于2015年9月9日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0127581號、標(biāo)題為“沉積掩模和制造沉積掩模的方法”的韓國專利申請通過引用完整地并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及沉積掩模和制造沉積掩模的方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光顯示裝置中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以是自發(fā)光顯示裝置，有機(jī)發(fā)光顯示裝置例如由于其寬視角、高對比度和快響應(yīng)速度而可成為下一代顯示裝置。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置可包括位于彼此面對的電極之間的中間層，例如發(fā)光層。電極和中間層可利用多種方法形成。這些方法之一可以是沉積方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

各實(shí)施方式可通過提供制造沉積掩模的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括：在基構(gòu)件上形成光刻膠圖案，該光刻膠圖案具有多個(gè)倒錐形光學(xué)圖案和由光學(xué)圖案限定的光學(xué)開口；在光學(xué)開口中以及在光學(xué)圖案上形成掩模材料層；移除光學(xué)圖案和形成在光學(xué)圖案上的掩模材料層，留下形成在光學(xué)開口中的掩模材料層；以及移除基構(gòu)件。

光學(xué)圖案中的每個(gè)可具有接觸基構(gòu)件的第一表面和面對第一表面的第二表面，光學(xué)圖案中的每個(gè)可包括從第二表面朝著第一表面變窄并具有彎曲側(cè)表面的第一光學(xué)圖案，以及從第一光學(xué)圖案朝著第一表面變窄并具有從第一光學(xué)圖案的彎曲側(cè)表面延伸的彎曲側(cè)表面的第二 光學(xué)圖案，并且拐點(diǎn)可位于第一光學(xué)圖案的彎曲側(cè)表面與第二光學(xué)圖案的彎曲側(cè)表面之間的邊界處。

光學(xué)圖案中的每個(gè)可在第二表面處具有最大寬度并且在第一表面處具有最小寬度，并且最大寬度與最小寬度之間的差值可以是3μm或大于3μm。

掩模材料層可具有1至20μm的厚度。

形成掩模材料層可包括利用沉積方法將金屬材料或無機(jī)材料沉積在具有光刻膠圖案的基構(gòu)件上。

在形成掩模材料層的步驟中，形成在光學(xué)開口中的掩模材料層可與形成在光學(xué)圖案上的掩模材料層分離。

光學(xué)圖案中的每個(gè)還可包括位于第一光學(xué)圖案的彎曲側(cè)表面中的分離槽，該分離槽被定位成高于掩模材料層。

第一光學(xué)圖案的彎曲側(cè)表面可包括從光學(xué)圖案中的每個(gè)的第二表面連續(xù)的第一側(cè)表面、第二側(cè)表面、第三側(cè)表面和第四側(cè)表面，拐點(diǎn)可分別位于第一側(cè)表面與第二側(cè)表面之間的邊界處、第二側(cè)表面與第三側(cè)表面之間的邊界處，以及第三側(cè)表面與第四側(cè)表面之間的邊界處，并且分離槽可由第二側(cè)表面和第三側(cè)表面限定。

形成光刻膠圖案可包括圖案化形成在基構(gòu)件上的光刻膠材料層，并且光刻膠材料層可包括負(fù)性光刻膠材料，該負(fù)性光刻膠材料可包括粘合劑、光敏劑、溶劑，以及響應(yīng)于光照射而捕捉由光敏劑產(chǎn)生的自由基的添加劑。

添加劑可以被添加的重量為光敏劑重量的5至30％。。

各實(shí)施方式可通過提供制造沉積掩模的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括：在基構(gòu)件上形成光刻膠圖案，該光刻膠圖案具有多個(gè)倒錐形光學(xué)圖案和由光學(xué)圖案限定的光學(xué)開口；在光學(xué)開口中形成掩模材料層；移除光學(xué)圖案，留下形成在光學(xué)開口中的掩模材料層；以及移除基構(gòu)件，其中光學(xué)圖案中的每個(gè)具有接觸基構(gòu)件的第一表面和面對第一表面的第二表面，光學(xué)圖案中的每個(gè)包括從第二表面朝著第一表面變窄的第一光學(xué)圖案，以及從第一光學(xué)圖案朝著第一表面變窄的第二光學(xué)圖案，第一光學(xué)圖案具有彎曲側(cè)表面，第二光學(xué)圖案具有從第一光學(xué)圖案的 彎曲側(cè)表面延伸的彎曲側(cè)表面，拐點(diǎn)位于第一光學(xué)圖案的彎曲側(cè)表面與第二光學(xué)圖案的彎曲側(cè)表面之間的邊界處。

光學(xué)圖案中的每個(gè)可在第二表面處具有最大寬度并且在第一表面處具有最小寬度，并且最大寬度與最小寬度之間的差值可以是3μm或大于3μm。

基構(gòu)件可包括金屬襯底，并且形成掩模材料層可包括利用鍍層法將金屬材料鍍層到基構(gòu)件的表面上。

掩模材料層可具有1至20μm的厚度。

形成光刻膠圖案可包括圖案化形成在基構(gòu)件上的光刻膠材料層，并且光刻膠材料層可包括負(fù)性光刻膠材料，該負(fù)性光刻膠材料可包括粘合劑、光敏劑、溶劑，以及響應(yīng)于光的照射而捕捉由光敏劑產(chǎn)生的自由基的添加劑。

各實(shí)施方式可通過提供沉積掩模來實(shí)現(xiàn)，該沉積掩模包括具有不平坦的第一表面和面對第一表面的平坦的第二表面的阻擋部，以及被阻擋部圍繞的多個(gè)圖案開口，其中多個(gè)圖案開口中的每個(gè)包括在阻擋部的第一表面與第二表面之間彼此連接的第一開口和第二開口，第一開口從阻擋部的第一表面朝著阻擋部的第二表面變窄，第一開口具有彎曲側(cè)表面，以及第二開口從第一開口朝著阻擋部的第二表面變窄，第二開口具有從第一開口的彎曲側(cè)表面延伸的彎曲側(cè)表面，以及拐點(diǎn)位于第一開口的彎曲側(cè)表面與第二開口的彎曲側(cè)表面之間的邊界處。

