通式通式(3)中，R5選自與上述通式(1)中的R!相同的基。f是04的整數(shù)，g是l3的整數(shù)。當(dāng)g為2以上時多個Rs可以互相結(jié)合形成飽和或不飽和的任選取代的五元環(huán)或者六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。Ar6和Ar7是通式(2)、或者分別獨(dú)立地是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)650的芳基或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)550的芳香族雜環(huán)基。R5的各取代基的例子與上述通式(1)和(2)中R,R3中列舉的基團(tuán)相同。Rs的五元環(huán)或者六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)的例子與通式(1)和(2)中列舉的基團(tuán)相同。另外，作為對AriAr7的取代基，可列舉取代或未取代的環(huán)原子數(shù)550的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)150的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)150的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)650的芳垸基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)550的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)250的烷氧基羰基、被取代或未取代的環(huán)原子數(shù)550的芳基取代的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或者羧基。另外，作為對該AnAf7取代的烷基、烷氧基、芳垸基、芳氧基、芳硫基、垸氧基羰基、以及被芳基取代的氨基的具體例，可列舉與R,R3中說明的基團(tuán)相同的例子。本發(fā)明的芳香族胺衍生物優(yōu)選上述通式(1)中Ar2和Ar4分別獨(dú)立地是上述通式(3)。本發(fā)明的芳香族胺衍生物優(yōu)選為有機(jī)電致發(fā)光元件用材料。本發(fā)明的芳香族胺衍生物優(yōu)選為有機(jī)電致發(fā)光元件用空穴輸送材料。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件優(yōu)選為在陰極和陽極間挾持著至少含有發(fā)光層的由一層或多層組成的有機(jī)薄膜層，該有機(jī)薄膜層的至少一層，將本發(fā)明的上述芳香族胺衍生物作為單獨(dú)的成分或者混合物的成分而含有。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件優(yōu)選為在空穴輸送層中含有本發(fā)明的上述芳香族胺。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件優(yōu)選進(jìn)行藍(lán)色系發(fā)光。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件優(yōu)選為在發(fā)光層中含有苯乙烯胺和/或芳胺。本發(fā)明通式(1)表示的芳香族胺衍生物的具體例如下所示，但是并不限于這些列舉化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>下面，對本發(fā)明的有機(jī)EL元件進(jìn)行說明。本發(fā)明的有機(jī)EL元件在陰極和陽極間挾持著至少具有發(fā)光層的由一層或多層組成的有機(jī)薄膜層，該有機(jī)薄膜層的至少一層將上述芳香族胺衍生物作為單獨(dú)的成分或者混合物的成分而含有。本發(fā)明的有機(jī)EL元件優(yōu)選上述有機(jī)薄膜層具有空穴輸送層，該空穴輸送層將本發(fā)明的芳香族胺衍生物作為單獨(dú)的成分或者混合物的成分而含有。另外，優(yōu)選上述空穴輸送層含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物作為主成分。本發(fā)明的芳香族胺衍生物特別優(yōu)選作為進(jìn)行藍(lán)色系發(fā)光的有機(jī)EL元件。另外，本發(fā)明的有機(jī)EL元件的發(fā)光層優(yōu)選含有芳胺化合物和/或苯乙烯基胺化合物。作為芳胺化合物，可列舉下述通式(I)表示的化合物等，作為苯乙烯基胺化合物，可列舉下述通式(II)表示的化合物等。其中，作為碳原子數(shù)620的芳香族基，可列舉苯基、萘基、蒽基、菲基、三聯(lián)苯基等。其中，作為環(huán)碳原子數(shù)540的芳基，優(yōu)選苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、蔻基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、螺二唑基、二苯基苯蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、熒蒽基、苊并熒蒽基、芪基等。另外，環(huán)碳原子數(shù)540的芳基可以進(jìn)一步被取代基取代，作為優(yōu)選的取代基，可列舉碳原子數(shù)16的烷基(乙基、甲基、異丙基、正丙基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基等)、碳原子數(shù)16的烷氧基(乙氧基、甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧基等)、環(huán)碳原子數(shù)540的芳基、環(huán)碳原子數(shù)540的芳基取代的氨基、包含環(huán)碳原子數(shù)540的芳基的酯基、包含碳原子數(shù)16的垸基的酯基、氰基、硝基、鹵原子(氯、溴、碘等)等。下面，對本發(fā)明有機(jī)EL元件的元件結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。(1)有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)作為本發(fā)明有機(jī)EL元件的通常的元件結(jié)構(gòu)，可列舉如下的結(jié)構(gòu)。(1)陽極/發(fā)光層/陰極；(2)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極；(3)陽極/發(fā)光層/電子注入層/陰極；(4)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極；(5)陽極/有機(jī)半導(dǎo)體層/發(fā)光層/陰極；(6)陽極/有機(jī)半導(dǎo)體層/電子阻擋層/發(fā)光層/陰極；(7)陽極/有機(jī)半導(dǎo)體層/發(fā)光層/粘附增強(qiáng)層/陰極；(8)陽極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極；(9)陽極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極；(10)陽極/無機(jī)半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極；(11)陽極/有機(jī)半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極；(12)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/絕緣層/陰極；(13)陽極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極。其中，通常優(yōu)選使用(8)的結(jié)構(gòu)，但是，并不限于這些結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的芳香族胺衍生物不管用于上述有機(jī)EL元件的哪個有機(jī)層中都可以，通過可用于發(fā)光帶區(qū)或空穴輸送區(qū)中，優(yōu)選用于空穴輸送帶區(qū)域中，特別優(yōu)選用于空穴輸送層中，從而分子不容易結(jié)晶，提高制造有機(jī)EL元件時的成品率。作為本發(fā)明的芳香族胺衍生物在有機(jī)薄膜層中的含量優(yōu)選為30-100mol%。(2)透光性基板本發(fā)明的有機(jī)EL元件在透光性基板上制作。其中所述的透光性基板是支撐有機(jī)EL元件的基板，優(yōu)選在400-700nm的可見光區(qū)內(nèi)的光透過率為50%以上的平滑的基板。具體地，可列舉玻璃板、聚合物板。作為玻璃板，特別列舉鈉鈣玻璃、含鋇和鍶的玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、硼硅酸鋇玻璃、石英等。另外，作為聚合物玻璃板，可列舉聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚硫化物、聚砜等。(3)陽極本發(fā)明的有機(jī)EL元件的陽極具有將空穴注入空穴輸送層或注入發(fā)光層的功能，有效的是具有4.5eV以上功函數(shù)的。作為用于本發(fā)明的陽極材料的具體例子，可列舉氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、銦一鋅氧化物(IZO)、金、銀、鉑、銅等。陽極可以通過將這些電極物質(zhì)采用蒸鍍法或濺射法等方法形成薄膜來制備。這樣一來，當(dāng)從陽極取出自發(fā)光層發(fā)出的光時，優(yōu)選陽極的光透過率大于10%。另夕卜，優(yōu)選陽極的片材電阻率為數(shù)百Q(mào)/口以下。陽極的膜厚根據(jù)材料，通常選擇為10nmlpm，優(yōu)選10200nm。