形環(huán)形，位于內(nèi)框架1151的外周。
[0352]上彈性部件1150的內(nèi)框架1151可以具有彎曲部1151a，其耦合至線筒1110的上支撐凸部1113。
[0353]上彈性部件1150的外框架1152可以具有穿孔1152a，外殼1140的上框架支撐凸部1144插入其中。上彈性部件1150的外框架1152可以具有引導凹部1155，外殼1140的阻止部1143插入其中。例如，與各阻止部1143a至1143b對應(yīng)的第一引導凹部1155a和1155b可以形成在上彈性部件1150的外框架1152中，并且引導凹部1155a和1155b可以彼此隔開。
[0354]下彈性部件1160的內(nèi)框架1161可以具有與線筒1110的孔眼1101和/或外殼1140的孔眼1201對應(yīng)的孔眼。
[0355]下彈性部件1160的外框架1162可以具有多邊形環(huán)形，位于內(nèi)框架1161的外周。
[0356]下彈性部件1160可以分成兩部分，以便接收具有不同極性的電力。下彈性部件1160可以包括第一下彈性部件1160a和第二下彈性部件1160b、其彼此電分離。
[0357]下彈性部件1160的內(nèi)框架1161可以具有穿孔1161a，線筒1110的下支撐凸部1114插入其中。
[0358]下彈性部件1160的外框架1162可以具有插入凹部1162a，外殼140的支撐部1720-1至1720-4的下框架支撐凸部1145插入其中。
[0359]下彈性部件1160可以電連接至第一線圈1120。
[0360]第一線圈1120的起始端可以電連接到第一下彈性部件1160a，而第一線圈1120的終止端可以電連接到第二下彈性部件1160b。
[0361]下彈性部件1160電連接到第一電路板1170(后面將描述)。例如，第一和第二下彈性部件1160a和1160b的外框架1162可以具有墊部1165a和1165b，其通過例如焊接電連接到第一電路板1170。
[0362]下彈性部件1160的墊部1165a和1165b可以電連接到形成在第一電路板170的第一終端面1170a上的第一終端1175-1至1175_n(n為大于I的自然數(shù))中的對應(yīng)第一終端。
[0363]在另一實施例中，不是將下彈性部件1160平分，而使上彈性部件1150和下彈性部件1160可以電連接至第一電路板1170。
[0364]盡管下彈性部件1160分成兩部分，并且上彈性部件1150沒有分，但本實施例不限于此。在另一實施例中，下彈性部件1160可以不分，而上彈性部件1150可以分成兩部分，使得分后的上彈性部件電連接到第一電路板1170，從而在上電時將第一線圈1120的兩端(例如線圈1120的起始端和終止端)連接到電源的不同極性上。
[0365]在另一實施例中，上彈性部件1150和下彈性部件1160可以不分，第一線圈1120的起始端可以連接到上彈性部件1150，第一線圈1120的終止端可以連接到下彈性部件1160，而上彈性部件1150和下彈性部件1160可以電連接到第一電路板1170。照此，在上電時，電力的不同極性可以提供給第一線圈1120的兩端，例如，第一線圈1120的起始端和終止端。
[0366]在另一實施例中，上彈性部件1150和下彈性部件1160可以不分，并且可以不電連接到第一電路板1170，第一電路板1170和第一線圈1120可以直接彼此電連接，而第一電路板1170和第二電路板1250可以通過彈性支撐部件1220a至1220d彼此電連接。照此，在上電時，電力的不同極性可以提供給第一線圈1120的兩端，例如，第一線圈1120的起始端和終止端。
[0367]第一電路板1170可以設(shè)置在上彈性部件1150上，并可以包括設(shè)置在為彈性部件150的外框架1152上的第一上表面部1170b和從第一上表面部1170b向下彎曲的第一終端面 1170ao
[0368]第一電路板1170可以具有形成在第一上表面部1170b中的穿孔1171，用于耦合外殼1140的上支撐凸部1144。第一電路板1170可以具有引導凹槽1172，用于耦合外殼1140的阻止部1143。這里，引導凹槽1172可以具有穿過第一電路板1170的通槽的形式。
[0369]第一電路板1170可以電連接到各彈性支撐部件1220a至1220d的一端。
