本發(fā)明涉及一種釩氧化物薄膜制備方法。

背景技術(shù)：

熱致變色材料在不同環(huán)境溫度中材料顏色會發(fā)牛相應(yīng)變化。例如半導(dǎo)體、液晶和金屬導(dǎo)體等。能在臨界溫度下發(fā)生這種顏色變化效應(yīng)的大多是有機物，也有部分無機物，其中釩氧化物薄膜就是這種材料。釩具有多種化合價，因此釩氧化物具有多種結(jié)構(gòu)形式。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提出一種釩氧化物薄膜制備方法。

一種釩氧化物薄膜制備方法，具體制備步驟如下：

（1）取純度為99．8％的釩金屬靶基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50 mm進(jìn)行沉積；

（2）將真李室的壓強抽低至千分之一Pa；

（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導(dǎo)入真李室反應(yīng)罐，并通過兩個質(zhì)母流動控制器來控制流量；

（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強達(dá)1Pa；

（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160 W，沉積時間20-60min，溫度從室溫變化至300-500℃。

優(yōu)選地，所述釩金屬靶直徑為70mm。

優(yōu)選地，所述沉積時間為40min。

優(yōu)選地，所述步驟（5）的溫度變化為從室溫變化至400℃。

本發(fā)明所述工藝制備的薄膜，具有低的透過值，雙振蕩的經(jīng)典模型與實驗測量透過結(jié)果符合得很好。

具體實施方式

實施例1。

一種釩氧化物薄膜制備方法，具體制備步驟如下：

（1）取純度為99．8％的釩金屬靶基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50 mm進(jìn)行沉積；

（2）將真李室的壓強抽低至千分之一Pa；

（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導(dǎo)入真李室反應(yīng)罐，并通過兩個質(zhì)母流動控制器來控制流量；

（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強達(dá)1Pa；

（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160 W，沉積時間20-60min，溫度從室溫變化至300-500℃。

實施例2。

一種釩氧化物薄膜制備方法，具體制備步驟如下：

（1）取純度為99．8％的釩金屬靶基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50 mm進(jìn)行沉積；

（2）將真李室的壓強抽低至千分之一Pa；

（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導(dǎo)入真李室反應(yīng)罐，并通過兩個質(zhì)母流動控制器來控制流量；

（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強達(dá)1Pa；

（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160 W，沉積時間20-60min，溫度從室溫變化至300-500℃；

（6）所述釩金屬靶直徑為70mm。

實施例3。

一種釩氧化物薄膜制備方法，具體制備步驟如下：

（1）取純度為99．8％的釩金屬靶基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50 mm進(jìn)行沉積；

（2）將真李室的壓強抽低至千分之一Pa；

（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導(dǎo)入真李室反應(yīng)罐，并通過兩個質(zhì)母流動控制器來控制流量；

（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強達(dá)1Pa；

（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160 W，沉積時間20-60min，溫度從室溫變化至300-500℃；

（6）所述釩金屬靶直徑為70mm；

（7）所述沉積時間為40min。

實施例3。

一種釩氧化物薄膜制備方法，具體制備步驟如下：

（1）取純度為99．8％的釩金屬靶基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50 mm進(jìn)行沉積；

（2）將真李室的壓強抽低至千分之一Pa；

（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導(dǎo)入真李室反應(yīng)罐，并通過兩個質(zhì)母流動控制器來控制流量；

（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強達(dá)1Pa；

（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160 W，沉積時間20-60min，溫度從室溫變化至300-500℃；

（6）所述釩金屬靶直徑為70mm；

（7）所述沉積時間為40min；

（8）所述步驟（5）的溫度變化為從室溫變化至400℃。