本公開的實(shí)施例涉及一種具有優(yōu)異的耐久性和防侵蝕性的防指印涂覆結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：
當(dāng)與用戶的手接觸或通話期間與用戶的臉接觸時，電子產(chǎn)品的顯示器(例如，TV的屏幕、PC或筆記本監(jiān)視器的屏幕、移動設(shè)備例如蜂窩電話或PDA的屏幕)的表面或者電子產(chǎn)品的觸摸面板的表面容易被指印或者臉的成分(例如，脂質(zhì)或蛋白質(zhì))污染，并因此對肉眼顯著可見，并且看起來是臟的。因此，提出了一種方法，在該方法中，通過在顯示器的表面上形成防水并且防油的含氟薄膜或者用防水硅樹脂骨架涂覆顯示器的表面來形成防指印涂層。作為用于形成防指印涂層的方法，通常采用防指印(AF)涂覆。AF涂覆是這樣一種方法，在該方法中，通過噴射或沉積在面板的表面上形成涂層，使得面板的表面容易清潔并且滑動感覺良好。為了提高AF涂層的耐磨性，在待涂覆產(chǎn)品的表面上沉積二氧化鈦(TiO2)或二氧化硅(SiO2)，然后在其上形成AF涂層。然而，在產(chǎn)品的表面和AF涂層之間僅使用二氧化硅層的情況下，長時間使用的二氧化硅層被鹽水侵蝕，并且AF涂層的實(shí)際壽命會被不利地縮短。另外，現(xiàn)有技術(shù)的AF涂層不僅不能防止脂質(zhì)(指印的主要成分)粘附，而且不能隱藏產(chǎn)品表面上存在的指印，并且也不能使指印被很好地清除。出于這個原因，產(chǎn)品表面上存在的指印會被容易地看見并且看起來是臟的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
其它方面和/或優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分地闡述，并且一部分通過描述將是清楚的，或者可以通過本公開的實(shí)踐而獲知。因此，本公開的一方面是提供一種涂覆結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，可以通過在待涂覆的產(chǎn)品和涂層之間形成氧化鋁層和二氧化硅層來提高涂層的耐久性、可靠性和防侵蝕性，并且可以提高產(chǎn)品良率。根據(jù)本公開的一方面，一種形成在產(chǎn)品表面上的涂覆結(jié)構(gòu)包括：氧化鋁(Al2O3)層，形成在產(chǎn)品表面上；二氧化硅(SiO2)層，形成在氧化鋁(Al2O3)層的表面上；以及涂覆組合物層，形成在二氧化硅(SiO2)層上。氧化鋁(Al2O3)層可以具有大約至大約的厚度。氧化鋁(Al2O3)層可以具有大約至大約的厚度。二氧化硅(SiO2)層可以具有大約至大約的厚度。所述涂覆組合物層可以包括具有由式1：[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示的R1基團(tuán)和由式2：(Rc)q表示的R2基團(tuán)的硅烷低聚物，其中，Ra選自于由氫和具有1個至3個碳原子的烷基組成的組；Rb選自于由具有5個至20個碳原子的烷基、具有5個至20個碳原子的烯基、具有5個至20個碳原子的炔基、具有5個至20個碳原子的芳基、具有6個至20個碳原子的芳烷基、具有5個至20個碳原子的環(huán)烷基和具有5個至20個碳原子的雜烷基組成的組；p是1至12的整數(shù)，Rc是具有3個至20個碳原子的環(huán)烷基，q是1至3的整數(shù)。R1基團(tuán)可以是從由甲氧基乙氧基十一烷基、甲氧基三甘醇氧基十一烷基、3-甲氧基乙氧基-4-乙酰氧基環(huán)己基乙基、16-(2-甲氧基乙氧基)十六烷基及其衍生物組成的組中選擇的至少一種。