專(zhuān)利名稱(chēng)：一種低輻射鍍膜玻璃及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一鍍膜玻璃，特別是一種鍍有含AZO電介質(zhì)阻隔層的具有可鋼化雙功能層結(jié)構(gòu)的低輻射鍍膜玻璃及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，低輻射鍍膜玻璃的生產(chǎn)方法主要有兩種。一種是在線鍍膜，一般是指在浮法玻璃生產(chǎn)過(guò)程中，在溫度較高的玻璃表面按一定配比先后噴涂某些化學(xué)霧劑，使之形成具有一定低輻射功能的化合物薄膜，并使之具有較好的物理化學(xué)性能，因此一般較為適合在民用市場(chǎng)中推廣。另一種是離線鍍膜。一般是指將輻射率極低的金屬銀或其它金屬和金屬化合物按一定結(jié)構(gòu)、比例通過(guò)真空磁控濺射的方式將其鍍?cè)诓ＡП砻娴囊环N鍍膜方式。但是，在線低輻射鍍膜玻璃的輻射率較高，光學(xué)及熱學(xué)性能相對(duì)于離線低輻射鍍膜玻璃要相差很多，且顏色變化及遮陽(yáng)性能較難控制。相對(duì)于離線低輻射鍍膜，玻璃產(chǎn)品顏色較為單一，所以離線鍍膜正逐步被市場(chǎng)所接受。
目前，市場(chǎng)上所推廣的可鋼化低輻射鍍膜產(chǎn)品，主要是單銀可鋼化產(chǎn)品，一般輻射率< 0.15。例如申請(qǐng)?zhí)枮椤?00910238978”，名稱(chēng)為“鍍膜玻璃及其制造方法”的中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)所公開(kāi)的鍍膜玻璃，其中功能層Ag層只有一層，即其膜層結(jié)構(gòu)是可鋼化單銀產(chǎn)品。對(duì)于目前市場(chǎng)上的可鋼化熱處理鍍膜玻璃，絕大部分是單銀結(jié)構(gòu)，其輻射率較高，尤其鋼化熱處理后，其輻射率會(huì)出現(xiàn)劣化，甚至出現(xiàn)輻射率> 0.15的現(xiàn)象，即已經(jīng)不再是低輻射Low-e玻璃了。而且，由于單銀固有的結(jié)構(gòu)特性，其顏色品種較為單一，已經(jīng)很難滿足現(xiàn)在市場(chǎng)需求及社會(huì)發(fā)展需要。在傳統(tǒng)的低輻射玻璃加工過(guò)程中，為了能實(shí)現(xiàn)較好的隔熱系數(shù)U值和選擇系數(shù)Lsg (可見(jiàn)光透過(guò)與遮陽(yáng)系數(shù)的比值)，就必須增加膜層中的銀層厚度來(lái)降低玻璃膜層的輻射率，以得到理想的選擇系數(shù)，但是增加銀層厚度就意味著可見(jiàn)光透過(guò)率降低，在產(chǎn)品性能上已經(jīng)無(wú)法滿足客戶(hù)要求及市場(chǎng)需求。在此背景下，采用普通雙銀層結(jié)構(gòu)的低輻射鍍膜玻璃，不但具有較高的可見(jiàn)光透射率和較好的U值及選擇系數(shù)Lsg，同時(shí)還保有良好的隔熱性能和遮陽(yáng)性能，而且輻射率一般< 0.05 0.1，極大的提高了產(chǎn)品性能。
但是，在上述普通雙銀低輻射玻璃加工過(guò)程中，只能對(duì)玻璃采用先鋼化后鍍膜的加工方式，因?yàn)橄儒兡ず箐摶瘯?huì)導(dǎo)致:
1、在鋼化熱處理過(guò)程中，玻璃結(jié)構(gòu)中的堿金屬及堿土金屬離子活性增強(qiáng)，部分離子會(huì)滲透到膜層中，破壞電介質(zhì)層及銀層。
2、在鋼化熱處理過(guò)程中，高溫空氣中的氧氣很容易滲透到膜層中，使銀層部分氧化甚至全部氧化。
堿金屬及堿土金屬離子的滲入及氧氣對(duì)銀層的氧化現(xiàn)象，會(huì)使玻璃產(chǎn)生顏色變化較大且難于控制，甚至產(chǎn)生斑點(diǎn)、霧化等現(xiàn)象，致使玻璃輻射率性能急劇下降。因此，離線普通雙銀低輻射玻璃不能像在線低輻射玻璃那樣，在基片上鍍膜后再進(jìn)行鋼化等后續(xù)加工，而且與在大板玻璃基片上先鍍膜后鋼化的生產(chǎn)方式相比，先鋼化后鍍膜的玻璃因已具有預(yù)訂尺寸及形狀，故處理小片玻璃有效擺放率降低，加工效率較低，成本較高。
