單面拋光的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種單面拋光機(jī)，包括：機(jī)殼，設(shè)置在所述機(jī)殼內(nèi)的拋盤、研磨壓盤、氣缸和旋轉(zhuǎn)電機(jī)，所述研磨壓盤設(shè)置在所述拋盤上方，所述氣缸和旋轉(zhuǎn)電機(jī)分別控制所述研磨壓盤上下動(dòng)作和旋轉(zhuǎn)，并且所述研磨壓盤的內(nèi)部設(shè)置有中心氣缸。本發(fā)明采用中心氣缸加壓的方式使研磨壓盤的底部產(chǎn)生一定量的變形量，從而提高晶片厚度的一致性。
【專利說明】單面拋光機(jī)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及拋光機(jī)，特別涉及一種單面拋光機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體晶片(如硅片、砷化鎵、鍺片、藍(lán)寶石、磷化銦等)拋光時(shí)，單片拋光機(jī)拋光盤的平坦度控制是影響到晶片拋光精度的關(guān)鍵技術(shù)。目前的單面拋光機(jī)，由于拋光盤與研磨上盤在工作時(shí)不同半徑線速度不一樣，僅靠單一平面來加壓，造成內(nèi)外的厚度不一致，影響晶片質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種單面拋光機(jī)，以克服現(xiàn)有技術(shù)中單面拋光機(jī)拋光晶片時(shí)厚度不一致的問題。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種單面拋光機(jī)，包括:機(jī)殼，設(shè)置在所述機(jī)殼內(nèi)的拋盤、研磨壓盤、氣缸和旋轉(zhuǎn)電機(jī)，所述研磨壓盤設(shè)置在所述拋盤上方，所述氣缸和旋轉(zhuǎn)電機(jī)分別控制所述研磨壓盤上下動(dòng)作和旋轉(zhuǎn)，并且所述研磨壓盤的內(nèi)部設(shè)置有中心氣缸。
[0005]作為優(yōu)選，所述拋盤周圍設(shè)置有多個(gè)回轉(zhuǎn)氣缸。
[0006]作為優(yōu)選，所述研磨壓盤還包括:瓷盤、頂板、頂盤以及外環(huán)，其中，所述頂盤設(shè)置于所述外環(huán)的頂部并與所述氣缸固接，中心氣缸設(shè)置于所述外環(huán)中心并與頂板接觸，所述瓷盤固定于外環(huán)底部。
[0007]作為優(yōu)選，所述頂盤中設(shè)有與所述中心氣缸對(duì)應(yīng)的進(jìn)氣口。
[0008]作為優(yōu)選，所述研磨壓盤設(shè)置有兩組。
[0009]作為優(yōu)選，所述機(jī)殼上還設(shè)置有控制面板。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明采用中心氣缸加壓的方式使研磨壓盤的底部產(chǎn)生一定量的變形量，從而提高晶片厚度的一致性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中單面拋光機(jī)的主視圖；
[0012]圖2為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中單面拋光機(jī)的研磨壓盤的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中單面拋光機(jī)的后視圖。
[0014]圖中:10_機(jī)殼，20-拋盤、30-研磨壓盤、301-中心氣缸、302-頂盤、303-頂板、304-瓷盤、305-外環(huán)、306-進(jìn)氣口、40_氣缸、50-回轉(zhuǎn)氣缸、60-控制面板。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。需說明的是，本發(fā)明附圖均采用簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0016]請(qǐng)參照?qǐng)D1?3，本發(fā)明的單面拋光機(jī)，包括:機(jī)殼10，設(shè)置在所述機(jī)殼10內(nèi)的拋盤20、研磨壓盤30、氣缸40和旋轉(zhuǎn)電機(jī)，所述研磨壓盤30設(shè)置在所述拋盤20上方，所述氣缸40和旋轉(zhuǎn)電機(jī)分別控制所述研磨壓盤30上下動(dòng)作和旋轉(zhuǎn)，并且所述研磨壓盤30的內(nèi)部設(shè)置有中心氣缸301。具體地，所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)用于控制所述研磨壓盤30旋轉(zhuǎn)，所述氣缸40控制所述研磨壓盤30上升或下降，而中心氣缸301在所述研磨壓盤30壓住晶片時(shí)工作，使研磨壓盤30底部產(chǎn)生變形量，進(jìn)而使晶片的中心與周圍的研磨厚度一致。因此，本發(fā)明采用中心氣缸301加壓的方式使研磨壓盤30的底部產(chǎn)生一定量的變形量，從而提高晶片厚度的一致性。
