專利名稱：納米管基的定向傳導(dǎo)粘合劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路器件和方法，更具體地，涉及包含粘合劑產(chǎn)品的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
集成電路工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷允許電路密度和復(fù)雜度的顯著增加、并且同樣地允許電路部件和電路布置尺寸的顯著減小的技術(shù)進(jìn)步。這些技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)同樣傳播了工業(yè)和對(duì)采用高密度、復(fù)雜度和緊湊集成電路器件的產(chǎn)品的相應(yīng)需求中的顯著增長(zhǎng)。
為了滿足這種高密度和高功能性的需要，在芯片的外部以及在容納芯片并且用于將已封裝的器件連接在一起的半導(dǎo)體封裝的外部，電路芯片實(shí)現(xiàn)了增加的數(shù)目的外部電連接。因?yàn)閷?duì)速度和效率的更高的需求隨著許多應(yīng)用而傳播，與電路芯片的連接的導(dǎo)電性(以及任何相關(guān)聯(lián)的損耗和延遲)已經(jīng)變得日益重要。已經(jīng)將外部實(shí)現(xiàn)的連接器用于電連接不同的電路部件，例如結(jié)合的芯片、倒裝芯片、封裝襯底、球柵陣列(BGA)襯底和針柵陣列(PGA)襯底。這些電連接有利于用于多種目的電路部件之間的信號(hào)傳送。然而，在滿足這些其他因素的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)所需電路連接特性已經(jīng)變得具有挑戰(zhàn)性。
此外，常常需要更多的功率消耗，以便向這些增加數(shù)目的電路供電。增加的密度和/或功率消耗通常導(dǎo)致增加的熱產(chǎn)生，這可能對(duì)電路部件造成潛在的問題。此外，隨著電路布置(并且相應(yīng)地，與電路布置相關(guān)聯(lián)的部件)的尺寸減小，這些電路布置通常處于增加的熱相關(guān)應(yīng)力下。

發(fā)明內(nèi)容
這些和其他困難對(duì)實(shí)現(xiàn)用于多種應(yīng)用的電路襯底提出了挑戰(zhàn)。
本發(fā)明的不同方面包括在集成電路和其它器件中實(shí)現(xiàn)的電路連接方法。將本發(fā)明在許多實(shí)現(xiàn)和應(yīng)用中進(jìn)行示范，其中的一些總結(jié)如下。
根據(jù)一個(gè)示例實(shí)施例，可以將碳納米管用于將集成電路管芯(die)電連接到諸如封裝襯底之類的外部電路。
在本發(fā)明的另一個(gè)示例實(shí)施例中，在帶狀粘合劑類型的材料中實(shí)現(xiàn)碳納米管，其中相對(duì)于帶狀粘合劑類型材料的長(zhǎng)度，碳納米管沿大體垂直的方向排列。
在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，將上面討論的帶狀粘合劑類型的材料設(shè)置在集成電路器件之間，其中碳納米管電連接所述集成電路器件。例如，該方法可應(yīng)用于垂直設(shè)置的集成電路器件，其中將帶狀粘合劑類型的材料設(shè)置在集成電路器件的相對(duì)表面之間，并且沿其表面延伸，并且碳納米管沿垂直方向延伸。在一些應(yīng)用中，將帶狀粘合劑類型的材料設(shè)置在所述集成電路器件(例如，管芯和襯底)的相對(duì)表面處的互連線之間，其中碳納米管與所述互連線電連接。
在其他示例實(shí)施例中，利用倒裝芯片器件、傳統(tǒng)器件、引線框和其他以及不同的連接方法，制造和/或?qū)崿F(xiàn)了各種器件和方法，所述連接方法包括與器件表面接觸的直接連接以及經(jīng)由諸如采用引線框?qū)崿F(xiàn)的連接器的間接連接。
本發(fā)明的以上總結(jié)并非意欲描述本發(fā)明的每一個(gè)示出的實(shí)施例或每一個(gè)實(shí)現(xiàn)。以下的附圖和詳細(xì)描述將更加具體地解釋這些實(shí)施例。


