專(zhuān)利名稱(chēng)：：使用聚芳基胺的有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，具體來(lái)說(shuō)，涉及通過(guò)在空穴注入層或輸送層中使用特定的聚合物并在發(fā)光層中使用特定的低分子材料而制作的有機(jī)電致發(fā)光元件。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件可以用于平板顯示器等平面發(fā)光體、復(fù)印機(jī)、打印機(jī)、液晶顯示器的背光燈或測(cè)量?jī)x器等的光源、顯示板、標(biāo)識(shí)燈坐由寸"i"1。技術(shù)背景有機(jī)電致發(fā)光元件(以下有時(shí)將電致發(fā)光簡(jiǎn)記為EL)是使用聚芴或可溶性PPV(聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基))等聚合物，利用旋轉(zhuǎn)涂覆、噴墨等濕式方法，使用了低分子材料的真空蒸鍍等干式方法制作的。特別是，在上述的制作方法中，濕式方法比較容易實(shí)現(xiàn)顯示畫(huà)面的大面積化，對(duì)使用了聚合物材料的有機(jī)EL元件制作的研究正在積極地進(jìn)行之中。最近，公開(kāi)了利用濕式方法制作具有多個(gè)有機(jī)薄膜層的有機(jī)EL元件的技術(shù)，該專(zhuān)利中空穴注入層及發(fā)光層都是由聚合物材料構(gòu)成(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。但是，聚合物材料具有分子量分布，另外還有因難以精制而很難高純度化等缺點(diǎn)，在用于有機(jī)EL元件的發(fā)光層中的情況下，在發(fā)光顏色的色純度或發(fā)光效率、亮度或亮度減半時(shí)間方面有問(wèn)題。另一方面，低分子材料可以舉出如下優(yōu)點(diǎn)，即，很容易利用公知的提純方法實(shí)現(xiàn)高純度化，在用于有機(jī)EL元件的發(fā)光層中的情況下，與聚合物相比在發(fā)光顏色的色純度或發(fā)光效率、亮度方面更為出色，亮度減半時(shí)間也更長(zhǎng)。但是，有時(shí)會(huì)因構(gòu)成與發(fā)光層相鄰的空穴注入層或空穴輸送層的材料，而不能顯示出良好的發(fā)光性能。專(zhuān)利文獻(xiàn)1:國(guó)際公開(kāi)WO2004/84260號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述的問(wèn)題而完成的，其目的在于，提供一種使用了聚芳基胺的有機(jī)電致發(fā)光元件，其目的特別在于，實(shí)現(xiàn)制造過(guò)程的簡(jiǎn)化、大畫(huà)面化以及元件性能的提高。本發(fā)明人等為了實(shí)現(xiàn)上述目的反復(fù)進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在將至少含有發(fā)光層的一層以上的有機(jī)化合物層用由陽(yáng)極和陰極構(gòu)成的一對(duì)電極夾持而成的有機(jī)EL元件中，有機(jī)化合物層具有空穴輸送層及/或空穴注入層，在該空穴輸送層及/或空穴注入層中含有以下述通式(1)表示的聚芳基胺的有機(jī)電致發(fā)光元件可以實(shí)現(xiàn)上述的目的，從而完成了本發(fā)明。[化l]個(gè)rU)通式(1)中，Ar各自獨(dú)立地表示取代或未取代的碳數(shù)為640的芳基，或取代或未取代的碳數(shù)為340的雜芳基。AnAr4各自獨(dú)立地表示取代或未取代的碳數(shù)為640的2價(jià)亞芳基。a、b、c及d各自獨(dú)立地為12的整數(shù)，e為02的整數(shù)。