R2基團(tuán)可以是從由3-環(huán)戊二烯基丙基、雙環(huán)戊基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)辛基及其衍生物組成的組中選擇的至少一種。所述硅烷低聚物可以具有下面式3的結(jié)構(gòu)，式3其中，m和n均獨(dú)立地為1至10的整數(shù)。根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種裝置，在所述裝置的表面設(shè)置有涂覆結(jié)構(gòu)，其中，所述涂覆結(jié)構(gòu)包括：氧化鋁(Al2O3)層，形成在裝置表面上；二氧化硅(SiO2)層，形成在氧化鋁(Al2O3)層的表面上；以及涂覆組合物層，形成在二氧化硅(SiO2)層上。氧化鋁(Al2O3)層可以具有大約至大約的厚度。氧化鋁(Al2O3)層可以具有大約至大約的厚度。二氧化硅(SiO2)層可以具有大約至大約的厚度。根據(jù)本公開的又一方面，一種在產(chǎn)品表面上形成涂覆結(jié)構(gòu)的方法包括以下步驟：在產(chǎn)品表面上形成氧化鋁(Al2O3)層；在氧化鋁(Al2O3)層的表面上形成二氧化硅(SiO2)層；以及在二氧化硅(SiO2)層上形成涂覆組合物層。可以通過真空沉積執(zhí)行氧化鋁(Al2O3)層的形成、二氧化硅(SiO2)層的形成以及涂覆組合物層的形成。二氧化硅(SiO2)層可以具有大約至大約的厚度。氧化鋁(Al2O3)層可以具有大約至大約的厚度。所述涂覆組合物層可以包括具有由式1：[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示的R1基團(tuán)和由式2：(Rc)q表示的R2基團(tuán)的硅烷低聚物，其中，Ra選自于由氫和具有1個至3個碳原子的烷基組成的組；Rb選自于由具有5個至20個碳原子的烷基、具有5個至20個碳原子的烯基、具有5個至20個碳原子的炔基、具有5個至20個碳原子的芳基、具有6個至20個碳原子的芳烷基、具有5個至20個碳原子的環(huán)烷基和具有5個至20個碳原子的雜烷基組成的組；p是1至12的整數(shù)，Rc是具有3個至20個碳原子的環(huán)烷基，q是1至3的整數(shù)。根據(jù)本公開一方面的涂覆結(jié)構(gòu)及其形成方法，通過在待涂覆產(chǎn)品和涂層之間形成氧化鋁層和二氧化硅層，可以提高涂層的耐久性、可靠性和防侵蝕性，此外，還可以提高產(chǎn)品良率。另外，通過使用隱形指印(IF)涂層，留在涂層表面上的指印的脂質(zhì)組分在所述表面上廣泛地擴(kuò)展，并且指印的污染不明顯。附圖說明通過結(jié)合附圖對實(shí)施例進(jìn)行的下面的描述，本公開的這些和/或其它方面將變得清楚和更容易理解，在附圖中：圖1是示意性地示出通過現(xiàn)有技術(shù)的方法形成在產(chǎn)品表面上的涂覆結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖2是示意性地示出根據(jù)本公開一個實(shí)施例的涂覆結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖3是示出反射率的變化與氧化鋁層的厚度變化的曲線圖；圖4A是示出二氧化硅層的表面形貌的圖像；圖4B是示出形成在氧化鋁層上的二氧化硅層的表面形貌的圖像；圖5是示出通過將鹽水噴射到圖1的涂覆結(jié)構(gòu)和圖2的涂覆結(jié)構(gòu)上并且隨著時間的過去測量涂覆組合物層的接觸角而得到的結(jié)果的曲線圖；圖6A是示出僅形成二氧化硅層的樣品的分析結(jié)果的曲線圖；圖6B是示出按順序形成有氧化鋁層和二氧化硅層的樣品的分析結(jié)果的曲線圖；圖7是示出當(dāng)將式3的硅烷化合物涂覆在二氧化硅層上時出現(xiàn)的現(xiàn)象的圖；圖8示出了光被涂覆結(jié)構(gòu)的薄膜表面上存在的水(H2O)和二碘甲烷反射的情形，其中，在所述涂覆結(jié)構(gòu)中，根據(jù)本公開一個實(shí)施例防指印涂層由的式3的硅烷化合物制成；圖9是簡要示出根據(jù)本公開一個實(shí)施例的形成涂覆結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；圖10A示出了用于形成薄膜的作為干工藝的一個示例的真空沉積工藝；圖10B示出了用于形成薄膜的濕工藝的示例；圖11是示出根據(jù)本公開一個實(shí)施例的通過真空沉積形成涂覆結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)在將詳細(xì)描述本公開的實(shí)施例，附圖中示出了本公開的實(shí)施例的示例，其中，相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。圖1是示意性地示出通過現(xiàn)有技術(shù)的方法形成在產(chǎn)品表面上的涂覆結(jié)構(gòu)的剖視圖。參照圖1，在現(xiàn)有技術(shù)中，在產(chǎn)品的表面上涂覆二氧化硅(SiO2)層，然后在二氧化硅層上涂覆涂覆組合物層，以形成涂覆結(jié)構(gòu)，從而保護(hù)產(chǎn)品表面并且防止在產(chǎn)品表面上留下指印。涂覆二氧化硅層的目的是為了通過涂覆組合物層和二氧化硅層之間的結(jié)合來提高耐久性或耐磨性。然而，在產(chǎn)品表面上直接形成二氧化硅層的情況下，發(fā)生由鹽水引起的侵蝕，并且不能保持涂覆組合物層的效果。圖2是示意性示出根據(jù)本公開一個實(shí)施例的涂覆結(jié)構(gòu)的剖視圖。參照圖2，根據(jù)本公開一個實(shí)施例的涂覆結(jié)構(gòu)包括形成在待涂覆產(chǎn)品的表面上的氧化鋁層(Al2O3)、形成在氧化鋁層上的二氧化硅層(SiO2)和形成在二氧化硅層上的涂覆組合物層(在下文中也稱作“涂層”)。用于本公開實(shí)施例的涂覆組合物可以為用在各種應(yīng)用(包括產(chǎn)品的表面保護(hù)、防止粘附外來物質(zhì)以及隱藏指印)中的各種涂覆組合物中的任何一種。在下面的實(shí)施例中，為了便于描述，主要使用防指印涂覆組合物，但是用于本公開實(shí)施例的涂層不限于防指印涂層。另外，待涂覆產(chǎn)品的示例包括但不限于諸如蜂窩電話或PDA的移動設(shè)備、或者諸如TV和電腦監(jiān)視器的顯示器?？梢允褂萌魏萎a(chǎn)品，而不進(jìn)行具體限制，只要諸如用戶指印的外來物質(zhì)會粘附到產(chǎn)品的表面，或者涂層可以形成在產(chǎn)品的表面上。另外，產(chǎn)品的其上形成有涂覆結(jié)構(gòu)的表面包括但不限于設(shè)置在產(chǎn)品中的觸摸屏的表面、或者諸如LCD和LED的顯示器的表面?？梢允褂卯a(chǎn)品的任何表面，而不進(jìn)行具體限制，只要諸如用戶指印的外來物質(zhì)會粘附到產(chǎn)品的表面，或者涂層可以形成在產(chǎn)品的表面上。