專利名稱：升降銷、用于加工基板的裝置以及加工基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種升降銷、用于加工基板的裝置 以及加工基才反的方法。更具體地i兌，本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一 種用于沿預(yù)定方向移動(dòng)基板以將基板放置在卡盤上的升降銷、包含 所迷升降銷的用于加工基板的裝置，以及使用所述裝置加工基板的 方法。
背景技術(shù)：
通常通過諸如用于形成層的沉積工藝、光學(xué)處理(photo process )、光刻工藝、擴(kuò)散工藝等一系列工藝制造半導(dǎo)體元件。至 于用于在基板上形成層的沉積工藝，已研發(fā)出多種工藝，例如濺射 工藝、電鍍工藝、蒸發(fā)工藝、化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、分子束 外延工藝、原子層沉積(ALD)工藝等。
由于CVD工藝提供了具有卓越特征的層，因此CVD工藝已廣 泛用于在基板上形成期望層。CVD工藝通常包括低壓化學(xué)氣相沉積 (LPCVD)工藝、常壓4匕學(xué)氣相沉積(APCVD)工藝、4氐溫4匕學(xué)
氣相沉積(LTCVD)工藝、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) 工藝等。
傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置通常包4舌腔室、靜電卡盤 (ESC)、噴頭、以及升降銷。其中形成有層的基板裝載在腔室中。 該基板被安放在安置于腔室中的ESC上。噴頭定位在ESC上方以 便向基板上提供反應(yīng)氣體。升降銷被插入到穿過ESC豎直形成的通 路中，以使基板沿向上方向或向下方向移動(dòng)。例如，在第2005-42965 號(hào)韓國公開專利公布中公開了具有升降銷的傳統(tǒng)CVD裝置。
傳統(tǒng)CVD裝置中的升降銷在穿過ESC形成的通路中上下移 動(dòng)，因此升降銷具有小于通路直徑的直徑。特別地，由于傳統(tǒng)CVD 裝置的升降銷具有恒定的直徑，從而在升降銷與通路的內(nèi)表面之間 產(chǎn)生間隙。因此，當(dāng)在基板上形成層時(shí)，用于形成層的反應(yīng)氣體通 過該間隙流入到通路中。另外，反應(yīng)副產(chǎn)物通過在升降銷與通路之 間的該間隙流入到通^^中。因此，在通路的內(nèi)表面上形成了不希望 出現(xiàn)的層。形成在通路上的該不希望出現(xiàn)的層可能充當(dāng)了導(dǎo)致半導(dǎo) 體元件各種故障的孩史粒。而且，不希望出現(xiàn)的層連續(xù)不斷地形成在 通道的內(nèi)表面上，因而通路的直徑不斷地減小，從而防止了升降銷 上下移動(dòng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提出了 一種能夠防止反應(yīng)氣體向卡盤 的通3各流入的升降銷。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提出了一種用于加工基板的裝置，該裝 置包括能夠防止反應(yīng)氣體向卡盤的通路流入的升降銷。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提出了 一種使用上述裝置加工基板的 方法，該裝置包括能夠防止反應(yīng)氣體向卡盤的通路流入的升降銷。
沖艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提出了一種升降銷，其包4舌桿部和頭 部。該桿部可以在穿過卡盤形成的通路中移動(dòng)，該卡盤上具有使用
反應(yīng)氣體加工的物體(object )。該頭部可以i殳在4f部上，以與該物 體接觸。該頭部可以封閉通路，以防止反應(yīng)氣體流入到通路中。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，該頭部可以具有與卡盤通路的頂 面相4妾觸的下部。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，容納凹槽可以i殳在卡盤上以容納 頭部。這里，頭部可以具有與容納凹槽的內(nèi)表面相隔開的側(cè)部，該 容納凹4曹與通i 各相通。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，容納凹槽可以設(shè)在卡盤上以容納 頭部。這里，頭部可以具有與容納凹槽的內(nèi)表面4妄觸的側(cè)面，該容 納凹槽與通^各相通。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，該頭部的上部可以基本上小于該 頭部的下部。例如，該頭部可以具有拱形4黃截面、半圓形4黃截面、 三角形4黃截面、矩形4黃截面、梯形4黃截面或漏斗形4黃截面。