結(jié)合附圖考慮對(duì)本發(fā)明的不同實(shí)施例的以下詳細(xì)描述，將更加全面地理解本發(fā)明，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例、定向傳導(dǎo)帶狀類型材料的剖面圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例實(shí)施例、與碳納米基帶狀材料相連的集成電路封裝布置的剖面圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例實(shí)施例的、具有分別與碳納米基帶狀材料相連的精細(xì)間距連接器的集成電路封裝布置的剖面圖；以及圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例實(shí)施例、用于制造集成電路器件的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
盡管本發(fā)明可接受不同的修改和替代形式，在圖中已經(jīng)通過示例方式示出了其特定形式，并且將詳細(xì)地描述。然而，應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不局限于所述具體的實(shí)施例。相反，本發(fā)明意欲覆蓋落在如所附權(quán)利要求所限的本發(fā)明范圍之內(nèi)的全部修改、等價(jià)物和替代物。
相信本發(fā)明可以應(yīng)用于包括和/或受益于集成電路部件的電連接的各種電路和方法。盡管本發(fā)明沒有必要局限于這些應(yīng)用，通過對(duì)這種情況中的示例的討論，可以最佳地獲得本發(fā)明的不同方面的評(píng)價(jià)。
根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例，將碳納米管沿設(shè)置在定向傳導(dǎo)的帶狀類型材料中，用于帶狀類型材料表面之間的電和熱傳導(dǎo)。帶狀類型的材料具有長(zhǎng)度、寬度和厚度，并且將碳納米管沿大體與長(zhǎng)度和寬度垂直的方向、沿厚度的方向進(jìn)行設(shè)置。在一些例子中，例如粘合劑、塑料和/或帶狀支架中的絕緣材料的基體材料將設(shè)置中的碳納米管隔開。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例實(shí)施例，碳納米管增強(qiáng)型導(dǎo)電帶適合于電連接集成電路部件。所述帶具有長(zhǎng)度、寬度和厚度，粘合劑材料相對(duì)于厚度位于所述帶的相對(duì)表面處(即，當(dāng)長(zhǎng)度和寬度側(cè)面取向時(shí)，帶的上表面和下表面包括粘合劑材料)。當(dāng)被放置在集成電路部件之間時(shí)，如管芯之間、倒裝芯片應(yīng)用中的管芯和襯底之間、或互連之間，粘合劑材料將帶粘合到集成電路部件中，因此所述帶將集成電路部件粘合到一起。
碳納米管(即，細(xì)絲(filaments))沿所述帶的大體厚度的方向延伸，其中單個(gè)的碳納米管在所述帶的相對(duì)表面每一個(gè)之間延伸。在將所述帶放置在諸如互連之類的導(dǎo)體上時(shí)，碳納米管與其形成電接觸。在每一個(gè)集成電路上的相對(duì)的互連彼此對(duì)齊時(shí)，所述帶中的碳納米管電連接相對(duì)的互連。
在另一個(gè)示例實(shí)施例中，具有橫跨厚度延伸的垂直設(shè)置的碳納米管的粘合劑帶具有側(cè)向的碳納米管，設(shè)置成連接橫跨粘合劑帶的厚度延伸的碳納米管。利用這種方法，形成電連接以偏移跨越所述帶的位置。在這方面，例如，當(dāng)將帶狀粘合劑類型材料連接到相對(duì)的集成電路部件時(shí)，可以使用納米管之間的連接來電連接集成電路部件上的偏移連接器(offsetconnectors)。