氧化鋁顯示出高強(qiáng)度、高硬度、耐磨性、耐侵蝕性等，并且氧化鋁的制備溫度低并且制備時間短，因此氧化鋁的尺寸和結(jié)構(gòu)可以被容易地控制。然而，由于氧化鋁具有大約1.76至大約1.77的高折射率，所以隨著氧化鋁的厚度增加，氧化鋁的反射率增加。圖3是示出反射率的變化與氧化鋁層的厚度變化的曲線圖。通過將二氧化硅層涂覆在氧化鋁層上來形成涂覆結(jié)構(gòu)、并且隨著氧化鋁層的厚度變化測量反射率來獲得圖3的曲線圖。二氧化硅層的厚度是如圖3中所示，隨著氧化鋁的厚度增加，涂覆結(jié)構(gòu)的反射率也增加。當(dāng)設(shè)置有涂覆結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品是顯示裝置時，隨著反射率增加，用戶的眼睛疲勞變得嚴(yán)重，并且分辨率也劣化，此外，總體圖像質(zhì)量會劣化。因此，需要適當(dāng)控制氧化鋁的厚度。當(dāng)氧化鋁層的厚度小于時，反射率不高。然而，為了提高涂覆結(jié)構(gòu)的耐磨性和防侵蝕性，優(yōu)選地將氧化鋁層的厚度調(diào)節(jié)為或更大。在本公開的一個實(shí)施例中，當(dāng)考慮到涂覆結(jié)構(gòu)的反射率和耐久性兩者時，氧化鋁層的厚度可以調(diào)節(jié)為至當(dāng)氧化鋁層的厚度是至?xí)r，可以獲得顯示出優(yōu)異的反射率和耐久性的涂覆結(jié)構(gòu)。另外，二氧化硅層的厚度可以為至但不限于此。設(shè)計者可以通過實(shí)驗(yàn)確定合適的厚度。圖4A是示出二氧化硅層的表面形貌的圖像。圖4B是示出形成在氧化鋁層上的二氧化硅層的表面形貌的圖像。通過掃描電子顯微鏡(SEM)對僅形成二氧化硅層的樣品拍照以及對二氧化硅層形成在氧化鋁層上的樣品拍照來獲得圖4A和圖4B的圖像。如從圖4A可以看出的，僅由二氧化硅制成的層具有多孔的表面結(jié)構(gòu)；如從圖4B可以看出的，形成在氧化鋁層上的二氧化硅層具有致密的表面結(jié)構(gòu)。當(dāng)二氧化硅層的表面多孔時，產(chǎn)品容易受外部環(huán)境因素影響，并且容易因施加的撞擊而破碎，以及當(dāng)暴露于鹽水時由于結(jié)合弱而容易被侵蝕。然而，當(dāng)二氧化硅層具有致密的結(jié)構(gòu)時，鹽水不容易滲透到二氧化硅層中，并且由于顆粒之間的強(qiáng)結(jié)合而使得產(chǎn)品相對好地耐受施加的撞擊以及暴露于鹽水。在下文中，將參照圖5和圖6描述根據(jù)本公開一個實(shí)施例的涂覆結(jié)構(gòu)的防侵蝕測試結(jié)果。在圖5中示出了曲線圖，該曲線圖示出了通過將鹽水噴射到圖1的涂覆結(jié)構(gòu)和圖2的涂覆結(jié)構(gòu)并且隨著時間的過去測量涂覆組合物層的接觸角而得到的結(jié)果。這里使用的涂覆組合物層是用來防止指印粘附或可見性的防指印涂覆組合物層。在該測試中，通過鹽水噴射來噴射5％的氯化鈉(NaCl)溶液，以執(zhí)行防侵蝕測試，并且測量防指印涂層和水之間的接觸角，歷時72小時。測試溫度為35℃。接觸角的意思是當(dāng)液滴在固體的水平表面上保持預(yù)定透鏡形狀時固體表面和液體表面形成的預(yù)定角，接觸角的值取決于液體和固體的類型。從圖5可以看出，在僅形成二氧化硅層和防指印涂層的情況下，與噴射鹽水之前的初始接觸角相比，水與防指印涂層的初始接觸角隨著時間的過去而逐漸減小，在噴射鹽水之后48小時時，初始接觸角減小了50度或更大。