(4)發(fā)光層有機(jī)EL元件的發(fā)光層同時具有以下(1)(3)的作用(1)注入作用當(dāng)施加電場時，可以從陽極或空穴注入層注入空穴，從陰極或電子注入層注入電子的作用；(2)傳輸作用在電場力的作用下，傳輸已注入的電荷(電子和空穴)的作用；和(3)發(fā)光作用提供電子和空穴復(fù)合的場，并通過復(fù)合發(fā)光的作用。但是，可以在注入空穴的容易程度和注入電子的容易程度方面存在區(qū)別，另外，也可以在用空穴和電子的遷移率表示的輸送能力方面存在大小之分，但是無論哪一方都優(yōu)選傳輸電荷。作為形成發(fā)光層的方法，可適宜使用例如蒸鍍法、旋涂法、LB法等公知的方法。發(fā)光層特別優(yōu)選為分子沉積薄膜。其中所述分子沉積薄膜是由氣相狀態(tài)的材料化合物沉積形成的薄膜，或者由溶液狀態(tài)或液相狀態(tài)的材料化合物進(jìn)行固體化形成的薄膜，通常該分子沉積薄膜與由LB法形成的薄膜(分子累積膜)可以根據(jù)凝集結(jié)構(gòu)和高次結(jié)構(gòu)的差異或由結(jié)構(gòu)引起的功能差異進(jìn)行區(qū)分。另外，還可以如特開昭57—51781號公報所公開的那樣，通過將樹脂等粘合劑和材料化合物溶解于溶劑中形成溶液，隨后將其用旋涂法等進(jìn)行薄膜化，形成發(fā)光層。本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)，可以根據(jù)需要在發(fā)光層中含有除了由本發(fā)明的芳香族胺衍生物組成的發(fā)光材料以外的其它公知的發(fā)光材料，另外，也可以在含有由本發(fā)明的的芳香族胺衍生物組成的發(fā)光材料的發(fā)光層中層疊含有其它公知的發(fā)光材料的發(fā)光層。作為可與本發(fā)明的芳香族胺衍生物一起用于發(fā)光層的發(fā)光材料或摻雜材料，可列舉例如蒽、萘、菲、芘、并四苯、蔻、蔵、熒光素、二萘嵌苯、酞二萘嵌苯、萘并二萘嵌苯、茈酮(perynone)、酞并周因酮(phthaloperynone)、萘二甲芘酮(naphthaJoperynone)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、瞎、二唑、醛連氮、二苯并嗯唑啉、聯(lián)苯乙烯、吡嗪、環(huán)戊二烯、喹啉金屬絡(luò)合物、氨基喹啉金屬絡(luò)合物、苯并喹啉金屬絡(luò)合物、亞胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、噻喃、聚甲炔、份腈、咪唑螯合化喔星化合物、喹吖酮、紅熒烯和熒光色素等，但是并不限于此。作為可與本發(fā)明的芳香族胺衍生物一起用于發(fā)光層的宿主(host)材料，優(yōu)選下述(i)(ix)表示的化合物。下述通式(i)表示的非對稱蒽。(i)(式中，Ar為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1050的稠合芳香族基。Ar，為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳基。X是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳香族環(huán)基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的烷基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為650的芳垸基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或者未取代的環(huán)碳原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧基羰基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。a、b和c分別為04的整數(shù)。n為l3的整數(shù)。另外，當(dāng)n是2以上時，[]內(nèi)可以相同或不同。)下述通式(ii)表示的非對稱單蒽衍生物。(式中，A—和A—彼此獨(dú)立，為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳香族環(huán)基，m和n分別是l4的整數(shù)。其中，當(dāng)n^n-l且A—和Ar2在苯環(huán)的結(jié)合位置是左右對稱型時，Ai^和A一不相同，當(dāng)m或者n是24的整數(shù)時，m和n是不同的整數(shù)。WR"彼此獨(dú)立，是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳香族環(huán)基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的院基、取代或者未取代的環(huán)烷基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為650的芳垸基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧基羰基、取代或者未取代的甲硅烷基、羧基、鹵原子、氰基、硝基、羥基。)下述通式(iii)表示的非對稱芘衍生物。(iii)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>[式中，Ar和Ar，分別獨(dú)立地表示取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)650的芳基。L和L，分別獨(dú)立地表示取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的亞萘基、取代或未取代的亞芴基或者取代或未取代的亞二苯并硅氧基(-《y、/、乂口U1/力0m是02的整數(shù)，n是l4的整數(shù)，s是02的整數(shù)，t是04的整數(shù)。另外，L和Ar結(jié)合在芘的任意的15位，L'或者Ar'結(jié)合在芘的任意的610位。但是，n+t為偶數(shù)時，Ar，Ar，，L，L，滿足下述(1)或(2)。(1)Ar^Ar'和/或L^L'(其中,表示是不同的結(jié)構(gòu)基。)(2)Ar二Ar，且L二L，時(2—1)m^s和/或n^t，或者(2—2)m二s且n二t時，(2—2—1)L和L'、或者芘分別結(jié)合在Ar和Ar'上的不同的結(jié)合位置上，或者(2—2—2)L和L，、或者芘在Ar和Ar，上的相同的結(jié)合位置上結(jié)合時，L和L'、或者Ar和Ar'在芘上的取代位置不是1位和6位、或者2位和7位的情況。]下述通式(iv)表示的非對稱蒽衍生物。[式中，八1和AM皮此獨(dú)立，為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1020的稠合芳香族環(huán)基。A—和A^彼此獨(dú)立，為氫原子、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳香族環(huán)基。WR"彼此獨(dú)立，是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為650的芳香族環(huán)基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳香族雜環(huán)基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的垸基、取代或者未取代的環(huán)烷基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為150的垸氧基、取代或者未取代的碳原子數(shù)為650的芳烷基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳氧基、取代或者未取代的環(huán)原子數(shù)為550的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)為150的烷氧基羰基、取代或者未取代的甲硅烷基、羧基、鹵原子、氰基、Ar1、Ar2、R9和R1Q分別可以是多個，相鄰的基團(tuán)彼此可以形成飽和或者不飽和的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。但是，通式(1)中，排除在中心的蒽的9位和IO位上結(jié)合相對于在該蒽上所示出的X-Y軸為對稱型的基團(tuán)的情況。]下述通式(v)表示的蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>(V)(式中，RiR10彼此獨(dú)立地表示氫原子，垸基，環(huán)烷基，可以取代的芳基，烷氧基，芳氧基，垸基氨基，烯基，芳基氨基或者可以取代的雜環(huán)基，a和b分別表示15的整數(shù)，當(dāng)它們是2以上時，W彼此或者R2彼此分別可以相同或不同，以及Ri彼此或者ie彼此可以結(jié)合形成環(huán)，R3和R4、RS和R6、W和R8、119和111()彼此可以結(jié)合形成環(huán)，U是單鍵、一O—、一S—、一N(R)—(R是烷基或者可以取代的芳基)亞垸基或者亞芳基。)下述通式(vi)表示的蒽衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>(vi)(式中，R"R"彼此獨(dú)立地表示氫原子，烷基，環(huán)烷基，芳基，垸氧基，芳氧基，烷基氨基，芳基氨基或者可以取代的雜環(huán)基，c，d，e和f分別表示15的整數(shù)，當(dāng)它們是2以上時，R"彼此、RU彼此、R"彼此或者R^彼此分別可以相同或不同，以及R"彼此、1112彼此、R"彼此或者R17彼此可以結(jié)合形成環(huán)，R13和R14、R18和R19彼此可以結(jié)合形成環(huán)。L2是單鍵、—O—、一S—、一N(R)—(R是垸基或者可以取代的芳基)亞垸基或者亞芳基。)下述通式(vii)表示的螺芴衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>(式中，ASAS分別獨(dú)立地是取代或未取代的聯(lián)苯基或者取代或未取代的萘基。)