專利名稱：用于制備異氰酸酯的方法和裝置的制作方法
用于制備異氰酸酯的方法和裝置本發(fā)明涉及一種用于制備異氰酸酯的方法，通過使相應的胺與光氣在氣相中任選地在惰性介質的存在下反應而進行，其中將所述胺在蒸發(fā)器中蒸發(fā)并與光氣混合，所述胺和光氣在反應器中轉化成異氰酸酯。通過光氣化相應的胺制備異氰酸酯原則上可通過液相或氣相光氣化實現。氣相光氣化的特點在于更高的選擇性、更低的有毒光氣滯留量(holdup)，并且所需的能量較低。在氣相光氣化中，將含有胺的反應物流和含有光氣的反應物流各自以氣態(tài)混合。 所述胺和光氣反應，釋放出氯化氫(HCl)，生成相應的異氰酸酯。含有胺的反應物流通常存在于液相中，且在與含有光氣的反應物流混合前必須使其蒸發(fā)并任選地過熱。在氣相中制備異氰酸酯的相應方法在如EP-A 1 319 655, EP-A 1 555 258、EP-A 1 935 876 或 EP-A 0 289 840 中有描述。為了在氣相中混合含有胺的反應物流和含有光氣的反應物流，需要首先蒸發(fā)該含有胺的反應物流。合適的蒸發(fā)器在如EP-A 1 754 698中有公開。然而，用于氣相光氣化的已知方法的一個缺點是在蒸發(fā)器和混合單元間形成固體沉積物，這使得需要清理系統。導致這一點的原因是與蒸發(fā)的胺相接觸的表面在局部或整個區(qū)域內其溫度低于氣體混合物的露點溫度。胺凝結在這些表面上，由于較長的停留時間和較高的溫度而逐漸裂解(crack)，從而在表面上形成沉積物。這些沉積物可能增長而形成覆蓋層或由于夾帶固體組分而導致下游設備部件——如混合噴嘴——的阻塞。因此需要定期清理。為此需要關閉設備。由冷凝并裂解的胺形成的沉積物例如可能在蒸發(fā)器的壁上和下游管道和裝置——諸如分滴器或傳熱器——上產生。在胺供給線內表面上溫度低于露點限的原因有例如管道和裝置中的熱損失，或更冷的氣態(tài)惰性氣流的加入。尤其是接近熱橋處和在氣流的死區(qū)中，冷凝物形成的風險特別大。氣流的死區(qū)例如可由于測量孔(例如用于壓力測量或溫度測量)或由于控制單元如旋塞或閥門而產生。然而，在粗糙表面上或者裂縫或裂痕處固體沉積物的形成也會增加。因此本發(fā)明的一個目的是提供一種用于制備異氰酸酯的方法，該方法通過在氣相中使相應的胺與光氣反應而進行，通過該方法可防止在胺供給線至混合單元發(fā)生阻塞，所述阻塞需要進行清理并因此需要使設備停車。該目的通過一種用于制備異氰酸酯的方法實現，該方法通過使相應的胺與光氣在氣相中任選地在惰性介質的存在下反應而進行，其中使所述胺在蒸發(fā)器中蒸發(fā)以得到含有胺的氣流，將光氣混入該含有胺的氣流中，并使所述胺和光氣在反應器中轉化成異氰酸酯， 其中使與氣態(tài)胺相接觸的表面的溫度保持在高于含有胺的氣流的露點限。與氣態(tài)胺相接觸的表面是，例如用于通過使相應的胺與光氣反應制備異氰酸酯的裝置、組件和裝置中管道的表面。使用的裝置是，例如混合單元、傳熱器或反應器；組件是， 例如閥門、旋塞、或測量和控制單元。保持與氣態(tài)胺相接觸的表面的溫度高于含有胺的氣流的露點限的合適方法是，例如(a)過熱氣態(tài)胺物流以排除由熱損失引起的局部降至露點以下，