多個(gè)圖案開口中的每個(gè)可在阻擋部的第一表面處具有最大寬度并在阻擋部的第二表面處具有最小寬度，最大寬度與最小寬度之間的差值可以是3μm或大于3μm，并且阻擋部可具有1至20μm的厚度。

阻擋部的第一表面可以是凸出的表面。

阻擋部可包括金屬材料或無機(jī)材料。

由連接第一開口的位于阻擋部的第一表面處的彎曲側(cè)表面和第二開口的位于阻擋部的第二表面處的彎曲側(cè)表面的虛擬平面，與平行于阻擋部的第一表面的虛擬平面形成的錐角可以是45度或小于45度。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，特征將對本領(lǐng)域技術(shù)人員變得顯而易見，在附圖中：

圖1示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的、置于掩模框架上的沉積掩模的立體圖；

圖2示出了圖1的沉積掩模的平面圖；

圖3示出了沿圖2的線I-I'截取的剖視圖；

圖4示出了用于描述利用圖1的沉積掩模來執(zhí)行的沉積工藝的沉積裝置的配置；

圖5和圖6示出了根據(jù)各種實(shí)施方式的沉積掩模的剖視圖；

圖7至圖11示出了制造圖1至圖3的沉積掩模的方法的剖視圖；

圖12至圖14示出了制造圖5的沉積掩模的方法的剖視圖；

圖15和圖16示出了制造圖6的沉積掩模的方法的剖視圖；以及

圖17至圖20示出了制造圖1至圖3的沉積掩模的方法的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，現(xiàn)將參照附圖更全面地描述示例性實(shí)施方式；然而，示例性實(shí)施方式可體現(xiàn)為不同的形式并且不應(yīng)解釋為受限于本文中所闡述的實(shí)施方式。相反地，提供這些實(shí)施方式將使本公開全面且完整，并且將示例性實(shí)現(xiàn)方案充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。

在附圖中，為了清晰地說明，可放大層和區(qū)域的尺寸。還將理解，當(dāng)層被稱為位于另一層或者襯底“上”時(shí)，其可以直接位于另一層或者襯底上，或者也可存在插入的層。而且，將理解，當(dāng)層被稱為位于另一層“下”時(shí)，該層可以直接位于另一層下，并且也可以存在一個(gè)或多個(gè)插入的層。此外，還將理解，當(dāng)層被稱為在兩個(gè)層“之間”時(shí)，其可以是在兩個(gè)層之間僅有的層，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)插入的層。在整個(gè)說明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。

將理解，雖然可在本文中使用“第一”、“第二”、“第三”等術(shù)語來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。 因此，下面所討論的第一元件、第一部件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可稱為第二元件、第二部件、第二區(qū)域、第二層或第二部分。

在下文中，將參照附圖描述實(shí)施方式。

圖1示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的沉積掩模100的立體圖。

參照圖1，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施方式的沉積掩模100可置于掩?？蚣?上并通過焊接與掩?？蚣?耦接，并且可形成掩模組件。

掩模框架5可形成掩模組件的外部框架，并且可規(guī)定形狀為在其中心部分中具有框架開口5a的四邊形帶狀。掩?？蚣?可支承沉積掩模100并且可通過焊接與沉積掩模100耦接。掩?？蚣?可由具有高剛性的金屬材料(例如不銹鋼)制成。

沉積掩模100整體上可規(guī)定形狀為具有特定厚度的板狀。在本說明書中，板的一個(gè)表面將被稱作第一表面101，并且可面對上述表面的另一表面將被稱作第二表面102。當(dāng)沉積掩模100與掩?？蚣?的上表面耦接以覆蓋掩?？蚣?的框架開口5a時(shí)，沉積掩模100的第一表面101可接觸掩?？蚣?的上表面。當(dāng)襯底S(見圖4)置于沉積掩模100上以通過將沉積材料沉積至襯底S(見圖4)上而形成期望的薄膜圖案時(shí)，沉積掩模100的第二表面102可放置為面對襯底S(見圖4)。沉積掩模100的第二表面102可接觸襯底S。

沉積掩模100可包括分別從沉積掩模100的兩端突起的夾持部CP。夾持部CP可以是與夾具耦接以在沉積掩模100通過焊接而耦接至掩?？蚣?之前在朝著沉積掩模100的兩端的方向上拉伸沉積掩模100的部分，并且夾持部CP可在焊接工藝之后被切除。

沉積掩模100可由掩模材料制成，例如，如鉻(Cr)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)、錫(Sn)、金(Au)，鎳(Ni)、鎳合金或鎳鈷合金的金屬。在圖1中，沉積掩模100由多個(gè)掩模組成。在一個(gè)實(shí)施方式中，沉積掩模100還可形成為具有與以上掩模的尺寸總和對應(yīng)的尺寸的一個(gè)掩模。

沉積掩模100可包括沉積圖案部110和固定部140。當(dāng)沉積圖案部110置于掩?？蚣?上時(shí)，其可與框架開口5a重疊。固定部140可設(shè)置在沉積圖案部110的外部，并且提供使沉積掩模100可通過焊接 與掩模框架5耦接的空間。

現(xiàn)在將對沉積圖案部110進(jìn)行更詳細(xì)的描述。

沉積圖案部110可包括阻擋部120和多個(gè)圖案開口130。

阻擋部120可在利用沉積掩模100將沉積材料沉積至襯底S(見圖4)上時(shí)阻擋沉積材料。阻擋部120可由將稍后描述的圖案開口130限定，并且當(dāng)從上方觀看時(shí)阻擋部120可大致上規(guī)定形狀為網(wǎng)格狀。