下述通式(viii)表示的含有稠環(huán)的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>(式中，A^A"與上述相同，R"R"彼此獨(dú)立地表示氫原子、碳原子數(shù)16的烷基、碳原子數(shù)36的環(huán)垸基、碳原子數(shù)16的烷氧基、碳原子數(shù)518的芳氧基、碳原子數(shù)718的芳垸氧基、碳原子數(shù)516的芳基氨基、硝基、氰基、碳原子數(shù)16的酯基或者鹵原子，八9八14之中至少一個是具有三個環(huán)以上的稠合芳香環(huán)的基團(tuán)。)下述通式(ix)表示的藥化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>(式中，R,和R2表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳垸基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)基、取代氨基、氰基或者鹵原子。與不同的芴基結(jié)合的A彼此、R2彼此可以相同或不同，與相同芴基結(jié)合的R,和R2可以相同或不同。R3和R4表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳焼基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜環(huán)基，與不同的芴基結(jié)合的R3彼此、R4彼此可以相同或不同，與相同芴基結(jié)合的R3和R4可以相同或不同。An和Ar2表示苯環(huán)總計為3個以上的取代或未取代的稠合多環(huán)芳香族基或者苯環(huán)和雜環(huán)總計為3個以上的取代或未取代的碳與笏基結(jié)合形成的稠合多環(huán)雜環(huán)基，An和Af2可以相同或不同。n表示l10的整數(shù)。)以上的宿主材料中，優(yōu)選蒽衍生物，更優(yōu)選單蒽衍生物，特別優(yōu)選非對稱蒽。另外，作為摻雜劑的發(fā)光材料，也可以使用磷光發(fā)光性的化合物。作為磷光發(fā)光性的化合物，優(yōu)選為在宿主材料中含有咔唑環(huán)的化合物。作為摻雜劑是可以由三重態(tài)激子發(fā)光的化合物，只要由三重態(tài)激子發(fā)光就沒有特別限制，優(yōu)選為含有選自Ir、Ru、Pd、Os和Re的至少一種金屬的金屬絡(luò)合物，優(yōu)選卟啉金屬絡(luò)合物或者鄰金屬化金屬絡(luò)合物。由含有咔唑環(huán)的化合物組成的適于磷光發(fā)光的宿主是具有使能量由其激發(fā)狀態(tài)向磷光發(fā)光性化合物產(chǎn)生移動，結(jié)果使磷光發(fā)光性化合物發(fā)光的作用的化合物。作為宿主化合物只要是可以使激子能量移動到磷光發(fā)光性化合物上的化合物就沒有特別限制，可以根據(jù)需要適當(dāng)選擇?？梢跃哂谐诉沁颦h(huán)以外的任意的雜環(huán)等。作為這樣的宿主化合物的具體例，可列舉咔唑衍生物、三唑衍生物、嗯唑衍生物、嗯二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基鏈垸烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代查爾酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氨垸衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二亞甲基系化合物、卟啉系化合物、蒽醌基二甲垸衍生物、蒽酮衍生物、二苯基醌衍生物、硫代吡喃二氧化物衍生物、碳化二亞胺衍生物、亞芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘茈等雜環(huán)四羧酸酐、酞菁衍生物、8—羥基喹啉衍生物的金屬絡(luò)合物或金屬酞菁、苯并嗯唑或苯并噻唑作為配位基的金屬絡(luò)合物為代表的各種金屬絡(luò)合物聚硅垸(polysilane)系化合物、聚(N—乙烯基咔唑)衍生物、苯胺系共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等導(dǎo)電性高分子低聚物、聚噻吩衍生物、聚苯撐衍生物、聚苯撐乙烯撐衍生物、聚芴衍生物等高分子化合物等。宿主化合物可以單獨(dú)使用，也可以二種以上并用。作為具體例，可列舉如下的化合物。磷光發(fā)光性的摻雜劑是可以由三重態(tài)激子發(fā)光的化合物。只要由三重態(tài)激子發(fā)光就沒有特別限制，優(yōu)選為含有選自Ir、Ru、Pd、Pt、Os和Re的至少一種金屬的金屬絡(luò)合物，優(yōu)選卟啉金屬絡(luò)合物或者鄰金屬化金屬絡(luò)合物。作為卟啉金屬絡(luò)合物，優(yōu)選卟啉鉑絡(luò)合物。磷光發(fā)光性化合物可以單獨(dú)使用，也可以二種以上并用。作為形成鄰金屬化金屬絡(luò)合物的配位基有各種配位基，作為優(yōu)選的配位基，可列舉2—苯基吡啶衍生物、7,8—苯并喹啉衍生物、2—(2—噻嗯基)吡啶衍生物、2_(l—萘基)吡啶衍生物、2—苯基喹啉衍生物等。這些衍生物可以根據(jù)需要具有取代基。特別優(yōu)選將氟化物、三氟甲基引入的化合物作為藍(lán)色系摻雜劑。此外，作為輔助配位基也可以具有乙酰丙酮配位基、苦味酸等上述配位基以外的配位基。作為磷光發(fā)光性的摻雜劑在發(fā)光層中的含量，沒有特別限制，可以根據(jù)需要適當(dāng)選擇，例如為0.170質(zhì)量％，優(yōu)選為130質(zhì)量0/^。磷光發(fā)光性化合物的含量低于0.1質(zhì)量Q/^時，發(fā)光微弱且其含有效果不能充分地發(fā)揮出來，而超過70質(zhì)量％時，被稱為濃度消光的現(xiàn)象明顯且元件性能下降。另外，發(fā)光層也可以根據(jù)需要含有空穴輸送材料、電子輸送材料、聚合物粘合劑。此外，發(fā)光層的膜厚優(yōu)選為550nm，更優(yōu)選為750nm，最優(yōu)選為1050nm。低于50nm時，有可能發(fā)光層難以形成，色度的調(diào)整變得困難，而超過50nm時，有可能驅(qū)動電壓上升。(5)空穴注入/輸送層(空穴輸送帶區(qū)域)空穴注入輸送層是幫助空穴注入發(fā)光層且輸送至發(fā)光區(qū)的層，空穴遷移率高，并且電離能通常小于5.5eV。作為這樣的空穴注入輸送層，優(yōu)選在更低的電場強(qiáng)度下將空穴輸送至發(fā)光層的材料，進(jìn)一步優(yōu)選例如在施加1(^1(^V/cm的電場時，其空穴的遷移率至少為10—VmS/V's的材料。當(dāng)將本發(fā)明的芳香族胺衍生物用于空穴輸送區(qū)時，本發(fā)明的芳香族胺衍生物可以單獨(dú)形成空穴注入輸送層，也可以與其它的材料混合使用。作為與本發(fā)明的芳香族胺衍生物混合形成空穴注入輸送層的材料，只要是具有上述優(yōu)選的性質(zhì)的材料，就沒有特別限制，可以從現(xiàn)有光傳導(dǎo)材料中作為空穴的電荷輸送材料常用的材料和有機(jī)EL元件的空穴注入輸送層中使用的公知的材料中選擇任意的材料來使用。作為具體例子，可列舉三唑衍生物(參閱美國專利3，112，197號說明書等)、嗯二唑衍生物(參閱美國專利3,189,447號說明書等)、咪唑衍生物(參閱特公昭37-16096號公報等)、多芳基鏈垸烴衍生物(參閱美國專利3,615,402號說明書、同第3,820,989號說明書、同第3,542,544號說明書、特公昭45-555號公報、同51-10983號公報、特開昭51-93224號公報、同55-17105號公報、同56-4148號公報、同55-108667號公報、同55-156953號公報、同56-36656號公報等)、吡唑啉衍生物及吡唑啉一5—酮衍生物(參閱美國專利第3,180,729號說明書、同第4,278,746號說明書、特開昭55-88064號公報、同55-88065號公報、同49-105537號公報、同55-51086號公報、同56-80051號公報、同56-88141號公報、同57-45545號公報、同54-112637號公報、同55-74546號公報等)、苯二胺衍生物(參閱美國專利第3,615,404號說明書、特公昭51-10105號公報、同46-3712號公報、同47-25336號公報、特幵昭54-53435號公報、同54-110536號公報、同54-119925號公報等)、芳胺衍生物(參閱美國專利第3，567,450號說明書、同第3,180，703號說明書、同第3,240,597號說明書、同第3,658,520號說明書、同第4,232,103號說明書、同第4,175,961號說明書、同第4,012,376號說明書、特公昭49-35702號公報、同39-27577號公報、特開昭55-144250號公報、同56-119132號公報、同56-22437號公報、西獨(dú)專利第1,110,518號說明書等)、氨基取代查耳酮衍生物(參閱美國專利第3,526,501號說明書等)、嚼、唑衍生物(美國專利第3,257,203號說明書等中公開的物質(zhì))、苯乙烯蒽衍生物(參閱特開昭56-46234號公報等)、9-芴酮衍生物(參閱特開昭54-110837號公報等)、腙衍生物(參閱美國專利第3,717,462號說明書、特開昭54-59143號公報、同55-52063號公報、同55-52064號公報、同55-46760號公報、同55-85495號公報、同57-11350號公報、同57-148749號公報、特開平2-311591號公報等)、芪衍生物(參閱特開昭61-210363號公報、同第61-228451號公報、同61-14642號公報、同61-72255號公報、同62-47646號公報、同62-36674號公報、同62-10652號公報、同62-30255號公報、同60-93455號公報、同60-94462號公報、同60-174749號公報、同60-175052號公報等)、硅氨垸衍生物(美國專利第4,950,950號說明書)、聚硅烷類共聚物(特開平2-204996號公報)、苯胺類共聚物(特開平2-282263號公報)、特開平1-211399號公報公開的導(dǎo)電性高分子低聚物(特別是噻吩低聚物)等。