例如，現(xiàn)有技術(shù)中的可鋼化熱處理的雙銀產(chǎn)品，其一般結(jié)構(gòu)為:玻璃/SiOx/ZnOx/Ag/NiCr/ZnO/Ag/NiCr/SnOx/SiNx，此種結(jié)構(gòu)的鍍膜玻璃在鋼化熱處理過(guò)程中，尤其溫度超過(guò)600°C后，底層介質(zhì)層(SiOx/ZnOx)就很難阻擋玻璃中Na+向膜層中擴(kuò)散，另外，此種結(jié)構(gòu)功能層Ag層雖然鑲嵌在阻隔層NiCr中間，但高溫時(shí)膜層間的相互擴(kuò)散削弱了其阻隔效果，從而造成玻璃顏色難于控制，甚至出現(xiàn)斑點(diǎn)、霧化現(xiàn)象，這就給生產(chǎn)帶來(lái)了不確定性，容易出現(xiàn)批量廢品。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種性能穩(wěn)定且具有可鋼化功能層結(jié)構(gòu)的低輻射鍍膜玻璃及其制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片和鍍覆在所述玻璃基片上的鍍膜，其特征在于，所述鍍膜包括多層電介質(zhì)組合層和設(shè)置在相鄰的所述電介質(zhì)組合層之間的AZO介質(zhì)單元層，所述AZO介質(zhì)單元層包括功能層和AZO介質(zhì)阻隔層，所述AZO介質(zhì)阻隔層敷設(shè)在所述功能層的兩側(cè)；
或所述AZO介質(zhì)單元層包括功能層、AZO介質(zhì)阻隔層和阻隔層，所述AZO介質(zhì)阻隔層敷設(shè)在所述功能層的兩側(cè)，所述阻隔層敷設(shè)在所述AZO介質(zhì)阻隔層與所述功能層之間；
或所述AZO介質(zhì)單元層包括功能層、AZO介質(zhì)阻隔層和阻隔層，所述阻隔層與所述AZO介質(zhì)阻隔層分別敷設(shè)在所述功能層的兩側(cè)。
上述的低輻射鍍膜玻璃，其中，所述AZO介質(zhì)阻隔層的厚度為15 20nm。
上述的低輻射鍍膜玻璃，其中，所述AZO介質(zhì)阻隔層的AZO化學(xué)計(jì)量比為ZnOx: AlOx = 97: 3。
上述的低輻射鍍膜玻璃，其中，所述電介質(zhì)組合層包括底層電介質(zhì)組合層、中層電介質(zhì)組合層和頂層電介質(zhì)組合層，所述底層電介質(zhì)組合層與所述中層電介質(zhì)組合層之間敷設(shè)有第一 AZO介質(zhì)單元層，所述中層電介質(zhì)組合層和所述頂層電介質(zhì)組合層之間敷設(shè)有第二 AZO介質(zhì)單元層，所述底層電介質(zhì)組合層敷設(shè)在所述玻璃基片上。
上述的低輻射鍍膜玻璃，其中，所述第一 AZO介質(zhì)單元層包括依次敷設(shè)的第一 AZO介質(zhì)阻隔層、第一阻隔層、第一功能層、第二阻隔層和第二 AZO介質(zhì)阻隔層，所述第二 AZO介質(zhì)單元層包括依次敷設(shè)的第三AZO介質(zhì)阻隔層、第三阻隔層、第二功能層、第四阻隔層和第四AZO介質(zhì)阻隔層，所述第一 AZO介質(zhì)阻隔層敷設(shè)在所述底層電介質(zhì)組合層上，所述第三AZO介質(zhì)阻隔層敷設(shè)在所述中層電介質(zhì)組合層上，所述中層電介質(zhì)組合層敷設(shè)在所述第二AZO介質(zhì)阻隔層上，所述頂層電介質(zhì)組合層敷設(shè)在所述第四AZO介質(zhì)阻隔層上。
上述的低輻射鍍膜玻璃，其中，所述底層電介質(zhì)組合層的厚度為28 35nm，所述中層電介質(zhì)組合層的厚度為65 70nm,所述頂層電介質(zhì)組合層的厚度為25 30nm。
上述的低輻射鍍膜玻璃，其中，所述功能層為銀層。
上述的低輻射鍍膜玻璃 ，其中，所述電介質(zhì)組合層為T(mén)i02、ZnSnOx, Sn02、ZnO、SiO2,Ta2O5' Bi02、A1203、ZnAl2O4' Nb2O5 或 Si3N4 材料層中的一種或幾種。
上述的低輻射鍍膜玻璃，其中，所述阻隔層為NlTixiNNiCiNNiCrO5^P NiCrNxM料層中的一種或幾種。
為了更好地實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其中，包括如下步驟:
a、設(shè)置玻璃基片；
b、在所述玻璃基片上鍍覆電介質(zhì)組合層；
C、在所述電介質(zhì)組合層上鍍覆AZO介質(zhì)單元層；
d、在所述AZO介質(zhì)單元層上鍍覆另一電介質(zhì)組合層；
e、重復(fù)步驟c與步驟d，直到達(dá)到需要的鍍膜厚度。
上述的低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其中，所述步驟c包括:
Cl、在電介質(zhì)組合層上鍍覆一 AZO介質(zhì)阻隔層；
c2、在所述AZO介質(zhì)阻隔層上鍍覆一阻隔層；
c3、在所述阻隔層上鍍覆一功能層；
c4、在所述功能層上鍍覆另一阻隔層；
c5、在所述另一阻隔層上鍍覆另一 AZO介質(zhì)阻隔層。
本發(fā)明的技術(shù)效果在于:
1、本發(fā)明的玻璃可見(jiàn)光透過(guò)率較高，透過(guò)率T > 65%，由于AZO新材料的引入，輻射率ε由鋼化前的0.06，變?yōu)殇摶蟮?.04，鋼化后輻射率性能不但沒(méi)有劣化反而變好；
2、不僅克服了常規(guī)雙銀低輻射鍍膜產(chǎn)品難以在鍍膜后進(jìn)行鋼化熱處理的不足，而且在實(shí)現(xiàn)可鋼化的同時(shí)，還具有穩(wěn)定的光學(xué)及熱學(xué)性能，鋼化后顏色變化較小，具有優(yōu)良的機(jī)械性能，后續(xù)加工過(guò)程中不易出現(xiàn)外觀缺陷；
3、引入了新材料ΑΖ0，其材料重量比為ZnOx: AlOx = 97: 3，此種材料不僅具有電介質(zhì)材料性質(zhì)，同時(shí)還具有金屬特性，此材料的特性決定了它既可以作為Ag層的保護(hù)層，又可以作為介質(zhì)層使用。鋼化熱處理后輻射率不僅不會(huì)出現(xiàn)劣化，而且產(chǎn)品輻射率還會(huì)提高0.01 0.02，輻射率的提高將直接影響產(chǎn)品的隔熱性能。同時(shí)此材料對(duì)于膜層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性及顏色的穩(wěn)定性具有積極作用；
4、在膜層結(jié)構(gòu)中以新材料AZO為基本框架，將功能層鑲嵌其中間，可以實(shí)現(xiàn)先鍍膜后鋼化熱處理的加工工藝方式，提高成品率；
5、實(shí)現(xiàn)對(duì)玻璃大板的鍍膜生產(chǎn)，可有效地提高生產(chǎn)效率，降低成本。
隨著現(xiàn)代幕墻的發(fā)展，出于美觀及節(jié)能等方面考慮，普通單銀結(jié)構(gòu)的可鋼化低輻射玻璃在光學(xué)性能已經(jīng)不能滿足客戶(hù)及市場(chǎng)要求，因而越來(lái)越多的要求雙銀低輻射玻璃在鍍膜后也可以進(jìn)行鋼化處理工藝。本發(fā)明可以很好地滿足上述要求。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的鍍膜玻璃結(jié)構(gòu)示意圖2a 圖2b為本發(fā)明不同實(shí)施例的AZO介質(zhì)單元層結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的鍍膜玻璃結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的制造方法流程圖。
其中，附圖標(biāo)記
I玻璃基片
2 鍍膜
21電介質(zhì)組合層211底層電介質(zhì)組合層212中層電介質(zhì)組合層213頂層電介質(zhì)組合層22 AZO介質(zhì)單元層221功能層2211第一功能層2212第二功能層222 AZO介質(zhì)阻隔層2221第一 AZO介質(zhì)阻隔層2222第AZO介質(zhì)阻隔層2223第三AZO介質(zhì)阻隔層2224第四AZO介質(zhì)阻隔層223阻隔層2231第一阻隔層2232第二阻隔層2233第三阻隔層2234第四阻隔層a e步驟
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述:參見(jiàn)圖1及圖2a 圖2b，圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的鍍膜玻璃結(jié)構(gòu)示意圖，圖2a 圖2b為本發(fā)明不同實(shí)施例的AZO介質(zhì)單元層結(jié)構(gòu)示意圖。低輻射鍍膜2玻璃，包括玻璃基片I和鍍覆在所述玻璃基片I上的鍍膜2，所述鍍膜2包括多層電介質(zhì)組合層21和設(shè)置在相鄰的所述電介質(zhì)組合層21之間的AZO介質(zhì)單元層22，其中，AZO為摻鋁氧化鋅薄膜，所述AZO介質(zhì)單元層22包括功能層221和AZO介質(zhì)阻隔層222，所述AZO介質(zhì)阻隔層222敷設(shè)在所述功能層221的兩側(cè)，其AZO介質(zhì)單元層22如圖2a所示，其鍍膜玻璃結(jié)構(gòu)可為:玻璃基片I/底層電介質(zhì)組合層211/AZ0介質(zhì)阻隔層222/功能層221/AZ0介質(zhì)阻隔層222/中層電介質(zhì)組合層212/AZ0介質(zhì)阻隔層222/功能層221/AZ0介質(zhì)阻隔層222/頂層電介質(zhì)組合層213 ；或上述AZO介質(zhì)單元層22還包括阻隔層223，所述阻隔層223敷設(shè)在所述AZO介質(zhì)阻隔層222與所述功能層221之間，其AZO介質(zhì)單元層22如圖2b所示，其鍍膜玻璃結(jié)構(gòu)可如圖3所示；或所述AZO介質(zhì)單元層包括功能層221、AZO介質(zhì)阻隔層222和阻隔層223，所述阻隔層223與所述AZO介質(zhì)阻隔層222分別敷設(shè)在所述功能層221的兩側(cè)，其AZO介質(zhì)單元層22如圖2c所示，其鍍膜玻璃結(jié)構(gòu)可為:玻璃基片I/底層電介質(zhì)組合層211/阻隔層223/功能層221/AZ0介質(zhì)阻隔層222/中層電介質(zhì)組合層212/AZ0介質(zhì)阻隔層222/功能層221/阻隔層223/頂層電介質(zhì)組合層213，或者，玻璃基片I/底層電介質(zhì)組合層211/AZ0介質(zhì)阻隔層222/功能層221/阻隔層223/中層電介質(zhì)組合層212/阻隔層223/功能層221/AZO介質(zhì)阻隔層222/頂層電介質(zhì)組合層213。本實(shí)施例中，所述AZO介質(zhì)阻隔層的厚度為15 20nm。所述AZO介質(zhì)阻隔層的AZO化學(xué)計(jì)量比為ZnOx: AlOx = 97: 3。參見(jiàn)圖3，圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的鍍膜玻璃結(jié)構(gòu)示意圖。所述電介質(zhì)組合層21包括底層電介質(zhì)組合層211、中層電介質(zhì)組合層212和頂層電介質(zhì)組合層213，所述底層電介質(zhì)組合層211與所述中層電介質(zhì)組合層212之間敷設(shè)有第一 AZO介質(zhì)單元層22，所述中層電介質(zhì)組合層212和所述頂層電介質(zhì)組合層213之間敷設(shè)有第二 AZO介質(zhì)單元層22，所述底層電介質(zhì)組合層211敷設(shè)在所述玻璃基片I上。即本實(shí)施例中，優(yōu)選雙功能層結(jié)構(gòu)。其中，所述底層電介質(zhì)組合層211的厚度為28 35nm，所述中層電介質(zhì)組合層212的厚度為65 70nm,所述頂層電介質(zhì)組合層213的厚度為25 30nm。本實(shí)施例中，所述第一 AZO介質(zhì)單元層22包括依次敷設(shè)的第一 AZO介質(zhì)阻隔層2221、第一阻隔層2231、第一功能層2211、第二阻隔層2232和第二 AZO介質(zhì)阻隔層2222，所述第二 AZO介質(zhì)單元層22包括依次敷設(shè)的第三AZO介質(zhì)阻隔層2223、第三阻隔層2233、第二功能層2212、第四阻隔層2234和第四AZO介質(zhì)阻隔層2224，所述第一 AZO介質(zhì)阻隔層2221敷設(shè)在所述底層電介質(zhì)組合層211上，所述第三AZO介質(zhì)阻隔層2223敷設(shè)在所述中層電介質(zhì)組合層212上，所述中層電介質(zhì)組合層212敷設(shè)在所述第二 AZO介質(zhì)阻隔層2222上，所述頂層電介質(zhì)組合層213敷設(shè)在所述第四AZO介質(zhì)阻隔層2224上。本實(shí)施例中，所述功能層221優(yōu)選為銀層。即本實(shí)施例中，該低輻射鍍膜玻璃的具體結(jié)構(gòu)為:順序敷設(shè)的玻璃基片1、底層電介質(zhì)組合 層211、第一 AZO介質(zhì)阻隔層2221、第一阻隔層2231、第一功能層(銀層)2211、第二阻隔層2232、第二 AZO介質(zhì)阻隔層2222、中層電介質(zhì)組合層212、第三AZO介質(zhì)阻隔層2223、第三阻隔層2233、第二功能層(銀層)2212、第四阻隔層2234、第四AZO介質(zhì)阻隔層2224及頂層電介質(zhì)組合層213。其中，所述電介質(zhì)組合層21 為 TiO2' ZnSnOx, SnO2, Zn。、Si02、Ta2O5' BiO2' Al2O3'ZnAl2O4^ Nb2O5或Si3N4材料層中的一種或幾種。如:Si3N4、ZnO組合或ZnSnOx、ZnO組合等所述阻隔層223為N1、T1、Cr、NiCr、NiCrOx和NiCrNx材料層中的一種或幾種。如:NiCr、NiCrOx組合或Ti組合。參見(jiàn)圖4，圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的制造方法流程圖。本發(fā)明的低輻射鍍膜玻璃的制造方法，包括如下步驟:a、設(shè)置玻璃基片I ;b、在所述玻璃基片I上鍍覆電介質(zhì)組合層21 ；c、在所述電介質(zhì)組合層21上鍍覆AZO介質(zhì)單元層22 ；d、在所述AZO介質(zhì)單元層22上鍍覆另一電介質(zhì)組合層21 ；e、重復(fù)步驟c與步驟d，直到達(dá)到需要的鍍膜2的厚度或?qū)訑?shù)。其中,所述步驟c包括:Cl、在電介質(zhì)組合層21上鍍覆AZO介質(zhì)阻隔層222 ；c2、在所述AZO介質(zhì)阻隔層222上鍍覆一阻隔層223 ；c3、在所述阻隔層223上鍍覆一功能層221 ；c4、在所述功能層221上鍍覆另一阻隔層223 ；