在一些示例實(shí)施例中，將碳納米管以相對(duì)精細(xì)的間距(碳納米管之間較小的距離)橫跨粘合劑帶的厚度而設(shè)置。采用這些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的碳納米管比他們的寬度長(zhǎng)得多。在這方面，當(dāng)將所述帶用于將集成電路部件連接在一起時(shí)，碳納米管有利于緊密的設(shè)置以及相應(yīng)地緊密設(shè)置的連接器之間的連接。在一些應(yīng)用中，如用于將集成電路管芯與BGA襯底相連，將碳納米管按照小于約150微米的側(cè)向間隔(間距)進(jìn)行設(shè)置，并且在其他例子中，按照小于100微米的側(cè)向間隔進(jìn)行設(shè)置。在其他相對(duì)較小規(guī)模的應(yīng)用中，如用于連接具有使用光刻技術(shù)形成的導(dǎo)體的襯底，將碳納米管按照小于10微米的間距進(jìn)行設(shè)置。在相對(duì)較小的其他應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)了小于約1微米的碳納米管間距，以及仍然在其他應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)了小于10納米的碳納米管間距。利用這些方法，有利于多種不同類型電路連接器之間的連接。
如本文所述的用于粘合劑帶狀類型材料的碳納米管可以使用各種方法設(shè)置為帶狀。在一些實(shí)現(xiàn)中，將碳納米管從在所述帶中使用的材料沿大體垂直方向生長(zhǎng)。將催化劑材料設(shè)置在需要生長(zhǎng)的地方，并且將含碳?xì)怏w引入到催化劑材料。碳納米管通常遠(yuǎn)離催化材料延伸生長(zhǎng)。在生長(zhǎng)之后，將碳納米管周圍的區(qū)域用基體材料填充，例如所述基體材料包括粘合劑、柔順?biāo)芰?compliant plastics)和絕緣材料中的一種或更多種。例如，使用粘合劑基體材料和/或在表面添加粘合劑材料，所述帶的表面設(shè)置有粘合劑。
在其他實(shí)現(xiàn)中，將碳納米管生長(zhǎng)并且隔開用于粘合劑帶。將已隔開的碳納米管相對(duì)于所述帶的長(zhǎng)度垂直設(shè)置，并且將已分離的碳納米管周圍的區(qū)域如上所述進(jìn)行填充。
關(guān)于碳納米管的一般信息和關(guān)于可以結(jié)合本發(fā)明示例實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的碳納米管生長(zhǎng)方法的特定信息，可以參考M.S.Dresselhaus，G.Dresselhaus和P.C.Eklund的“Science of Fullerenes and CarbonNanotubes”(Academic Press，San Diego，1996)，通過引用將其全文結(jié)合在本文中。
現(xiàn)在轉(zhuǎn)至圖1，圖1示出了根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例、定向傳導(dǎo)帶狀類型材料100的剖面圖。帶狀類型材料100分別具有上表面和下表面102和104，幾個(gè)碳納米管在上表面和下表面之間延伸。碳納米管110、112、114和116如剖面圖所示，其中附加的碳納米管111、113、115和117示出上部暴露的部分，全部均由基體材料120絕緣。碳納米管沿帶狀類型材料100的厚度方向延伸，由維度“t”表示并且相對(duì)所述帶的側(cè)向“L”和寬度方向“W”沿大體垂直的方向延伸。
碳納米管從帶狀類型材料100的上表面102到下表面104延伸，并且橫跨厚度“t”傳熱和導(dǎo)電?；w材料120使碳納米管絕緣，因此減輕了(例如，減小、阻止或防止)帶狀類型材料100的側(cè)向和寬度方向(“L”和“W”)的傳導(dǎo)。
在一些實(shí)現(xiàn)中，上表面102和/或下表面104(分別)包括粘合劑材料，用于粘合集成電路部件，例如芯片或襯底。在一些應(yīng)用中，在表面102和104的一側(cè)或兩側(cè)形成獨(dú)立的粘合劑材料。在一些應(yīng)用中，基體材料120是粘合劑。