圖案開口130可被阻擋部120圍繞。當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的紅色有機(jī)發(fā)光層、綠色有機(jī)發(fā)光層和藍(lán)色有機(jī)發(fā)光層中的紅色有機(jī)發(fā)光層形成在襯底S(見圖4)上時(shí)，圖案開口130可分別形成在與紅色有機(jī)發(fā)光層的圖案相對應(yīng)的位置處。在圖1中，圖案開口130可規(guī)定形狀為點(diǎn)狀。在一個(gè)實(shí)施方式中，圖案開口130還可規(guī)定形狀為裂縫狀或點(diǎn)和裂縫的組合形狀。

圖案開口130中的每個(gè)可包括設(shè)置在阻擋部120的第一表面101與第二表面102之間的第一開口131(見圖3)和第二開口132(見圖3)。第一開口131可定位為相對接近于第一表面101，并且第二開口132可定位為相對接近于第二表面102。第一開口131和第二開口132可彼此連接，并且圖案開口130可在第一表面101與第二表面102之間穿透。

第一開口131可從阻擋部120的第一表面101朝著第二表面102變窄并具有彎曲的側(cè)表面。第二開口132可從第一開口132朝著第二表面102變窄，并具有從第一開口131的側(cè)表面延伸的彎曲的側(cè)表面，并且圖案開口130可在第一表面101處相比在第二表面102處更寬。

在示例性實(shí)施方式中，第一開口131的側(cè)表面可以是沿著厚度方向凹陷的，并且第二開口132的側(cè)表面可以是沿著厚度方向凸出的。當(dāng)從橫截面看時(shí)，拐點(diǎn)133可位于第一開口131的側(cè)表面與第二開口132的側(cè)表面之間的邊界處。

由連接第一開口131的位于阻擋部120的第一表面101的側(cè)表面和第二開口132的位于阻擋部120的第二表面102處的側(cè)表面的虛擬平面，與平行于阻擋部120的第一表面101的虛擬平面形成的錐角θ1可以是約45度或小于45度。如果錐角θ1處于該范圍內(nèi)，則當(dāng)薄膜圖 案利用沉積掩模100形成在襯底S(見圖4)上時(shí)，可減少在薄膜圖案的邊緣部分外部的沉積材料的沉積，并且可減少例如由于沉積掩模100的陰影現(xiàn)象而導(dǎo)致的薄膜圖案厚度的不均勻。

如上所述，圖案開口130中的每個(gè)可在阻擋部120的第一表面101處具有最大寬度d1，并在阻擋部120的第二表面102處具有最小寬度d2。圖案開口130中的每個(gè)的最大寬度d1與最小寬度d2之間的差值可以是約3μm或大于3μm。當(dāng)差值為約3μm或大于3μm時(shí)，能夠在制造沉積掩模100的工藝中容易地將沉積在光刻膠圖案20P1(見圖10)上的掩模材料從沉積在光刻膠圖案20P1(見圖10)下方的掩模材料分離，并且可使隨后的剝離工藝容易進(jìn)行。

沉積掩模100的厚度，例如阻擋部120的厚度t1可以是約1至20μm。當(dāng)沉積掩模100的厚度小于1μm時(shí)，沉積掩模100的剛性可以是低的，并且沉積掩模100可具有對于外力的低阻抗。當(dāng)沉積掩模100的厚度超過20μm時(shí)，可能難以形成如上所述所構(gòu)造的圖案開口130，并且可能難以減少通過利用沉積掩模100將沉積材料沉積至襯底S而在薄膜中形成的陰影現(xiàn)象。

雖然阻擋部120的第二表面102可以是平坦的，但是阻擋部120的第一表面101可以是不平坦的。在制造沉積掩模100的工藝中，可通過利用沉積方法(例如，濺射方法)將掩模材料沉積在基構(gòu)件10(見圖10)上來形成掩模材料層100a(見圖10)。掩模材料可能因沉積工藝的特性而不平坦地沉積在光學(xué)開口22內(nèi)，并且阻擋部120的第一表面101可能是不平坦的。在示例性實(shí)施方式中，阻擋部120的第一表面101可以是凸出的表面。

如上所述配置的沉積掩模100可通過焊接與圖1的掩?？蚣?耦接，并且可得到可在沉積工藝中使用的掩模組件。

圖4示出了用于描述利用圖1的沉積掩模100執(zhí)行的沉積工藝的沉積裝置的配置。

參照圖4，彼此耦接的沉積掩模100和掩?？蚣?可置于支架1上。然后，襯底S和沉積掩模100可通過驅(qū)動磁單元2而被按壓抵靠彼此。圖案開口130(見圖3)中的每個(gè)可對應(yīng)于襯底S的特定像素， 例如其中可形成有紅色有機(jī)發(fā)光層的像素，并且第二開口132(見圖3)可面對襯底S。接下來，沉積材料可從坩堝3蒸發(fā)。經(jīng)蒸發(fā)的沉積材料可順序地經(jīng)過第一開口131(見圖3)和第二開口132(見圖3)以沉積在襯底S上，并且可形成薄膜圖案。

如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的沉積掩模100可包括各自具有第一開口131和第二開口132的圖案開口130，并且當(dāng)通過將沉積材料沉積在襯底S上來形成薄膜時(shí)，如上所述構(gòu)造的沉積掩模100可使得在沉積材料還沉積到薄膜的邊緣部分外部時(shí)可能發(fā)生的陰影現(xiàn)象最小化。

圖5和圖6示出了根據(jù)各種實(shí)施方式的沉積掩模的剖視圖。

參照圖5，沉積掩模的沉積圖案部210可具有阻擋部220和多個(gè)圖案開口130，并且阻擋部220的第一表面201可以是平坦的。阻擋部220的第一表面201可以是平坦的，因?yàn)槔缪谀２牧蠈?00a(見圖13)可在形成沉積掩模的工藝中通過利用鍍層法(例如，電鍍法或非電鍍法)將掩模材料鍍層到基構(gòu)件10a(見圖13)的在光學(xué)開口22(見圖13)內(nèi)的表面上而形成，其中光學(xué)開口22可與阻擋部220在光刻膠圖案20P1(見圖13)中的位置對應(yīng)。例如，由于鍍層法的特性，掩模材料可平坦地鍍層在基構(gòu)件10a(見圖13)的表面上。