c5、在所述另一阻隔層223上鍍覆另一 AZO介質(zhì)阻隔層222。下面以圖2所示鍍膜玻璃為例，采用脈沖磁控濺射方法，具體說(shuō)明本發(fā)明的可鋼化雙銀低輻射玻璃的制備過(guò)程，包括如下依次沉積各膜層的步驟:a、清洗玻璃基片1，干燥后置于磁控濺射區(qū)；提供玻璃基片1，并通過(guò)清洗機(jī)對(duì)玻璃基片I進(jìn)行清洗、吹干處理，將玻璃基片I送入磁控濺射腔室，準(zhǔn)備鍍膜2濺射。濺射腔室的本底真空度優(yōu)選為3X 10-6mbar以上。b、中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積底層電介質(zhì)組合層211; 在玻璃基片I上濺射鍍覆底層電介質(zhì)組合層211，底層電介質(zhì)組合層211，由Ti02、ZnSnOx, Sn02、Zn0、SiO2, Ta2O5, BiO2, A1203> ZnAl2O4, Nb2O5 和 Si3N4 等材料中的一種或幾種構(gòu)成，優(yōu)選靶材材料為Si3N4，即用氮化硅層，其材料重量比為Si: Al = 90: 10，用氮?dú)鉃R射，并可配選ZnAl2O4 (其材料重量比為Zn: Al = 98: 2用氧氣濺射)等材料，其在膜系中的作用主要是使鍍膜2的膜層與玻璃基片I之間的附著力增強(qiáng)，增加可見(jiàn)光透過(guò)率，同時(shí)阻擋玻璃結(jié)構(gòu)中的堿金屬離子在鋼化熱處理過(guò)程中向膜層內(nèi)部滲透，破壞膜層結(jié)構(gòu)。其優(yōu)選的膜層厚度為28 35nm，更優(yōu)選的膜層厚度為29 33nm，最優(yōu)選的膜層厚度為31 32nm。將其鍍覆在玻璃基片I上。鍍膜生產(chǎn)線設(shè)定功率為IOOkw 120kw，所用濺射使用工作氣氛為氬氣和氮?dú)饣旌蠚怏w，其比例為1: 2，選配其它金屬氧化物時(shí)，所用工作氣氛為氬氣和氧氣混合氣體，比例同樣為1: 2，生產(chǎn)時(shí)工藝真空度優(yōu)選為2.0X 10-3mbar 8X 10_3mbar，更優(yōu)選的工藝真空度為2.5 X 10-3mbar 3.5 X 10-3mbar。

Cl、中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積第一 AZO介質(zhì)阻隔層2221 ；第一 AZO介質(zhì)阻隔層2221，采用化學(xué)計(jì)量比為Zn0/A1203 = 97: 3的熔鑄式靶材，所用功率為15kw 25kw，用純氬氣Ar氣體濺射，氣體流量為1000 1300sccm。此種材料兼具電介質(zhì)層及阻隔層特性，本身具有金屬性，完全可以替代阻隔層，而且對(duì)可見(jiàn)光只有很少的吸收，鍍膜玻璃在鋼化熱處理后可以將透過(guò)率至少提高到70%以上，同時(shí)其本身在高溫?zé)崽幚磉^(guò)程中具有極強(qiáng)的耐氧化作用，進(jìn)一步防止鈉離子的滲入，保證了玻璃膜層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性及顏色的穩(wěn)定性。將其鍍覆在底層電介質(zhì)組合層211上，優(yōu)選的膜層厚度為15 20nm,更優(yōu)選的膜層厚度為17 19nm。c2、直流電源加脈沖濺射沉積第一阻隔層2231 ；第一阻隔層2231，可采用材料N1、T1、Cr、NiCiNNiCrO5^P NiCrNx中的一種或幾種構(gòu)成。優(yōu)選的材料為NiCr，其化學(xué)組成為Ni: Cr = 90: 10，所用工作氣體為純氬氣Ar氣體派射，派射功率為0.3kw Ikw,氣體流量為1000 1200sccm。并可配選Ti等材料,優(yōu)選膜層厚度為0 1.5nm,更優(yōu)選的膜層厚度為0.8 1.2nm,最優(yōu)選膜層厚度為I 1.lnm。將其鍍覆在第一 AZO介質(zhì)阻隔層2221上。