]另外，由圖3可知，相對(duì)于未形成Si02膜的情況，為了產(chǎn)生使玻璃基板沿與翹曲相 反側(cè)的方向位移的力(翹曲位移量），需要膜厚為17nm以上。
[0193]從防止在玻璃基板上將金屬布線圖案化時(shí)產(chǎn)生不良情況的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選△翹曲 量為15μπι以下。對(duì)于在玻璃基板表面上分別以71nm、97nm的膜厚形成包含Si02的膜(膜密度 2.03g/cm3、膜密度2.12g/cm3)的玻璃基板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化的例1和例2的Δ翹曲量(計(jì)算值)為 15μπι以下，與此相對(duì)，以33nm的膜厚在玻璃基板表面上形成包含Si02的膜(膜密度2.08g/ cm3)并進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化的例3、對(duì)通常的玻璃基板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化的例4的△翹曲量超過(guò)15μπι。
[0194]此外，如表3所示，在將Si02成膜為97nm的例2中，Δ離子交換量為負(fù)值。由該結(jié)果 可知，通過(guò)調(diào)節(jié)在玻璃基板上制膜的膜的厚度，可以控制頂面與底面的離子交換量差，從而 控制化學(xué)強(qiáng)化后的玻璃基板的翹曲量。
[0195]需要說(shuō)明的是，如表3所示，將例1、例2及例3中的形成有該膜的面的應(yīng)力值與例4 進(jìn)行比較，結(jié)果賦予了同等的應(yīng)力值。
[0196]由該結(jié)果可知，通過(guò)將包含Si02的膜厚17nm以上的膜形成在玻璃基板的至少頂 面，可以不減少由化學(xué)強(qiáng)化所產(chǎn)生的應(yīng)力而減小頂面與底面的離子交換量差，從而減小化 學(xué)強(qiáng)化后的玻璃基板的翹曲。
[0197]另外，在將Si02成膜為97nm的例2的化學(xué)強(qiáng)化玻璃中，對(duì)Si02膜中及玻璃基板中的 Na量的平均值和K量的平均值進(jìn)行測(cè)定。Si02膜中的Na量的平均值與K量的平均值表示Si02 膜中的濃度，是存在于從距離Si02膜的表面(表層)的深度為5nm至距離Si02膜的表層為膜厚 的80 %的位置的Na和K的平均濃度。玻璃基板中的Na量的平均值與K量的平均值表示玻璃基 板的濃度，是存在于距離玻璃基板與Si02膜的界面的深度為20nm至30nm的Na和K的平均濃 度。
[0198]Na和K的量通過(guò)X射線光電子能譜法測(cè)定Na和K的濃度剖視圖（濃度分布）而求出。 濺射離子使用C6Q+，濺射角度設(shè)定為45度。獲得能譜時(shí)設(shè)定為通能(PassEnergy) :117.4 [eV]、能階(EnergyStep) :0.50[eV/step]，測(cè)定角度設(shè)定為75度，測(cè)定間隔設(shè)定為2分鐘。 利用ULVAC公司制造的Dektakl50對(duì)測(cè)定后試樣的凹坑深度進(jìn)行測(cè)定，并將測(cè)定時(shí)間轉(zhuǎn)換為 深度。將測(cè)定的結(jié)果示于表4。
[0199]表4
[02011由該結(jié)果可知，在Si02膜中存在一定量的Na和K。因此，可以確認(rèn)例2的化學(xué)強(qiáng)化后 的玻璃基板為減小了頂面與底面的離子交換量差從而減小了翹曲的化學(xué)強(qiáng)化玻璃。
[0202]雖然參照特定方式詳細(xì)地說(shuō)明了本發(fā)明，但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的 是，可以在不脫離本發(fā)明的精神與范圍的情況下進(jìn)行各種變更及修正。
[0203]需要說(shuō)明的是，本申請(qǐng)基于2013年6月14日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)（日本特愿 2013-125789)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用而援引于此。
[0204] 附圖標(biāo)記
[0205] 1 中央狹縫
[0206] 2 外狹縫
[0207] 4 流路
[0208] 5 排氣狹縫
[0209] 10 噴射器
[0210] 20玻璃基板