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(b)使管道和裝置隔熱以使熱損失最小化，(c)加熱管道和裝置以防止局部降至露點以下，(d)通入控制溫度的惰性氣流以提高含有胺的氣體混合物的露點。上述方法可單獨實施或以兩種以上的任意組合實施。本發(fā)明的方法防止或顯著減少了用于制備異氰酸酯的設備壁上的沉積物的形成。此外，固體沉積物也可通過結構方法防止或減少。在給定壓力下胺從含有胺的氣流中冷凝出的溫度分別理解為含有胺的氣流的露點限或露點溫度。通過在氣相中使相應的胺與光氣反應制備異氰酸酯的合適裝置包括一個用于蒸發(fā)胺的蒸發(fā)器和一個實施反應的反應器，和所述蒸發(fā)器和反應器的連接裝置。根據本發(fā)明， 可能與氣態(tài)胺發(fā)生接觸的表面提供有不會被胺潤濕并且根據DIN ISO 4287的平均粗糙度深度Rz不大于10 μ m的涂層，并且/或者所述裝置沒有死區(qū)或熱橋。使用本發(fā)明的裝置可防止在可能與氣態(tài)胺發(fā)生接觸的設備組件上形成沉積物，例如在胺蒸發(fā)器的表面、連接蒸發(fā)器至反應器的管道和反應器的表面上。使胺物流過熱可防止存在熱損失時溫度降低至露點溫度以下。如果進行合適的設計，過熱可在蒸發(fā)器中完成。然而，由于在高溫下胺的熱分解，優(yōu)選使胺物流的過熱最小化。 管道和裝置的隔熱使得熱損失最小化，從而使必要的過熱保持在較小。已發(fā)現與冷凝限的有利溫差至少為5K、優(yōu)選至少為IOK且更優(yōu)選至少為20K。這尤其能防止局部溫度降低至冷凝限以下，尤其是在熱橋或流動死區(qū)處。防止在與氣態(tài)胺相接觸的表面上出現冷凝物的另一個非常有效的方法是對裝置和管道進行伴熱以確保與氣態(tài)胺相接觸的表面的表面溫度高于露點溫度。用這種方法可防止或甚至補償熱損失。調整伴熱以形成高于冷凝限至少5K、優(yōu)選至少IOK且更優(yōu)選至少20K 的表面溫度。表面的伴熱例如可通過設計具有夾套的壁或使用蛇管使加熱介質流過或通過電加熱而實現。將控制溫度的惰性氣體通入胺物流中使胺的分壓降低并由此使氣體混合物的露點升高。使用的惰性介質可以是，例如氮氣，惰性氣體諸如氦氣或氬氣，芳香族化合物諸如氯苯、鄰二氯苯、三氯苯、甲苯、二甲苯、氯萘、萘烷，二氧化碳、一氧化碳，及其混合物。優(yōu)選使用氮氣和/或氯苯。調整供給的惰性氣體的溫度使得混合溫度與冷凝限存在至少漲、優(yōu)選至少10K且更優(yōu)選至少20Κ的溫度差。與本領域已知方法相比，通過本發(fā)明方法防止形成沉積物使得用于制備異氰酸酯的設備的使用壽命增加。不需要頻繁的停車以清理設備。為了制備異氰酸酯，將光氣和胺優(yōu)選地首先供入混合區(qū)域，在該區(qū)域中胺和光氣混合而得到反應混合物。隨后，將該反應混合物供至反應器中，在其中實現向異氰酸酯的轉化。胺和光氣在反應器中的轉化在氣相中進行。為此，反應器中的絕對壓力優(yōu)選在0.3至 5bar范圍內、更優(yōu)選在0. 8至3. 5bar范圍內。溫度優(yōu)選在250至550°C范圍內，特別是在 300至500°C范圍內。為了能在氣相中實施該反應，將胺和光氣以氣態(tài)形式加入。為此，所述胺的溫度優(yōu)選在200至400°C范圍內。加入的胺的絕對壓力優(yōu)選在0.05至!Bbar范圍內。加入的光氣的溫度優(yōu)選在250至500°C范圍內。為此，通常將光氣在加入前以本領域技術人員已知的方
4法進行加熱。為了加熱光氣和胺并為了蒸發(fā)胺，使用例如電加熱或通過燃料燃燒進行直接或間接加熱。使用的燃料通常為燃氣，例如天然氣。然而，由于蒸發(fā)過程中壓力降低，從而使胺的沸騰溫度降低，通過蒸汽加熱也是可行的。此處蒸汽的壓力根據胺的沸騰溫度選擇。蒸汽的合適蒸汽壓例如在40至IOObar范圍內。其導致蒸汽的溫度在250至311°C范圍內。通常，需要在多個步驟中加熱胺至反應溫度。為了該目的，通常首先將胺預熱，然后蒸發(fā)，然后再過熱。通常，蒸發(fā)占據最長的停留時間并因此導致胺的分解。為了使胺的分解最小化，例如由更低的壓力產生的在更低溫度下的蒸發(fā)是有利的。