此外，可以看出，當(dāng)在產(chǎn)品的表面上形成氧化鋁層，然后在氧化鋁層上形成二氧化硅層和防指印涂層時，水與防指印涂層的初始接觸角沒有顯著減小，72小時減小了大約10度。結(jié)果，在產(chǎn)品的表面上僅形成二氧化硅層并且隨后在二氧化硅層上形成防指印涂層的情況下，當(dāng)涂層暴露于鹽水時，發(fā)生侵蝕，并且涂層被逐漸去除；在產(chǎn)品的表面上形成氧化鋁并且隨后在氧化鋁上形成二氧化硅層和防指印涂層的情況下，盡管涂層被暴露于鹽水，但是產(chǎn)品形狀也可以保持長的時間段。對于鹽水噴射測試的失效模式分析，執(zhí)行測試來測量從圖1的涂覆結(jié)構(gòu)去除防指印涂層而僅形成二氧化硅層的樣品的厚度以及從圖2的涂覆結(jié)構(gòu)去除防指印涂層而按順序形成有氧化鋁層和二氧化硅層的樣品的厚度。在該測試中，對兩個樣品執(zhí)行以下步驟并進(jìn)行測量：在35℃將5％的氯化鈉(NaCl)溶液噴射到樣品上，并在72小時后測量兩個樣品以執(zhí)行分析。圖6A是示出僅形成有二氧化硅層的樣品的分析結(jié)果的曲線圖，圖6B是示出按順序形成有氧化鋁層和二氧化硅層的樣品的分析結(jié)果的曲線圖。如從圖6A可以看出的，對于僅形成有二氧化硅層的樣品，在鹽水噴射之后沒有測量到臺階。這意味著樣品的二氧化硅層被噴射的鹽水侵蝕并溶解。從圖6B可以看出，按順序形成有氧化鋁層和二氧化硅層的樣品保持了臺階。這意味著樣品的二氧化硅層沒有被噴射的鹽水侵蝕。這些結(jié)果與在圖4A和圖4B中描述的樣品的表面形貌的分析結(jié)果對應(yīng)。即，僅由二氧化硅制成的層在暴露于鹽水時由于所述層具有多孔的表面而容易被侵蝕，形成在氧化鋁層上的二氧化硅層在暴露于鹽水時由于所述層具有致密的表面結(jié)構(gòu)而不容易被侵蝕并且保持長的時間段。根據(jù)本公開一個實(shí)施例的涂覆結(jié)構(gòu)包括氧化鋁層、二氧化硅層和防指印涂層。用于防指印涂層的材料可以從通常用于防指印薄膜的防水防油的含氟薄膜、包含防水硅樹脂骨架的薄膜等中選擇，但不限于此?？梢愿鶕?jù)產(chǎn)品的應(yīng)用而使用各種涂覆材料。另外，為了防止涂層上的指印突顯，隱形指印(IF)涂覆組合物可以用作用于防指印涂層的材料。在下文中，將詳細(xì)描述IF涂覆組合物。供參考，這里使用的術(shù)語“防指印”包括防止指印留下的性質(zhì)、能夠容易清除指印的性質(zhì)和隱藏留下的指印的性質(zhì)中的所有性質(zhì)?？梢杂米饔糜诟鶕?jù)本公開一個實(shí)施例的防指印涂層的材料的IF涂覆組合物包含具有由式1：[RaO-(CH2CH2O)p-Rb-]表示的R1基團(tuán)和由式2：(Rc)q表示的R2基團(tuán)的硅烷低聚物。在式1中，Ra選自于由氫和具有1個至3個碳原子的烷基組成的組，其中，烷基被取代或者未被取代。在式1中，Rb選自于由具有5個至20個碳原子的烷基、具有5個至20個碳原子的烯基、具有5個至20個碳原子的炔基、具有5個至20個碳原子的芳基、具有6個至20個碳原子的芳烷基、具有5個至20個碳原子的環(huán)烷基和具有5個至20個碳原子的雜烷基組成的組。反應(yīng)性基團(tuán)可以被取代或未被取代。在式1中，p是1至12的整數(shù)。在式2中，Rc是可以被取代或者未被取代的具有3個至20個碳原子的環(huán)烷基。在式2中，q是1至3的整數(shù)。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，R1基團(tuán)是從由甲氧基乙氧基十一烷基、甲氧基三甘醇氧基十一烷基、3-甲氧基乙氧基-4-乙酰氧基環(huán)己基乙基、16-(2-甲氧基乙氧基)十六烷基及其衍生物組成的組中選擇的至少一種。