具有提高的亮度的顯示面板以及用于制造其的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方式總體地涉及平板顯示器。更具體地，本發(fā)明的實(shí)施方式涉及具有提高的亮度的顯示面板以及用于制造該顯示面板的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置是可見地顯示數(shù)據(jù)的裝置。顯示裝置可以包括液晶顯示器、電泳顯示器、有機(jī)發(fā)光顯示器、無機(jī)EL顯示器(電致發(fā)光顯示器)、場發(fā)射顯示器、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯不器(surface-conduct1n electron-emitter display)、等離子體顯不器、陰極射線管顯示器等。
[0003]液晶顯示器通過在兩個(gè)透明基板之間設(shè)置液晶層以及通過根據(jù)液晶層的驅(qū)動(dòng)而控制每個(gè)像素的透光率來顯示期望的圖像。
[0004]由于在這樣的液晶顯示器中液晶自身不能發(fā)光，所以單獨(dú)的光源單元安裝在顯示器中以調(diào)節(jié)穿過位于每個(gè)像素中的液晶的光的強(qiáng)度并實(shí)現(xiàn)灰度(對比度)。
[0005]這里，顯示裝置的亮度能夠根據(jù)從光源單元入射的光如何被使用而確定。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的多個(gè)方面提供一種具有優(yōu)良的亮度的顯示面板以及用于制造該顯示面板的方法。
[0007]本發(fā)明的多個(gè)方面不限于這里闡述的實(shí)施方式中的那些，沒有被提及的其他方面將從以下描述而被本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚地理解。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的一種顯示面板包括:基板；柵線，形成在基板上并基本上在第一方向上延伸；數(shù)據(jù)線，與柵線絕緣并基本上在不同于第一方向的第二方向上延伸；薄膜晶體管，電連接到柵線和數(shù)據(jù)線；以及像素電極，電連接到薄膜晶體管。
[0009]薄膜晶體管包括:柵電極組，形成在基板上；柵絕緣膜，形成在基板和柵電極組上；有源層，形成在柵絕緣膜上以至少部分地交疊柵電極組；以及源電極和漏電極，形成在有源層和柵絕緣膜上從而彼此間隔開。柵電極組包括形成在基板上的第一柵電極、形成在第一柵電極上的第二柵電極以及插置在第一柵電極和第二柵電極之間的絕緣層。第一柵電極具有比第二柵電極高的反射率。
[0010]第一柵電極和第二柵電極可以彼此電絕緣。柵線可以電連接到第二柵電極。第一柵電極的厚度可以小于第二柵電極的厚度。
[0011]顯示面板還可以包括位于基板和柵電極組之間的偏振片。偏振片可以是包括多個(gè)平行的導(dǎo)電線圖案的線柵偏振片。線柵偏振片還可以包括位于導(dǎo)電線圖案和柵電極組之間的電絕緣保護(hù)膜。
[0012]第一柵電極可以具有在約1nm和約10nm之間的厚度。第一柵電極還可以包括鋁和銀中的至少一個(gè)，第二柵電極可以包括銅。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的一種制造顯示面板的方法包括:在基板上形成第一柵電極；在第一柵電極上形成絕緣層；在絕緣層上形成第二柵電極，第二柵電極具有比第一柵電極低的反射率；在基板和第二柵電極上形成柵絕緣膜；在柵絕緣膜上形成有源層以至少部分地交疊第二柵電極；在有源層上在彼此間隔開的位置形成源電極和漏電極；以及形成電連接到漏電極的像素電極。
[0014]在該方法中，第一柵電極可以包括鋁和銀中的至少一個(gè)，第二柵電極可以包括銅。
[0015]第一柵電極和第二柵電極可以使用相同的掩模形成。
[0016]第一柵電極、絕緣膜和第二柵電極可以使用相同的掩模形成。
[0017]形成第一柵電極可以包括在基板上形成線柵偏振片以及在線柵偏振片上形成第一柵電極。
[0018]形成線柵偏振片可以包括在基板上形成多個(gè)導(dǎo)電線圖案以及在該多個(gè)導(dǎo)電線圖案上形成保護(hù)膜。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的各實(shí)施方式，存在至少以下效果。
[0020]可以提供具有優(yōu)良的亮度的顯示面板。
[0021]本發(fā)明的效果不受以上例示的內(nèi)容限制，各種進(jìn)一步的效果包括在這里。
【附圖說明】
[0022]通過參照附圖詳細(xì)描述示范實(shí)施方式，本發(fā)明的以上和其它的方面以及實(shí)施方式將變得更加明顯，附圖中:
[0023]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示面板的平面圖；
[0024]圖2是沿圖1的線A-A’截取的截面圖；
[0025]圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的顯示面板的截面圖；
[0026]圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的顯示面板的截面圖；
[0027]圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的顯示面板的截面圖；
[0028]圖6至圖14是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于顯示面板的制造工藝的截面圖；
[0029]圖15至圖23是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的用于顯示面板的制造工藝的截面圖；
[0030]圖24至圖34是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的用于顯示面板的制造工藝的截面圖；以及
[0031]圖35至圖45是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的用于顯示面板的制造工藝的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]通過參照以下對示范實(shí)施方式的詳細(xì)說明和附圖，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征以及實(shí)現(xiàn)其的方法可以被更容易地理解。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的實(shí)施方式。而是，提供這些實(shí)施方式使得本公開將透徹和完整，并將本發(fā)明的構(gòu)思充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求書限定。相同的附圖標(biāo)記在整個(gè)說明書中指代相同的元件。
[0033]這里使用的術(shù)語僅是為了描述特定實(shí)施方式的目的，而不旨在限制本發(fā)明。如這里所用的，單數(shù)形式“一”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚地指示。還將理解，術(shù)語“包括”和/或“包含”當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，指定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是并不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在或添加。
[0034]將理解，當(dāng)一元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接到”或“聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在另一元件或?qū)由?、直接連接到或聯(lián)接到另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诓迦氲脑驅(qū)?。相反，?dāng)一元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接到”或“直接聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在插入的元件或?qū)?。如這里所用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0035]將理解，盡管術(shù)語第一、第二等可以在這里用于描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受到這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分而沒有背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0036]為了便于描述，這里可以使用空間關(guān)系術(shù)語諸如“在...之下”、“在...下面”、“下”、“上面”、“上”等來描述一個(gè)元件或特征與另一個(gè)(些)元件或特征如附圖所示的關(guān)系。將理解，空間關(guān)系術(shù)語旨在涵蓋除附圖所示的取向之外器件在使用或操作中的不同的取向。例如，如果附圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其他元件或特征“下面”或“之下”的元件將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌爸稀薄Ｒ虼?，示范性術(shù)語“在...下面”能夠涵蓋之上和之下兩種取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他的取向)，這里使用的空間關(guān)系描述符被相應(yīng)地解釋。
[0037]在描述本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式時(shí)“可以”的使用指的是本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式。術(shù)語“示范性”旨在指的是示例或圖示。如這里使用的，術(shù)語“使用”可以被認(rèn)為是與術(shù)語“利用”同義的。
[0038]這里參照截面圖描述了實(shí)施方式，該截面圖是理想化實(shí)施方式(以及中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因而，由例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示形狀的偏差是可能發(fā)生的。因此，這些實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為限于這里示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造引起的形狀偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⑼ǔ＞哂袌A化或彎曲的特征和/或在其邊緣處的注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)至非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過注入形成的埋入?yún)^(qū)