為了在蒸發(fā)后將蒸發(fā)的胺過熱至反應溫度，用蒸汽加熱通常是不夠的。因此為了過熱，通常使用電加熱或通過燃料燃燒進行直接或間接加熱。由于胺的高沸騰溫度以及造成的與環(huán)境的較大溫差，設備部件(例如連接蒸發(fā)器與反應器的管道)或反應器部件(例如供給線或供給噴嘴)的壁的溫度可能低于胺的蒸發(fā)溫度。這導致胺從氣流中冷凝至壁上。冷凝的液滴附著于壁上并由于高溫導致固體和沉積物的形成。所述沉積物例如減小了管道橫截面，在某些情況下，對于非常小的直徑，管道橫截面可能被完全阻塞。這使得需要定期清理設備部件。本發(fā)明的方法減少或防止所述沉積物的形成，從而可獲得更長的設備使用壽命。與胺的蒸發(fā)形成對比的是，光氣通常在明顯更低的溫度下蒸發(fā)。為此，通?？墒褂谜羝舭l(fā)光氣。然而，為了將光氣加熱至反應溫度而對光氣進行必要的過熱通常也可只通過電加熱或通過燃料燃燒進行直接或間接加熱而進行。 用于胺的光氣化來制備異氰酸酯的反應器是本領域技術人員所已知的。通常，使用的反應器是管式反應器。在反應器中，胺與光氣反應得到相應的異氰酸酯和氯化氫。通常，將光氣過量加入，使得在反應器中形成的反應氣，除了形成的異氰酸酯和氯化氫外，還包括光氣。可用于制備異氰酸酯的胺是一元胺、二元胺、三元胺或更高官能度胺。優(yōu)選使用一元胺或二元胺。根據使用的胺，獲得相應的單異氰酸酯、二異氰酸酯、三異氰酸酯或更高官能度異氰酸酯。優(yōu)選通過本發(fā)明方法制備單異氰酸酯或二異氰酸酯。二元胺和二異氰酸酯可以是脂族的、脂環(huán)族的(cycloaliphatic)或芳族的。脂環(huán)族異氰酸酯是包括至少一個脂環(huán)族環(huán)體系的異氰酸酯。脂族異氰酸酯是只具有鍵合至直鏈或支鏈的異氰酸酯基團的異氰酸酯。芳族異氰酸酯是具有至少一個鍵合至至少一個芳環(huán)體系的異氰酸酯基團的異氰酸酯。術語“脂(環(huán))族異氰酸酯”在下文用于脂環(huán)族和/或脂族異氰酸酯。芳族的單異氰酸酯和二異氰酸酯的實例優(yōu)選為合有6至20個碳原子的那些，例如異氰酸苯酯、單體類2，4’-和/或4，4’-亞甲基-二(異氰酸苯酯)(MDI)、2，4-和/或2， 6-亞芐基二異氰酸酯(TDI)和1，5-或1，8-萘基二異氰酸酯(NDI)。脂(環(huán))族二異氰酸酯的實例是脂族二異氰酸酯，例如1，4_四亞甲基二異氰酸酯、1，6_六亞甲基二異氰酸酯(1，6_ 二異氰酸根合己烷)、1，8_八亞甲基二異氰酸酯、1， 10-十亞甲基二異氰酸酯、1，12-十二亞甲基二異氰酸酯、1，14-十四亞甲基二異氰酸酯、1， 5- 二異氰酸根合戊烷、新戊烷二異氰酸酯、賴氨酸二異氰酸酯衍生物、四甲基亞二甲苯基二異氰酸酯(TMXDI)、三甲基己烷二異氰酸酯或四甲基己烷二異氰酸酯，以及3 (或4)，8 (或 9)_ 二(異氰酸甲酯基)三環(huán)[5. 2. 1.02’6]癸烷異構體混合物；和脂環(huán)族二異氰酸酯如1， 4-、1，3_或1，2_ 二異氰酸根合環(huán)己烷、4，4’_或2，4’_ 二(異氰酸根合環(huán)己基)甲烷、異氰酸根合_3，3，5-三甲基-5-(異氰酸甲酯基)環(huán)己烷(異佛爾酮二異氰酸酯)、1，3-或1，
4-二(異氰酸甲酯基)環(huán)己烷、2，4_或2，6_二異氰酸根合-1-甲基環(huán)己烷。優(yōu)選的脂(環(huán))族二異氰酸酯是1，6_ 二異氰酸根合己烷、1-異氰酸根合_3，3，