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，R2基團(tuán)是從由3-環(huán)戊二烯基丙基、雙環(huán)戊基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)辛基及其衍生物組成的組中選擇的至少一種。另外，當(dāng)兩種硅烷化合物與蒸餾水的重量比為1∶1∶0.01至0.1時，防指印性質(zhì)和滑動感覺均優(yōu)異。然而，本公開不限于這種重量比。另外，當(dāng)硅烷低聚物的分子量超過30,000時，硅烷低聚物變成凝膠，并且不容易形成薄膜。因此，為了保持液相，可以選擇烷基(R1和R2)，使得硅烷低聚物的分子量不超過30,000，當(dāng)硅烷低聚物的分子量為100至30,000時，可以獲得適于在基底的表面上形成薄膜的化合物。硅烷是一種硅氫化物，其分子式用SinH2n+2表示。硅烷化合物的意思是SinH2n+2中的一個或多個氫被其它基團(tuán)取代的化合物。可以根據(jù)取代基的類型得到具有各種性質(zhì)的化合物。具有R1基團(tuán)的硅烷化合物和具有R2基團(tuán)的硅烷化合物可以為能夠防止指印突顯的防指印涂覆組合物，而不用任何處理。當(dāng)用硅烷化合物涂覆產(chǎn)品的表面時，獲得了優(yōu)異的防指印性質(zhì)，但是通過將兩種硅烷化合物混合而形成的低聚物能夠形成具有改進(jìn)的防指印性質(zhì)和滑動性質(zhì)的涂覆組合物。在一個實(shí)施例中，當(dāng)兩種硅烷化合物與蒸餾水(H2O)混合時，發(fā)生水解，在水解中，各硅烷化合物中鍵合到Si的除了R1和R2基團(tuán)之外的反應(yīng)性基團(tuán)轉(zhuǎn)變成羥基(OH-)，此后發(fā)生分子間縮合，從而形成用下面的式3表示的硅烷低聚物。式3其中，m和n均獨(dú)立地為1至10的整數(shù)。除了蒸餾水(H2O)之外的任何物質(zhì)可以用作添加到硅烷化合物中的物質(zhì)，只要該物質(zhì)引起硅烷化合物的縮合并由此形成硅烷低聚物。例如，將各種酸與硅烷化合物混合，引起縮合，從而形成硅烷低聚物。當(dāng)如式3中所示，鍵合到Si的反應(yīng)性基團(tuán)被羥基(-OH)取代時，容易在硅烷化合物和二氧化硅層之間形成硅氧鍵，其在耐久性方面有利。在下文中，將描述利用式3的硅烷低聚物形成防指印涂層的本公開的涂覆結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)。圖7是示出當(dāng)將式3的硅烷化合物涂覆在二氧化硅層上時發(fā)生的現(xiàn)象的圖。在產(chǎn)品的表面上順序形成氧化鋁層和二氧化硅層，并且在二氧化硅層上涂覆式3的具有R1基團(tuán)和R2基團(tuán)的硅烷化合物，以形成薄膜。此時，R1和R2的烷基布置在二氧化硅層的表面的外側(cè)，所述R1和R2的烷基直接接觸指印。因此，基于R1和R2的烷基隱藏留在薄膜表面上的指印，如下面所述。下面將給出其詳細(xì)描述。式3中位于R1和R2的烷基的相反側(cè)的羥基通過化學(xué)反應(yīng)與二氧化硅層形成硅氧鍵，從而提供優(yōu)異的耐久性。圖8示出了光被涂覆結(jié)構(gòu)的薄膜表面上存在的水(H2O)和二碘甲烷反射的情形，其中，在所述涂覆結(jié)構(gòu)中，根據(jù)本公開一個實(shí)施例防指印涂層由的式3的硅烷化合物制成。