取決于應(yīng)用、可用材料和所需特性，基體材料20包括多種材料的一種或更多。如上所述，基體材料120可以包括粘合劑材料以便于連接到集成電路部件。在這方面，可以使用多種粘合劑。在應(yīng)用理想地包括柔性帶狀類型材料的情況下，基體材料120通常是柔性材料。在對(duì)集成電路部件的不均勻表面實(shí)現(xiàn)帶狀類型材料100的情況下，或者在柔軟材料不另外要求時(shí)，基體材料120是適應(yīng)性材料，適合于推或擠壓在集成電路部件的表面結(jié)構(gòu)中和/或周圍。利用這些和其他方法，用于基體材料120的材料可以包括以下的一種或更多塑料、粘合劑、膠水、環(huán)氧樹脂、熱塑性塑料、硅樹脂、油脂、油或樹脂。另外，在基體材料120中選擇性地使用填充材料用于多種目的，如穩(wěn)定性或熱傳導(dǎo)性，并且填充材料可以包括諸如硅石(silica)和碳納米管粉末之類的材料。
在另一個(gè)示例實(shí)施例中，在帶狀類型材料100的碳納米管之間形成側(cè)向?qū)щ娺B接。作為示例(并且因此如虛線所示)，側(cè)向?qū)щ娺B接器130在碳納米管110和112之間延伸?？梢允褂锰技{米管或其他導(dǎo)電材料實(shí)現(xiàn)側(cè)向?qū)щ娺B接器130。另外，側(cè)向?qū)щ娺B接器可以延伸以連接三個(gè)或更多的碳納米管、沿寬度“W”方向連接碳納米管、或者連接非相鄰的碳納米管(例如，連接碳納米管110和114而無需連接碳納米管112)。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例實(shí)施例、與碳納米基帶狀材料210相連的集成電路封裝布置200的剖面圖?？梢允褂媒Y(jié)合圖1中的帶狀類型材料100所討論的類似方法來實(shí)現(xiàn)所述帶210。采用導(dǎo)體(即，互連)222和232，將相對(duì)的集成電路部件220和230分別設(shè)置成彼此面對(duì)并且由帶210隔開。
當(dāng)將各個(gè)集成電路部件220和230與其間的帶210壓在一起時(shí)，帶210中的碳納米管電連接導(dǎo)體222和232。有代表性的碳納米管212、214、216和218示出為沿大體垂直方向延伸，并且相應(yīng)地在集成電路部件220和230之間沿垂直方向傳導(dǎo)(電和/或熱)。將碳納米管隔開間距(即距離)“p”，所述間距“p”由于碳納米管的相對(duì)納米級(jí)尺寸而是有利的?？梢赃x擇間距“p”以適合具體的需要，如用于提供與相對(duì)緊密的側(cè)向連接器的連接，而不必電連接連接器。以下參考圖3進(jìn)一步討論相對(duì)于其間距“p”包括碳納米管的選擇和設(shè)置的另外示例。
可以將集成電路部件220和230設(shè)置用于多種應(yīng)用，如倒裝芯片應(yīng)用、管芯到襯底應(yīng)用、以及不同部件或芯片上的互連之間的其他一般連接。例如，在采用倒轉(zhuǎn)芯片應(yīng)用實(shí)現(xiàn)的情況下，集成電路部件220是倒裝芯片管芯，而集成電路部件230是封裝襯底，其中碳納米管212、214、216和218將集成電路管芯的電路側(cè)222與封裝襯底232電連接。對(duì)于引線框方法，集成電路部件220和230可以分別用集成電路管芯和引線框來實(shí)現(xiàn)。
在另一個(gè)示例實(shí)施例中，將導(dǎo)電焊盤240設(shè)置在導(dǎo)體232處。導(dǎo)電焊盤包括具有延性金屬，具有有利于將碳納米管212、214、216和218末端嵌入導(dǎo)電焊盤中的特性。碳納米管的這種嵌入有利于碳納米管和導(dǎo)體232之間的導(dǎo)電連接，另外，還可以實(shí)現(xiàn)加強(qiáng)帶210和集成電路部件230之間的物理連接。關(guān)于碳納米管導(dǎo)體的一般信息以及關(guān)于將碳納米管嵌入到導(dǎo)體中的具體信息，可以參考同時(shí)遞交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)No.US779265/US 779253，并且通過引用將其全文結(jié)合在本文中。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例實(shí)施例、具有獨(dú)立地與碳納米基帶狀材料相連的精細(xì)間距連接器的集成電路封裝布置300的剖面圖。集成電路封裝布置300分別具有上集成電路部件320和下集成電路部件330，其中電路連接器彼此面對(duì)。碳納米管基帶310位于上集成電路部件320和下集成電路部件330之間，在選定位置處將集成電路部件電連接在一起。這種帶310可以使用與結(jié)合圖1在上文討論的方法類似的方法來實(shí)現(xiàn)。