此第一阻隔層2231為配選層，其主要作用為調(diào)節(jié)透過(guò)率，同時(shí)在濺鍍過(guò)程中可以防止因靶材位置關(guān)系而產(chǎn)生串氣現(xiàn)象的發(fā)生，防止功能層221Ag層在濺鍍過(guò)程中氧化，從而確保膜層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。c3、直流電源加脈沖濺射沉積第一功能(銀層)2211 ;該第一功能層2211優(yōu)選為銀層，主要用于反射太陽(yáng)光波段的長(zhǎng)波輻射，降低鍍膜玻璃的輻射率，從而提高鍍膜玻璃的隔熱效果，同時(shí)用于調(diào)節(jié)玻璃的顏色。優(yōu)選的銀層膜層厚度是8 13nm，更優(yōu)選的膜層厚度為10 I lnm。將其鍍覆在第一層阻隔層上。濺射功率為3kw 4kw，所用工作氣體為純氬氣Ar，氣體流量為1000 1200sccm。
c4、直流電源加脈沖濺射沉積第二阻隔層2232 ；第二阻隔層2232，優(yōu)選材料為NiCr，優(yōu)選的膜層厚度為0 lnm，更優(yōu)選的膜層厚度為0.5 0.7nm。濺射功率為0.3kw 0.8kw，所用工作氣體為純氬氣Ar，氣體流量為1000 1200SCCm。將其鍍覆在第一層功能層Ag層上。其組成及功用同第一阻隔層2231。c5、中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積第二 AZO介質(zhì)阻隔層2222 ；第二 AZO介質(zhì)阻隔層2222，膜層厚度、組成及功用與第一 AZO介質(zhì)阻隔層2221相同，所用功率為15kw 25kw，所用工作氣體為純氬氣Ar，氣體流量為1000 1300sccm，將其鍍覆在第二阻隔層2232上。d、中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積中層電介質(zhì)組合層212 ；中層電介質(zhì)組合層212，由 Ti02、ZnSn0x、Sn02、Zn0、Si02、Ta205、Bi02、Al203、ZnAl204、Nb2O5和Si3N4等材料中的一種或幾種構(gòu)成,優(yōu)選材料為Si3N4,并可配選ZnAl204、Nb2O5等材料，優(yōu)選的膜層厚度為65 70nm，更優(yōu)選的膜層厚度為67 68nm，所用功率為220kw 220kw，工作氣氛為氬氣和氮?dú)饣旌蠚怏w，其比例為1: 2，選配其它金屬氧化物時(shí)，所用工作氣氛為IS氣和氧氣混合氣體，比例為500sccm: lOOOsccm。該中層電介質(zhì)組合層212主要調(diào)節(jié)可見(jiàn)光光譜范圍，使膜層具有合適的透過(guò)率，同時(shí)配合其它膜層調(diào)節(jié)顏色。將該中層電介質(zhì)組合層212鍍覆在第二 AZO介質(zhì)阻隔層2222上。eel、中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積第三AZO介質(zhì)阻隔層2223 ；第三AZO介質(zhì)阻隔層2223，膜層厚度及功用與第一 AZO介質(zhì)阻隔層2221相同，，所用功率為15kw 25kw，所用工作氣體為純氬氣Ar，氣體流量為1000 1300sccm將其鍍覆在中層電介質(zhì)組合層212上。ec2、直流電源加脈沖濺射沉積第三阻隔層2233 ；第三層阻隔層，優(yōu)選材料為NiCr，并可配選Ti等材料，優(yōu)選的膜層厚度為0 lnm，更優(yōu)選的膜層厚度為0.5 0.7nm，濺射功率為0.3kw 0.8kw，所用工作氣體為純氬氣Ar，氣體流量為1000 1200sCCm，其組成及功用同第一阻隔層2231。將此阻隔層鍍覆在第三層AZO電介質(zhì)阻隔層上。ec3、直流電源加脈沖濺射沉積第二銀層2212 ；在第三阻隔層2233上鍍覆第二層銀層，以直流電源加脈沖濺射沉積，濺射功率為4kw 4.5kw，所用工作氣體為純氬氣Ar，氣體流量為1000 1200sccm。此層功用同第一功能層2211，同時(shí)配合第一層銀層，在可見(jiàn)光范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)更寬的減反射帶寬，減反射效果更好，防止光污染的產(chǎn)生。而且通過(guò)兩層Ag層的疊加，在太陽(yáng)光光譜范圍內(nèi)，對(duì)波長(zhǎng)較長(zhǎng)的紅外線反射得到更大的提高，增加隔熱保溫效果。優(yōu)選的銀膜層厚度為9 14nm，更優(yōu)選的膜層厚度為10 12nm。ec4、直流電源加脈沖濺射沉積第四阻隔層2234 ；在第二層銀層上鍍覆第四阻隔層2234，以直流電源加脈沖濺射沉積，濺射功率為Ikw 1.5kw，所用工作氣體為純氬氣Ar，氣體流量為1000 1200sccm，優(yōu)選材料為NiCr，可配選Ti等材料,優(yōu)選的膜層厚度為0 4nm,更優(yōu)選的膜層厚度為1.5nm 2.5nm。