根據(jù)本發(fā)明的另 一個(gè)方面，提供了 一種用于加工基板的裝置。 該裝置包括腔室、卡盤、噴頭、以及升降銷。該腔室可以將基玲反容 納于其中?？ūP可以設(shè)置在腔室中以支撐基板?？ūP可以具有基本
上沿垂直于基板的方向形成的通路。噴頭可以設(shè)置在卡盤上方以《更 向基板上提供反應(yīng)氣體。升P爭銷可以設(shè)置在通路中，以使基板沿向 上方向和向下方向移動(dòng)。升降銷可以包4舌在通路中移動(dòng)的#干部和形 成在才干部上以防止反應(yīng)氣體流入到通^各中的頭部。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，升降銷的頭部的上部可以基本上 小于該頭部的下部。該頭部可以具有才共形^黃截面、半圓形才黃截面、 多邊形4黃截面或漏斗形4黃截面。 在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，卡盤可以具有容納凹槽，頭部容 納在該容納凹槽中。容納凹槽具有的深度可以基本上與頭部的厚度 相同或大于該厚度。容納凹槽可以具有與頭部的側(cè)面接觸的內(nèi)表 面?？商鎿Q地，容納凹槽可以具有與頭部的側(cè)面相隔開的內(nèi)表面。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，卡盤可以包括靜電卡盤，并且腔
室包括化學(xué)氣相沉積(CVD )腔室。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種加工基板的方法。在加工 基板的該方法中，可以將基板裝載于腔室中?？梢允褂蒙典N將基 4反安》丈在卡盤上，該升降銷在穿過卡盤形成的通路中移動(dòng)。可以由 升降銷的頭部封閉卡盤的通路。可以使用反應(yīng)氣體在腔室中加工該 基板?？梢詮脑撉皇抑腥コ诩庸せ迤陂g產(chǎn)生的反應(yīng)副產(chǎn)物。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在加工基板期間，反應(yīng)氣體可以 移動(dòng)到腔室中，之后可以從反應(yīng)氣體中產(chǎn)生等離子以在基板上形成 層。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，可以^吏用升降銷-使得基板從卡盤 處向上移動(dòng)，然后可將基板從腔室中卸下。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，升降銷包括能夠充分地封閉卡盤 的通^各(升降銷在該通^各中上下移動(dòng))的頭部，因此升降銷可有效 地防止反應(yīng)副產(chǎn)物和/或反應(yīng)氣體流入到卡盤的通路中。因此，當(dāng)在 物體(諸如基板)上形成期望層時(shí)，由于升降銷可以防止在通路上 形成不期望出現(xiàn)的層，因而可有效地避免充當(dāng)顆粒的不期望出現(xiàn)的 層所導(dǎo)致的半導(dǎo)體元件的故障。而且，由于可以防止形成不期望出 現(xiàn)的層因而用于清潔卡盤的周期變長，因此可降〗氐半導(dǎo)體元件的制 造成本并且還可提高卡盤的使用壽命。


結(jié)合附圖參照以下詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它特4正及優(yōu)點(diǎn)
將變得更容易理解，在附圖中
圖l是^f黃截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的升降銷；
圖2是放大橫截面圖，示出了圖1中的"n"部分；
圖3是橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的升降銷；
圖4是橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的升降銷；
圖5是橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的升降銷；
圖6是橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的升降銷；
圖7是橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的升降銷；
圖8是橫截面圖，示出了才艮據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于加工 基板的裝置；以及