上集成電路部件320具有互連322和324，并且下集成電路部件330具有相應(yīng)的互連332和334。碳納米管基帶310具有垂直設(shè)置的碳納米管312和314，分別設(shè)置用于將互連322和332連接在一起以及將互連324和334連接在一起。碳納米管312和314(以及帶中的其他碳納米管，所示為一部分剖面)按照間距“p”間隔，所述間距“p”有利于每一個(gè)集成電路部件上的相鄰互連的獨(dú)立連接。即，帶310的性質(zhì)促進(jìn)垂直傳導(dǎo)，并且減輕或阻止側(cè)向傳導(dǎo)，使得可以在分別在互連322和332之間以及互連324和334之間按照相對(duì)較小的間距實(shí)現(xiàn)獨(dú)立的連接。在一些應(yīng)用中，間距“p”小于約100微米(例如，用于集成電路芯片到BGA襯底的連接)。在其他應(yīng)用中，間距“p”小于約1微米，并且另外在諸如集成電路管芯到管芯連接之類的其他應(yīng)用中，間距“p”小于約10納米。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例實(shí)施例、用于制造集成電路器件的方法的流程圖。在塊410中，將催化劑生長(zhǎng)位置設(shè)置在下部帶狀材料上，如外帶表面類型材料。催化劑生長(zhǎng)位置按照為與集成電路部件相連而選定的間距或距離間隔開(例如，所述間距與特定集成電路芯片上的集成電路連接器之間的距離相對(duì)應(yīng))。在塊420中，在促進(jìn)碳納米管生長(zhǎng)的情況下，將含碳?xì)怏w引入到催化劑材料(例如，經(jīng)由化學(xué)氣相沉積CVD)。在塊430中，從每一個(gè)生長(zhǎng)位置生長(zhǎng)碳納米管，并且在塊440時(shí)，在已生長(zhǎng)的碳納米管周圍形成絕緣帶基材料。例如，可以使用以上討論材料的一種或更多實(shí)現(xiàn)所述絕緣帶基材料，在減少或阻止沿大體側(cè)向(即，碳納米管之間)的導(dǎo)電的同時(shí)，有利于帶基材料與集成電路部件的連接。
在生長(zhǎng)碳納米管并且將帶基材料填充在碳納米管周圍之后，所述帶準(zhǔn)備用于實(shí)現(xiàn)集成電路部件。在這方面，在塊450時(shí)，將所述帶設(shè)置在集成電路部件之間，其中已生長(zhǎng)的碳納米管與集成電路部件上面對(duì)的連接器對(duì)齊(例如，如圖2和圖3所示)。在塊460時(shí)，將集成電路部件壓在一起，其中已對(duì)齊的碳納米管與已對(duì)齊的面對(duì)的連接器電接觸。在一些應(yīng)用中，在塊460時(shí)的施壓包括按照與結(jié)合圖2的材料240所討論的類似方法，將碳納米管的一端或兩端嵌入到延性材料中。一旦壓到一起，所述帶有利于集成電路部件之間的方向特定的傳導(dǎo)，促進(jìn)集成電路部件上的已對(duì)齊連接器之間的熱和電傳導(dǎo)。
上述和圖示的不同實(shí)施例僅通過舉例說明的方式提供，并且不應(yīng)該將其解釋為限制本發(fā)明。基于以上討論和說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該易于理解，在沒有嚴(yán)格地遵循這里所示和所述電學(xué)實(shí)施例和應(yīng)用的情況下，可以做出不同的修改和變化。例如，可以用與碳不同或除了碳之外的材料實(shí)現(xiàn)碳納米管，例如硼。此外，通過示例方式討論的界面布置可以由多種不同類型的材料、設(shè)置和取向來實(shí)現(xiàn)。這些修改和變化沒有脫離本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種定向傳導(dǎo)的粘合劑帶狀布置(100)，包括帶基材料(120)，側(cè)向延伸并且具有相對(duì)的上表面(102)和下表面(104)；多個(gè)大致平行的碳納米管(110-117)，位于帶基材料中，并且在相對(duì)的表面之間延伸；以及其中，將帶基材料和碳納米管設(shè)置成在相對(duì)表面之間導(dǎo)電，以及用于阻止帶基材料中的側(cè)向?qū)щ姟?