技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明所述一種釩氧化物薄膜制備方法，其具體制備步驟如下：（1）取純度為99．8％的釩金屬靶(直徑70?mm)，基底是顯微載玻片，靶和基底間距約50?mm進(jìn)行沉積；（2）將真李室的壓強(qiáng)抽低至千分之一Pa；（3）濺射氣體氬氣和氧氣按1:1的比率導(dǎo)入反應(yīng)罐，并通過兩個(gè)質(zhì)母流動控制器來控制流量（4）再引入濺射氣體氧氣直到總壓強(qiáng)達(dá)1Pa；（5）用擋板覆蓋基底以除去暴露于空氣中所形成的表面氧化層，然后移走擋板，膜的沉積過程開始，薄膜沉積中直流功率為160?W，沉積時(shí)問大概40?min，溫度從室溫變化至400℃。本發(fā)明所述工藝制備的薄膜，具有低的透過值，雙振蕩的經(jīng)典模型與實(shí)驗(yàn)測量透過結(jié)果符合得很好。

技術(shù)研發(fā)人員：郝青
受保護(hù)的技術(shù)使用者：陜西玉航電子有限公司
文檔號碼：201611120974
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.08
技術(shù)公布日：2017.03.22