[0370]第一電路板1170的第一終端面1170a可以從第一上表面部1170b以直角向下彎曲，并可以包括外部電信號輸入的第一終端或第一引腳1175-1至1175-n(n是大于I的自然數(shù))。
[0371]終端1175-1至1175-n(其中η為大于I的自然數(shù))可以包括從外源接收電力并將該電力提供給第一位置傳感器1190的一端、用作第一位置傳感器1190的輸出端的一端、和/或用來測試第一位置傳感器1190的一端。形成在第一電路板1170上的終端1175-1至1175-n(其中η為大于I的自然數(shù))的數(shù)目可以根據(jù)需控制的構(gòu)成元件而增加或減少。
[0372]第一位置傳感器1190可以通過焊接電連接到形成在第一電路板1170的第一終端面1170a的終端1175-1至1175-n(其中η為大于I的自然數(shù))中的至少一端，并且要電連接的終端的數(shù)目可以基于第一位置傳感器1190的實現(xiàn)形式來確定。
[0373]在另一實施例中，第一電路板1170和上彈性部件1150可以相互集成。例如，第一電路板1170可以省略，上彈性部件1150可以包括具有耐熱、耐化學和耐彎曲的薄膜疊層以及用于電路布線的銅箔圖案。
[0374]另外，在另一實施例中，第一電路板1170和下彈性部件1160可以相互集成。例如，第一電路板1170可以省略，下彈性部件1160可以包括軟膜疊層和銅箔圖案。
[0375]基座1210可以連接到蓋子部件1300，外殼1140的支撐部1720-1至1720-4可以固定到基座1210。
[0376]圖25是圖18所示的基座1210、第二電路板1250和第二線圈1230a至1230d的分解透視圖。
[0377]參看圖25，基座1210可以具有與如上所述的線筒1110的孔眼1101和/或線筒1140的孔眼1201對應(yīng)的孔眼，并可以具有與蓋子部件1300的形狀一致或?qū)?yīng)的形狀，例如方形。
[0378]另外，基座1210可以具有在其上表面凹進的座位凹部1213，使得外殼1140的支撐部1720-1至1720-4的下框架支撐凸部1145插入并固定到座位凹部1213中。
[0379]為了確保外殼1140的下框架支撐凸部1145容易插入，每個座位凹部1213的一個側(cè)面可以敞開到基座1210的孔眼。就是說，基座1210的座位凹部1213的一個側(cè)面(即面對基座1210的孔眼的一個側(cè)面)可以敞開。
[0380]基座1210可以具有在其上表面凹進的第二位置傳感器座位凹部1219，使得第二位置傳感器1240位于座位凹部1219中。
[0381]第二位置傳感器座位凹部1219可以在基座1210的上表面凹進，但不限于此。在另一實施例中，第二位置傳感器座位凹部可以敞開到基座1210的側(cè)面外部，并可以與基座1210的孔眼連通。
[0382]第二位置傳感器座位凹部1219可以處于位于相鄰兩個第二磁體1130a和1130b、1130b和1130c、1130c和1130d或1130d和1130a之間的基座1210的上表面的一個區(qū)域，
或與其對齊。
[0383]例如，第二位置傳感器座位凹部1219的中心可以與虛擬參考線(1910，參見圖28)對齊。此時，虛擬參考線1910可以是一條穿過外殼1140的中心軸或基座1210的中心軸的線，兩個相鄰第二磁體圍繞該線彼此對稱。
[0384]設(shè)置在第二位置傳感器座位凹部1219中的第二位置傳感器1240的上表面和基座1210的上表面可以是相同的平面，但不限于此。
[0385]另外，基座1210還可以包括從其外周面的下部突出的臺階部1210b。當基座1210和蓋子部件1300彼此耦合時，基座1210的臺階部1210b的頂部可以引導蓋子部件1300，并可以與蓋子部件1300的底部接觸。臺階部1210b和蓋子部件1300的末端可以使用例如粘合劑彼此固定和密封。
[0386]第二位置傳感器1240設(shè)置在第二電路板1250的下方。例如，第二位置傳感器1240可以設(shè)置在基座1210的位置傳感器座位凹部1219中。
[0387]第二位置傳感器1240可以探測第二磁體1130a至1130d所釋放的磁力的變化。第二位置傳感器1240可以包括第一傳感器1240a和第二傳感器1240b。第一傳感器1240a和第二傳感器1240b可以具有單個芯片的形式，但不限于此。或者，第一傳感器1240a和第二傳感器1240b可以實現(xiàn)為單獨芯片。