圖9是流程圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的加工基板的 方法。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參照示出了本發(fā)明示例性實(shí)施例的附圖更全面地 描述本發(fā)明。然而，可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，并且不 應(yīng)認(rèn)為本發(fā)明局限于文中所述的示例性實(shí)施例。更確切地，提供這 些實(shí)施例是為了使本公開更全面和完整，并向本領(lǐng)域中技術(shù)人員充
分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的尺寸 及相對(duì)尺寸可以^皮擴(kuò)大。
可以理解，當(dāng)指出一個(gè)元件或?qū)?位于"、"連接至，，或"耦合至，， 另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接位于、直4妄連接或耦合至另一元件或 層，或者其間可以存在插入元件或?qū)?。相反，?dāng)指出一個(gè)元件"直 接位于"、"直接連接至"或"直接耦合至"另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在 插入元件或?qū)?。在整個(gè)說明書中，相同參考標(biāo)號(hào)表示相同的元件。 當(dāng)在文中使用時(shí)，術(shù)語"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列條目中的任 一個(gè)以及所有組合。
可以理解，盡管這里可以4吏用術(shù)語第一、第二、第三等等來描 述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、部件、區(qū)域、 層和/或部分不應(yīng)該受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、 部件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此， 在不背離本發(fā)明教導(dǎo)的前提下，下面所討論的第一元件、部件、區(qū) 域、層或部分也可以稱作第二元件、部件、區(qū)域、層或部分。
為了便于描述，這里可以使用空間相對(duì)關(guān)系術(shù)語，諸如"下面 的"、"下方的"、"下部的"、"上方的"、"上部的"及類似詞，以描述 附圖所示的 一個(gè)元件或特4正相對(duì)于其它元件或特4正的關(guān)系?？梢岳?解，空間相對(duì)關(guān)系術(shù)語旨在，除了包含附圖中示出的方位外，還包 含裝置在使用或工作中的不同方位。例如，如果將附圖中的裝置翻 轉(zhuǎn)，那么被描述為在其它元件或特征"下方"或"下面"的元件將被定 位在其它元件或特征"上方"。因此，示例性術(shù)語"下方的"可以包括 "下方的，，和"上方的"兩個(gè)方位。可以將裝置以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)
90?；蛱幱谄渌轿?，并且相應(yīng)地對(duì)此處使用的空間相對(duì)關(guān)系術(shù)語 進(jìn)行解釋。
這里所^吏用的術(shù)語〗又用于描述特定實(shí)施例的目的，而并非旨在 限制本發(fā)明。除非文中清楚地指明是其它情況，否則這里所使用的
單數(shù)形式"一個(gè)"("a""an"和"the")也旨在包括復(fù)數(shù)形式。還可以理 解，當(dāng)術(shù)語"含有(comprises和/或comprising )，，或者"包括(include 和/或including)"用于本說明書中時(shí)，表明存在所述的特征、整體、 步驟、操作、元件、和/或部件，但并不排除存在或附加有一個(gè)或多
個(gè)其它的特征、整體、步驟、操作、元件、部件、和/或它們所構(gòu)成 的組。
以下，將參照作為本發(fā)明理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖 的橫截面圖，描述本發(fā)明的實(shí)施例。同樣地，可以預(yù)期由于例如制 造技術(shù)和/或公差所導(dǎo)致的圖中形狀上的變化。由此，本發(fā)明的示例 性實(shí)施例不應(yīng)該被理解為限于這里所示區(qū)域的特定形狀，而應(yīng)包括 例如由于制造所導(dǎo)致的形4犬上的偏差。例如，帔示為矩形的注入?yún)^(qū) 域通?？梢跃哂袌A滑的或彎曲的特征，和/或在其邊緣具有注入濃度 梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。類似地，通過注入 形成的掩埋區(qū)域可能會(huì)在該掩埋區(qū)域與通過其進(jìn)行注入的表面之 間的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生某些注入。因此，附圖中所示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意 性的，并且它們的形狀并非為了描述器件的區(qū)域的精確形狀，也不 是為了限定本發(fā)明的范圍。
