技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種InN薄膜的制備方法，包括以下步驟，用丙酮、四氯化碳、無水乙醇和去離子水清洗硅片；清洗后的硅片進(jìn)行磁控濺射沉積InN薄膜。本發(fā)明研究首次采用In2O3靶，在濺射溫度600℃，濺射壓強(qiáng)0.6Pa時，生長出純的InN薄膜材料，且微觀形貌顆粒逐漸增大、結(jié)晶質(zhì)量好、純度高、沒有雜質(zhì)生成。

技術(shù)研發(fā)人員：王雪文;張繁;吳朝科;翟春雪;張志勇;趙武;張遠(yuǎn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西北大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.03
技術(shù)公布日：2017.08.04