螺芴衍生物，發(fā)光元件用材料，發(fā)光元件，發(fā)光設(shè)備和電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供具有高Tg和寬能隙的材料。本發(fā)明提供由通式1表示的螺芴衍生物。在該通式中，R1是氫、含1-4個碳原子的烷基或由通式2表示的基團(tuán)中的任一種。R2和R3中的每一個是氫或含1-4個碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15個碳原子的芳基。R5和R6中的每一個是氫、含1-4個碳原子的烷基或含6-15個碳原子的芳基中的任一種并且可以是相同或不同的。
【專利說明】螺芴衍生物，發(fā)光元件用材料，發(fā)光元件，發(fā)光設(shè)備和電
子設(shè)備
[0001]本申請為申請?zhí)枮?00680035328.0、申請日為2006年9月22日、發(fā)明名稱為“螺芴衍生物，發(fā)光元件用材料，發(fā)光元件，發(fā)光設(shè)備和電子設(shè)備”的專利申請的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及新型材料。具體來說，本發(fā)明涉及理想用于發(fā)光元件的材料，在該發(fā)光元件中，有機(jī)化合物用于至少一個部件。此外，本發(fā)明涉及包括所述材料的發(fā)光元件，發(fā)光設(shè)備和電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0003]已經(jīng)開發(fā)了使用發(fā)光元件的發(fā)光設(shè)備，該發(fā)光元件包括在一對電極之間的含有機(jī)材料的層并且當(dāng)電流在該電極之間流動時發(fā)光。與現(xiàn)在稱作薄顯示設(shè)備的其它顯示設(shè)備相t匕，此種發(fā)光設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)是薄且輕。此種設(shè)備還具有高的可見度，原因在于它是自發(fā)光元件，并且具有快的響應(yīng)速度。因此，已經(jīng)積極地開發(fā)這種發(fā)光設(shè)備作為下一代顯示設(shè)備，并且已經(jīng)部分地投入實(shí)際使用。
[0004]在電極之間提供的含有機(jī)化合物的層可以具有包括一個發(fā)光層的單層結(jié)構(gòu)或包括彼此具有不同功能的層的層狀結(jié)構(gòu)，然而，通常使用后一種(功能獨(dú)立型層狀結(jié)構(gòu))。作為功能獨(dú)立型層狀結(jié)構(gòu)的一個實(shí)例，其中空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層順序地堆疊在充當(dāng)陽極的電極上的結(jié)構(gòu)是典型的，并且每個層是使用對每種功能特異的材料形成的。應(yīng)指出，可以使用具有這些作用中兩種或更多種的層，如既發(fā)揮發(fā)光層作用又發(fā)揮電子傳輸層作用的層或具有另一種作用的層如載流子阻擋層。
[0005]用于這些功能層的材料要求是對每個層發(fā)揮的作用特異性的材料并且要求具有高的耐熱性，原因在于該材料的耐熱性本身極大地影響發(fā)光元件的耐熱性。當(dāng)形成層狀結(jié)構(gòu)時，還要求該材料是不會不利地影響另一個層的材料，并且已經(jīng)進(jìn)行研究以找到更好的材料。例如，因?yàn)槌Ｓ米骺昭ㄗ⑷氩牧匣蚩昭▊鬏敳牧系?，4’ -雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫:TPD)具有67°C的低玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)并具有低的耐熱性，已經(jīng)提出了通過用萘基取代TPD中的甲基苯基以使Tg提高到96°C而形成的4，4’-雙[N- (1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫NPB)并且廣泛地得到使用(例如，參考文獻(xiàn)l.S.A.VanSlyke, C.H.Chen, and C.ff.Tang, “具有改進(jìn)的穩(wěn)定性的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備”，Appl.Phys.Lett.69 (15)，1996 年 10 月 7 日)。
[0006]然而，雖然NPB具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)，但是其能隙較低。因此，TH)發(fā)射紫區(qū)域的光，而NPB發(fā)射藍(lán)區(qū)域的光。換言之，NPB可以說成是通過犧牲其能隙而獲得比TPD好的Tg的材料。NPB和TH)通常用于空穴傳輸層，并且在很多情況下，與發(fā)光層相鄰地提供。在此情況下，如果鄰近提供的空穴傳輸層的能隙較小，則存在激發(fā)能將從發(fā)光材料或在該發(fā)光層中激發(fā)的主體材料轉(zhuǎn)移至空穴傳輸層的風(fēng)險。當(dāng)激發(fā)能從發(fā)光層轉(zhuǎn)移到相鄰層時，發(fā)光元件的發(fā)光效率發(fā)生惡化，或色純度降低。發(fā)光元件的發(fā)光效率的降低，和色純度的減少在使用該發(fā)光元件的發(fā)光設(shè)備或電子設(shè)備中分別引起功耗的提高和顯示質(zhì)量的下降。因此，與發(fā)光層接觸的層令人希望地具有盡可能大的能隙。