除非另有限定，否則這里所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和 科學(xué)術(shù)語)均具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員的通常理解相同的含 義。還可以理解，諸如常用詞典中定義的那些術(shù)語的術(shù)語，應(yīng)該祐_ 解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)領(lǐng)域的背景中的含義一致的含義，而
不應(yīng)該解釋為理想化的或過于正式的含義，除非這里清楚地如此定 義。
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的升降銷的橫截面圖，
以及圖2是示出了圖i中"ir部分的放大橫截面圖。
參照?qǐng)D1和圖2，升降銷100包括桿部110和頭部120。在示 例性實(shí)施例中，升降銷100可以插入到卡盤210中，物體(未示出，
諸如基板)放置于該卡盤上。
升降銷100的桿部110可以插入到穿過卡盤210設(shè)置的通路216 中?？梢匝鼗旧洗怪庇诳ūP210的方向形成通^各216，以1"更可相 對(duì)于卡盤210設(shè)置桿部110。桿部110可在通路216中沿向上的方 向和向下的方向移動(dòng)。桿部110具有的寬度可基本上小于通路216 寬度。在示例性實(shí)施例中，升降銷100的桿部IIO可以具有預(yù)定寬 度。桿部IIO可以具有圓柱形結(jié)構(gòu)。
升降銷100的頭部12(H殳在片干部110的一個(gè)端部。頭部120可 以與4干部110整體形成。頭部120可以^)奪物體(-渚如基^反)安方文在 卡盤210上，或者頭部120可以沿向上方向或向下方向乂人卡盤210 處移動(dòng)該物體。由于升降銷100的頭部120與該物體接觸，因此頭 部120可以具有所需上部以減小升降銷100與該物體之間的4妄觸面 積。當(dāng)頭部120具有縮減的上部面積時(shí)，可有效地防止產(chǎn)生物體的 JR瘋(例^口 ， 4勿體的污點(diǎn)或5趕點(diǎn))。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，升降銷100的頭部120可以具有 4共形結(jié)構(gòu)或半^求形結(jié)構(gòu)。另外，頭部120可以具有諸如弧形或半圓 形的橫截面。當(dāng)頭部120具有拱形結(jié)構(gòu)或半球形結(jié)構(gòu)時(shí)，頭部120 可以充分地封閉通3各216。因此，頭部可具有的下部寬度基本上大 于通路216的上部寬度。在示例性實(shí)施例中，當(dāng)在物體(諸如基板) 上形成期望層時(shí)，頭部120可以密封通路216的上部。因此，具有 上述結(jié)構(gòu)的頭部120可以有效地防止反應(yīng)氣體(該反應(yīng)氣體能夠形 成期望層)流入到通^各216中。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，容納凹槽217設(shè)在卡盤210的上 部。升降銷100的頭部120可以插入到容納凹槽217中。容納凹槽
217可以與通路216相通。由于物體安方文在卡盤210上，因此升降 銷100的頭部120不可突出于卡盤210的頂面。因此，容納凹槽217 具有的深度可以基本上大于頭部120厚度。可替換地，容納凹槽217 的深度可以與頭部120的厚度基本上相同。容納凹槽217可以具有 多邊形橫截面，例如矩形橫截面。這里，頭部120可以與容納凹槽 217的側(cè)面相隔開。也就是i兌，容納凹^曹217可以具有基本上大于 頭部120的下部寬度的寬度。
卡盤210提供了與通路216的下部相通的空間218。支持器(未 示出)定位在空間218中以支撐升降銷100的下部。例如，該支持 器可以支撐桿部110的下部。在物體上形成層的過程中，當(dāng)反應(yīng)氣 體通過通i 各216流入到空間218中時(shí)，不期望出J見的層可能形成在 通路216的內(nèi)表面以及空間218的內(nèi)表面上。然而，頭部120可以