其組成及功用同第一阻隔層2231。將此阻隔層鍍覆在第二層Ag層上。ec5、中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積第四AZO介質(zhì)阻隔層2224 ；在第四阻隔層2234上鍍覆第四AZO介質(zhì)阻隔層2224，所用功率為15kw 25kw，所用工作氣體為純氬氣Ar，氣體流量為1000 1300SCCm，該膜層厚度、組成及功用同第一AZO介質(zhì)阻隔層2221，將其鍍覆在第四阻隔層2234上。ed、中頻電源加旋轉(zhuǎn)陰極濺射沉積頂層電介質(zhì)組合層213。頂層電介質(zhì)組合層213，由 Ti02、ZnSn0x、Sn02、Zn0、Si02、Ta205、Bi02、Al203、ZnAl204、Nb2O5和Si3N4等材料中的一種或幾種構(gòu)成,優(yōu)選材料為Si3N4,即用氮化娃層,若選用多種材料組合時(shí)，需將TiO2、或Si3N4放置在最外層。所用功率為90kw lOOkw，工作氣氛為氬氣和氮?dú)饣旌蠚怏w，其比例為1: 2,選配其它金屬氧化物時(shí),所用工作氣氛為気氣和氧氣混合氣體，比例為500sccm: lOOOsccm。優(yōu)選的膜層厚度為25 30nm,更優(yōu)選的膜層厚度為25 27nm。將此層鍍覆在第四層AZO電介質(zhì)阻隔層上。頂層電介質(zhì)組合層213主要作用除可以起到減反射作用，同時(shí)可以提高膜系的抗腐蝕、抗機(jī)械和抗溫變性能。對(duì)整個(gè)膜層具有保護(hù)作用，保證膜層穩(wěn)定性。在各I旲層按順序鍛覆完成后，本實(shí)施例中的低福射鍛I旲玻璃在后續(xù)加工中可承受磨邊工藝的加工，磨邊時(shí)玻璃邊部不會(huì)產(chǎn)生劃傷或脫膜現(xiàn)象；可承受680 700°C的高溫鋼化熱處理加工工藝，鋼化后膜層表面無(wú)外觀缺陷；同時(shí)，本發(fā)明的低輻射玻璃在鋼化熱處理工藝后，可承受中空純水洗刷3次以上而不會(huì)產(chǎn)生不可接受的劃傷、脫膜等外觀缺陷。故本發(fā)明的可鋼化雙銀低輻射玻璃的膜層結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，理化性能及機(jī)械性能優(yōu)良。在光學(xué)性能方面，本發(fā)明實(shí)施例單片顏色如下表一。在本發(fā)明實(shí)施例中，鍍膜玻璃的光學(xué)性能為美國(guó)Hunter lab公司生產(chǎn)的Color QuestXE光學(xué)儀器測(cè)定，顏色參數(shù)為按國(guó)際慣例對(duì)色度空間的定義。表一
權(quán)利要求
1.一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片和鍍覆在所述玻璃基片上的鍍膜，其特征在于，所述鍍膜包括多層電介質(zhì)組合層和設(shè)置在相鄰的所述電介質(zhì)組合層之間的AZO介質(zhì)單元層，所述AZO介質(zhì)單元層包括功能層和AZO介質(zhì)阻隔層，所述AZO介質(zhì)阻隔層敷設(shè)在所述功能層的兩側(cè)； 或所述AZO介質(zhì)單元層包括功能層、AZO介質(zhì)阻隔層和阻隔層，所述AZO介質(zhì)阻隔層分別敷設(shè)在所述功能層的兩側(cè)，所述阻隔層敷設(shè)在所述AZO介質(zhì)阻隔層與所述功能層之間； 或所述AZO介質(zhì)單元層包括功能層、AZO介質(zhì)阻隔層和阻隔層，所述阻隔層與所述AZO介質(zhì)阻隔層分別敷設(shè)在所述功能層的兩側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述AZO介質(zhì)阻隔層的厚度為15 20nmo
3.如權(quán)利要求2所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述AZO介質(zhì)阻隔層的AZO化學(xué)計(jì)量比為 ZnOx: AlOx = 97: 3。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述電介質(zhì)組合層包括底層電介質(zhì)組合層、中層電介質(zhì)組合層和頂層電介質(zhì)組合層，所述底層電介質(zhì)組合層與所述中層電介質(zhì)組合層之間敷設(shè)有第一 AZO介質(zhì)單元層，所述中層電介質(zhì)組合層和所述頂層電介質(zhì)組合層之間敷設(shè)有第二 AZO介質(zhì)單元層，所述底層電介質(zhì)組合層敷設(shè)在所述玻璃基片上。