5-三甲基-5-(異氰酸甲酯基)環(huán)己烷和4，4’_二(異氰酸根合環(huán)己基)甲烷。特別優(yōu)選 1,6- 二異氰酸根合己烷、1-異氰酸根合_3，3，5-三甲基-5-(異氰酸甲酯基)環(huán)己烷和4， 4’ - 二(異氰酸根合環(huán)己基)甲烷。本發(fā)明方法中用于反應而得到相應異氰酸酯的胺是這樣的胺所述胺、相應的中間體和相應的異氰酸酯在選定的反應條件下以氣態(tài)形式存在。優(yōu)選的是在反應條件下在反應期間分解的程度最多為2mol%、更優(yōu)選最多為Imol %且最優(yōu)選最多為0. 5mol%的胺。這里特別合適的胺尤其是基于具有2至18碳原子的脂(環(huán))族烴的二元胺。其實例有1，6_二氨基己烷、1，5_ 二氨基戊烷、1，3_ 二(氨基甲基)環(huán)己烷、1-氨基-3，3，5-三甲基-5-氨基甲基環(huán)己烷(IPDA)和4，4_ 二氨基二環(huán)己基甲烷。優(yōu)選使用1，6_ 二氨基己烷(HDA)。對于本發(fā)明的方法，也可使用可轉化成氣相而沒有明顯分解的芳族胺。優(yōu)選的芳族胺的實例有甲苯二胺(TDA)，例如以2，4或2，6異構體或其混合物形式，例如80 20 至65 ；35(11101/11101)的混合物，二氨基苯、2，6-二甲代苯胺、萘二胺(冊幻和2，4’-或4， 4’ -亞甲基(二苯基二胺)(MDA)，或其異構體混合物。其中優(yōu)選二胺，特別優(yōu)選2，4_和/ 或 2，6-TDA 或 2，4，-禾口 / 或 4，4，-MDA。為了制備單異氰酸酯，也可使用脂族、脂環(huán)族或芳族胺，通常為一元胺。優(yōu)選的芳族一元胺尤其是苯胺。在氣相光氣化中，希望的是在反應過程中存在的化合物，即反應物(胺和光氣)、 中間體(尤其是作為中間體而形成的氨基甲酰氫氯化物和胺氫氯化物)、終產物(二異氰酸酯)和計量加入的任意惰性化合物，在反應條件下保持在氣相中。萬一這些或其他組分從氣相中沉積于例如反應器壁或其他裝置組件上，這些沉積物可能會不利地改變傳熱或穿過受影響組件的流動。在由游離氨基和氯化氫形成的胺氫氯化物存在時尤其如此，因為得到的胺氫氯化物容易沉淀且再度蒸發(fā)困難。除了使用管式反應器外，還可使用基本立方形的反應室，例如板式反應器。反應器可具有任意所需的不同截面。為了防止反應中副產物的形成，優(yōu)選過量供給光氣。為了只供給反應所需比例的胺，可將胺和惰性氣體混合。可用胺中惰性氣體的比例來調整給定幾何形狀的胺和光氣進料口處所供給的胺的量。可添加的惰性介質是在反應室中以氣態(tài)形式存在且不與在反應過程中存在的化合物反應的物質。使用的惰性介質可以是，例如氮氣，惰性氣體諸如氦氣或氬氣，芳香族化合物諸如氯苯、鄰二氯苯、三氯苯、甲苯、二甲苯、氯萘、萘烷，二氧化碳或一氧化碳。然而，優(yōu)選使用氮氣和/或氯苯作為惰性介質。然而另一方面，例如為了避免光氣過量太多，也可向光氣中添加惰性介質。通常，惰性介質的加入量為使惰性介質與胺或與光氣的氣體體積的比例小于 0. 0001至30，優(yōu)選小于0. 01至15且更優(yōu)選小于0. 1至5。
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可防止冷凝出的胺附著的合適涂料有，例如包含SiOx的涂料，諸如購自Restec Corporation 的 Silcosteel 涂料。當通過加熱表面來防止胺在相應表面上冷凝時，將可能與胺發(fā)生接觸的表面的溫度優(yōu)選加熱至高于含有胺的氣體混合物的冷凝限至少5K，更優(yōu)選至少10K，尤其是至少 15K。該冷凝限通過胺管線中的壓力和氣體混合物中惰性氣體含量來測定。例如當氣流中胺的比例增加或用于制備異氰酸酯的裝置在相對較高的壓力下運行時，同樣地也需要增加可能與胺發(fā)生接觸的表面所加熱到的溫度。