水和二碘甲烷與表面之間的接觸角大，當(dāng)光照射到水和二碘甲烷時，發(fā)生散反射，導(dǎo)致指印被肉眼顯著可見。因此，當(dāng)包含水和二碘甲烷的指印成分留在水和二碘甲烷與表面之間具有大接觸角的表面上時，指印顯著可見，因此看起來是臟的。當(dāng)根據(jù)本公開一個實(shí)施例將式3的硅烷化合物用作用于涂覆結(jié)構(gòu)中的防指印涂層的材料時，烷基R1和R2布置在外側(cè)，并且接觸指印組分，如可以從圖7看出的。R1和R2的烷基與水的接觸角為60度至80度，與二碘甲烷的接觸角為45度或者更小。因此，留在涂覆結(jié)構(gòu)表面上的水或二碘甲烷廣泛地擴(kuò)展，并且照射到水或二碘甲烷的光穿過基底而不被反射，如圖8中所示。因此，盡管包含水和二碘甲烷的指印組分留在薄膜上，但是它們薄薄地在涂覆結(jié)構(gòu)的表面上擴(kuò)展，因此不顯著可見，并且看起來不臟。在下文中，將描述根據(jù)本公開一個實(shí)施例的形成涂覆結(jié)構(gòu)的方法。圖9是簡要地示出根據(jù)本公開一個實(shí)施例的形成涂覆結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。參照圖9，根據(jù)本公開一個實(shí)施例的用于形成涂覆結(jié)構(gòu)的方法包括在待涂覆產(chǎn)品的表面上形成氧化鋁層(210)、在氧化鋁層上形成二氧化硅層(211)以及在二氧化硅層上形成防指印涂覆組合物層(212)。如上所述，形成在二氧化硅層上的涂層不限于防指印涂覆組合物層，而是可以從各種涂層中選擇。在下文中，將詳細(xì)描述用于形成各個層的方法。圖10A示出了用于形成薄膜的作為干工藝的一個示例的真空沉積工藝，圖10B示出了用于形成薄膜的濕工藝的示例。參照圖10A，真空沉積可以用作在電子產(chǎn)品的顯示器或觸摸面板等上形成薄膜的干工藝。真空沉積是通過在真空下蒸發(fā)金屬或化合物而在面對蒸發(fā)源的表面上形成薄膜的方法。在真空沉積的一個實(shí)施例中，夾具布置在真空室上，基底安裝在夾具上，使得基底的待涂覆表面朝下，包含涂覆溶液的室或坩堝布置在所述室的面對基底的底部上，向其施加熱或電子束，從而使涂覆溶液蒸發(fā)。結(jié)果，蒸發(fā)的涂覆溶液沉積在安裝在夾具上的基底的表面上，以形成薄膜。另外，可以通過施加熱或電子束使固體(例如金屬)而不是涂覆溶液升華。此時，當(dāng)利用如上所述的IF涂覆組合物形成防指印涂層時，可以根據(jù)R1和R2基團(tuán)來改變沸點(diǎn)，并且考慮涂覆組合物的沸點(diǎn)來確定熱或電子束的強(qiáng)度。參照圖10B，示出了利用溶液狀態(tài)的涂覆組合物在電子產(chǎn)品的基底的表面上形成薄膜的濕工藝的示例，包括浸涂、旋涂和噴涂。浸涂是將電子產(chǎn)品的基底浸入到涂覆溶液中預(yù)定時間段并且將基底從涂覆溶液中取出以蒸發(fā)溶劑組分的方法。根據(jù)電子產(chǎn)品的待涂覆基底，該方法通常用于涂覆具有不規(guī)則表面的基底。旋涂是通過將涂覆溶液噴射到旋轉(zhuǎn)的基底上，然后干燥和加熱來形成薄膜的方法。該方法通常用于形成具有較小厚度的薄膜。旋涂是基于這樣的原理來形成薄膜的方法，即，用旋轉(zhuǎn)涂機(jī)來旋轉(zhuǎn)目標(biāo)，基于離心力使存在于目標(biāo)上的液體擴(kuò)散開。涂覆材料應(yīng)該溶解在溶劑中或者以液態(tài)存在。噴涂是通過噴嘴來噴射具有低粘度的涂覆溶液的方法。