[0388]第一傳感器1240a和第二傳感器1240b可以為霍爾傳感器，但不限于此?？梢允褂萌魏纹渌麄鞲衅?，只要其能夠探測磁力變化即可。
[0389]例如，當外殼1140沿相對于光軸傾斜的方向(例如，沿垂直方向)移動時，第一傳感器1240a和第二傳感器1240b基于第二磁體1130a至1130d的磁通量變化的探測結(jié)果可以輸出探測信號(例如探測電壓或探測電流)。
[0390]例如，第二位置傳感器1240可以具有包含兩個霍爾傳感器的單個芯片的形式。一個霍爾傳感器可以包括兩個輸入端(正(+)輸入端和負(_)輸入端)和兩個輸出端(正(+)輸出端和負(-)輸出端)。
[0391]由于在一個芯片上設(shè)置兩個霍爾傳感器，并且這兩個霍爾傳感器的負(_)輸入端連接為公共端，在本實施例中，霍爾傳感器的尺寸和霍爾傳感器的終端的數(shù)目可以減少，這可以實現(xiàn)尺寸減少和成本降低。
[0392]第一和第二傳感器1240a和1240b可以通過例如焊接電連接到第二電路板1250。
[0393]第二電路板1250可以電連接到第二線圈1230a至1230d、第二位置傳感器1240和彈性支撐部件1220a至1220d。
[0394]第二電路板1250可以具有穿孔1251，用于耦合基座1210的耦合凸部1212a。第二電路板1250可以具有連接到彈性支撐部件1220a至1220d的其他末端的墊部1252a至1252do
[0395]第二線圈1230a至1230d設(shè)置在第二電路板1250的上表面，對應(yīng)第二磁體1130a至1130d或與其相對。
[0396]關(guān)于圖2所示的第二電路板250和第二線圈230的描述可以同樣地用于本實施例中的第二電路板1250和第二線圈1230a。
[0397]彈性支撐部件1220a至1220d使第一電路板1170和第二電路板1250彼此電連接。
[0398]彈性支撐部件1220a至1220d可以基于外殼140的中心軸在第二和第三方向(垂直于第一方向)上彼此點對稱。
[0399]彈性支撐部件1220a至1220d的數(shù)目可以等于或大于第一電路板的終端的數(shù)目。
[0400]例如，在第一位置傳感器1190通過霍爾傳感器和驅(qū)動器相互集成而形成的情形中，彈性支撐部件1220a至1220d的數(shù)目為四。另外，在第一位置傳感器1190為單獨的霍爾傳感器的情形中，彈性支撐部件1220a至1220d的數(shù)目可以為六或更大。
[0401]彈性支撐部件1220a至1220d可以用作第二電路板1250和第一電路板1170之間的電信號的移動通道，并且可以相對于基座1210彈性支撐外殼1140。
[0402]圖27和圖28示出了第一實施例所述的圖18中的第二位置傳感器1240的配置。
[0403]參看圖27和圖28，第二位置傳感器1240可以位于鄰近的兩個第二磁體(例如1130a和1130d)之間，并且可以包括彼此分開的第一和第二傳感器1240a和1240b。
[0404]第一和第二傳感器1240a和1240b可以位于鄰近的兩個第二磁體(例如，1130a和1130d)的鄰近端之間。
[0405]第一和第二傳感器1240a和1240b可以設(shè)置為位于第一參考線1921和第二參考線1922之間。
[0406]第一參考線1921可以是一條直線，在該直線上，夕卜殼1140的中心軸1911遇到相鄰兩個第二磁體1130a和1130d中的任何一個1130a的一端(例如，上表面的角落)。第二參考線1922可以是一條直線，在該直線上，外殼1140的中心軸1911遇到相鄰兩個第二磁體1130a和1130d中的另一個1130d的一端(例如，上表面的角落)。
[0407]第二磁體1130a和第一傳感器1240a之間的第一距離Dl可以等于第二磁體1130d和第二傳感器1240b之間的第二距離D2。
[0408]第一傳感器1240a可以比第二磁體1130d更靠近第二磁體1130a，第二傳感器1240b可以比第二磁體1130a更靠近第二磁體1130d。