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種減小玻璃基板的翹曲的方法，其通過(guò)在利用浮法成形且具有成形時(shí)與熔融金屬 接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面的玻璃基板的至少頂面上形成至少一層膜，從而減小之 后的化學(xué)強(qiáng)化處理所導(dǎo)致的玻璃基板的翹曲，其中， 所述玻璃基板為利用硝酸鉀熔鹽在420°c下進(jìn)行150分鐘化學(xué)強(qiáng)化處理時(shí)的壓應(yīng)力層 深度為20μηι以下的玻璃基板， 所述膜含有至少一種以上包含硅的氧化物及復(fù)合氧化物，且膜厚為17nm以上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述膜的膜密度為1.9g/cm3以上。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述玻璃基板用于化學(xué)強(qiáng)化溫度為T(單位： K)、化學(xué)強(qiáng)化時(shí)間為t(單位:小時(shí)）的化學(xué)強(qiáng)化處理，且所述玻璃基板含有Si02,使用Si02、 A12〇3、MgO、CaO、Sr0、BaO、Zr02、Na20和K20各自的以質(zhì)量百分率計(jì)的含量利用下式求出的do1 為20以下， dol = -0.13 X AI2O3-1.88 XMg〇-2.41 X Ca〇-l. 85 X Sr〇-l. 35 X Ba〇-l. 59 X Zr02+1.50 X Na20+2 · 42 X K20-129359/T+9 · 28 X #·5+182 · 88。4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，以氧化物基準(zhǔn)的質(zhì)量百分率計(jì)，所述 玻璃基板含有60~80%的Si02、0.01~8%的Ah〇3、8~22%的Na20、0~7%的Κ20、0~17%的 Mg0、0~22% 的Ca0、0~8% 的Sr0、0~8% 的Ba0、0~5% 的Zr〇2。5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的方法，其中，以氧化物基準(zhǔn)的質(zhì)量百分率計(jì)，所述 玻璃基板含有60~80%的Si02、0.01~8%的Al2〇3、8~22%的Na20、0~7%的K20、0~5%的 Zr02，在含有MgO、CaO、SrO和BaO中的至少一種的情況下，MgO、CaO、SrO和BaO的含量的合計(jì) 為5~25%，Na20與K20的含量之和與Ah〇3的含量之比（Na20+K2〇)/Al2〇3為1.5以上。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述(Na20+K20)/Al203為10以下。7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述玻璃基板含有CaO、SrO和BaO中 的至少一種，且CaO、SrO和BaO的含量的合計(jì)以氧化物基準(zhǔn)的質(zhì)量百分率計(jì)為1~10%。8. 根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述膜為通過(guò)常壓CVD法形成的膜。9. 一種化學(xué)強(qiáng)化玻璃的制造方法，其包括如下工序： 成膜工序，對(duì)于利用浮法成形、具有成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的 頂面、且利用硝酸鉀熔鹽在420°C下進(jìn)行150分鐘化學(xué)強(qiáng)化處理時(shí)的壓應(yīng)力層深度為20μπι以 下的玻璃基板，在該玻璃基板的所述頂面上形成至少一層膜;和 化學(xué)強(qiáng)化工序，對(duì)形成有所述膜的所述玻璃基板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理； 其特征在于， 在所述成膜工序中，形成所述膜使得所述膜含有至少一種以上包含硅的氧化物及復(fù)合 氧化物且膜厚為17nm以上，由此減小所述化學(xué)強(qiáng)化工序中的所述玻璃基板的翹曲。10. 根據(jù)權(quán)利要求9的化學(xué)強(qiáng)化玻璃所述的制造方法，其中，在所述成膜工序中，形成所 述膜使得膜密度為1.9g/cm3以上。11. 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的化學(xué)強(qiáng)化玻璃的制造方法，其中， 所述玻璃基板含有Si〇2， 在所述化學(xué)強(qiáng)化工序中，將化學(xué)強(qiáng)化溫度設(shè)為T(單位:K)，并將化學(xué)強(qiáng)化時(shí)間設(shè)為t(單 位：小時(shí)），進(jìn)行處理使得使用所述玻璃基板的Si02、Al203、Mg0、Ca0、Sr0、Ba0、Zr02、Na2(^ K20各自的以質(zhì)量百分率計(jì)的含量利用下式求出的dol為20以下， dol = -0 · 13 X Ah〇3-l · 88 XMg〇-2 · 41 X Ca〇-l · 85 X Sr〇-l · 35 X Ba〇-l · 59 X Zr〇2+l · 50 X Na20+2 · 42 X K20-129359/T+9 · 28 X #·5+182 · 88。