因此，由于頭部120對(duì)通路216的密封，因而不期望出現(xiàn)的層不可 能形成在通^各216的內(nèi)表面以及空間218的內(nèi)表面上。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，升降銷100的頭部120可以封閉 卡盤210的通路216以防止反應(yīng)氣體流入到通路216和空間218中。 因此，通過防止反應(yīng)氣體通過通路216流入到空間218中，使得不 期望出王見的層不可能形成在通^各216的內(nèi)表面以及空間218的內(nèi)表 面上。
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的升降銷的橫截面圖。 在圖3中，除頭部120a外，升降銷100a具有的結(jié)構(gòu)可以與參照?qǐng)D 1和圖2描述的升降銷100的結(jié)構(gòu)基本上相^f以或基本上相同。
參照?qǐng)D3,升降銷100a的頭部120a可以具有梯形4黃截面。該 頭部120a具有的下部寬度可以充分覆蓋卡盤210的通路216上部。 因此，頭部120a可以具有基本上比其上部更寬的下部。f灸句話i兌， 頭部120a的下部寬度可以基本上大于頭部120a的上部寬度。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，頭部120a容納在卡盤210的容 納凹槽217中。當(dāng)將物體裝栽在升降銷100a上時(shí)，頭部120a可以 乂人容納凹槽217處向上移動(dòng)。另外，當(dāng)將物體安》文在卡盤210上時(shí)， 頭部120a可以與容納凹槽217的底部接觸。容納凹槽217可以具 有多邊形橫截面，諸如矩形4黃截面。頭部120a的側(cè)面可以與容納 凹槽217的內(nèi)表面隔開預(yù)定距離。因此，頭部120a具有的下部寬 度可以基本上小于容納凹槽217寬度。
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的升降銷的橫截面圖。 在圖4中，除頭部120b外，升降銷100b具有的結(jié)構(gòu)可以與參照?qǐng)D 1和圖2描述的升降銷100的結(jié)構(gòu)基本上相似或基本上相同。
參照?qǐng)D4,升降銷100b包括具有多邊形沖黃截面(諸如三角形斗黃 截面)的頭部120b。該頭部120b具有的下部寬度可以基本上大于 卡盤210的通路216上部寬度，從而當(dāng)在物體(諸如基板)上形成 期望層時(shí)充分地封閉通路216。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，頭部120b容納在卡盤210的容 納凹沖會(huì)217中。頭部120b可以與容納凹才曹217的底部4矣觸且還可 以從容納凹槽217處移動(dòng)。容納凹槽217可以具有矩形橫截面。由 于頭部120b具有的下部寬度可以基本上小于容納凹槽217寬度， 因此容納凹槽217的內(nèi)表面可以與頭部120b的側(cè)面隔開。
圖5和圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的升降銷的橫截 面圖。在圖5和圖6中，除頭部120c外，升降銷100c具有的結(jié)構(gòu) 可以與參照?qǐng)D1和圖2描述的升降銷100的結(jié)構(gòu)基本上相似或基本 上相同。
參照?qǐng)D5，升降銷100c的頭部120c可以具有多邊形橫截面， 例如頭巨形纟黃截面。該頭部120c具有的下部寬度可以基本上大于卡 盤210的通路216上部寬度，以使得當(dāng)在物體上形成層時(shí)反應(yīng)氣體 不會(huì)流入到卡盤210的通路216和空間218中。也就是i兌，頭部120c 可以充分地封閉通路216，從而防止在通路216和空間218上形成 不期望出現(xiàn)的層。
在本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例中，提供了卡盤210的容納凹槽 217以容納升降銷100c的頭部120c。容納凹槽217可以具有多邊形 ;鏡截面，諸如矩形橫截面。由于頭部120c具有的下部寬度可以基 本上小于容納凹槽217寬度，因此頭部120c可以具有與容納凹槽 217的內(nèi)表面相隔開的側(cè)面。
在本發(fā)明的其它示例性實(shí)施例中，頭部120c可以與容納凹沖曹 217c相接觸。也就是說，頭部120c的側(cè)面可以與容納凹槽217c的 內(nèi)表面相4妄觸。這里，容納凹槽217c具有的寬度可以略大于頭部 120c下部寬度，因而確4呆頭部120c的向上移動(dòng)。當(dāng)頭部120c與容 納凹槽217c相4妄觸時(shí)，可更有效;也防止反應(yīng)氣體流入到通^各216 中。
圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的升降銷的橫截面圖。 在圖7中，除頭部120d外，升降銷100d具有的結(jié)構(gòu)可以與參照?qǐng)D 1和圖2描述的升降銷100的結(jié)構(gòu)基本上相似或基本上相同。另夕卜， 卡盤210包括根據(jù)頭部120d的結(jié)構(gòu)而被調(diào)節(jié)的容納凹槽217d。