[0409]第一和第二傳感器1240a和1240b可以基于虛擬參考線1910左右對稱。例如，虛擬參考線1910可以是穿過外殼1140的中心軸(1911，參見圖26)或基座1210的中心軸的直線。繞著虛擬參考線1910兩個相鄰第二磁體1130a和1130d或1130c和1130b彼此左右對稱。
[0410]例如，虛擬參考線1910和第一傳感器1240a之間的距離可以等于虛擬參考線1910和第二傳感器1240b之間的距離。
[0411 ] 第一距離dl可以小于或等于第二距離d2 (dl ( d2)。
[0412]第一距離dl可以為從外殼1140的中心軸1911或基座1210的中心軸到第二磁體1130a或1130d的一端的距離。例如，第一距離dl可以是從外殼1140的中心軸(1911，參見圖26)或基座1210的中心軸到第二磁體1130a或1130d的一端(例如，上表面的角落)
的距離。
[0413]第二距離d2可以為從外殼1140的中心軸1911或基座1210的中心軸到第二位置傳感器1240的距離。例如，第一距離d2可以是從外殼1140的中心軸(1911，參見圖26)或基座1210的中心軸到第二位置傳感器1240a或第二傳感器1240b的距離。
[0414]當外殼1140沿相對于光軸(例如Z軸)的傾斜方向(例如，垂直平面(XY平面))移動時，外殼1140的位置變化可以由第一傳感器1240a的輸出和第二傳感器1240b的輸出來探測。
[0415]由于第一距離Dl和第二距離D2相同，并且第一和第二傳感器1240a和1240b設(shè)置為基于虛擬參考線1910左右對稱，因此，在本實施例中，基于第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出可以精確地探測外殼1140的位置變化，不需由算法進行位移補償。
[0416]在第一距離Dl和第二距離D2不同并差異很大的情形中，需要有附加的數(shù)據(jù)處理以進行位移補償，這會使相機模塊的數(shù)據(jù)處理速度變差。
[0417]另外，由于第二位置傳感器1240位于相鄰的兩個第二線圈1230a和1230d之間，并且沿光軸方向或沿平行于光軸的方向與第二線圈1230a和1230d不重疊，因此，在高頻范圍內(nèi)沒有磁干擾，這可以防止由磁干擾引起的誤差。
[0418]就是說，第二位置傳感器1240可以設(shè)置為，沿平行于連接第二位置傳感器1240到外殼1140的中心軸1911或基座1210的中心軸的直線的方向，與第二線圈1230a至1230d
不重疊。
[0419]參看圖26，當外殼1140不移動，并且外殼1140的中心軸1911位于XY平面的原點時，第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值可以具有參考值(例如，零)。
[0420]當外殼1140沿X-Y+方向移動相同的移動量時，第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值可以是相同的，或在其之間有給定的差。這里，當移動量相同時，這意味著在X軸的移動量和在Y軸的移動量是相同的。
[0421]例如，當外殼1140沿對角方向(例如，沿X-Y+方向)移動時，第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值會小于所述參考值(例如，零)。
[0422]當外殼1140沿X+Y-方向移動相同的移動量時，第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值可以是相同的，或在其之間有給定的差。例如，當外殼1140沿對角方向(例如，沿X+Y-方向)移動時，第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值會大于所述參考值(例如，零)。
[0423]當外殼1140沿X-Y-方向移動時，第二傳感器1240b的輸出值會小于第一傳感器1240a的輸出值。
[0424]當外殼1140沿X+Y+方向移動時，第一傳感器1240a的輸出值會小于第二傳感器1240b的輸出值。
[0425]在圖26中，第一和第二傳感器1240a和1240b設(shè)置為與X+Y-軸對齊，但不限于此。在另一實施例中，第一和第二傳感器1240a和1240b可以設(shè)置為與X-Y+軸、X-Y-軸或X+Y+軸對齊。