作為空穴注入/輸送層的材料可以使用上述的物質(zhì)，但是優(yōu)選使用卟啉化合物(特開昭63-2956965號公報等公開的物質(zhì))、芳香族叔胺化合物及苯乙烯胺化合物(參閱美國專利第4,127,412號說明書、特開昭53-27033號公報、同54-58445號公報、同54-149634號公報、同54-64299號公報、同55-79450號公報、同55-144250號公報、同56-119132號公報、同61-295558號公報、同61-98353號公報、同63-295695號公報等)，特別優(yōu)選使用芳香族叔胺化合物。還可以例舉美國專利第5,061,569號所述的分子內(nèi)具有2個稠合芳香環(huán)的，例如4,4'-二(N-(l-萘基)-N-苯胺基)聯(lián)苯(以下縮寫為NPD)，還有特開平4-308688號公報所述的3個三苯胺單元連結(jié)成了星爆(starburst)型的4，4，，4"-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯胺基)三苯胺(以下縮寫為MTDATA)等。而且，除了作為發(fā)光層材料所示過的所述芳香族二亞甲基類化合物以外，p型Si、p型SiC等無機(jī)化合物也可以用作空穴注入/輸送層的材料?？昭ㄗ⑷?輸送層可以通過將本發(fā)明的芳香族胺衍生物用例如真空蒸鍍法、旋涂法、澆注法、LB法等公知的方法進(jìn)行薄膜化形成。作為空穴/注入輸送層的膜厚沒有特別限制，通常為5nm5um。該空穴注入/輸送層在空穴輸送區(qū)含有本發(fā)明的芳香族胺衍生物時，可以由上述材料的一種或兩種以上構(gòu)成的一層而構(gòu)成，所述空穴注入/輸送層也可以是將由其它化合物構(gòu)成的空穴注入/輸送層層疊而成的。另外，也可以設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體層作為幫助向發(fā)光層的空穴注入或電子注入的層，適宜使用具有10—1QS/cm以上的電導(dǎo)率的物質(zhì)。作為這樣的有機(jī)半導(dǎo)體層的材料，可以使用含噻吩低聚物、特開平8-193191號公報所述的含芳胺低聚物等導(dǎo)電性低聚物，含芳胺樹枝狀高分子(了y—》7$y卡yKy7—)等導(dǎo)電性樹枝狀高分子等。(6)電子注入/輸送層電子注入/輸送層是幫助電子向發(fā)光層注入且輸送至發(fā)光區(qū)的層，電子遷移率大，另外，附著改善層是由在該電子注入層中與陰極的附著特別好的材料組成的層。另外，已知有機(jī)EL元件，由于通過電極(此時是陰極)反射發(fā)光的光，所以直接從陽極取出的發(fā)光和經(jīng)過電極反射取出的發(fā)光產(chǎn)生干涉。為了有效地利用該干涉效果，電子輸送層的膜厚可在數(shù)nm數(shù)ym內(nèi)適當(dāng)選擇，但是膜厚特別厚時，為了避免電壓升高，優(yōu)選在外加104106V/cm的電場時電子遷移率至少為l(T5cm2/V.s以上。作為用于電子注入層的材料，8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物和嗯二唑衍生物適宜。作為上述8-羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物具體例子，可以使用喔星(一般為8-羥基喹啉)的螯合物的金屬螯合喔星化合物，例如三(8-羥基喹啉)鋁作為電子注入材料。另一方面，作為嗯二唑衍生物，可列舉用下述式表示的電子傳遞化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(式中，Ar1，Ar2Ar3，Ar5，Ar6，Ar9分別表示取代或未取代的芳基，分別可以相同或不同。另外，A一,A^，ArS表示取代或未取代的亞芳基，分別可以相同或不同)在此，作為芳基，可列舉苯基、聯(lián)苯基、蒽基、茈基、芘基。另外，作為亞芳基，可列舉亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞茈基、亞芘基等。另外，作為取代基可列舉碳原子數(shù)110的烷基、碳原子數(shù)110的烷氧基或氰基等。該電子傳遞化合物優(yōu)選薄膜形成性的物質(zhì)。作為上述電子傳遞性化合物的具體例，可以例舉下述物質(zhì)。另外，作為用于電子注入層和電子輸送層的材料，也可以使用下述通式(A)(F)表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>用下述式表示的含氮雜環(huán)衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>(B)(通式(A)和(B)中，A1AS分別獨(dú)立地是氮原子或碳原子。Ar1是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基，A一是氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的烷基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為120的烷氧基、或者它們的二價基。其中，A^和A—的任意一方為取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為1060的稠環(huán)基、或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜稠環(huán)基、或者它們的二價基。L1、1/和L分別獨(dú)立地是單鍵、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的亞芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜亞芳基或者取代或未取代的亞芴基。R為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的垸基、或者取代或未取代的碳原子數(shù)為120的垸氧基，n為05的整數(shù)，在n為2以上的情況下，多個R可以相同或不同，此外，相鄰的多個R基彼此可以結(jié)合，形成碳環(huán)式脂肪族環(huán)或碳環(huán)式芳香族環(huán)。W為氫原子、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為660的芳基、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)為360的雜芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為120的烷氧基、或者一L一Ar1—Ar2。)用下述式表示的含氮雜環(huán)衍生物。HAr—L—Ar'—Ar2(C)(式中，HAr是可以具有取代基的碳原子數(shù)為340的含氮雜環(huán)，L是單鍵、可以具有取代基的碳原子數(shù)為660的亞芳基、可以具有取代基的碳原子數(shù)為360的雜亞芳基或可以具有取代基的亞芴基，Ar1是可以具有取代基的碳原子數(shù)為660的2價芳香族烴基，A—是可以具有取代基的碳原子數(shù)為660的芳基、或可以具有取代基的碳原子數(shù)為360的雜芳基。)用下述式表示的硅雜環(huán)戊二烯衍生物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>(D)(式中，X和Y相互獨(dú)立，是碳原子數(shù)為16的飽和或不飽和的烴基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、羥基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜環(huán)，或者X和Y相結(jié)合而形成飽和或不飽和的環(huán)的結(jié)構(gòu)，AR4分別獨(dú)立，表示氫原子、鹵原子、取代或未取代的碳原子數(shù)為16的垸基、烷氧基、芳氧基、全氟代烷基、全氟代烷氧基、氨基、垸基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、偶氮基、垸基羰基氧基、芳基羰基氧基、烷氧基羰基氧基、芳氧基羰基氧基、亞磺酰基、磺?；?、磺胺基(7》77二小)、甲硅烷基、氨基甲?；⒎蓟?、雜環(huán)基、烯基、炔基、硝基、甲?；?、亞硝基、甲酰氧基、異氰基、氰酸酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基或者氰基或者相鄰時的取代或者未取代的環(huán)進(jìn)行稠合形成的結(jié)構(gòu)。)用下述式表示的硼烷衍生物(E)(式中，R,Rs和Z2分別獨(dú)立，表示氫原子、飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環(huán)基、取代氨基、取代氧硼基、烷氧基或芳氧基，X、Y和Zi分別獨(dú)立，表示飽和或不飽和的烴基、芳香族基、雜環(huán)基、取代氨基、垸氧基或芳氧基，Z,和Z2的取代基可以相互結(jié)合而形成稠環(huán)，n表示l3的整數(shù)，當(dāng)n為2以上時，Z,可以不同。其中，不包括n是l且X、Y和R2是甲基并且R8是氫原子或取代氧硼基的情況和n為3且Zi為甲基的情況。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>(G)(式中，環(huán)V和八2是可以具有取代基的已相互稠合的六員芳環(huán)結(jié)構(gòu)。)這種金屬絡(luò)合物，作為n型半導(dǎo)體的性質(zhì)較強(qiáng)，電子注入能力大。進(jìn)而，形成絡(luò)合物時的生成能量也低，所以己形成的金屬絡(luò)合物的金屬和配位基的鍵合性也變得牢固，作為發(fā)光材料的熒光量子效率也會增大。