參照?qǐng)D7，升降銷100d的頭部120d可以具有漏斗形橫截面。 也就是說，該頭部120d具有上部寬度可以基本上大于其下部寬度 的。然而，頭部120d的下部寬度可以基本上大于卡盤210的通3各 216的上部寬度以充分地封閉通路216。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，頭部120d容納在卡盤210的容 納凹槽217d中。容納凹槽217d具有的上部寬度也可以基本上大于 其下部寬度。例如，容納凹槽217d可以具有漏斗形一黃截面。升卩爭 銷100d的頭部120d可以與卡盤210的容納凹槽217d接觸。也就 是說，頭部120d的側(cè)面可以與容納凹槽217d的內(nèi)表面接觸。容納 凹槽217d具有的上部寬度可以略大于頭部120d上部寬度，并且容 納凹槽217d的下部寬度也略大于頭部120d的下部寬度。因此，由 于容納凹槽217d與頭部120d緊密地彼此依附，因此當(dāng)在物體上形 成期望層時(shí)可更有效地防止反應(yīng)氣體流入到卡盤210的通路216和 空間218中。
圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于加工基板的裝置 的橫截面圖。在圖8中，盡管示出了諸如化學(xué)氣相沉積(CVD)裝 置的裝置，但是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的裝置也可對(duì)應(yīng)于使用本 發(fā)明上述升降銷的其它裝置。
參照?qǐng)D8,用于加工基板的裝置200包括腔室230、卡盤210、 噴頭220、以及升降銷100。
腔室230可以具有放置基板的空間。基板可以包括半導(dǎo)體基一反， 諸如硅基板、鍺基板、硅-鍺基板等。入口 240設(shè)在腔室230的上部。 用于在基板上形成期望層的反應(yīng)氣體可通過入口 240引入到腔室 230中。出口 (未示出)i殳在腔室230的下部。在進(jìn)4亍了用于在基 板上形成層的沉積過程之后，反應(yīng)副產(chǎn)物和剩余反應(yīng)氣體可通過該 出口從腔室230中排出。
卡盤210安置在腔室230中?？ūP210可以包括使用靜電力支 撐基板的靜電卡盤?？ūP210包括板212和定位在板212下面的加 熱器214?；蹇梢苑胖迷诎?12上并可以由加熱器214加熱至預(yù) 定溫度?？ūP210可進(jìn)一步包括電連接于板212的電源(未示出)。
當(dāng)在基板上形成層時(shí)，板212可以起到用于從腔室230中的反應(yīng)氣 體中產(chǎn)生等離子的下部電才及的作用?？ūP210具有的結(jié)構(gòu)可以與參 照?qǐng)D1描述的卡盤的結(jié)構(gòu)基本上相似或基本上相同?？商鎿Q地，卡 盤210具有的結(jié)構(gòu)可以與參照?qǐng)D3至圖7描述的卡盤的結(jié)構(gòu)基本上 相似或基本上相同。
升P爭銷100可以^皮插入到卡盤210中以在卡盤210的通i 各中^多 動(dòng)。例如，升降銷100可以沿向上方向或向下方向移動(dòng)。在一些示 例性實(shí)施例中，升降銷IOO具有的結(jié)構(gòu)可以與參照?qǐng)D1和圖2描述 的升降銷的結(jié)構(gòu)基本上相似或基本上相同。在其它示例性實(shí)施例 中，升降銷IOO具有的結(jié)構(gòu)可以與參照?qǐng)D3至圖7描述的升降銷的 結(jié)構(gòu)基本上相似或基本上相同。
在腔室230中，噴頭220定位在卡盤210的上方。噴頭220可 以與入口 240相通以均勻地將反應(yīng)氣體提供于裝載在卡盤210上的 基4反上。噴頭220可以電連4妾于電源(未示出)，從而當(dāng)在基斧反上 形成層時(shí)起到用于從腔室230中的反應(yīng)氣體中產(chǎn)生等離子的上部電 才及的作用。
在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述使用上述裝置加工基板的方法。
圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的加工基板的方法的流 程圖。在圖9中，可以使用圖8中所示的用于加工基板的裝置才丸行 力口工基才反的該方法。
參照?qǐng)D8和圖9，在步驟S310中，將基板(諸如半導(dǎo)體基4反) 裝載于腔室230中?？梢允褂脗魉脱b置(例如，機(jī)械手)將基玲反4翁 入到月空室230中。 在步驟S320中，升降銷100在卡盤210的通路中向上移動(dòng)以 使升降銷100的頭部120與基板的底部接觸。也就是說，將基拓j文 置在升降銷100的頭部120上。