n為3以上的整數(shù)。另外，本發(fā)明提供上述空穴輸送層及/或空穴注入層主要含有上述聚芳基胺的上述有機(jī)電致發(fā)光元件；發(fā)光層主要選自蒽衍生物、芘衍生物及/或芴衍生物的上述有機(jī)電致發(fā)光元件；在發(fā)光層中含有摻雜劑的上述有機(jī)電致發(fā)光元件；利用濕式方法形成空穴輸送層及/或空穴注入層，利用濕式方法形成發(fā)光層的上述有機(jī)電致發(fā)光元件；以及利用濕式方法形成空穴輸送層及/或空穴注入層，利用蒸鍍形成發(fā)光層的上述有機(jī)電致發(fā)光元件。在具有由低分子材料構(gòu)成的發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光元件中，通過(guò)在空穴輸送、注入層中使用具有特定的構(gòu)造的聚芳基胺，可以提高元件性能。圖1是表示本發(fā)明的有機(jī)EL元件的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖,其中，10陽(yáng)極，20有機(jī)化合物層，21空穴注入層，22空穴輸送層，23發(fā)光層，24電子輸送層，25電子注入層，30陰極具體實(shí)施方式本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件是將至少含有發(fā)光層的一層以上的有機(jī)化合物層用由陽(yáng)極和陰極構(gòu)成的一對(duì)電極夾持而成的有機(jī)EL元件，其中有機(jī)化合物層具有空穴輸送層及/或空穴注入層，在該空穴輸送層及/或空穴注入層中含有以下述通式(1)表示的聚芳基胺。[化2]個(gè)rJn(1)通式(1)中，Ar是取代或未取代的碳數(shù)為640的芳基、或取代或未取代的碳數(shù)為340的雜芳基，AriAr4各自獨(dú)立地表示取代或未取代的碳數(shù)為640的2價(jià)的亞芳基。a、b、c及d各自獨(dú)立地為12的整數(shù)，e為02的整數(shù)。n為3以上的整數(shù)。通式(1)中，作為Ar的核碳數(shù)為640的芳基的例子，可以舉出苯基、2—聯(lián)苯基、3—聯(lián)苯基、4—聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、3，5—二苯基苯基、3，5—二(1—萘基)苯基、3，5—二(2—萘基)苯基、3，4一二苯基苯基、五苯基苯基、4一(2，2—二苯基乙烯基)苯基、4—(1，2，2—三苯基乙烯基)苯基、芴基、l一萘基、2—萘基、4一(1—萘基)苯基、4一(2—萘基)苯基、3—(l一萘基)苯基、3—(2—萘基)苯基、9_蒽基、2—蒽基、9一菲基、l一芘基、麄基、并四苯基、暈苯基等。通式(1)中，作為Ar的核碳數(shù)為340的雜芳基的例子，可以舉出1—吡咯基、2—吡咯基、3—吡咯基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、2—吡啶基、3—吡啶基、4—吡啶基、l一吲哚基、2—吲哚基、3—噴哚基、4—吲哚基、5—吲哚基、6—吲哚基、7—吲哚基、l一異吲哚基、2—異吲哚基、3—異吲哚基、4一異吲哚基、5—異吲哚基、6—異吲哚基、7—異吲哚基、2—呋喃基、3—呋喃基、2—苯并呋喃基、3—苯并呋喃基、4一苯并呋喃基、5—苯并呋喃基、6—苯并呋喃基、7—苯并呋喃基、l一異苯并呋喃基、3—異苯并呋喃基、4—異苯并呋喃基、5—異苯并呋喃基、6—異苯并呋喃基、7—異苯并呋喃基、喹啉基、3—喹啉基、4一喹啉基、5—喹啉基、6_喹啉基、7—喹啉基、8—喹啉基、l一異喹啉基、3—異喹啉基、4—異喹啉基、5—異喹啉基、6—異喹啉基、7—異喹啉基、8—異喹啉基、2_喹喔啉基、5—喹喔啉基、6—喹喔啉基、l一菲啶基、2—菲啶基、3—菲啶基、4一菲啶基、6—菲啶基、7—菲啶基、8