專利名稱：連續(xù)式濺鍍設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種濺鍍設(shè)備，尤其涉及一種連續(xù)式濺鍍設(shè)備。
背景技術(shù)：
真空濺鍍技術(shù)已廣泛應(yīng)用于眾多產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中，如半導(dǎo)體制造業(yè)、光電業(yè)、電子業(yè)等。真空濺鍍技術(shù)的原理為在高真空環(huán)境中將氬、氖等惰性氣體散布于具高電位差的二金屬板之間，惰性氣體與電子撞擊形成等離子，等離子內(nèi)的氬、氖等惰性離子受電場加速而撞擊到靶材的表面，靶材上的原子被撞擊后飛到基材的表面，基材表面經(jīng)靶材原子沉積后即可形成薄膜。
目前，為降低真空濺鍍制程的成本，所采用的濺鍍設(shè)備多為連續(xù)式(In-line)，以取代傳統(tǒng)批次式(Batch Type)或?qū)A式(Wafer Type)的生產(chǎn)方式?，F(xiàn)有的連續(xù)式濺鍍設(shè)備通常包括依次設(shè)置的進(jìn)料腔體、濺鍍腔體及出料腔體。濺鍍腔體內(nèi)設(shè)有至少二靶材，用于對基材鍍膜。該至少二靶材于濺鍍腔體內(nèi)沿基材被傳送方向等間隔設(shè)置。當(dāng)基材被傳送至濺鍍腔體內(nèi)相鄰靶材之間隙位置處時，靶材端部的原子皆被撞擊沉積至基材，造成膜層呈波浪狀，膜厚均勻性不高。因此，現(xiàn)有的連續(xù)式濺鍍設(shè)備對于外觀要求較高、膜厚要求均勻性高的產(chǎn)品并不適用。發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述內(nèi)容，有必要提供一種能夠提高鍍膜均勻性的連續(xù)式鍍膜設(shè)備。
一種連續(xù)式濺鍍設(shè)備，包括依次相鄰設(shè)置的進(jìn)料腔體、濺鍍腔體及出料腔體，該濺鍍腔體包括濺鍍室及裝設(shè)于該濺鍍室內(nèi)的靶材組件與若干電極，該濺鍍室內(nèi)設(shè)有一濺鍍區(qū)，該若干電極相對裝設(shè)于該濺鍍室的側(cè)壁上，設(shè)于同一側(cè)的若干電極間隔設(shè)置，該靶材組件包括若干靶材，每一靶材裝設(shè)于相應(yīng)電極上并遠(yuǎn)離該濺鍍區(qū)，同一側(cè)相鄰靶材之間形成間隙。該靶材組件還包括至少一遮蔽件，該至少一遮蔽件相對該間隙設(shè)置，并位于該若干靶材與該濺鍍區(qū)之間，用以遮蔽擋設(shè)相鄰靶材邊緣原子的濺射。
本發(fā)明提供的連續(xù)式濺鍍設(shè)備，由于遮蔽件相對相鄰靶材之間隙位置設(shè)置并鄰近濺鍍區(qū)。濺鍍時，遮蔽件能夠減小靶材上端部的原子同時被撞擊至基材上的幾率，有效地提高了沉積至基材上的膜厚均勻性，能夠適用于對外觀性要求高的鍍膜。


圖1為本實施方式 的連續(xù)濺鍍設(shè)備對基材進(jìn)行濺鍍處理時的示意圖。
圖2為本實施方式的 濺鍍室對基材進(jìn)行濺鍍處理的立體示意圖。