包括沉積圖案部210的沉積掩?？商峁┡c圖3的沉積掩模100的相同效果，其中沉積圖案部210具有阻擋部220和圖案開口130。

參照圖6，沉積掩模的沉積圖案部310可包括阻擋部320和多個(gè)圖案開口130。阻擋部320可由無機(jī)材料制成。例如，沉積掩模的掩模材料可以是無機(jī)材料，例如氮化硅或氧化硅。由無機(jī)材料制成的沉積掩?？删哂斜扔山饘僦瞥傻某练e掩模100更低的剛性。由無機(jī)材料制成的沉積掩?？刹粫艿礁邷丶訜岬暮艽笥绊?，并且沉積掩?？稍诟邷叵伦冃屋^少。

在制造沉積掩模的工藝中，掩模材料層300a(見圖15)，即無機(jī)材料層可利用例如化學(xué)氣相沉積(CVD)方法的沉積方法沉積在基構(gòu)件10(見圖15)上。由于沉積工藝的特性，掩模材料層300a(圖15)可能不平坦地沉積在光學(xué)開口22(見圖15)內(nèi)，但是阻擋部320的第 二表面102可以是平坦的，阻擋部320的第一表面301可以是不平坦的。在示例性實(shí)施方式中，阻擋部320的第一表面301可以是凸出的表面。

包括沉積圖案部310的沉積掩?？商峁┡c圖3的沉積掩模100的相同效果，其中沉積圖案部310具有阻擋部320和圖案開口130。

現(xiàn)在將對制造圖1至圖3的沉積掩模100的方法進(jìn)行描述。

圖7至圖11示出了制造圖1至圖3的沉積掩模100的方法的剖視圖。

參照圖7，可在基構(gòu)件10上形成光刻膠材料層20。基構(gòu)件10可以是由金屬、玻璃或聚合物制成的襯底。光刻膠材料層20可包括第一表面20a和可面對第一表面20a的第二表面20b，第一表面20a可接觸基構(gòu)件10。光刻膠材料層20可由負(fù)性光刻膠材料制成，例如可包括負(fù)性光刻膠材料。

負(fù)性光刻膠材料可包含粘合劑、光敏劑、溶劑和添加劑。

粘合劑可包含酚醛清漆樹脂和丙烯酸酯。

酚醛清漆樹脂可以是能夠通過使芳香醇(如，間甲酚和/或?qū)追?與甲醛反應(yīng)而合成的聚合物。酚醛清漆樹脂可具有2000至9000的分子量并包含20:80至80:20的重量比的間甲酚和對甲酚。丙烯酸酯可以是通過使單體(如，不飽和羧酸、不飽和羧酸酐或其混合物)共聚而獲得的丙烯酸共聚物。丙烯酸酯的實(shí)例可包括丙烯酸、甲基丙烯酸和馬來酸酐。

光敏劑可以是能夠生成響應(yīng)于具有約300至450μm波長的光的照射而使烯基不飽和基團(tuán)聚合的化合物。光敏劑可以是鹵代甲基化三嗪衍生物、鹵代甲基化噁二唑衍生物、咪唑衍生物、苯偶姻、苯偶姻烷基醚、蒽醌衍生物、苯并蒽酮衍生物、二苯甲酮衍生物、乙酰苯衍生物、噻噸酮衍生物、苯甲酸酯衍生物、吖啶衍生物、吩嗪衍生物、環(huán)戊二烯鈦衍生物、α-氨基烷基酰苯化合物、?；趸?acylphosphin oxide)化合物和肟酯衍生物中的一個(gè)。

鹵代甲基化三嗪衍生物可以是2-(4-甲氧基苯基)-4、6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-乙氧基萘 基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪和2-(4-乙氧羰基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪中的一個(gè)。

咪唑衍生物可以是2-(o-氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-氯苯基)-4,5-雙(3’-甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(o-氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(o-甲苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物和2-(o-甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物中的一個(gè)。

苯偶姻可以是苯偶姻甲醚、苯偶姻苯基醚、苯偶姻異丁醚和苯偶姻異丙醚中的一個(gè)。

蒽醌衍生物可以是2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌和1-氯蒽醌中的一個(gè)。

二苯甲酮衍生物可以是二苯甲酮、米希勒酮、2-甲基二苯甲酮、3-甲基二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、2-氯二苯甲酮、4-溴二苯甲酮和2-羧基二苯甲酮中的一個(gè)。

乙酰苯衍生物可以是2,2-二甲氧基-2-苯基乙酰苯、2,2-二乙氧基乙酰苯、1-羥基環(huán)己基苯基酮、α-羥基-2-甲基苯基丙酮、1-羥基-1-甲基乙基-(對-異丙基苯基)酮、1-羥基-1-(對-十二烷基苯基)酮、2-甲基-(4’-(甲硫基)苯基)-2-嗎啉代-1-丙酮和1,1,1-三氯甲基-(對-丁基苯基)酮中的一個(gè)。

噻噸酮衍生物可以是噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、2-氯代噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮和2,4-二異丙基噻噸酮中的一個(gè)。

苯甲酸酯衍生物可以是對-二甲基氨基苯甲酸乙酯和對-二乙基氨基苯甲酸乙酯中的一個(gè)。

吖啶衍生物可以是9-苯基吖啶和9-(對-甲氧基苯基)吖啶中的一個(gè)。

吩嗪衍生物可以是9,10-二甲苯吩嗪。

環(huán)戊二烯鈦衍生物可以是二環(huán)戊二烯-鈦-二氯化合物、二環(huán)戊二烯-鈦-雙苯基、二環(huán)戊二烯-鈦-雙(2,3,4,5,6-五氟代苯-1-基)、二環(huán)戊二烯-鈦-雙(2,3,5,6-四氟代苯-1-基)、二環(huán)戊二烯-鈦-雙(2,4,6-三氟代苯-1-基)、二環(huán)戊二烯-鈦-雙(2,6-二氟代苯-1-基)、二環(huán)戊二烯-鈦-雙(2,4-二 氟代苯-1-基)、二(甲基環(huán)戊二烯基)-鈦-雙(2，3，4，5，6-五氟代苯-1-基)、二(甲基環(huán)戊二烯基)-鈦-雙(2，6-二氟代苯-1-基)和二環(huán)戊二烯-鈦-雙[2，6-二氟-3-(吡咯-1-基)苯-1-基]中的一個(gè)。