如果列舉形成上述通式(G)的配位基的環(huán)V和AZ的取代基的具體例子，有氯、溴、碘、氟等鹵原子；甲基、乙基、丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂基、三氯甲基等取代或者未取代的烷基；苯基、萘基、3—甲基苯基、3—甲氧基苯基、3—氟苯基、3—三氯甲基苯基、3—三氟甲基苯基、3—硝基苯基等取代或者未取代的芳基；甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2，2，3，3—四氟丙氧基、1，1，1，3，3，3—六氟一2—丙氧基、6—(全氟乙基)己氧基等取代或者未取代的烷氧基；苯氧基、對硝基苯氧基、對叔丁基苯氧基、3-氟苯氧基、五氟苯基、3—三氟甲基苯氧基等取代或者未取代的芳氧基；甲硫基、乙硫基、叔丁基硫基、己基硫基、辛基硫基、三氟甲基硫基等取代或者未取代的垸硫基；苯硫基、對硝基苯硫基、對叔丁基苯硫基、3—氟苯硫基、五氟苯硫基、3—三氟甲基苯硫基等取代或者未取代的芳硫基；氰基、硝基、氨基、甲基氨基、二乙基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二苯基氨基等單或二取代氨基；雙(乙酰氧基甲基)氨基、雙(乙酰氧基乙基)氨基、雙(乙酰氧基丙基)氨基、雙(乙酰氧基丁基)氨基等酰基氨基；羥基，甲硅烷氧基，?；谆被柞；?、二甲基氨基甲?；⒁一被柞；⒍一被柞；?、丙基氨基甲?；?、丁基氨基甲?；?、苯基氨基甲?；劝被柞；?；羧酸基，磺酸基，亞胺基，環(huán)戊烷基、環(huán)己基等環(huán)垸基；苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基；吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、吲哚基、喹啉基、吖啶基、吡咯垸基、二嗨垸基、哌啶基、嗎啉垸基(乇/k7才U^二/W、哌嗪基、三嗪基(卜！J7^二少)、咔唑基、呋喃基、苯硫基、隨唑基、嗨二唑基、苯并嚼、唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、吡喃基(7。，二AO等雜環(huán)基等。另外，以上的取代基之間也可以通過結(jié)合進(jìn)一步形成六員芳環(huán)或者雜環(huán)。作為本發(fā)明的有機(jī)EL元件的優(yōu)選形式，有在輸送電子的區(qū)域或者陰極和有機(jī)層的界面區(qū)域含有還原性摻雜劑的元件。在這里，所謂的還原性摻雜劑是指可以將電子輸送性化合物還原的物質(zhì)。因而，只要是具有一定的還原性的物質(zhì)都可以，可使用各種各樣的物質(zhì)，例如，可以適當(dāng)?shù)厥褂眠x自堿金屬、堿土類金屬、稀土類金屬、堿金屬的氧化物、堿金屬的鹵化物、堿土類金屬的氧化物、堿土類金屬的鹵化物、稀土類金屬的氧化物、稀土類金屬的鹵化物、堿金屬的有機(jī)絡(luò)合物、堿土類金屬的有機(jī)絡(luò)合物和稀土類金屬的有機(jī)絡(luò)合物的至少一種物質(zhì)。另外，更加具體地講，作為優(yōu)選的還原性摻雜劑，特別優(yōu)選功函數(shù)為2.9eV以下的物質(zhì)，可列舉選自Na(功函數(shù)2.36eV)、K(功函數(shù)2.28eV)、Rb(功函數(shù)2.16eV)及Cs(功函數(shù)1.95eV)的至少一種堿金屬、或選自Ca(功函數(shù)2.9eV)、Sr(功函數(shù)2.02.5eV)及Ba(功函數(shù)2.52eV)的至少一種堿土類金屬。這些物質(zhì)中，更優(yōu)選的還原性摻雜劑為選自由K、Rb及Cs構(gòu)成的組中的至少一種堿金屬，進(jìn)一步優(yōu)選Rb或Cs，最優(yōu)選為Cs。這些堿金屬的還原能力特別高，通過向電子注入?yún)^(qū)域的比較少量的添加，可以提高有機(jī)EL元件中的發(fā)光亮度和延長其壽命。另外，作為功函數(shù)為2.9eV以下的還原性摻雜劑，也優(yōu)選這些兩種以上的堿金屬的組合，特別優(yōu)選包含Cs的組合，例如Cs禾口Na、Cs禾口K、Cs禾口Rb或Cs禾口Na禾口K的組合。通過包含Cs進(jìn)行組合，可以有效地發(fā)揮其還原能力，通過向電子注入?yún)^(qū)域的添加，可以提高有機(jī)EL元件中的發(fā)光亮度和延長其壽命。本發(fā)明中可以在陰極和有機(jī)層之間進(jìn)一步設(shè)置由絕緣體和半導(dǎo)體構(gòu)成的電子注入層。此時，可以有效地防止電流的泄漏，提高電子注入性。作為這樣的絕緣體，優(yōu)選使用選自由堿金屬硫?qū)倩衔?、堿土類金屬硫?qū)倩衔?、堿金屬的鹵化物及堿土類金屬的鹵化物構(gòu)成的組中的至少一種金屬化合物。電子注入層只要是由這些堿金屬硫?qū)倩衔锏葮?gòu)成的，就可以進(jìn)一步提高電子注入性，故優(yōu)選。具體來講，作為優(yōu)選的堿金屬硫?qū)倩衔?，可列舉例如Li20、K20、Na2S、Na2Se&Na20，作為優(yōu)選的堿土類金屬硫?qū)倩衔铮闪信e例如CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及CaSe。另夕卜，作為優(yōu)選的堿金屬的鹵化物，可列舉例如LiF、NaF、KF、LiCl、KC1及NaCl等。另外，作為優(yōu)選的堿土類金屬的鹵化物，可列舉例如CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2等氟化物和氟化物以外的鹵化物。另外，構(gòu)成電子輸送層的半導(dǎo)體，可列舉例如包含Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn的至少一種元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等的單獨(dú)一種或兩種以上的組合。另外，構(gòu)成電子輸送層的無機(jī)化合物，優(yōu)選微結(jié)晶或非晶質(zhì)的絕緣性薄膜。電子輸送層只要是由這些絕緣性薄膜構(gòu)成的，由于可以形成更均勻的薄膜，因此，可以減少黑點(diǎn)等圖像缺陷。另外，作為這樣的無機(jī)化合物，可列舉例如上述的堿金屬硫?qū)倩衔?、堿土類金屬硫?qū)倩衔?、堿金屬的鹵化物及堿土類金屬的鹵化物等。作為陰極，為了將電子注入到電子注入/輸送層或者發(fā)光層，使用功函數(shù)小的(4eV以下)金屬、合金、電傳導(dǎo)性化合物或這些的混合物作為電極物質(zhì)。作為這種電極物質(zhì)的具體例子，可列舉鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、鎂-銀合金、鋁/氧化鋁、鋁-鋰合金、銦、稀土金屬等。該陰極可以通過將這些電極物質(zhì)用蒸鍍法和濺射法等方法形成薄膜來制備。其中，當(dāng)從陰極取出自發(fā)光層的發(fā)光時，優(yōu)選陰極的光透過率大于10%。還優(yōu)選陰極的片材電阻率為數(shù)百Q(mào)/口以下，膜厚通常為10nmljiim，優(yōu)選50200nm。(8)絕緣層由于對超薄薄膜施加電場，有機(jī)EL元件易因漏電和短路而產(chǎn)生像素缺陷。為了防止形成這些缺陷，優(yōu)選在電極對之間插入絕緣薄膜層。作為用于絕緣層的材料，可列舉例如氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氮化鋁、二氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕和氧化釩等，還可使用它們的混合物和層疊材料。(9)有機(jī)EL元件的制造方法通過用上述列舉的材料和形成方法形成陽極、發(fā)光層、根據(jù)需要形成的空穴注入/輸送層以及根據(jù)需要形成的電子注入/輸送層，進(jìn)而形成陰極，由此可以制作有機(jī)EL元件。也可采用從陰極到陽極、與上述相反的順序，制作有機(jī)EL元件。下面，記載了在透光性基板上依次設(shè)置陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL元件的制作例。首先，在合適的透光性基板上采用蒸鍍法或濺射法等方法形成由陽極材料組成的薄膜，使得所形成的薄膜厚度為l,以下，優(yōu)選為10200nm，從而制作陽極。接著，在該陽極上設(shè)置空穴注入層?？刹捎萌缟纤龅恼婵照翦兎?、旋涂法、澆鑄法、LB法等方法形成空穴注入層，但是從易得到均勻的薄膜，且難以形成針孔等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選用真空蒸鍍法形成。當(dāng)采用真空蒸鍍法形成空穴注入層時，該蒸鍍條件根據(jù)使用的化合物(空穴注入層的材料)、作為目標(biāo)的空穴注入層的晶體結(jié)構(gòu)和復(fù)合結(jié)構(gòu)等的不同而不同，但通常優(yōu)選適當(dāng)?shù)卦谝韵路秶鷥?nèi)選擇蒸鍍源的溫度5045(TC、真39空度1(t710-3托、蒸鍍速率0.0150nm/s、基板溫度一5(tc30(tc、膜厚5nm5iim。隨后，在空穴注入層上設(shè)置發(fā)光層，所述發(fā)光層的形成也可以通過使用所希望的有機(jī)發(fā)光材料采用真空蒸鍍法、濺射法、旋涂法、澆注法等方法將有機(jī)發(fā)光材料薄膜化來制備，但是從易得到均勻的薄膜，且難以形成針孔等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選用真空蒸鍍法形成。當(dāng)采用真空蒸鍍法形成發(fā)光層時，該蒸鍍條件根據(jù)使用的化合物的不同而不同，通?？蛇x擇與空穴注入層相同的條件范圍。接著，在該發(fā)光層上設(shè)置電子注入層。與空穴注入層和發(fā)光層相同，因為必須要得到均勻的薄膜，因此優(yōu)選采用真空蒸鍍法形成所述電子注入層。蒸鍍條件可選擇與空穴注入層、發(fā)光層相同的條件范圍。本發(fā)明的芳香族胺衍生物根據(jù)在發(fā)光區(qū)和空穴輸送區(qū)的任意層中含有情況的不同而不同，在使用真空蒸鍍法時可以與其它材料同時蒸鍍。另外，使用旋涂法時，可以與其它材料混合含有。最后層疊陰極，可以制得有機(jī)EL元件。陰極由金屬構(gòu)成，可采用蒸鍍法、濺射法形成。但是，為了使底層的有機(jī)物層免于制膜時的損傷，優(yōu)選使用真空蒸鍍法。該有機(jī)EL元件的制作優(yōu)選在一次抽真空之后，連續(xù)地從陽極至陰極制備。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各層的形成方法沒有特別限定?？