12. 根據(jù)權(quán)利要求9~11中任一項(xiàng)所述的化學(xué)強(qiáng)化玻璃的制造方法，其中，在所述成膜 工序中，通過(guò)常壓CVD法形成所述膜。13. -種化學(xué)強(qiáng)化玻璃，其為通過(guò)對(duì)于利用浮法成形、具有成形時(shí)與熔融金屬接觸的底 面和與該底面相對(duì)的頂面、且利用硝酸鉀熔鹽在420°C下進(jìn)行150分鐘化學(xué)強(qiáng)化處理時(shí)的壓 應(yīng)力層深度為20μπι以下的玻璃基板，在該玻璃基板的所述頂面上形成至少一層膜，并對(duì)形 成有所述膜的所述玻璃基板進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理而得到的化學(xué)強(qiáng)化玻璃，其特征在于， 所述膜含有至少一種以上包含硅的氧化物及復(fù)合氧化物，且膜厚為17nm以上，化學(xué)強(qiáng) 化處理后的從距離所述膜的表層的深度為5nm起至距離所述膜的表層為膜厚的80%的位置 存在的K量的平均值(單位:原子％ )除以距離所述玻璃基板與所述膜的界面的深度為20nm 至30nm存在的K量的平均值(單位:原子％)所得的值為0.2以上，或者 化學(xué)強(qiáng)化處理后的從距離所述膜的表層的深度為5nm起至距離所述膜的表層為膜厚的 80%的位置存在的Na量的平均值(單位:原子％)除以距離所述玻璃基板與所述膜的界面的 深度為20nm至30nm存在的Na量的平均值(單位:原子％ )所得的值為0 · 2以上。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的化學(xué)強(qiáng)化玻璃，其中，以氧化物基準(zhǔn)的質(zhì)量百分率計(jì)，所述 玻璃基板含有60~80%的Si02、0.01~8%的Ah〇3、8~22%的Na20、0~7%的K20、0~17%的 Mg0、0~22% 的Ca0、0~8% 的Sr0、0~8% 的Ba0、0~5% 的Zr〇2。15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的化學(xué)強(qiáng)化玻璃，其中，以氧化物基準(zhǔn)的質(zhì)量百分率計(jì)， 所述玻璃基板含有60~80%的Si02、0.01~8%的Al2〇3、8~22%的Na20、0~7%的K20、0~ 5%的Zr02，在含有MgO、CaO、SrO和BaO中的至少一種的情況下，MgO、CaO、SrO和BaO的含量的 合計(jì)為5~25%，Na20與K20的含量之和與Al2〇3的含量之比(Na20+K20)/Al203為1.5以上。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的化學(xué)強(qiáng)化玻璃，其中，所述(Na20+K20)/Al203為10以下。17. 根據(jù)權(quán)利要求13~16中任一項(xiàng)所述的化學(xué)強(qiáng)化玻璃，其中，所述玻璃基板含有CaO、 SrO和BaO中的至少一種，且CaO、SrO和BaO的含量的合計(jì)以氧化物基準(zhǔn)的質(zhì)量百分率計(jì)為1 ~10%〇
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種減小玻璃基板的翹曲的方法，其通過(guò)在利用浮法成形且具有成形時(shí)與熔融金屬接觸的底面和與該底面相對(duì)的頂面的玻璃基板的至少頂面上形成至少一層膜，從而減小之后的化學(xué)強(qiáng)化處理所導(dǎo)致的玻璃基板的翹曲，其中，所述玻璃基板為利用硝酸鉀熔鹽在420℃下進(jìn)行150分鐘化學(xué)強(qiáng)化處理時(shí)的壓應(yīng)力層深度為20μm以下的玻璃基板，所述膜含有至少一種以上包含硅的氧化物及復(fù)合氧化物，且膜厚為17nm以上。
【IPC分類】C03C3/087, C03C21/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105473525
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480046808
【發(fā)明人】鈴木祐一, 三浦丈宜, 澀谷崇, 西田航, 世良洋一
【申請(qǐng)人】旭硝子株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2016年4月6日
【申請(qǐng)日】2014年6月13日
【公告號(hào)】WO2014200097A1