主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種連續(xù)式濺鍍設(shè)備，包括依次相鄰設(shè)置的進(jìn)料腔體、濺鍍腔體及出料腔體，該濺鍍腔體包括濺鍍室及裝設(shè)于該濺鍍室內(nèi)的靶材組件與若干電極，該濺鍍室內(nèi)設(shè)有一濺鍍區(qū)，該若干電極相對裝設(shè)于該濺鍍室的側(cè)壁上，設(shè)于同一側(cè)的若干電極間隔設(shè)置，該靶材組件包括若干靶材，每一靶材裝設(shè)于相應(yīng)電極上并遠(yuǎn)離該濺鍍區(qū)，同一側(cè)相鄰靶材之間形成間隙，其特征在于:該靶材組件還包括至少一遮蔽件，該至少一遮蔽件相對該間隙設(shè)置，并位于該若干靶材與該濺鍍區(qū)之間，用以遮蔽擋設(shè)相鄰靶材邊緣原子的濺射。
2.如權(quán)利要求1所述的連續(xù)式濺鍍設(shè)備，其特征在于:該至少一遮蔽件水平投影的長度大于或等于該間隙的長度。
3.如權(quán)利要求2所述的連續(xù)式濺鍍設(shè)備，其特征在于:該至少一遮蔽件與該若干靶材相互平行。
4.如權(quán)利要求1所述的連續(xù)式濺鍍設(shè)備，其特征在于:該連續(xù)式鍍膜設(shè)備還包括第一緩沖腔體，該第一緩沖腔體位于該進(jìn)料腔體與第一緩沖腔體之間。
5.如權(quán)利要求4所述的連續(xù)式濺鍍設(shè)備，其特征在于:該連續(xù)式鍍膜設(shè)備還包括第二緩沖腔體，該第二緩沖腔體位于該濺鍍腔體與該出料腔體之間。
6.如權(quán)利要求5所述的連續(xù)式濺鍍設(shè)備，其特征在于:該連續(xù)式鍍膜設(shè)備還包括預(yù)處理腔體，該預(yù)處理腔體位于該進(jìn)料腔體與該第一緩沖腔體之間。
7.如權(quán)利要求6所述的連續(xù)式濺鍍設(shè)備，其特征在于:該連續(xù)式鍍膜設(shè)備還包括閘門，該閘門設(shè)于進(jìn)料腔體與該預(yù)處理腔體之間、預(yù)處理腔體與該第一緩沖腔體之間及該第二緩沖腔體之間與該出料腔體之間。
8.如權(quán)利要求1所述的連續(xù)式濺鍍設(shè)備，其特征在于:該濺鍍腔體包括若干濺鍍室，該若干濺鍍室之間以活動式閘門予以隔離。
9.如申請專利范圍第I項所述的連續(xù)式濺鍍設(shè)備，其特征在于:濺鍍室還包括與濺鍍區(qū)連接的安裝區(qū)，該 靶材組件裝設(shè)于該安裝區(qū)內(nèi)。
全文摘要
一種連續(xù)式濺鍍設(shè)備，包括依次相鄰設(shè)置的進(jìn)料腔體、濺鍍腔體及出料腔體，該濺鍍腔體包括濺鍍室及裝設(shè)于該濺鍍室內(nèi)的靶材組件與若干電極，該濺鍍室內(nèi)設(shè)有一濺鍍區(qū)，該若干電極相對裝設(shè)于該濺鍍室的側(cè)壁上，設(shè)于同一側(cè)的若干電極間隔設(shè)置，該靶材組件包括若干靶材，每一靶材裝設(shè)于相應(yīng)電極上并遠(yuǎn)離該濺鍍區(qū)，同一側(cè)相鄰靶材之間形成間隙。該靶材組件還包括至少一遮蔽件，該至少一遮蔽件相對該間隙設(shè)置，并位于該若干靶材與該濺鍍區(qū)之間，用以遮蔽擋設(shè)相鄰靶材邊緣原子的濺射。本發(fā)明提供的連續(xù)式濺鍍設(shè)備，遮蔽件能夠減小靶材上端部的原子同時被撞擊至基材上的幾率，有效地提高了沉積至基材上的膜厚均勻性，能夠適用于對外觀性要求高的鍍膜。
文檔編號C23C14/56GK103147048SQ20111040287
公開日2013年6月12日 申請日期2011年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月7日
發(fā)明者張慶州 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司