本發(fā)明涉及導電薄膜技術領域，尤其涉及一種基于納米銀線的新型透明導電薄膜。

背景技術：

隨著納米技術的發(fā)展，納米銀線誕生并被應用于導電薄膜中，以替代ITO薄膜。現(xiàn)有導電薄膜在導電性、透明度上仍然存在不足，有的導電薄膜結構復雜。因此，需要研制一種導電性、透明度良好，結構簡單的新型透明導電薄膜。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術的不足，而提供一種基于納米銀線的新型透明導電薄膜。

本發(fā)明為實現(xiàn)上述目的，采用以下技術方案：

所述的一種基于納米銀線的新型透明導電薄膜，其特征在于，從上到下依次設有抗刮防霧層、PMMA-PC-PMMA復合膜、光學膠層、納米銀線層，所述PMMA-PC-PMMA復合膜上下層為PMMA，中間為PC層，采用三層共擠工藝成為一體，納米銀線層中還分布有納米二氧化鋯和納米二氧化鈦中的一種或兩種。

光學膠層為OCA光學膠層。

抗刮防霧層為含氟樹脂層。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明采用PMMA-PC-PMMA復合膜，使導電薄膜在不影響透光性的前提下提高了耐用性；采用OCA光學膠層黏合納米銀線層和PMMA-PC-PMMA復合膜，既不影響透光性又大大提高黏合度；納米銀線層中分布納米二氧化鋯和納米二氧化鈦中的一種或兩種，大大提高導電薄膜導電性。本發(fā)明結構簡單，易于制造，適合推廣應用。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結構示意圖。

圖中：1-抗刮防霧層；2-PMMA-PC-PMMA復合膜；3-光學膠層；4-納米銀線層。

以下將結合本發(fā)明的附圖進行詳細敘述。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明作進一步說明：

如圖1所示，一種基于納米銀線的新型透明導電薄膜，其特征在于，從上到下依次設有抗刮防霧層1、PMMA-PC-PMMA復合膜2、光學膠層3、納米銀線層4，所述PMMA-PC-PMMA復合膜2上下層為PMMA，中間為PC層，采用三層共擠工藝成為一體，納米銀線層4中還分布有納米二氧化鋯和納米二氧化鈦中的一種或兩種。

光學膠層3為OCA光學膠層。

抗刮防霧層1為含氟樹脂層。

上面結合附圖對本發(fā)明進行了描述，顯然本發(fā)明具體實現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明的方法構思和技術方案進行的各種改進，或未經改進直接應用于其它場合的，均在本發(fā)明的保護范圍之內。