1.一種清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，包括：
(1)對(duì)待鍍件進(jìn)行鍍前預(yù)處理；
(2)將所述待鍍件安裝到真空鍍膜機(jī)上，抽真空，向所述待鍍件提供保護(hù)氣體，采用氣體離子源裝置產(chǎn)生氣體等離子體，所述等離子體對(duì)所述待鍍件進(jìn)行蝕刻；
(3)向旋轉(zhuǎn)硅靶提供所述保護(hù)氣體和反應(yīng)氣體，啟動(dòng)離子轟擊電源，以便在所述待鍍件上鍍二氧化硅膜；
(4)抽真空，向所述待鍍件提供全氟聚合物，以便在所述待鍍件上鍍疏水疏油復(fù)合膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(1)還包括：清掃所述待鍍件進(jìn)行除塵處理；將所述待鍍件加熱進(jìn)行除蠟處理；對(duì)所述待鍍件放入除油液中進(jìn)行除油處理，然后清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(2)還包括：所述真空鍍膜機(jī)提供的真空度為1.5×10-5～5.0×10-5Torr。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(2)還包括：所述氣體離子源裝置的電壓為750～800V，供氣時(shí)間為8～12mim。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(2)還包括：所述保護(hù)氣體為氬氣，所述氬氣的流量為500～1000sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(3)還包括：所述離子轟擊電源為中頻磁控濺射裝置，采用所述中頻磁控濺射裝置對(duì)所述待鍍件以中頻磁控濺射方式鍍所述二氧化硅膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(3)還包括：所述中頻磁控濺射裝置的電源功率為4～6kW，提供的負(fù)偏壓為100～150V，所述保護(hù)氣體為氬氣，所述反應(yīng)氣體為氧氣，所述氬氣的流量為200～300sccm，所述氧氣的流量為200～300sccm，鍍膜時(shí)間為3～5min。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(3)還包括：所述旋轉(zhuǎn)硅靶的純度為大于99.99％。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(3)還包括：所述二氧化硅膜的厚度為10～16nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(4)還包括：所述真空鍍膜機(jī)提供的真空度為1.5×10-5～5.0×10-5Torr。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(4)還包括：所述真空鍍膜機(jī)提供的蒸發(fā)電壓為1.8～3.2V，蒸發(fā)電流為640～950A，蒸發(fā)時(shí)間為4～5min。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(4)還包括：所述疏水疏油復(fù)合膜的厚度為13～26nm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的清潔膜的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟(4)還包括：所述疏水疏油復(fù)合膜由改性的全氟聚醚制作而成。
14.一種鍍膜器件，其特征在于，所述鍍膜器件包括通過如權(quán)利要求1～13任一項(xiàng)所述的清潔膜的真空鍍膜方法制作的所述清潔膜。