—菲啶基、9一菲啶基、10一菲啶基、l一吖啶基、2—吖啶基、3—吖啶基、4一吖啶基、9一吖啶基、1，7—菲咯啉一2—基、1，7—菲咯啉一3—基、1，7—菲咯啉一4一基、1，7—菲咯啉一5—基、1，7—菲咯啉一6—基、1，7—菲咯啉一8_基、1，7一菲咯啉一9—基、1，7—菲咯啉一10—基、1，8—菲咯啉一2_基、1，8一菲咯啉一3—基、1，8—菲咯啉一4一基、1，8—菲咯啉一5基、1，8—菲咯啉一6—基、1，8—菲咯啉一7—基、1，8—菲咯啉一9—基、1，8—菲咯啉一10—基、1，9—菲咯啉一2—基、1，9—菲咯啉一3—基、1，9—菲咯啉一4一基、1，9一菲咯啉一5—基、1，9一菲咯啉一6—基、1，9一菲咯啉一7—基、1,9一菲咯啉一8—基、1，9一菲咯啉一10—基、1，10一菲咯啉一2—基、1，10—菲咯啉一3—基、1，IO—菲咯啉一4一基、1，10—菲咯啉一5—基、2，9—菲咯啉一l一基、2，9一菲咯啉一3—基、2，9一菲咯啉一4一基、2，9一菲咯啉一5—基、2，9—菲咯啉一6—基、2，9一菲咯啉一7—基、2，9一菲咯啉一8—基、2，9一菲咯啉一IO—基、2，8一菲咯啉一l一基、2，8—菲咯啉一3—基、2，8—菲咯啉一4—基、2，8一菲咯啉一5—基、2，8—菲咯啉一6—基、2，8—菲咯啉一7—基、2，8一菲咯啉一9一基、2，8—菲咯啉一10—基、2，7—菲咯啉一1—基、2，7一菲咯啉一3—基、2，7—菲咯啉一4一基、2，7—菲咯啉一5—基、2，7一菲咯啉一6—基、2，7—菲咯啉一8—基、2，7—菲咯啉一9一基、2，7一菲咯啉一10—基、l一吩嗪基、2—吩嗪基、l一吩噻嗪基、2—吩噻嗪基、3—吩噻嗪基、4一吩噻嗪基、IO—吩噻嗪基、l一吩噁嗪基、2—吩噁嗪基、3—吩噁嗪基、4一吩噁嗪基、IO—吩噁嗪基、2—噁唑基、4—噁唑基、5_噁唑基、2—噁二唑基、5—噁二唑基、3—呋咱基、2—噻吩基、3—噻吩基、2—甲基吡咯一l一基、2—甲基吡咯一3—基、2—甲基吡咯一4一基、2—甲基吡咯一5—基、3—甲基吡咯一1基、3—甲基吡咯一2—基、3—甲基吡咯一4一基、3—甲基吡咯一5—基、2—叔丁基吡咯一4一基、3—(2一苯基丙基)吡咯一l一基、2—甲基一1一吲哚基、4一甲基一1一吲哚基、2—甲基一3—吲哚基、4一甲基一3—吲哚基、2—叔丁基一1一吲哚基、4一叔丁基一l一吲哚基、2—叔丁基一3—吲哚基、4一叔丁基一3—吲哚基等。在通式(l)中，作為取代或未取代的碳數(shù)640的2價(jià)亞芳基的Ar,Ar4的例子，可以舉出從所述Ar的碳數(shù)640的芳基的例子中去掉任意氫后的構(gòu)造的基團(tuán)。通式(1)中，作為記作Ar及Ar廣Ar4的芳基、亞芳基、雜芳基的取代基，例如可以舉出垸基(優(yōu)選碳數(shù)120，更優(yōu)選碳數(shù)112，特別優(yōu)選碳數(shù)18，例如可以舉出甲基、乙基、異丙基、叔丁基、正辛基、正癸基、正十六烷基、環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基等。)、鏈烯基(優(yōu)選碳數(shù)220，更優(yōu)選碳數(shù)212，特別優(yōu)選碳數(shù)28，例如可以舉出乙烯基、烯丙基、2—丁烯基、3—戊烯基等。)、炔基(優(yōu)選碳數(shù)220，更優(yōu)選碳數(shù)212，特別優(yōu)選碳數(shù)28，例如可以舉出炔丙基、3—戊炔基等。)、氨基(優(yōu)選碳數(shù)020，更優(yōu)選碳數(shù)012，特別優(yōu)選碳數(shù)06，例如可以舉出氨基、甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二苯基氨基、二芐基氨基等。)、烷氧基(優(yōu)選碳數(shù)120，更優(yōu)選碳數(shù)112，特別優(yōu)選碳數(shù)18，例如可以舉出甲氧基、乙氧基、丁氧基等。)