5.如權(quán)利要求4所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一AZO介質(zhì)單元層包括依次敷設(shè)的第一 AZO介質(zhì)阻隔層、第一阻隔層、第一功能層、第二阻隔層和第二 AZO介質(zhì)阻隔層，所述第二 AZO介質(zhì)單元層包括依次敷設(shè)的第三AZO介質(zhì)阻隔層、第三阻隔層、第二功能層、第四阻隔層和第四AZO介質(zhì)阻隔層，所述第一 AZO介質(zhì)阻隔層敷設(shè)在所述底層電介質(zhì)組合層上，所述第三AZO介質(zhì)阻隔層敷設(shè)在所述中層電介質(zhì)組合層上，所述中層電介質(zhì)組合層敷設(shè)在所述第二 AZO介質(zhì)阻隔層上，所述頂層電介質(zhì)組合層敷設(shè)在所述第四AZO介質(zhì)阻隔層上。
6.如權(quán)利要求1、2、3或5所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述底層電介質(zhì)組合層的厚度為28 35nm,所述中層電介質(zhì)組合層的厚度為65 70nm,所述頂層電介質(zhì)組合層的厚度為25 30nm。
7.如權(quán)利要求6所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述功能層為銀層。
8.如權(quán)利要求1、2、3、5或7所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述電介質(zhì)組合層為 Ti02、ZnSnOx, SnO2, Zn。、Si02、Ta2O5' BiO2' Al2O3' ZnAl2O4' Nb2O5 或 Si3N4 材料層中的一種或幾種。
9.如權(quán)利要求1、2、3、5或7所述的低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述阻隔層為N1、T1、Cr、NiCr、NiCrOx和NiCrNx材料層中的一種或幾種。
10.一種如權(quán)利要求1、2、3、5或7所述的低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: a、設(shè)置玻璃基片； b、在所述玻璃基片上鍍覆電介質(zhì)組合層； C、在所述電介質(zhì)組合層上鍍覆AZO介質(zhì)單元層； d、在所述AZO介質(zhì)單元層上鍍覆另一電介質(zhì)組合層；e、重復(fù)步驟c與步驟d，直到達(dá)到需要的鍍膜厚度。
11.如權(quán)利要求10所述的低輻射鍍膜玻璃的制造方法，其特征在于，所述步驟c包括:Cl、在電介質(zhì)組合層上鍍覆一 AZO介質(zhì)阻隔層；c2、在所述AZO介質(zhì)阻隔層上鍍覆一阻隔層；c3、在所述阻隔層上鍍覆一功能層；c4、在所述功能層上鍍覆另一阻隔層；c5、在所述另一阻 隔層上鍍覆另一 AZO介質(zhì)阻隔層。
全文摘要
一種低輻射鍍膜玻璃及其制造方法，包括玻璃基片和鍍覆在其上的鍍膜，該鍍膜包括多層電介質(zhì)組合層和設(shè)置在相鄰的電介質(zhì)組合層之間的AZO介質(zhì)單元層，AZO介質(zhì)單元層包括功能層和AZO介質(zhì)阻隔層，AZO介質(zhì)阻隔層敷設(shè)在功能層的兩側(cè)；或AZO介質(zhì)單元層還包括阻隔層，阻隔層敷設(shè)在AZO介質(zhì)阻隔層與功能層之間；或該AZO介質(zhì)單元層包括功能層、AZO介質(zhì)阻隔層和阻隔層，該阻隔層與該AZO介質(zhì)阻隔層分別敷設(shè)在該功能層的兩側(cè)。制造方法包括a、設(shè)置玻璃基片；b、在玻璃基片上鍍覆電介質(zhì)組合層；c、在電介質(zhì)組合層上鍍覆AZO介質(zhì)單元層；d、在AZO介質(zhì)單元層上鍍覆另一電介質(zhì)組合層；e、重復(fù)步驟c與步驟d。
文檔編號(hào)C03C17/36GK103144379SQ20111040333
公開(kāi)日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2011年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月6日
發(fā)明者劉霄楓, 劉雙, 王爍, 杜彥 申請(qǐng)人:天津南玻節(jié)能玻璃有限公司, 天津南玻工程玻璃有限公司