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布置，還包括位于相對(duì)的上表面和下表面處的粘合劑層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的布置，其中，所述帶基材料包括粘合劑層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布置，其中，所述帶基材料是電絕緣的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的布置，所述帶基材料的電絕緣特征阻止帶基材料中的側(cè)向?qū)щ姟?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布置，其中，所述帶基材料具有長(zhǎng)度、寬度和厚度，所述長(zhǎng)度和寬度在大致的公共平面中側(cè)向延伸，并且所述厚度大致與公共平面垂直地延伸，并且其中，所述碳納米管沿厚度的方向延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布置，其中，將至少一些碳納米管按照小于約1微米的間距間隔開。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布置，其中，將至少一些碳納米管按照小于約10納米的間距間隔開。
9.一種集成電路布置(200)，包括上集成電路部件(220)和下集成電路部件(230)，每一個(gè)部件在面向另一個(gè)集成電路部件的外表面處均具有導(dǎo)電連接器(222、232)；以及定向傳導(dǎo)帶(210)，連接在所述上集成電路部件和所述下集成部件之間，并且側(cè)向延伸，所述定向傳導(dǎo)帶包括上表面和下表面；多個(gè)碳納米管(212、214、216、218)，在所述上表面和所述下表面之間垂直地延伸，并且適合于在所述上集成電路部件和所述下集成電路部件上的導(dǎo)電連接器之間導(dǎo)電；以及絕緣基體材料，位于所述碳納米管的側(cè)向周圍，并且適合于使所述碳納米管電絕緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的布置，其中，所述絕緣基體材料阻止所述帶中的側(cè)向?qū)щ姟?br> 11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的布置，其中，所述絕緣基體材料包括至少以下一種塑料、硅樹脂、環(huán)氧樹脂、熱塑性塑料和膠水。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的布置，其中，至少一些碳納米管按照小于約1微米的間距間隔開。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的布置，其中，至少一些碳納米管按照小于約10納米的間距間隔開。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的布置，其中，所述定向傳導(dǎo)帶的上表面和下表面的至少一個(gè)是粘合劑材料，被配置和設(shè)置成用于粘合到集成電路部件之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的布置，其中，位于至少一個(gè)集成電路部件的外表面處的導(dǎo)電連接器是互連。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的布置，其中，位于至少一個(gè)集成電路部件的外表面處的導(dǎo)電連接器是與所述至少一個(gè)集成電路部件中的電路電連接的導(dǎo)電焊盤。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的布置，其中，將至少一個(gè)碳納米管的一端嵌入到導(dǎo)電連接器中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的布置，其中，通過所述至少一個(gè)碳納米管的端部的嵌入，將所述定向傳導(dǎo)帶粘合到所述至少一個(gè)集成電路部件上。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的布置，其中，將多個(gè)碳納米管嵌入到上集成電路部件和下集成電路部件處的各自導(dǎo)電連接器中。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的布置，其中，將所述碳納米管嵌入到導(dǎo)電連接器的延性金屬中。