墒褂靡酝恼婵照翦兎ā⑿糠ǖ刃纬煞椒??？刹捎靡韵鹿姆椒ㄐ纬捎糜诒景l(fā)明有機(jī)EL元件的包含本發(fā)明上述通式(1)表示的混合物的有機(jī)薄膜層，所述方法為真空蒸鍍法、分子束蒸鍍法(MBE法)或者溶解于溶劑的溶液的浸涂法、旋涂法、澆鑄法、棒涂法、輥涂法等涂敷法。本發(fā)明的有機(jī)EL元件的各有機(jī)層的膜厚沒有特別限定，通常膜厚過薄時，易產(chǎn)生針孔等缺陷，相反過厚時，需要施加高電壓，導(dǎo)致效率下降，因此通常優(yōu)選膜厚為數(shù)nmlpm。另外，當(dāng)向有機(jī)EL元件施加直流電壓時，通過使陽極的極性為+極，使陰極的極性為一極，施力口540V電壓時，可以觀察到發(fā)光。另夕卜，即使以相反的極性施加電壓也不會流過電流，且根本不發(fā)光。此外，施加交流電壓時，僅在陽極的極性為+，而陰極的極性為一時，才觀察到均勻的發(fā)光。施加的交流電的波形可以是任意的。實施例下面，基于合成例和實施例更加詳細(xì)地說明本發(fā)明。合成例1(中間體l的合成)在氬氣流下在200mL三頸燒瓶中加入苯甲酰胺(東京化成社制)5.7g、4一溴聯(lián)苯(東京化成社制)10g、碘化銅(I)(廣島和光社制)0.82g、N,N'一二甲基乙二胺(7小Ky、乂于社制)0.76g、碳酸鉀(廣島和光社制)11.8g和二甲苯60ml，在13(TC下反應(yīng)36小時。冷卻后，過濾并用甲苯洗滌。再用水和甲醇洗滌，然后干燥，結(jié)果獲得10.5g淡黃色粉末的下述中間l。根據(jù)FD—MS(場解析質(zhì)譜)的分析，相對于C19H15NO=273，由于獲得了m/z=273的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體l。中間體l合成例2(中間體2的合成)在氬氣流下，在500mL三頸燒瓶中加入l一溴萘20.7g、脫水醚80ml和脫水甲苯80ml。在一3(TC下投入正丁基鋰(n-BuLi)/己垸溶液120mmo1,在0。C反應(yīng)1小時。冷卻至一70。C，投入70ml硼酸三異丙酯(B(OiPr)3)，慢慢地升溫至室溫并攪拌1小時。加入80mllOX鹽酸，這樣形成的溶液用醋酸乙酯/水進(jìn)行萃取，然后用無水硫酸鈉干燥。將溶液濃縮，用己垸洗滌，獲得硼酸化合物U.7g。在氬氣流下，在500mL三頸燒瓶中加入上述得到的硼酸化合物19.3g、4一碘溴苯26.5g、四(三苯基膦)化鈀(Pd(PPh3)4)3.8g、2M碳酸鈉(Na2C03)溶液100ml、二甲氧基乙烷160ml，然后回流8小時。將反應(yīng)液用甲苯/水進(jìn)行萃取，用無水硫酸鈉干燥。將其在減壓下濃縮，得到的粗生成物進(jìn)行柱精制，獲得17.6g白色粉末的下述中間體2。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于d6HnBr二283，獲得了m/z二282和284的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體2。Br中間體2合成例3(中間體3的合成)除了在合成例2中使用2—溴萘20.7g代替l一溴萘20.7g以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得17.9g白色粉末的下述中間體3。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C,6HnBr二283，獲得了m/z=282和284的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體3。中間體3<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>合成例4(中間體4的合成)除了在合成例2中使用9一溴菲25.7g代替l一溴萘20.7g以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得20.5g白色粉末的下述中間體3。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C2oHnBF333，獲得了m/z=332和334的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體4。中間體4合成例5(中間體5的合成)在氬氣流下，在300mL三頸燒瓶中加入16.9g中間體1、21.lg中間體2、碘化銅(I)(廣島和光社制)1.14g、N,N，一二甲基乙二胺(7WKy:y于社制)1.06g、碳酸鉀(廣島和光社制)20.0g和二甲苯100ml，在13(TC下反應(yīng)36小時。冷卻后，過濾并用甲苯洗滌。再用水和甲醇洗滌，然后干燥，結(jié)果獲得23.5g淡黃色粉末。在300mL三頸燒瓶中加入上述粉末18.0g、氫氧化鉀(廣島和光社制)15.1g、離子交換水13ml、二甲苯(廣島和光社制)17ml、乙醇(廣島和光社制)9ml，回流36小時。反應(yīng)結(jié)束后，用甲苯萃取，用硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，得到的粗生成物進(jìn)行柱精制。用甲苯進(jìn)行再結(jié)晶，將其濾出，然后進(jìn)行干燥，結(jié)果獲得13.8g白色粉末的下述中間體5。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C28H21N=371，獲得了m/z=371的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體5。中間體5合成例6(中間體6的合成)除了在合成例5中使用21.1g中間體3代替21.1g中間體2以夕卜，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得14.6g白色粉末的下述中間體6。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C28H^N二371，獲得了m/z=371的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體6。中間體6合成例7(中間體7的合成)除了在合成例5中使用4.2g苯甲酰胺代替16.9g中間體1以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得8.5g白色粉末的下述中間體7。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C32H23N=421，獲得了m/z=421的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體7。中間體7合成例8(中間體8的合成)除了在合成例5中使用11.5gl—乙酰胺萘代替16.9g中間體1以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得12.8g白色粉末的下述中間體8。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C26H^N二345，獲得了m/z=345的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體8。中間體8合成例9(中間體9的合成)在氬氣流下，加入苯胺5.5g、14.2g中間體2、叔丁醇鈉6.8g(廣島和光社制)、三(二節(jié)叉丙酮)二鈀(0)0.46g(7WKU、7于社制)和脫水甲苯300ml，在8(TC下反應(yīng)8小時。冷卻后，加入水500ml，將混合物進(jìn)行硅藻土(ir，Y卜)過濾，濾液用甲苯進(jìn)行萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，得到的粗生成物進(jìn)行柱精制，用甲苯進(jìn)行再結(jié)晶，將其濾出，然后進(jìn)行干燥，結(jié)果獲得11.8g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C22H17N=295，獲得了m/z-295的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體9。中間體9合成例10(中間體10的合成)除了在合成例9中使用14.2g中間體3代替14.2g中間體2以夕卜，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得12.3g淡黃色粉末的下述中間體10。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C22H17N=295，獲得了m/z=295的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體IO。中間體IO合成例11(中間體11的合成)除了在合成例9中使用16.7g中間體4代替14.2g中間體2以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得13.3g淡黃色粉末的下述中間體11。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C26H^N二345，獲得了m/z=345的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體ll。6中間體ll合成例12(中間體12的合成)在氬氣流下，在1000ml的三頸燒瓶中加入4一溴聯(lián)苯47g、碘23g、高碘酸二水合物9.化、水42ml、醋酸360ml、硫酸llml，在65。C下攪拌30分鐘后，在90'C下反應(yīng)6小時。將反應(yīng)物注入到冰水，過濾。用水洗滌后，用甲醇洗滌，獲得18g白色粉末的下述中間體12。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于CuH8Brl二359，獲得了m/z=358和360的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體12。中間體12合成例13(中間體13的合成)在氬氣流下，在500ml的三頸燒瓶中加入l一溴萘20.7g、脫水醚80ml和脫水甲苯80ml。