在步驟S330中，升降銷100在卡盤210的通3各中向下移動(dòng)以 4吏基纟反裝載在卡盤210上。
在步驟S340中，升降銷100的頭部120容納在卡盤210的容 納凹槽中。因而，卡盤210的通路可以由升降銷100的頭部120封閉。
在步驟S350中，通過入口 240將反應(yīng)氣體引入到腔室230中。 反應(yīng)氣體可以通過噴頭220均勻地分布在腔室230中。
在步驟S360中，將電壓施加于噴頭220和卡盤210以從腔室 230中均勻分布的反應(yīng)氣體中產(chǎn)生等離子?？梢詫⒌入x子提供到由 卡盤210支撐的基板上，從而在基板上產(chǎn)生期望層。當(dāng)在基板上形 成層時(shí)，升降銷100的頭部120可封閉卡盤210的通路的上部。因 此，腔室230中的剩余反應(yīng)氣體和反應(yīng)副產(chǎn)物不可能流入到卡盤210 的通路中。
在步驟S370中，在基板上形成層之后，反應(yīng)副產(chǎn)物和剩余反 應(yīng)氣體通過出口從腔室230中排出?？梢允褂谜婵毡脤⒎磻?yīng)副產(chǎn)物 和剩余反應(yīng)氣體從腔室230中去除。
在步驟S380中，在去除了反應(yīng)副產(chǎn)物和剩余反應(yīng)氣體之后， 隨著升降銷100沿向上方向移動(dòng)，基纟反從卡盤210處向上移動(dòng)。由 于通過出口從腔室230中去除了反應(yīng)副產(chǎn)物和剩余反應(yīng)氣體，因此 當(dāng)升降銷100的頭部120打開卡盤210的通3各時(shí)，反應(yīng)副產(chǎn)物和剩 余反應(yīng)氣體也不可能流入到卡盤210的通路中。
在步驟SWO中，將基板從腔室230中卸下?？梢允褂脗魉脱b 置(例如，機(jī)械手)將基板從腔室230中取出。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，盡管升降銷是與用于加工基板的 裝置中的卡盤一起使用的，但是有利的是，該升降銷也可以與用于 支撐物體(諸如用于液晶顯示裝置的各種基板)的其它裝置結(jié)合4吏 用。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，升降銷包括能夠充分地封閉卡盤 的通路(升降銷在該通路中上下移動(dòng))的頭部，因此升降銷可有刻: 地防止反應(yīng)副產(chǎn)物和/或反應(yīng)氣體流入到卡盤的通路中。因此，當(dāng)在 物體(諸如基板)上形成期望層時(shí)，由于升降銷可以防止在通路上 形成不期望出現(xiàn)的層，因而可有效地避免充當(dāng)顆粒的不期望出現(xiàn)的 層所導(dǎo)致的半導(dǎo)體元件的故障。而且，由于防止形成不期望出現(xiàn)的 層因而可以花費(fèi)更多時(shí)間來清潔卡盤，因此可降低半導(dǎo)體元件的制 造成本并且還可提高卡盤的使用壽命。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例，然而，本領(lǐng)域普通才支 術(shù)人員應(yīng)該容易理解，在不顯著背離本發(fā)明的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的 前沖是下，在示例性實(shí)施例中可以進(jìn)4亍許多修改。因此，所有所述》務(wù) 改均確定為包含在如權(quán)利要求中所限定的本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。在 權(quán)利要求中，裝置加功能條款旨在覆蓋文中所述的執(zhí)行所述功能的 結(jié)構(gòu)，且不僅是結(jié)構(gòu)上等效的而且是等效結(jié)構(gòu)的。因此，應(yīng)該理解
的是，K
的具體實(shí)施例，
確定為包含在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。本發(fā)明由所附權(quán)利要求(其 中權(quán)利要求的等同物也包含在內(nèi))限定。
權(quán)利要求
1. 一種升降銷，包括桿部，所述桿部在穿過卡盤而形成的通路中移動(dòng)，所述卡盤上具有使用反應(yīng)氣體加工的物體；以及頭部，所述頭部設(shè)在所述桿部上，以便與所述物體接觸，其中，所述頭部封閉所述通路，以防止反應(yīng)氣體流入到所述通路中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的升降銷，其中，所述頭部具有與所迷卡 盤的所述通路的頂面相4妄觸的下部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的升降銷，其中，容納凹槽設(shè)在所述卡盤 上，以容納所述頭部，并且所述頭部具有與所述容納凹槽的內(nèi) 表面相隔開的側(cè)面，所述容納凹槽與所述通^各相通。