α-氨烷基酰苯化合物可以是2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-基、2-苯甲基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉代苯基)丁-1-酮、4-二甲基氨基乙基苯甲酸酯、4-二甲基氨基苯丙酮、2-乙基己基-1，4-二甲基氨基苯甲酸酯、2，5-雙(4-二乙基氨基苯亞甲基)環(huán)己酮、7-二乙基氨基-3-(4-二乙基氨基苯甲酰基)香豆素(7-diethylamino-3-(4-diethylaminobenzoyl)cumarine)和4-(二乙基氨基)查耳酮中的一個(gè)。

?；趸⒒衔锟梢允?，4，6-三甲基苯甲?；?二苯基-氧化膦和雙(2，4，6-三甲基苯甲?；?-苯基氧化膦中的一個(gè)。

肟酯化合物可以是1，2-辛二酮、1-[4-(苯硫基)苯基]-2-(o-苯甲酰基肟)、乙酮，或1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲?；?-9H-咔唑-3-基]和1-(o-乙酰肟)中的一個(gè)。

溶劑可以是能夠溶解并分散粘合劑和光敏劑的溶劑。例如，溶劑可以是甲基溶纖劑、乙烷基溶纖劑、丁基溶纖劑、二乙二醇單甲醚、丙二醇單乙酯、丙二醇二乙酯、丙二醇單甲醚乙酸鹽(PGMEAc)、甲基乙烷基酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮、甲苯、氯仿、二氯甲烷、乙酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二醇單甲醚、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、四氫呋喃、二乙二醇二甲醚、甲氧基丁基乙酸酯、Solvesso^TM和卡必醇中的一個(gè)。

添加劑可以是能夠通過吸收(捕捉)自由基而穩(wěn)定地保持負(fù)光刻膠材料的化合物。添加劑的實(shí)例可包括空間位阻的酚醛塑料和空間位阻的胺(HALS)。添加劑的產(chǎn)品名稱可包括123和144。

添加劑可在被執(zhí)行以形成圖9的光刻膠圖案20P1的、圖8的光照射工藝中調(diào)節(jié)光刻膠材料層20的固化。例如，當(dāng)光照射至圖8中的光刻膠材料層20時(shí)，由于光照射的特性，第一光能可照射至光刻膠材料層20的上部，并且低于第一光能的第二光能可照射至光刻膠材料層 20的下部。添加劑可在由第二光能產(chǎn)生的自由基活躍地形成粘合劑的交聯(lián)之前，吸收(捕捉)由第二光能產(chǎn)生的自由基。這樣，添加劑可減少光刻膠材料層20的下部由于與光反應(yīng)而可能發(fā)生的固化。添加劑可以添加光敏劑重量的約5至30％重量的量。當(dāng)添加少于光敏劑重量的5％重量的量時(shí)，添加劑可能幾乎不吸收(捕捉)自由基。當(dāng)添加多于光敏劑重量的30％重量的量時(shí)，添加劑可能過度地吸收由光敏劑產(chǎn)生的自由基，并且光敏劑用于形成光刻膠圖案的能力可能被破壞。

參照圖8和圖9，包括光學(xué)圖案21和光學(xué)開口22的光刻膠圖案20P1可形成在基構(gòu)件10上。

例如，參照圖8，包括光阻擋部31和光傳輸部32的光掩模30可置于光刻膠材料層20上。光掩模30的光阻擋部31可對應(yīng)于圖3的阻擋部120可形成的區(qū)域，并且光傳輸部32可對應(yīng)于圖3的圖案開口130可形成的區(qū)域。光刻膠材料層20的第一表面20a可對應(yīng)于阻擋部120(見圖3)的第二表面102(見圖3)，并且光刻膠材料層20的第二表面20b可對應(yīng)于阻擋部120(見圖3)的第一表面101(見圖3)。

接下來，可利用光掩模30將光照射至光刻膠材料層20，并且光刻膠材料層20的、可對應(yīng)于光傳輸部32中的每個(gè)的第一區(qū)域21a可通過與光反應(yīng)(即，粘合劑的交聯(lián)可形成在第一區(qū)域21a中)而被固化，并且光刻膠材料層20的、可對應(yīng)于光阻擋部31的第二區(qū)域22a可不與光反應(yīng)。第一區(qū)域21a可以是通過將光從光刻膠材料層20的第二表面20b朝著第一表面20a照射而形成的區(qū)域。第一區(qū)域21a可在光刻膠材料層20的第二表面20b處具有最大寬度d11，并且在光刻膠材料層20的第一表面20a處具有最小寬度d12。例如，第一區(qū)域21a可以是倒錐形。最大寬度d11與最小寬度d12之間的差值可以是約3μm或大于3μm。沉積在光刻膠圖案20P1的光學(xué)圖案21上的掩模材料可容易地從光學(xué)開口22內(nèi)沉積在基構(gòu)件10上的掩模材料分離，并且光學(xué)圖案21可利用圖11中的剝離方法容易地移除。

第一區(qū)域21a可具有第一部分21aa和第二部分21ab。第一部分21aa可從光刻膠材料層20的第二表面20b朝著第一表面20a變窄并具有彎曲的側(cè)表面。第二部分21ab可從第一部分21aa朝著光刻膠材料 層20的第一表面20a變窄，并具有從第一部分21aa的側(cè)表面延伸的彎曲的側(cè)表面。在示例性實(shí)施方式中，第一部分21aa的側(cè)表面可以是沿著厚度方向凹陷的，并且第二部分21ab的側(cè)表面可以是沿著厚度方向凸出的。當(dāng)以截面觀看時(shí)，拐點(diǎn)21ac可位于第一部分21aa的側(cè)表面與第二部分21ab的側(cè)表面之間的邊界處。如上所述構(gòu)造的第一區(qū)域21a可根據(jù)在負(fù)性光刻膠材料中用于形成光刻膠材料層20的光敏劑的重量來調(diào)節(jié)添加劑的重量而形成。