所述表面可通過本領域技術人員已知的任意加熱方法加熱。優(yōu)選使用電加熱元件加熱表面。使用電加熱元件的優(yōu)勢是其可以簡易方式設定至指定溫度。為了減少或防止不期望的副產物的形成，以及為了抑制形成的異氰酸酯的分解， 優(yōu)選在反應后立即在驟冷器中冷卻反應氣。為此，加入通常為液體的驟冷介質。由于驟冷介質的蒸發(fā)，其吸收熱量并導致反應氣的迅速冷卻。驟冷介質的加入導致反應氣和驟冷介質的混合物成為產物流。迅速冷卻尤其通過添加細霧形式的驟冷介質實現。因此，所述驟冷介質具有大的表面積且可迅速地吸收熱量并由此冷卻反應氣。根據本發(fā)明，所述驟冷介質以溫度高于反應氣冷凝溫度的液態(tài)形式加入。為了防止驟冷介質的過早蒸發(fā)，與驟冷空間中的壓力相比可能需要增加進料管線中的壓力。之后可通過噴嘴本身或其他合適的控制單元解壓至驟冷空間中的壓力。驟冷介質的減壓和與熱反應氣的混合實現驟冷介質的加熱和/或部分或完全蒸發(fā)。該過程中吸收的熱量導致反應氣的冷卻。尤其在使用在驟冷空間中的條件下沸騰溫度低于反應氣冷凝溫度的驟冷介質的情況下，與驟冷空間中的壓力相比提高進料管線中的壓力以防止驟冷介質在加入驟冷空間之前蒸發(fā)。驟冷介質加入時的壓力優(yōu)選在1至20bar范圍內，更優(yōu)選在1至IObar范圍內，尤其在1至m^ar范圍內。用于冷卻的驟冷介質優(yōu)選地包括一種選自以下的溶劑單氯苯、二氯苯、三氯苯、 己烷、苯、1，3，5-三甲基苯、硝基苯、苯甲醚、氯甲苯、鄰二氯苯、間苯二甲酸二乙基酯、四氫呋喃、二甲基甲酰胺、二甲苯、氯萘、萘烷和甲苯。在本發(fā)明的一個實施方案中，驟冷之后可進行其他步驟來冷卻反應氣。在用于冷卻的各個步驟中，各自對反應氣進行進一步冷卻，直至達到所需的最終溫度，在該溫度下將反應氣輸送至例如下游進行后處理。在一個實施方案中，至少一個在驟冷之后用于冷卻反應氣的步驟是進一步驟冷。例如，可優(yōu)選在超過130°C的溫度下，用溶劑洗滌離開驟冷及其后可能的冷卻步驟的反應氣。合適的溶劑有，例如也可用作驟冷介質的相同物質。在洗滌過程中，異氰酸酯選擇性地轉移到洗滌溶液中。接下來，將殘余氣體和生成的洗滌溶液優(yōu)選地通過精餾分離成異氰酸酯、溶劑、光氣和氯化氫。離開反應器的氣體混合物優(yōu)選地在滌氣塔中洗滌，通過在惰性溶劑中冷凝從氣態(tài)的氣體混合物中移出形成的異氰酸酯，同時過量的光氣、氯化氫和如果合適惰性介質以氣態(tài)形式穿過后處理裝置。優(yōu)選保持惰性溶劑的溫度高于相應于所述胺的氨基甲酰氯在選定的洗滌介質中的溶解溫度。惰性溶劑的溫度更優(yōu)選地保持在高于相應于所述胺的氨基甲酰氯的熔化溫度。洗滌可在本領域技術人員已知的任意所需裝置中進行。例如，攪拌容器或其他常規(guī)裝置均是合適的，諸如塔或混合器-沉降器裝置。離開反應器的反應氣通常如WO-A 2007/(^8715中所述進行洗滌和后處理。如以上所述，涂料優(yōu)選地包括SiOx。在另一個優(yōu)選實施方案中，還包括用于加熱可能與氣態(tài)胺發(fā)生接觸的表面的裝置。用于加熱所述表面的合適裝置尤其是電加熱元件。然而，使用具有相應加熱介質的夾套加熱器的實施方案也是可行的?？赡芘c氣態(tài)胺發(fā)生接觸的表面有，例如蒸發(fā)器和反應器的表面，和氣態(tài)胺流經的管壁。用于加熱表面的裝置的使用使得可保持表面溫度高于含有胺的氣體混合物的冷凝溫度，由此可防止胺冷凝出。其還防止在表面上形成沉淀物。
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權利要求