[0017]請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1?3，作為優(yōu)選，所述拋盤20周圍設(shè)置有多個(gè)回轉(zhuǎn)氣缸50，用于控制所述拋盤20旋轉(zhuǎn)，進(jìn)一步的，所述研磨壓盤30設(shè)置有兩組，可以對(duì)多個(gè)晶片進(jìn)行同時(shí)拋光，提高生產(chǎn)效率。
[0018]請(qǐng)重點(diǎn)參照?qǐng)D2，所述研磨壓盤30還包括:瓷盤304、頂板303、頂盤302以及外環(huán)305，其中，所述頂盤302設(shè)置于所述外環(huán)305的頂部并與所述氣缸40固接，中心氣缸301設(shè)置于所述外環(huán)305中心并與頂板303接觸，所述瓷盤304固定于外環(huán)305底部。進(jìn)一步的，所述頂盤302中設(shè)有與所述中心氣缸301對(duì)應(yīng)的進(jìn)氣口 306。如圖2中虛線所示，當(dāng)研磨壓盤30工作時(shí),氣缸40帶動(dòng)研磨壓盤30向下動(dòng)作，中心氣缸301動(dòng)作,通過頂板303對(duì)磁盤304動(dòng)作，使磁盤304產(chǎn)生一定的變形量(如圖2中的虛線所示)，確保拋盤20和研磨壓盤30旋轉(zhuǎn)時(shí)，晶片中心與四周的拋光量，從而提高晶片厚度的一致性。
[0019]請(qǐng)參照?qǐng)D3，所述機(jī)殼10上還設(shè)置有控制面板60，用于調(diào)節(jié)所述單面拋光機(jī)中的各種參數(shù)，并可以通過控制面板60監(jiān)控所述單面拋光機(jī)動(dòng)作。
[0020]綜上所述，本發(fā)明的單面拋光機(jī)，包括:機(jī)殼10，設(shè)置在所述機(jī)殼10內(nèi)的拋盤20、研磨壓盤30、氣缸40和旋轉(zhuǎn)電機(jī)，所述研磨壓盤30設(shè)置在所述拋盤20上方，所述氣缸40和旋轉(zhuǎn)電機(jī)分別控制所述研磨壓盤30上下動(dòng)作和旋轉(zhuǎn)，并且所述研磨壓盤30的內(nèi)部設(shè)置有中心氣缸301。本發(fā)明采用中心氣缸301加壓的方式使研磨壓盤30的底部產(chǎn)生一定量的變形量，從而提高晶片厚度的一致性。
[0021]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包括這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單面拋光機(jī)，其特征在于，包括:機(jī)殼，設(shè)置在所述機(jī)殼內(nèi)的拋盤、研磨壓盤、氣缸和旋轉(zhuǎn)電機(jī)，所述研磨壓盤設(shè)置在所述拋盤上方，所述氣缸和旋轉(zhuǎn)電機(jī)分別控制所述研磨壓盤上下動(dòng)作和旋轉(zhuǎn)，并且所述研磨壓盤的內(nèi)部設(shè)置有中心氣缸。
2.如權(quán)利要求1所述的單面拋光機(jī)，其特征在于，所述拋盤周圍設(shè)置有多個(gè)回轉(zhuǎn)氣缸。
3.如權(quán)利要求1所述的單面拋光機(jī)，其特征在于，所述研磨壓盤還包括:瓷盤、頂板、頂盤以及外環(huán)，其中，所述頂盤設(shè)置于所述外環(huán)的頂部并與所述氣缸固接，中心氣缸設(shè)置于所述外環(huán)中心并與頂板接觸，所述瓷盤固定于外環(huán)底部。
4.如權(quán)利要求3所述的單面拋光機(jī)，其特征在于，所述頂盤中設(shè)有與所述中心氣缸對(duì)應(yīng)的進(jìn)氣口。
5.如權(quán)利要求1所述的單面拋光機(jī)，其特征在于，所述研磨壓盤設(shè)置有兩組。
6.如權(quán)利要求1所述的單面拋光機(jī)，其特征在于，所述機(jī)殼上還設(shè)置有控制面板。
【文檔編號(hào)】B24B37/005GK103551957SQ201310534409
【公開日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2013年11月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月1日
【發(fā)明者】張衛(wèi)國, 李啟慶 申請(qǐng)人:蘇州辰軒光電科技有限公司