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的升降銷，其中，容納凹槽設(shè)在所述卡盤 上，以容納所述頭部，并且所述頭部具有與所述容納凹槽的內(nèi) 表面相接觸的側(cè)面，所述容納凹槽與所述通路相通。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的升降銷，其中，所述頭部的上部基本上 小于所述頭部的下部。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的升降銷，其中，所述頭部具有拱形橫截 面、半圓形沖黃截面、三角形4黃截面、矩形才黃截面、梯形橫截面、 或漏斗形纟黃截面。
7. —種用于加工基板的裝置，所述裝置包括腔室，用于容納基板；卡盤，所述卡盤設(shè)置在所述腔室中，以支撐所述基板， 其中所述卡盤具有沿基本上垂直于所述基板的方向形成的通 路；噴頭，所述噴頭設(shè)置在所述卡盤上方，以便向所述基板 上提供反應(yīng)氣體；以及升降銷，所述升降銷設(shè)置在所述通路中，以使所述基板 沿向上方向和向下方向移動(dòng)，其中，所述升降銷包4舌在所述通 3各中移動(dòng)的斥干部和形成在所述4干部上以防止所述反應(yīng)氣體;充 入到所述通3各中的頭部。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于加工基板的裝置，其中，所述升降 銷的頭部的上部基本上小于所述頭部的下部。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于加工基板的裝置，其中，所述頭部 具有4共形4黃截面、半圓形-鏡截面、多邊形4黃截面、或漏斗形才黃截面o
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于加工基板的裝置，其中，所述卡盤 具有容納凹槽，所述頭部容納在所述容納凹槽中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于加工基板的裝置，其中，所述容 納凹槽具有的深度基本上與所述頭部的厚度相同或大于所述 厚度。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的用于加工基板的裝置，其中，所述容 納凹槽具有與所述頭部的側(cè)面相接觸的內(nèi)表面。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于加工基板的裝置，其中，所述容 納凹槽具有與所述頭部的側(cè)面相隔開的內(nèi)表面。
14. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于加工基板的裝置，其中，所述卡盤 包括靜電卡盤。
15. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于加工基板的裝置，其中，所述腔室 包括化學(xué)氣相沉積(CVD)腔室。
16. —種力n工基^反的方法，所述方法包4舌將基板裝載于腔室中；使用升降銷將所述基板安放在卡盤上，所述升降銷在穿 過所述卡盤而形成的通路中移動(dòng)；由所述升降銷的頭部封閉所述通路；使用反應(yīng)氣體在所述腔室中加工所述基板；以及由所述腔室中去除在加工所述基板期間產(chǎn)生的反應(yīng)副產(chǎn)物。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的加工基板的方法，其中，加工所述基 板的步驟包括將所述反應(yīng)氣體引入到所述腔室中；以及從所述反應(yīng)氣體中產(chǎn)生等離子，以在所述基板上形成層。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的加工基板的方法，還包括使用所述升降銷使得所述基板從所述卡盤處向上移動(dòng)；以及將所述基才反乂人所述腔室中卸下。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種升降銷、用于加工基板的裝置以及加工基板的方法。升降銷包括桿部和頭部。該桿部可以在穿過卡盤形成的通路中移動(dòng)，該卡盤具有使用反應(yīng)氣體加工的基板。該頭部設(shè)在桿部上以便與該基板接觸。該頭部可以封閉通路以防止反應(yīng)氣體流入到通路中。
文檔編號(hào)C23C16/50GK101205606SQ20071013586
公開日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2007年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月22日
發(fā)明者鄭淳彬 申請(qǐng)人:細(xì)美事有限公司