、芳氧基(優(yōu)選碳數(shù)620，更優(yōu)選碳數(shù)616，特別優(yōu)選碳數(shù)612，例如可以舉出苯氧基、2—萘氧基等。)、酰基(優(yōu)選碳數(shù)120，更優(yōu)選碳數(shù)116，特別優(yōu)選碳數(shù)112，例如可以舉出乙?；?、苯甲?；⒓柞；?、新戊酰基等。)、烷氧基羰基(優(yōu)選碳數(shù)220，更優(yōu)選碳數(shù)216，特別優(yōu)選碳數(shù)212，例如可以舉出甲氧基羰基、乙氧基羰基等。)、芳氧基羰基(優(yōu)選碳數(shù)720，更優(yōu)選碳數(shù)716，特別優(yōu)選碳數(shù)710，例如可以舉出苯氧基羰基等。)、酰氧基(優(yōu)選碳數(shù)220，更優(yōu)選碳數(shù)216，特別優(yōu)選碳數(shù)210，例如可以舉出乙酰氧基、苯甲酰氧基等。)、酰氨基(優(yōu)選碳數(shù)220，更優(yōu)選碳數(shù)216，特別優(yōu)選碳數(shù)210，例如可以舉出乙酰氨基、苯甲酰氨基等。)、烷氧基羰基氨基(優(yōu)選碳數(shù)220，更優(yōu)選碳數(shù)216，特別優(yōu)選碳數(shù)212，例如可以舉出甲氧基羰基氨基等。)、芳氧基羰基氨基(優(yōu)選碳數(shù)720，更優(yōu)選碳數(shù)716，特別優(yōu)選碳數(shù)712，例如可以舉出苯氧基羰基氨基等。)、磺酰胺基(優(yōu)選碳數(shù)120，更優(yōu)選碳數(shù)116，特別優(yōu)選碳數(shù)112，例如可以舉出甲磺酰氨基、苯磺酰氨基等。)、氨磺?；?優(yōu)選碳數(shù)020，更優(yōu)選碳數(shù)016，特別優(yōu)選碳數(shù)012，例如可以舉出氨磺?；?、甲基氨磺?；?、二甲基氨磺?；?、苯基氨磺?；?。)、氨基甲?；?優(yōu)選碳數(shù)120，更優(yōu)選碳數(shù)116，特別優(yōu)選碳數(shù)112，例如可以舉出氨基甲?；?、甲基氨基甲?；⒍一被柞；?、苯基氨基甲?；?。)、烷硫基(優(yōu)選碳數(shù)120，更優(yōu)選碳數(shù)116，特別優(yōu)選碳數(shù)112，例如可以舉出甲硫基、乙硫基等。)、芳硫基(優(yōu)選碳數(shù)620，更優(yōu)選碳數(shù)616，特別優(yōu)選碳數(shù)612，例如可以舉出苯硫基等。)、磺?；?優(yōu)選碳數(shù)l20，更優(yōu)選碳數(shù)116，特別優(yōu)選碳數(shù)112，例如可以舉出甲磺?；⒓妆交酋；取?、亞硫?；?優(yōu)選碳數(shù)120，更優(yōu)選碳數(shù)116，特別優(yōu)選碳數(shù)112，例如可以舉出甲基亞硫?；?、苯亞硫?；?。)、脲基(優(yōu)選碳數(shù)120，更優(yōu)選碳數(shù)116，特別優(yōu)選碳數(shù)112，例如可以舉出脲基、甲基脲基、苯基脲基等。)、磷酸酰胺基(優(yōu)選碳數(shù)120，更優(yōu)選碳數(shù)116，特別優(yōu)選碳數(shù)112，例如可以舉出二乙基磷酸酰胺基、苯基磷酸酰胺基等。)、羥基、巰基、鹵原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、氰基、磺基、羧基、硝基、氧肟酸基、亞磺基、肼基、亞胺基、雜環(huán)基(優(yōu)選碳數(shù)130，更優(yōu)選碳數(shù)112，作為雜原子，例如為含有氮原子、氧原子、硫原子的物質(zhì)，具體來(lái)說(shuō)，例如可以舉出咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、哌啶基、嗎啉基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、咔唑基等。)