在—30。C下投入n-BuLi/己垸溶液120mmo1，在O'C反應(yīng)1小時。冷卻至一7(TC，投入70ml硼酸三異丙酯(B(OiPr)3)，慢慢地升溫至室溫并攪拌1小時。加入80mllOX鹽酸，這樣形成的溶液用醋酸乙酯/水進(jìn)行萃取，然后用無水硫酸鈉干燥。將溶液濃縮，用己烷洗滌，獲得硼酸化合物11.7g。在氬氣流下，在500mL三頸燒瓶中加入上述得到的硼酸化合物17.2g、39.5g中間體12、四(三苯基膦)化鈀(Pd(PPh3)4)3.8g、2M碳酸鈉(Na2C03)溶液100ml、二甲氧基乙烷160ml，然后回流8小時。將反應(yīng)液用甲苯/水進(jìn)行萃取，用無水硫酸鈉干燥。將其在減壓下濃縮，得到的粗生成物進(jìn)行柱精制，獲得21.5g白色粉末的下述中間體13。根據(jù)FD—MS的分析，由于相対于C22H^Bf359，獲得了m/z:358和360的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體13。中間體13合成例14(中間體14的合成)除了在合成例13中使用2—溴萘20.7g代替1—溴萘20.7g以夕卜，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得17.1g白色粉末的下述中間體14。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C22H!sBr二359，獲得了m/z=358和360的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體i4。中間體14合成例15(中間體15的合成)除了在合成例9中使用17.9g中間體13代替中間體2以夕卜，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得11.2§淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C28H21N=371，獲得了m/z=371的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體15。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula>中間體15合成例16(中間體16的合成)除了在合成例9中使用17.9g中間體14代替中間體2以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得12.5g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C28H21N=371，獲得了m/z二371的主峰，從而將其鑒定為是下述中間體16。中間體16合成實施例l(化合物H1的合成)在氬氣流下，加入4一4'一二碘聯(lián)苯3.2g、6.5g中間體5、叔丁醇鈉2.1g(廣島和光社制)、三(二節(jié)叉丙酮)二鈀(0)71mg(7卜"U7*社制)、三叔丁基膦40mg和脫水甲苯100ml，在8(TC下反應(yīng)8小時。冷卻后，加入水500ml，將混合物進(jìn)行硅藻土過濾，濾液用甲苯進(jìn)行萃取，用無水硫酸鎂干燥。將其在減壓下濃縮，得到的粗生成物進(jìn)行柱精制，用甲苯進(jìn)行再結(jié)晶，將其濾出，然后進(jìn)行干燥，結(jié)果獲得4.8g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS(場解析質(zhì)譜)的分析，由于相對于(:681148]^2=892，獲得了m/z-892的主峰，從而將其鑒定為是下述化合物H1。化合物H1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula>合成實施例2(化合物H2的合成)除了在合成實施例1中使用6.5g中間體6代替中間體5以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得4.2g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C6sH48N2^892，獲得了m/z=892的主峰，從而將其鑒定為是下述化合物H2。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula>化合物H2合成實施例3(化合物H3的合成)除了在合成實施例1中使用7.4g中間體7代替中間體5以夕卜，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得5.4g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C76H52N2=992，獲得了m/z=992的主峰，從而將其鑒定為是下述化合物H3。化合物H3合成實施例4(化合物H4的合成)除了在合成實施例1中使用6.0g中間體8代替中間體5以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得5.2g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C64H44N2二840，獲得了m/z二840的主峰，從而將其鑒定為是下述化合物H4。化合物H4合成實施例5(化合物H5的合成)除了在合成實施例1中使用5.2g中間體9代替中間體5以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得3.7g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C56H4QN2=740，獲得了m/z二740的主峰，從而將其鑒定為是下述化合物H5?；衔颒5合成實施例6(化合物H6的合成)除了在合成實施例1中使用5.2g中間體10代替中間體5以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得3.9g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于Cs6H4。N2二740，獲得了m/z=740的主峰，從而將其鑒定為是下述化合物H6?；衔颒6合成實施例7(化合物H7的合成)除了在合成實施例1中使用6.5g中間體11代替中間體5以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得4.4g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于<:641144]^=840，獲得了m/z=840的主峰，從而將其鑒定為是下述化合物H7。52<formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula>化合物H7合成實施例8(化合物H8的合成)除了在合成實施例5中使用3.1g4—4，一二溴三聯(lián)苯代替4一4，一二碘聯(lián)苯以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得4.1g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C62H44N2二816，獲得了m/z二816的主峰，從而將其鑒定為是下述化合物H8。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula>化合物H8合成實施例9(化合物H9的合成)除了在合成實施例1中使用3.1g4—4，一二溴三聯(lián)苯代替4一4，一二碘聯(lián)苯以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得5.2g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C74H52N2二968，獲得了m/z=968的主峰，從而將其鑒定為是下述化合物H9?；衔颒9合成實施例10(化合物H10的合成)除了在合成實施例1中使用6.5g中間體15代替中間體5以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得4.2g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C6sH48N2二892，獲得了m/z二892的主峰，從而將其鑒定為是下述化合物HIO?；衔颒10<formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula>合成實施例11(化合物Hll的合成)除了在合成實施例1中使用6.5g中間體16代替中間體5以外，相同地進(jìn)行反應(yīng)，結(jié)果獲得4.0g淡黃色粉末。根據(jù)FD—MS的分析，由于相對于C68H4sN2^892，獲得了m/z二892的主峰，從而將其鑒定為是下述化合物Hll。化合物H11實施例l(有機(jī)EL有機(jī)的制造)將25mmX75mmXl.lmm厚的帶有ITO透明電極的玻璃基板(-才7于^、，夕社制)在異丙醇中進(jìn)行超聲波洗滌5分鐘，然后進(jìn)行UV臭氧洗滌30分鐘。將洗滌后的帶有透明電極線路的玻璃基板安裝在真空蒸鍍裝置的基板架上，首先在形成有透明電極線路一側(cè)的表面上以覆蓋上述透明電極的方式使膜厚60nm的下述化合物H232成膜。該H232膜具有空穴注入層的作用。在該H232膜上使膜厚20nm的上述化合物Hl層作為空穴輸送材料成膜。該膜具有空穴輸送層的作用。再將膜厚40nm的下述化合物EM1蒸鍍成膜。同時將作為發(fā)光分子的具有下述苯乙烯基的胺化合物D1按照EM1和Dl的重量比為40:2的方式進(jìn)行蒸鍍。該膜具有發(fā)光層的作用。在該膜上成膜有膜厚10nm的下述Alq膜。其具有電子注入層的作用。然后，使作為還原性摻雜劑的Li(Li源廿工7歹:y夕一社制)和Alq進(jìn)行二元蒸鍍(二元蒸著)，形成作為電子注入層(陰極)的Alq:Li膜。在該Alq丄i膜上使金屬Al蒸鍍形成金屬陰極，從而形成有機(jī)EL元件。對得到的有機(jī)EL元件，測量發(fā)光效率，觀察發(fā)光色。發(fā)光效率應(yīng)用$乂/^夕制CS1000測量亮度，計算10mA/cn^下的發(fā)光效率。