1.一種用于制備異氰酸酯的方法，通過使相應的胺與光氣在氣相中任選地在惰性介質的存在下反應而進行，其中使所述胺在蒸發(fā)器中蒸發(fā)以得到含有胺的氣流，將光氣混入該含有胺的氣流中，并使所述胺和光氣在反應器中轉化成異氰酸酯，其中使與氣態(tài)胺相接觸的表面的溫度保持在高于含有胺的氣流的露點限。
2.根據權利要求1所述的方法，其中通過實現至少一種以下特征使與氣態(tài)胺相接觸的表面的溫度保持在高于含有胺的氣流的露點限(a)過熱氣態(tài)胺物流以排除由熱損失引起的局部降至露點以下，(b)使管道和裝置隔熱以使熱損失最小化，(c)加熱管道和裝置以防止局部降至露點以下，(d)通入控制溫度的惰性氣流以提高含有胺的氣體混合物的露點。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其中可能與所述胺發(fā)生接觸的表面所加熱到的溫度為高于含有胺的氣流的冷凝溫度至少漲。
4.根據權利要求2或3所述的方法，其中所述表面使用電加熱元件或夾套加熱器加熱。
5.根據權利要求2至4任一項所述的方法，其中通入控制溫度的惰性氣流產生至少漲的混合溫度與含有胺的氣流的冷凝限的溫度差。
6.根據權利要求2至5任一項所述的方法，其中使用的惰性氣體是氮氣、氦氣、氬氣、氯苯、鄰二氯苯、甲苯、二甲苯、氯萘、萘烷、二氧化碳、一氧化碳或其混合物。
7.根據權利要求1至6任一項所述的方法，其中將包括異氰酸酯和氯化氫并離開反應器的反應氣在驟冷器中通過添加液體驟冷介質進行冷卻，形成反應氣和驟冷介質的混合物作為產物流。
8.根據權利要求7所述的方法，其中所述驟冷介質包括一種選自以下的溶劑單氯苯、 二氯苯、三氯苯、己烷、苯、1，3，5-三甲基苯、硝基苯、苯甲醚、氯甲苯、鄰二氯苯、間苯二甲酸二乙基酯、四氫呋喃、二甲基甲酰胺、二甲苯、氯萘、萘烷和甲苯。
9.根據權利要求6或7所述的方法，其中在所述驟冷之后進行其他步驟來后處理產物流。
10.一種用于制備異氰酸酯的裝置，制備過程通過使相應的胺與光氣在氣相中反應而進行，所述裝置包括一個用于蒸發(fā)胺的蒸發(fā)器和一個實施反應的反應器，以及蒸發(fā)器和反應器的連接裝置，其中對可能與氣態(tài)胺發(fā)生接觸的表面提供有不會被胺潤濕并且根據DIN ISO 4287的平均粗糙度深度Rz不大于10 μ m的涂層，并且/或者所述裝置沒有死區(qū)或熱橋。
11.根據權利要求10所述的裝置，其中所述涂層中包括SiOx。
12.根據權利要求10或11所述的裝置，其中包括用于加熱可能與氣態(tài)胺發(fā)生接觸的表面的裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于制備異氰酸酯的方法，通過使相應的胺與光氣在氣相中任選地在惰性介質的存在下反應而進行，其中使所述胺在蒸發(fā)器中蒸發(fā)以得到含有胺的氣流，將光氣混入該含有胺的氣流中，并使所述胺和光氣在反應器中轉化成異氰酸酯，其中使與氣態(tài)胺相接觸的表面的溫度保持在高于含有胺的氣流的露點限。本發(fā)明還涉及一種用于制備異氰酸酯的裝置，制備過程通過使相應的胺與光氣在氣相中反應而進行，所述裝置包括一個用于蒸發(fā)胺的蒸發(fā)器和一個實施反應的反應器，以及蒸發(fā)器和反應器的連接裝置，其中對可能與氣態(tài)胺發(fā)生接觸的表面提供有不會被胺潤濕，根據DIN ISO 4287的平均表面粗糙度Rz至多10μm的涂層，并且/或者所述裝置沒有死區(qū)并且沒有熱橋。
文檔編號C07C265/00GK102341369SQ201080010251
公開日2012年2月1日 申請日期2010年3月4日 優(yōu)先權日2009年3月6日
發(fā)明者C·科諾伊士奇, T·馬特科 申請人:巴斯夫歐洲公司