技術(shù)特征：
1.一種形成在產(chǎn)品表面上的涂覆結(jié)構(gòu)，所述涂覆結(jié)構(gòu)包括：氧化鋁層，形成在產(chǎn)品表面上；二氧化硅層，形成在氧化鋁層的表面上；以及涂覆組合物層，形成在二氧化硅層上，其中，氧化鋁層具有至的厚度，其中，所述涂覆組合物層包括具有由式1：[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示的R1基團和由式2：(Rc)q表示的R2基團的硅烷低聚物，其中，Ra選自于由氫和具有1個至3個碳原子的烷基組成的組；Rb選自于由具有5個至20個碳原子的烷基、具有5個至20個碳原子的烯基、具有5個至20個碳原子的炔基、具有5個至20個碳原子的芳基、具有6個至20個碳原子的芳烷基、具有5個至20個碳原子的環(huán)烷基和具有5個至20個碳原子的雜烷基組成的組；p是1至12的整數(shù)，Rc是具有3個至20個碳原子的環(huán)烷基，q是1至3的整數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆結(jié)構(gòu)，其中，氧化鋁層具有至的厚度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆結(jié)構(gòu)，其中，二氧化硅層具有至的厚度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆結(jié)構(gòu)，其中，R1基團是從由甲氧基乙氧基十一烷基、甲氧基三甘醇氧基十一烷基、3-甲氧基乙氧基-4-乙酰氧基環(huán)己基乙基、16-(2-甲氧基乙氧基)十六烷基及其衍生物組成的組中選擇的至少一種。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆結(jié)構(gòu)，其中，R2基團是從由3-環(huán)戊二烯基丙基、雙環(huán)戊基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)辛基及其衍生物組成的組中選擇的至少一種。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆結(jié)構(gòu)，其中，所述硅烷低聚物具有下面式3的結(jié)構(gòu)，式3其中，m和n均獨立地為1至10的整數(shù)。7.一種裝置，在所述裝置的表面設(shè)置有涂覆結(jié)構(gòu)，其中，所述涂覆結(jié)構(gòu)包括：氧化鋁層，形成在裝置表面上；二氧化硅層，形成在氧化鋁層的表面上；以及涂覆組合物層，形成在二氧化硅層上，其中，氧化鋁層具有至的厚度，其中，所述涂覆組合物層包括具有由式1：[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示的R1基團和由式2：(Rc)q表示的R2基團的硅烷低聚物，其中，Ra選自于由氫和具有1個至3個碳原子的烷基組成的組；Rb選自于由具有5個至20個碳原子的烷基、具有5個至20個碳原子的烯基、具有5個至20個碳原子的炔基、具有5個至20個碳原子的芳基、具有6個至20個碳原子的芳烷基、具有5個至20個碳原子的環(huán)烷基和具有5個至20個碳原子的雜烷基組成的組；p是1至12的整數(shù)，Rc是具有3個至20個碳原子的環(huán)烷基，q是1至3的整數(shù)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中，氧化鋁層具有至的厚度。9.一種在產(chǎn)品表面上形成涂覆結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括以下步驟：在產(chǎn)品表面上形成氧化鋁層；在氧化鋁層的表面上形成二氧化硅層；以及在二氧化硅層上形成涂覆組合物層，其中，氧化鋁層具有至的厚度，其中，所述涂覆組合物層包括具有由式1：[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示的R1基團和由式2：(Rc)q表示的R2基團的硅烷低聚物，其中，Ra選自于由氫和具有1個至3個碳原子的烷基組成的組；Rb選自于由具有5個至20個碳原子的烷基、具有5個至20個碳原子的烯基、具有5個至20個碳原子的炔基、具有5個至20個碳原子的芳基、具有6個至20個碳原子的芳烷基、具有5個至20個碳原子的環(huán)烷基和具有5個至20個碳原子的雜烷基組成的組；p是1至12的整數(shù)，Rc是具有3個至20個碳原子的環(huán)烷基，q是1至3的整數(shù)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，通過真空沉積執(zhí)行氧化鋁層的形成、二氧化硅層的形成以及涂覆組合物層的形成。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，二氧化硅層具有至的厚度。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，氧化鋁層具有至的厚度。