21.根據(jù)權(quán)利要求9所述的布置，其中，所述上電路部件是集成電路管芯，以及所述下電路部件是襯底。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的布置，其中，所述上電路部件是具有電路側(cè)、相對(duì)的背面?zhèn)群臀挥谒鲭娐穫?cè)的外表面處的多個(gè)連接器的倒裝芯片管芯，并且，其中所述下電路部件是適合于與倒轉(zhuǎn)芯片管芯電連接的封裝襯底，所述倒裝芯片管芯的電路面朝下位于所述帶上。
23.根據(jù)權(quán)利要求9所述的布置，其中，碳納米管的相鄰碳納米管將上集成電路部件的外表面處的不同導(dǎo)電連接器與下集成電路部件的不同導(dǎo)電連接器相連。
24.一種用于制造集成電路布置的方法，所述方法包括提供多個(gè)大致平行的碳納米管(410、420、430)；在所述碳納米管周圍形成帶基材料(440)，并且?guī)Щ牧?440)使所述碳納米管絕緣，所述帶基材料具有相對(duì)的上表面和下表面，并且沿大致側(cè)面的方向延伸，所述碳納米管在所述上表面和所述下表面之間延伸；將所述帶基材料布置在所述上集成電路部件和所述下集成電路部件之間(450)，并且采用帶基材料中的碳納米管，將所述上集成電路部件上的外部連接器與下集成電路布置上的外部導(dǎo)體相連(460)。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述帶基材料和所述碳納米管被配置和設(shè)置成沿基本垂直的方向?qū)щ?，并且阻止沿?cè)向的導(dǎo)電。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，提供多個(gè)大致平行的碳納米管包括在下部帶基材料上設(shè)置催化劑材料；以及從催化劑材料沿大致平行的方向生長(zhǎng)碳納米管。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，形成所述帶基材料包括在生長(zhǎng)碳納米管之后，在所述下部帶基材料上形成帶基材料。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，還包括在所述帶基材料的表面處形成粘合劑材料；以及采用所述粘合劑將所述帶基材料與上集成電路部件和下集成電路部件之一相連。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，還包括通過將至少一個(gè)碳納米管的一端嵌入到上集成電路部件和下集成電路部件至少之一處的導(dǎo)體中，將所述帶基材料與上集成電路部件和下集成電路部件的至少之一相連。
全文摘要
一種帶狀粘合劑類型材料定向傳導(dǎo)。根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例，將碳納米管(212、214、216、218)按照大體平行的布置配置在帶基類型材料(210)中。所述碳納米管沿其大體平行方向傳導(dǎo)(例如導(dǎo)電和/或?qū)?，并且所述帶基類型材料阻止沿大體側(cè)向的傳導(dǎo)。在一些實(shí)現(xiàn)中，將所述帶基材料設(shè)置在所述集成電路部件(220、230)之間，采用所述碳納米管形成其間的傳導(dǎo)連接。該方法可應(yīng)用于將多種部件連接在一起，如將集成電路管芯(倒裝芯片和傳統(tǒng)管芯)連接到封裝襯底、彼此連接、和/或連接到引線框。
文檔編號(hào)C09J7/00GK101094901SQ200580045674
公開日2007年12月26日 申請(qǐng)日期2005年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月4日
發(fā)明者克里斯·懷蘭德 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司