專利名稱：鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜裝置。
背景技術(shù)：
目前光學(xué)膜片一般利用具有微結(jié)構(gòu)雕刻之銅滾輪，將樹脂載體壓印后照光固化完成，而在制程上，難以避免有塵粒掉落于滾輪表面。因電鍍之硬質(zhì)銅硬度較小，所以當(dāng)滾輪繼續(xù)運轉(zhuǎn)時，塵粒便在樹脂載體與輪面間隨之帶動，最后造成刮傷而導(dǎo)致膜片成品光學(xué)質(zhì)量不良。另一方面因輪面為銅材，故暴露于大氣環(huán)境容易形成氧化銅，當(dāng)氧化層面積增大時將造成微結(jié)構(gòu)破壞，最后滾輪報廢而須重新進行雕刻。在滾輪直接鍍上鎳層再行雕刻，雖增加了輪面硬度但勢必縮短鉆石刀具使用壽命，因此最佳方式仍是在銅滾輪上雕刻微結(jié)構(gòu)，再設(shè)法制作保護層以達到輪面之耐磨耗或者抗氧化效果。由于滾輪體積較大，倘若以一般PVD方式進行鍍膜，因膜層均勻性的考慮，除了注意載體氣體流場外，可能由于靶材置放、電漿源以及滾輪轉(zhuǎn)動等等疑慮，必須重新制作一套較為復(fù)雜的系統(tǒng)。傳統(tǒng)鍍膜設(shè)備中，加熱裝置一般設(shè)置在鍍膜工件下方，從下方對工件進行加熱，但是，采用此方式對滾輪加熱造成滾輪加熱不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種可均勻加熱滾輪的鍍膜裝置。—種鍍膜裝置，其采用原子層沉積制程進行鍍膜，所述鍍膜裝置包括一腔體，所述腔體內(nèi)壁設(shè)置有加熱單元，所述加熱單元具有一個收容空間用以收容一滾輪以對所述滾輪進行鍍膜。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的鍍膜裝置的加熱單元圍繞滾輪設(shè)置，以將滾輪圍繞在中間，從而使得滾輪各個位置受熱均勻，進而可均勻加熱滾輪。


圖1是本發(fā)明實施例鍍膜裝置之軸向剖面圖。
圖2是本發(fā)明實施例鍍膜裝置之徑向剖面圖。
主要元件符號說明
鍍膜裝置1
腔體10
蓋體11
底座12
加熱單元13
支撐架14
3
第一加熱線圈131
第二加熱線圈132
滾輪20
第一收容空間30
第二收容空間40
內(nèi)壁110，120
進氣口111
出氣口12具體實施例方式下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例作進一步詳細說明。請參閱圖1及圖2所示，本發(fā)明實施例提供了一種鍍膜裝置1，其在原子層沉積 (atomic layer deposition, ALD)過程中對滾輪20進行鍍膜。鍍膜裝置1包括腔體10，腔體10包括蓋體11、底座12、加熱單元13和用來支撐滾輪20之支撐架14，支撐架14設(shè)置在底座12上，蓋體11蓋合在底座12上從而限定一個第一收容空間30，第一收容空間30可以為方形、圓筒形等。滾輪20設(shè)置在支撐架14上，支撐架14將滾輪20支撐一定高度使得滾輪20與腔體10之間具有一定空隙，即滾輪20大致位于腔體10中部。加熱單元13包括設(shè)置在蓋體11內(nèi)的第一加熱線圈131和設(shè)置在底座12內(nèi)的第二加熱線圈132，第一加熱線圈131和第二加熱線圈132在第一收容空間30內(nèi)限定一個第二收容空間40，滾輪20設(shè)置在第二收容空間40內(nèi)且與第一加熱線圈131、第二加熱線圈132 隔開一定距離，換言之，第一加熱線圈131和第二加熱線圈132圍繞在滾輪20的外圍且不接觸滾輪20。優(yōu)選地，第一加熱線圈131貼合在蓋體11的內(nèi)壁110上，第二加熱線圈132貼合在底座12的內(nèi)壁120上。優(yōu)選地，第二收容空間40為圓筒形，即形狀與滾輪20的形狀相同。第一加熱線圈131和第二加熱線圈132均勻纏繞滾輪20，以利均勻加熱滾輪20。蓋體11上設(shè)置有進氣口 111，底座12上設(shè)置有出氣口 121，鍍膜時，氣體可經(jīng)過進氣口 111進入腔體10內(nèi)，多馀的氣體或者鍍膜過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物可經(jīng)過出氣口 121排出腔體10以凈化腔體10，另外，也可以通過出氣口 121實現(xiàn)腔體10的真空度。當(dāng)然，進氣口 111的數(shù)量可以根據(jù)需要引入腔體10內(nèi)的氣體種類設(shè)定，一個進氣口 111允許一種氣體進入腔體10。在對滾輪20進行鍍膜時，打開蓋體11，將滾輪20放置在支撐架14上，然后將蓋體11蓋合在底座12上，藉助真空裝置通過出氣口 121實現(xiàn)腔體10內(nèi)的真空度，施加電流予第一加熱線圈131和第二加熱線圈132使其對滾輪20加熱達到預(yù)定溫度，然后將反應(yīng)氣體通過進氣口 111引入腔體10內(nèi)，反應(yīng)氣體在腔體10內(nèi)發(fā)生反應(yīng)從而在滾輪20表面形成鍍膜。由于加熱單元均勻纏繞滾輪，使得滾輪各個位置受熱均勻，從而使得滾輪表面形成的薄膜厚度均勻。
可以理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可于本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化等用于本發(fā)明的設(shè)計，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效果均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜裝置，其采用原子層沉積方法進行鍍膜，其特征在于，所述鍍膜裝置包括一腔體，所述腔體內(nèi)壁設(shè)置有加熱單元，所述加熱單元具有一個收容空間用以收容一滾輪以對所述滾輪進行鍍膜。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述加熱單元包括第一加熱線圈和第二加熱線圈，所述第一加熱線圈和第二加熱線圈共同限定所述收容空間以用來容納所述滾輪。
3.如權(quán)利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述腔體包括蓋體和底座，所述第一加熱線圈貼合在所述蓋體內(nèi)壁上，所述底第二加熱線圈貼合在所述底座上。
4.如權(quán)利要求1至3任一項所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述腔體內(nèi)具有支撐架以支持所述滾輪。
5.如權(quán)利要求4所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述支撐架位于所述底座內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述蓋體上具有進氣口。
7.如權(quán)利要求6所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述底座上具有出氣口。
全文摘要
一種鍍膜裝置，其采用原子層沉積方法進行鍍膜，所述鍍膜裝置包括一腔體，所述腔體內(nèi)壁設(shè)置有加熱單元，所述加熱單元具有一個收容空間用以收容一滾輪以對所述滾輪進行鍍膜。
文檔編號C23C16/46GK102312219SQ20101021374
公開日2012年1月11日 申請日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者許嘉麟 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司