接下來，光刻膠材料層20可被顯影以生成如圖9中所示的光刻膠圖案20P1。例如，可形成包括光學(xué)圖案21和光學(xué)開口22的光刻膠圖案20P1。光學(xué)圖案21中的每個(gè)的第一表面可對應(yīng)于圖8的光刻膠材料層20的第一表面20a，并且光學(xué)圖案21中的每個(gè)的第二表面可對應(yīng)于圖8的光刻膠材料層20的第二表面20b。光學(xué)圖案21中的每個(gè)的第一表面將在下文中由參考字符“20a”來指代，并且光學(xué)圖案21中的每個(gè)的第二表面將在下文中由參考字符“20b”來指代。光學(xué)開口22可由光學(xué)圖案21限定并且當(dāng)從上方觀看時(shí)形成為大體上網(wǎng)格的形狀。

光學(xué)圖案21中的每個(gè)可具有第一光學(xué)圖案21P1和第二光學(xué)圖案21P2。第一光學(xué)圖案21P1可從第二表面20b朝著第一表面20a變窄，并具有彎曲的側(cè)表面，并且第二光學(xué)圖案21P2可從第一光學(xué)圖案21P1朝著第一表面20a變窄，并具有從第一光學(xué)圖案21P1的側(cè)表面延伸的彎曲的側(cè)表面。拐點(diǎn)21P3可位于第一光學(xué)圖案21P1的側(cè)表面與第二光學(xué)圖案21P2的側(cè)表面之間的邊界處。

可對應(yīng)于圖8的第一區(qū)域21a的光學(xué)圖案21中的每個(gè)可在第二表面20b處具有最大寬度d11，并在第一表面20a處具有最小寬度d12。光學(xué)圖案21中的每個(gè)的最大寬度d11與最小寬度d12之間的差值可以是約3μm或大于3μm。

參照圖10，掩模材料可從光刻膠圖案20P1的側(cè)部沉積，并且掩模材料層100a可形成在光學(xué)圖案21上以及形成在光學(xué)開口22中。沉積在光學(xué)圖案21上的掩模材料層100a可與沉積在光學(xué)開口22中的掩模材料層100a分離，并且光學(xué)圖案21中的每個(gè)的上部側(cè)表面可以不 被掩模材料層100a覆蓋并可在隨后的剝離工藝中通過剝離器容易地移除。即使沉積在光學(xué)圖案21上的掩模材料層100a和沉積在光學(xué)開口22中的掩模材料層100a彼此不完全地分離，盡管效率和可靠性降低，但只要光學(xué)圖案21中的每個(gè)的上部側(cè)表面的部分未被掩模材料層100a覆蓋，則仍可以執(zhí)行剝離工藝。

掩模材料可以是上文所描述的金屬材料，并且掩模材料的沉積可利用沉積方法(例如，濺射方法)來執(zhí)行。掩模材料可沉積在基構(gòu)件10上，以使得形成在光學(xué)開口22中的掩模材料層100a具有約1至20μm的厚度。

在光學(xué)開口22中可形成錐形空間，掩模材料可從基構(gòu)件10的表面在每個(gè)位置處以不同的速度沉積并生長，并且沉積的掩模材料層100a可具有不平坦的表面。在附圖中，由于掩模材料在光學(xué)開口22的中心部分中沉積并快速地生長，所以掩模材料層100a的表面是凸出的。在一個(gè)實(shí)施方式中，掩模材料層100a可根據(jù)沉積方法或條件具有不同的不平坦形狀。

參照圖11，光學(xué)圖案21可在掩模材料層100a被保留在基構(gòu)件10上時(shí)被移除，并且結(jié)果可以是包括阻擋部120和由阻擋部120限定的多個(gè)圖案開口130的沉積掩模100，其中阻擋部120由殘留在基構(gòu)件10上的掩模材料層100a形成。在形成沉積掩模100之后，基構(gòu)件10可被移除。光學(xué)圖案21可利用剝離器通過剝離工藝移除，其中掩模材料層100a可形成在光學(xué)圖案21上。

如上所述，在制造圖1至圖3的沉積掩模100的方法中，光刻膠圖案20P1可通過圖案化光刻膠材料層20而形成，其中光刻膠材料層20可包括可吸收(捕捉)自由基的添加劑。然后，掩模材料層100a可利用光刻膠圖案20P1通過將掩模材料沉積在基構(gòu)件10上而形成在基構(gòu)件10上。最后，其上可形成有掩模材料層100a的基構(gòu)件10和光學(xué)圖案21可被移除，可制造在期望的位置處具有期望形狀的圖案開口130的沉積掩模100(見圖3)，并且可簡化制造沉積掩模100(見圖3)的工藝。

圖12至圖14示出了制造圖5的沉積掩模的方法的剖視圖。

除了光刻膠材料層20形成在基構(gòu)件10a上、掩模材料層200a形成在基構(gòu)件10a上，以及光學(xué)圖案21和基構(gòu)件10a被移除之外，制造圖5的沉積掩模的方法與以上參照圖7至圖11描述的制造方法相似。對于制造圖5的沉積掩模的方法，將只對在基構(gòu)件10a上形成光刻膠材料層20、在基構(gòu)件10a上形成掩模材料層200a，以及移除光學(xué)圖案21和基構(gòu)件10a進(jìn)行描述。

參照圖12，光刻膠材料層20可形成在基構(gòu)件10a上。基構(gòu)件10a可以是可允許利用鍍層法通過將掩模材料鍍層到基構(gòu)件10a上形成掩模材料層200a的金屬襯底。光刻膠材料層20的具體配置和利用光刻膠材料層20形成光刻膠圖案20P1已在上文中參照圖7和圖9進(jìn)行了詳細(xì)的描述，并省略對其的多余描述。