該方法即使在具有不規(guī)則或粗糙表面的基底上也能夠使薄膜均勻地形成，并且與浸涂相比，使用較小量的涂覆溶液，這是由于涂覆溶液僅施加到基底的一個表面，并且減少了蒸發(fā)所需的能量。最優(yōu)選地，通過真空沉積來涂覆根據(jù)本公開的涂覆結(jié)構(gòu)。然而，可以使用除了真空沉積之外的干工藝或濕工藝。在下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)本公開一個實(shí)施例的通過真空沉積來形成涂覆結(jié)構(gòu)的方法。這里使用的用于形成涂覆結(jié)構(gòu)的涂覆組合物層是防指印涂覆組合物層。圖11是示出根據(jù)本公開一個實(shí)施例的通過真空沉積形成涂覆結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。參照圖11，首先，去除粘附到待涂覆產(chǎn)品表面的外來物質(zhì)或污物(310)。此時，可以使用氬(Ar)等離子體清潔或離子化空氣吹掃。待涂覆的產(chǎn)品布置在夾具上，利用磁體固定待涂覆的產(chǎn)品，并且待涂覆的產(chǎn)品經(jīng)歷離子化空氣吹掃。結(jié)果，存在于產(chǎn)品表面上的外來物質(zhì)或潮氣被有效地去除，并且產(chǎn)品的表面被活化，由此便于沉積。另外，去除了外來物質(zhì)的產(chǎn)品被安裝在真空室上，并且確定沉積條件，例如坩堝位置和沉積厚度。將氧化鋁放入坩堝中，并且操作真空沉積儀。結(jié)果，電子束照射到氧化鋁，氧化鋁蒸發(fā)(311)。蒸發(fā)的氧化鋁沉積在產(chǎn)品表面上，以形成氧化鋁層(312)。此時，氧化鋁的沉積厚度可以為至在形成氧化鋁層之后，二氧化硅和防指印涂覆組合物經(jīng)歷相同的工藝。具體地講，將二氧化硅放入坩堝中，并且向二氧化硅照射電子束，以使二氧化硅蒸發(fā)(313)。蒸發(fā)的二氧化硅沉積在氧化鋁層上，以形成二氧化硅層(314)。此時，二氧化硅層的沉積厚度可以為至將防指印涂覆組合物放入坩堝中，并且向防指印涂覆組合物照射電子束。結(jié)果，防指印涂覆組合物蒸發(fā)(315)。蒸發(fā)的防指印涂覆組合物沉積在二氧化硅層上，以形成防指印涂層(316)。防指印涂覆組合物可以為AF涂覆組合物，例如，基于氟或硅的物質(zhì)或者如上所述的IF涂覆組合物。用于本公開實(shí)施例的防指印涂覆組合物不限于上述作為例子的物質(zhì)。當(dāng)將IF涂覆組合物用作防指印涂覆組合物時，將簡要描述用于制備IF涂覆組合物的方法。由于硅烷化合物和蒸餾水為液體，所以可以通過將硅烷化合物與蒸餾水混合來制備涂覆組合物。然而，在降低制備成本方面，可以使用有機(jī)溶劑的稀釋物。此時，在通過將兩種硅烷化合物與蒸餾水混合來制備式3的涂覆組合物之后，該涂覆組合物可以在有機(jī)溶劑中稀釋，或者兩種硅烷組合物中的每種可以在有機(jī)溶劑中稀釋?？捎玫挠袡C(jī)溶劑包括醇(例如甲醇、乙醇、異丙醇)、脂肪族烴(例如，十六烷、辛烷和己烷)、環(huán)烴(例如，環(huán)己烷和環(huán)戊烷)、芳香烴(例如，甲苯、二甲苯和苯)、有機(jī)鹵素化合物(例如，四氯化碳、氯仿和二氯甲烷)等。有機(jī)溶劑可以單獨(dú)使用或者將它們組合使用。盡管已經(jīng)示出和描述了本公開的幾個實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不脫離本公開的原理和精神的情況下，可以對這些實(shí)施例進(jìn)行改變，本公開的范圍限定在權(quán)利要求及其等同物中。