[0007]發(fā)明公開
[0008]考慮到上述情況，本發(fā)明的目的是提供具有足夠的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)和足夠的帶隙的新型材料。本發(fā)明的另一個目的是提供發(fā)光元件用材料，該材料具有足夠的耐熱性和足夠的帶隙。
[0009]形成空穴傳輸層的材料希望具有盡可能高的能隙，該空穴傳輸層如上所述通常與發(fā)光層相鄰地形成。然而，已經(jīng)對具有有利的空穴傳輸性能、高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)，此外還有大的能隙的材料報道的不多。
[0010]因此，本發(fā)明的一個目的是提供具有足夠的空穴傳輸性能、足夠大的能隙和高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的作為形成空穴傳輸層的材料的新型材料。
[0011]此外，本發(fā)明的另一個目的是提供發(fā)光元件用材料，該材料具有作為形成空穴傳輸層的材料的足夠的空穴傳輸性能、足夠大的能隙和高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。
[0012]本發(fā)明的另一個目的是提供具有高耐熱性的發(fā)光元件。本發(fā)明的又一個目的是提供具有高的發(fā)光效率的發(fā)光元件。
[0013]本發(fā)明的另一個目的是提供具有高的耐熱性的發(fā)光設(shè)備。本發(fā)明的又一個目的是提供具有小功耗的發(fā)光設(shè)備。
[0014]本發(fā)明的目的是提供具有高的耐熱性的電子設(shè)備。本發(fā)明的又一個目的是提供具有小功耗的電子設(shè)備。本發(fā)明的又一個目的是提供具有高顯示質(zhì)量的電子設(shè)備。
[0015]本發(fā)明的一個特征是由通式I表示的螺芴衍生物。(在該通式中，R1是氫、含1-4個碳原子的烷基或由通式2表示的基團(tuán)`中的任一種。R2和R3中的每一個是氫或含1-4個碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15個碳原子的芳基。R5和R6中的每一個是氫、含1-4個碳原子的烷基或含6-15個碳原子的芳基中的任一種并且可以是相同或不同的。)
[0016]
【權(quán)利要求】
1.由通式7表示的螺芴衍生物， 其中R19是氫、含1-4個碳原子的烷基和由通式8表示的基團(tuán)中的任一種； 其中R2tl和R21中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的； 其中R22是氫、含1-4個碳原子的烷基和含6-15個碳原子的芳基中的任一種；和其中R23和R24中的每一個是氫、含1-4個碳原子的烷基和含6-15個碳原子的芳基中的任一種，并且是相同或不同的
2.根據(jù)權(quán)利要求1的螺芴衍生物，其由通式13表示， 其中R37是氫、含1-4個碳原子的烷基和由通式14表示的基團(tuán)中的任一種；和 其中R38和R39中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的
3.根據(jù)權(quán)利要求2的螺芴衍生物，其由通式19表示， 其中R46和R47中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的
4.根據(jù)權(quán)利要求2的螺芴衍生物，其由通式22表示， 其中R52和R53中的每一個是氫和含1-4個碳原子的烷基中的任一種并且是相同或不同的
5.由結(jié)構(gòu)式25表示的螺芴衍生物
6.由結(jié)構(gòu)式26表示的螺芴衍生物
7.包含根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的螺芴衍生物的發(fā)光元件用材料。
8.包含根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的螺芴衍生物的發(fā)光元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光元件,其中該螺荷衍生物包含在該發(fā)光元件的空穴傳輸層中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光元件，其中該螺芴衍生物包含在該發(fā)光元件的空穴注入層中。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光元件,其中該螺荷衍生物包含在該發(fā)光元件的發(fā)光層中作為主體材料。
12.發(fā)光設(shè)備，包括:根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光元件；和控制該發(fā)光元件發(fā)射光的控制電路。
13.電子設(shè)備， 包括:使用根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光元件的顯示部分；和控制該發(fā)光元件發(fā)射光的控制電路。
【文檔編號】C07C209/10GK103641726SQ201310493061
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2006年9月22日 優(yōu)先權(quán)日:2005年9月30日
【發(fā)明者】川上祥子, 中島晴惠 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所