另外，測量初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下發(fā)光的半衰期，結(jié)果如表1所示。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula>實施例2—11(有機(jī)EL元件的制造)除了在實施例1中，使用表1記載的化合物代替化合物HI作為空穴輸送材料以外，相同地制作有機(jī)EL元件。對得到的有機(jī)EL元件，測量發(fā)光效率，觀察發(fā)光色，另外，測量初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下發(fā)光的半衰期，結(jié)果如表1所不o比較例1除了在實施例1中，使用比較化合物1(比較例1)代替化合物H1作為空穴輸送材料以外，相同地制作有機(jī)EL元件。比較化合物l在蒸鍍時結(jié)晶化，不能制作正規(guī)的元件。另外，對得到的有機(jī)EL元件，測量發(fā)光效率，觀察發(fā)光色，另外，測量初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下發(fā)光的半衰期，結(jié)果如表1所示。比較例2除了在實施例1中，使用比較化合物2代替化合物Hl作為空穴輸送材料以外，相同地制作有機(jī)EL元件。對得到的有機(jī)EL元件，測量發(fā)光效率，觀察發(fā)光色，另外，測量初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下發(fā)光的半衰期，結(jié)果如表1所示。比較化合物l比較化合物2表l<table>tableseeoriginaldocumentpage57</column></row><table>實施例13(有機(jī)EL元件的制造)除了在實施例1中，使用下述芳胺化合物D2代替具有苯乙烯基的胺化合物D1以外，相同地制作有機(jī)EL元件。Me是甲基。對得到的有機(jī)EL元件，測量發(fā)光效率，結(jié)果是5.2cd/A，發(fā)光色是藍(lán)色。另外，測量初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下發(fā)光的半衰期，結(jié)果是430小時。除了在實施例13中，使用上述比較化合物1代替化合物H1作為空穴輸送材料以外，相同地制作有機(jī)EL元件。對得到的有機(jī)EL元件，測量發(fā)光效率，結(jié)果是4.9cd/A，發(fā)光色是藍(lán)色。另外，測量初始亮度5000cd/m2、室溫、DC恒電流驅(qū)動下發(fā)光的半衰期，結(jié)果是260小時。工業(yè)上的可利用性如以上詳細(xì)說明的那樣，本發(fā)明的芳香族胺衍生物由于空間位阻性高，分子間的相互作用小，所以抑制了結(jié)晶化，提高了制備有機(jī)EL元件的成品率，此外，由于可以在較低的升華溫度下蒸鍍，所以抑制了蒸鍍時的分子的分解，從而獲得了壽命長的有機(jī)EL元件。比較例權(quán)利要求1.下述通式(1)表示的芳香族胺衍生物，id="icf0001"file="S2006800395175C00011.gif"wi="117"he="23"top="55"left="45"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="no"/>式中，R1表示氫原子、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)5～50的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)1～50的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)1～50的烷氧基、取代或未取代的碳原子數(shù)6～50的芳烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)5～50的芳氧基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)5～50的芳硫基、取代或未取代的碳原子數(shù)2～50的烷氧基羰基、用取代或未取代的環(huán)原子數(shù)5～50的芳基取代的氨基、鹵原子、氰基、硝基、羥基或者羧基，a是0～4的整數(shù)，b是1～3的整數(shù)。當(dāng)b為2以上時多個R1可以互相結(jié)合形成飽和或不飽和的任選取代的五元環(huán)或者六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，Ar1～Ar4中的至少一個是下述通式(2)的基，id="icf0002"file="S2006800395175C00012.gif"wi="145"he="28"top="175"left="47"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="no"/>式中，R2和R3分別獨(dú)立地選自與所述通式(1)中的R1相同的基團(tuán)中，Ar5是環(huán)碳原子數(shù)6～20的稠合芳香族環(huán)基，c和d分別是0～4的整數(shù)，e是0～2的整數(shù)，R2和R3或者多個R3彼此可以互相結(jié)合形成飽和或不飽和的任選取代的五元環(huán)或者六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，通式(1)中，Ar1～Ar4之中不是通式(2)的基，分別獨(dú)立地是取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)6～50的芳基或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)5～50的芳香族雜環(huán)基。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(1)中和Ar2是所述通式(2)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(1)中An和Ar3是所述通式(2)。4.根據(jù)權(quán)利要求13的任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(2)中e是0。5.根據(jù)權(quán)利要求14的任一項所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(2)中Ars是l一萘基、2—萘基、菲基、或者芘基。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(1)中Ar2是下述通式(3)，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式中，Rs選自與所述通式(1)中的&相同的基團(tuán)中，f是04的整數(shù)，g是l3的整數(shù)，當(dāng)g為2以上時，多個R5可以互相結(jié)合形成飽和或不飽和的任選取代的五元環(huán)或者六元環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，Ars和Ar7分別獨(dú)立地是通式(2)、取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)650的芳基或者取代或未取代的環(huán)碳原子數(shù)550的芳香族雜環(huán)基。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，所述通式(1)中Ar2和Ar4是所述通式(3)。8.根據(jù)權(quán)利要求17的任一項所述的芳香族胺衍生物，其是有機(jī)電致發(fā)光元件用材料。9.根據(jù)權(quán)利要求17的任一項所述的芳香族胺衍生物，其是有機(jī)電致發(fā)光元件用空穴輸送材料。10.—種有機(jī)電致發(fā)光元件，其在陰極和陽極間挾持有至少含有發(fā)光層的由一層或多個層組成的有機(jī)薄膜層，其中，該有機(jī)薄膜層的至少一層，將權(quán)利要求17的任一項所述的芳香族胺衍生物作為單獨(dú)的成分或者混合物的成分而含有。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，所述有機(jī)薄膜層具有空穴輸送層，該空穴輸送層將所述芳香族胺衍生物作為單獨(dú)的成分或者混合物的成分而含有。12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其進(jìn)行藍(lán)色系發(fā)光。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其在發(fā)光層中含有苯乙烯胺和/或芳胺。全文摘要本發(fā)明提供了一種具有下述通式(1)表示的非對稱結(jié)構(gòu)的新的芳香族胺衍生物、以及一種有機(jī)電致發(fā)光元件，其在陰極和陽極間挾持著至少含有發(fā)光層的由一層或多層組成的有機(jī)薄膜層，該有機(jī)薄膜層的至少一層作為單獨(dú)的成分或者混合物的成分含有上述芳香族胺衍生物，由此分子不容易結(jié)晶，提高了制造有機(jī)電致發(fā)光元件時的成品率，壽命長、以及實現(xiàn)該元件的芳香族胺衍生物。[式中，R₁是氫原子等，a是0～4的整數(shù)，b是1～3的整數(shù)。Ar₁～Ar₄之中的至少一個是下述通式(2)的基。{式中，R₂和R₃選自與上述R₁相同的基。Ar₅是稠合芳香族環(huán)基。c和d分別是0～4的整數(shù)，e是0～2的整數(shù)。}通式(1)中，Ar₁～Ar₄之中不是通式(2)的基分別獨(dú)立地是芳基或者芳香族雜環(huán)基]。文檔編號C09K11/06GK101296895SQ20068003951公開日2008年10月29日申請日期2006年11月10日優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日發(fā)明者山本弘志,河村昌宏,藪之內(nèi)伸浩申請人:出光興產(chǎn)株式會社