參照圖13，掩模材料可利用鍍層法(例如，電鍍法或非電鍍法)被鍍層到基構(gòu)件10a上，并且掩模材料層200a可以僅在光學(xué)開口22內(nèi)形成在基構(gòu)件10a上。掩模材料可以是以上所描述的金屬材料。掩模材料可鍍層到基構(gòu)件10a上，以使得形成在光學(xué)開口22中的掩模材料層200a具有約1至20μm的厚度。鍍層出的掩模材料層200a可具有平坦的表面。

參照圖14，光學(xué)圖案21可在掩模材料層200a被保留在基構(gòu)件10a上時(shí)被移除，并且結(jié)果可以是包括由殘留在基構(gòu)件10a上的掩模材料層200a形成的阻擋部220以及由阻擋部220限定的多個(gè)圖案開口130的沉積掩模。在形成沉積掩模之后，基構(gòu)件10a可被移除。光學(xué)圖案21可通過利用剝離器的剝離工藝被移除。

圖15和圖16示出了制造圖6的沉積掩模的方法的剖視圖。

除了掩模材料層300a形成在基構(gòu)件10上以及光學(xué)圖案21和基構(gòu)件10被移除之外，制造圖6的沉積掩模的方法與以上參照圖7至圖11描述的制造方法相似。對于制造圖6的沉積掩模的方法，將只對沉積掩模材料層300a以及移除光學(xué)圖案21和基構(gòu)件10進(jìn)行描述。

參照圖15，掩模材料可從光刻膠圖案20P1的側(cè)部沉積，并且掩模材料層300a可形成在光學(xué)圖案21上以及在光學(xué)開口22中。

沉積在光學(xué)圖案21上的掩模材料層300a可與沉積在光學(xué)開口22 中的掩模材料層300a分離，并且光學(xué)圖案21中的每個(gè)的上部側(cè)表面可以不被掩模材料層300a覆蓋，并可在隨后的剝離工藝中通過剝離器容易地移除。即使沉積在光學(xué)圖案21上的掩模材料層300a與沉積在光學(xué)開口22中的掩模材料層300a彼此不完全地分離，盡管效率和可靠性降低，但是只要光學(xué)圖案21中的每個(gè)的上部側(cè)表面的部分未被掩模材料層300a覆蓋，則仍可以執(zhí)行剝離工藝。

掩模材料可以是以上描述的無機(jī)材料，并且掩模材料的沉積可利用沉積方法(例如CVD方法)來執(zhí)行。掩模材料可沉積在基構(gòu)件10上，以使得形成在光學(xué)開口22中的掩模材料層300a具有約1至20μm的厚度。

在光學(xué)開口22中可形成錐形空間，掩模材料可從基構(gòu)件10的表面在每個(gè)位置處以不同的速度沉積并生長，并且沉積的掩模材料層300a可具有不平坦的表面。在附圖中，由于掩模材料在光學(xué)開口22的中心部分中沉積并快速地生長，所以掩模材料層300a的表面是凸出的。在一個(gè)實(shí)施方式中，掩模材料層300a可根據(jù)沉積方法或條件具有不同的不平坦形狀。

參照圖16，光學(xué)圖案21可在掩模材料層300a被保留在基構(gòu)件10上時(shí)被移除，并且結(jié)果可以是包括由殘留在基構(gòu)件10上的掩模材料層300a形成的阻擋部320以及由阻擋部320限定的多個(gè)圖案開口130的沉積掩模。在形成沉積掩模之后，基構(gòu)件10可被移除。光學(xué)圖案21可利用剝離器通過剝離工藝被移除，其中掩模材料層300a可形成在光學(xué)圖案21上。

現(xiàn)在將對制造圖1至圖3的沉積掩模100的方法進(jìn)行描述。

圖17至圖20示出了制造圖1至圖3的沉積掩模100的方法的剖視圖。

除了形成光刻膠圖案20P2、掩模材料層100a形成在基構(gòu)件10上，以及光學(xué)圖案21b和基構(gòu)件10被移除之外，制造圖1至圖3的沉積掩模100的當(dāng)前方法與以上參照圖7至圖11描述的制造方法相似。對于制造圖1至圖3的沉積掩模100的當(dāng)前方法，將只對形成光刻膠圖案20P2、形成掩模材料層100a，以及移除光學(xué)圖案21b和基構(gòu)件10進(jìn) 行描述。

參照圖17和圖18，包括光學(xué)圖案21b和光學(xué)開口22b的光刻膠圖案20P2可形成在基構(gòu)件10上。

形成光刻膠圖案20P2的工藝與以上參照圖7和圖8描述的形成光刻膠圖案20P1的工藝相似，并且光刻膠圖案20P2的光學(xué)圖案21b中的每個(gè)可具有第一光學(xué)圖案21P1和第二光學(xué)圖案21P2。第一光學(xué)圖案21P1可從第二表面21b2朝著第一表面21b1變窄，并具有彎曲的側(cè)表面。第二光學(xué)圖案21P2可從第一光學(xué)圖案21P1朝著第一表面21b1變窄，并具有從第一光學(xué)圖案21P1的側(cè)表面延伸的彎曲的側(cè)表面。拐點(diǎn)21P3可位于第一光學(xué)圖案21P1的側(cè)表面與第二光學(xué)圖案21P2的側(cè)表面之間的邊界處。