[0426]圖29示出了第二實施例所述的圖18中的第二位置傳感器1240的配置。
[0427]參看圖29，第一距離dl可以大于第二距離d2 (dl > d2)。第一和第二傳感器1240a和1240b基于虛擬參考線1910左右對稱，但不限于此。與圖26有關(guān)的描述同樣可以用于圖29中的實施例。
[0428]圖30示出了第三實施例所述的圖18中的第二位置傳感器1240的配置。
[0429]參看圖30，第二磁體1130a和第一傳感器1240a之間的第一距離Dl可以不同于第二磁體1230d和第二傳感器1240b之間的第二距離D2。
[0430]另外，第一和第二傳感器1240a和1240b可以基于虛擬參考線1910左右不對稱。
[0431]例如，第一距離Dl可以大于第二距離D2。
[0432]第一距離Dl與第二距離D2之比Dl:D2可以大于I且等于或小于2.5。或者，第二距離D2與第一距離Dl之比D2:D1可以大于I且等于或小于2.5。
[0433]在第一距離Dl與第二距離D2之比(D1/D2或D2/D1)超過2.5的情形中，位移補償量增加，因此位移補償不太容易。
[0434]另外，第二位置傳感器1240的位置可以設(shè)置為，在外殼1140靜止的狀態(tài)中第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值之間的差不超過第一參考值(例如5mV)。
[0435]這里，外殼1140靜止的狀態(tài)是指，由于沒有驅(qū)動電流施加到第二線圈1230a至1230d，因此外殼1140不移動的狀態(tài)。
[0436]在外殼1140靜止的狀態(tài)中，當驅(qū)動電力(例如工作電壓或工作電流)施加到第一和第二傳感器1240a和1240b時，從第一和第二傳感器1240a和1240b可以獲得輸出值。
[0437]例如，在圖27和圖28所示的實施例中，在外殼1140靜止的狀態(tài)中，第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值可以相同。
[0438]另外，在圖30所示的實施例中，由于第一距離Dl和第二距離D2彼此不同，因此，在外殼1140靜止的狀態(tài)中，第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值可以彼此不同。
[0439]例如，第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值之間的差可以為，例如，5mV或小于 5mV。
[0440]這里，所述第一參考值可以為第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值之間的差，根據(jù)第一距離Dl與第二距離D2之比(D1/D2或D2/D1)進行計算。
[0441]例如，當?shù)谝痪嚯xDl與第二距離D2之比具有最高值時，第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值之差可以變?yōu)榈谝粎⒖贾怠?br>[0442]基于外殼1140靜止狀態(tài)中第一距離Dl與第二距離D2之比或者第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值之差，第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值可以根據(jù)外殼1140的位移的探測結(jié)果來進行補償。第一和第二傳感器1240a和1240b的輸出值的補償可以由設(shè)置在相機模塊中的控制器執(zhí)行。
[0443]圖31示出了另一個實施例所述的透鏡移動裝置的第二磁體1130a’至1130d’和第二位置傳感器1240的配置。
[0444]第二磁體1130a’至1130d’中的每個可以位于基座1210的角部中對應(yīng)的一個角部的附近，第二位置傳感器1240可以位于相鄰的兩個第二磁體1130a’和1130d’之間，或者與相鄰兩個第二磁體1130a’和1130d’之間的位置對齊。
[0445]在圖31中，第二線圈可以設(shè)置為，與第二磁體1130a’至1130d’對應(yīng)。在圖27至圖30中所描述的第二磁體1130a至1