1.一種釩氧化物薄膜制備方法，其特征在于具體制備步驟如下：
（1）取純度為99．8％的釩金屬靶基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50 mm進行沉積；
（2）將真李室的壓強抽低至千分之一Pa；
（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導入真李室反應(yīng)罐，并通過兩個質(zhì)母流動控制器來控制流量；
（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強達1Pa；
（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160 W，沉積時間20-60min，溫度從室溫變化至300-500℃。
2.如權(quán)利要求1所述一種釩氧化物薄膜制備方法，其特征在于所述釩金屬靶直徑為70mm。
3.如權(quán)利要求1所述一種釩氧化物薄膜制備方法，其特征在于所述沉積時間為40min。
4.如權(quán)利要求1所述一種釩氧化物薄膜制備方法，其特征在于所述步驟（5）的溫度變化為從室溫變化至400℃。