第一光學(xué)圖案21P1的側(cè)表面可包括從光學(xué)圖案21b中的每個(gè)的第二表面21b2連續(xù)的第一側(cè)表面S1、第二側(cè)表面S2、第三側(cè)表面S3和第四側(cè)表面S4，并且拐點(diǎn)SP1、SP2、SP3可分別位于第一側(cè)表面S1與第二側(cè)表面S2之間的邊界處、第二側(cè)表面S2與第三側(cè)表面S3之間的邊界處，以及第三側(cè)表面S3與第四側(cè)表面S4之間的邊界處。拐點(diǎn)SP1、SP2、SP3可以是第一拐點(diǎn)SP1、第二拐點(diǎn)SP2、和第三拐點(diǎn)SP3。分離槽g可由第二側(cè)表面S2和第三側(cè)表面S3限定。在圖19中，掩模材料可從光刻膠圖案20P2的側(cè)部沉積，并且形成在光學(xué)圖案21b上的掩模材料層100a可通過分離槽g與在光學(xué)開口22b中形成在基構(gòu)件10上的掩模材料層100a分離。這是因?yàn)楣鈱W(xué)圖案21b中的每個(gè)的第一拐點(diǎn)SP1可防止沉積在光學(xué)圖案21b上的掩模材料與沉積在光學(xué)開口22b中的掩模材料連接。掩模材料可從光學(xué)圖案21b中的每個(gè)上向上沉積至第一側(cè)表面S1。掩模材料可能難以經(jīng)由第一拐點(diǎn)SP1向上沉積至第二側(cè)表面S2。

光學(xué)圖案21b中的每個(gè)的第一表面21b1與第二光學(xué)圖案21P2的與第一表面21b1相鄰的側(cè)表面之間的角度θ21可小于約90度。平行于光學(xué)圖案21b中的每個(gè)的第二表面21b2的虛擬平面與第一光學(xué)圖案21P1的第一側(cè)表面S1之間的角度θ22可小于約90度。第一光學(xué)圖案21P1的第一側(cè)表面S1與第二側(cè)表面S2之間的角度θ23可以是約90 度或90度以上。

如上所述構(gòu)造的光學(xué)圖案21b可通過調(diào)節(jié)圖8中的光刻膠材料層20的暴露來實(shí)現(xiàn)。

參照圖19，掩模材料可從光刻膠圖案20P2的側(cè)部沉積，并且掩模材料層100a可形成在光學(xué)圖案21b上以及光學(xué)開口22b中。形成在光學(xué)圖案21b上的掩模材料層100a可與形成在光學(xué)開口22中的掩模材料層100a分離，并且光學(xué)圖案21b中的每個(gè)的上部側(cè)表面可以不被掩模材料層100a覆蓋，并可在隨后的剝離工藝中通過剝離器容易地移除。

掩模材料可以是以上所描述的無機(jī)材料，并且掩模材料的沉積可利用沉積方法(例如，濺射方法)來執(zhí)行。掩模材料可沉積在基構(gòu)件10上，以使得形成在光學(xué)開口22b中的掩模材料層100a具有約1至20μm的厚度。

在光學(xué)開口22b中可形成錐形空間，掩模材料可從基構(gòu)件10的表面在每個(gè)位置處以不同的速度沉積并生長，并且沉積的掩模材料層100a可具有不平坦的表面。在附圖中，由于掩模材料在光學(xué)開口22b的中心部分中沉積并快速地生長，所以掩模材料層100a的表面是凸出的。在一個(gè)實(shí)施方式中，掩模材料層100a可根據(jù)沉積方法或條件具有不同的不平坦形狀。

參照圖20，光學(xué)圖案21b可在掩模材料層100a被保留在基構(gòu)件10上時(shí)被移除，并且結(jié)果可以是包括由殘留在基構(gòu)件10上的掩模材料層100a形成的阻擋部120以及由阻擋部120限定的多個(gè)圖案開口130的沉積掩模100。在形成沉積掩模100之后，基構(gòu)件10可被移除。光學(xué)圖案21b可利用剝離器通過剝離工藝移除，其中掩模材料層100a可形成在光學(xué)圖案21b上。

通過總結(jié)與回顧，為了利用沉積方法制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置，具有圖案開口的沉積掩模(例如，精細(xì)金屬掩模(FMM))可按壓抵靠襯底，其中圖案開口與可形成在襯底上的薄膜的圖案相同。然后，沉積材料可通過沉積掩模沉積在襯底上，并且可形成具有期望圖案的薄膜。

沉積掩?？赏ㄟ^利用濕刻蝕法在金屬基構(gòu)件中形成圖案開口來制造，或者通過利用激光輻照法在金屬基構(gòu)件中形成圖案開口來制造。

圖案開口可具有特定的形狀，例如，特定的錐形，以防止利用沉積掩模沉積到襯底上以形成薄膜的沉積材料沉積到薄膜的邊緣部分上。

當(dāng)利用濕刻蝕法制造沉積掩模時(shí)，由于例如刻蝕工藝的不均勻性而可能難以將圖案開口精確地形成為特定形狀。濕刻蝕工藝可執(zhí)行兩次，形成圖案開口的工藝可能是復(fù)雜的，并且形成圖案開口所需的時(shí)間可能增加。

當(dāng)利用激光輻照方法形成沉積掩模的圖案開口時(shí)，金屬基構(gòu)件可能在激光輻照工藝中由激光的熱而導(dǎo)致變形，或者由于例如激光的震動而導(dǎo)致圖案開口可能形成在不期望的位置處。

各實(shí)施方式可提供制造沉積掩模的方法，該沉積掩模可在期望位置處包括具有期望形狀的圖案開口并且可簡單地制造。各實(shí)施方式還可提供可在期望位置處包括具有期望形狀的圖案開口并且可簡單地制造的沉積掩模。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的制造沉積掩模的方法可用于制造在期望位置處包括具有期望形狀的圖案開口的沉積掩模。該方法可簡化制造沉積掩模的工藝。

本文中已公開了示例性實(shí)施方式，并且雖然使用了專用術(shù)語，但是其僅被用于并被解釋為通用的和描述性的意義并不旨在限制性的目的。在一些情況下，如自本申請?zhí)峤黄饘τ诒绢I(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的，除非另外具體地指出，否則結(jié)合具體實(shí)施方式而描述的特征、特性和/或元件可單獨(dú)使用或與結(jié)合其他實(shí)施方式而描述的特征、特性和/或元件組合使用。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在不脫離如在所附權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。