、甲硅烷基(優(yōu)選碳數(shù)340，更優(yōu)選碳數(shù)330，特別優(yōu)選碳數(shù)324，例如可以舉出三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等。)等。這些取代基也可以再被取代。另外在取代基為兩個(gè)以上的情況下，既可以相同，也可以不同。另外，在可能的情況下，也可以相互連結(jié)而形成環(huán)。以下給出本發(fā)明的以通式(1)表示的聚芳基胺的優(yōu)選的具體例，然而并不限定于這些例示化合物。本發(fā)明的聚芳基胺優(yōu)選為有機(jī)EL元件用材料，特別適用于有機(jī)EL元件用空穴輸送材料及有機(jī)EL元件用空穴注入材料。另外，雖然本發(fā)明的聚芳基胺無(wú)論是作為空穴注入材料還是作為空穴輸送材料都可以使用，然而具有苯二胺骨架的化合物優(yōu)選作為空穴注入材料使用，具有二苯二胺骨架的化合物優(yōu)選作為空穴輸送材料使用。本發(fā)明的EL元件的空穴輸送材料及空穴注入材料優(yōu)選利用濕式方法成膜。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光層主要選自蒽衍生物、芘衍生物及/或芴衍生物。以下給出優(yōu)選的蒽衍生物、芘衍生物及/或笏衍生物。[化4]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>式(I)中，A1、A卩是也可以具有取代基的核碳數(shù)為650的芳棊、或也可以具有取代基的核原子數(shù)為550的雜芳基。八1及八2并不相同。n是1或2的整數(shù)。式(II)中，八3八5是也可以具有取代基的核碳數(shù)為650的芳基、或也可以具有取代基的核原子數(shù)為550的雜芳基。八3八5各自既可以相同也可以不同。式(III)中，A6、V是亞蒽基或亞芘基。八6及八7既可以相同也可以不同。m是13的整數(shù)。R1、W既可以相同也可以不同，是氫或碳數(shù)為110的垸基。R3、114既可以相同也可以不同，是氫或被碳數(shù)為16的烷基取代了的苯基或聯(lián)苯基。最好八6及八7相同，Ri及W相同，是碳數(shù)為410的烷基，W及R4相同。式(IV)中，L、L，各自為取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的亞萘基、取代或未取代的亞芴基、取代或未取代的dibenzosilolylene基。A8、AS各自為取代或未取代的核碳數(shù)為650的芳香族基。p、q為02的整數(shù)，r為l4的整數(shù)，s為04的整數(shù)。在制作本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件的發(fā)光層時(shí)，作為主體材料可以使用上述的蒽衍生物、芘衍生物及/或芴衍生物。另外，作為發(fā)光層中所含的摻雜劑，優(yōu)選含有苯乙烯基胺化合物及/或芳基胺化合物。作為苯乙烯基胺化合物，優(yōu)選以下述式(1)表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>(式中，A—是選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、芪基、二苯乙烯基芳基中的基，A一及A—各自是氫原子或碳數(shù)為620的芳香族基，A—Ar3也可以被取代。p是14的整數(shù)。更優(yōu)選A一或Ar3的至少一方被苯乙烯基取代。)這里，作為碳數(shù)為620的芳香族基，可以舉出苯基、萘基、蒽基、菲基、三聯(lián)苯基等。作為芳基胺化合物，優(yōu)選以下述式(2)表示的化合物。[化6](式中，A一A,是取代或未取代的核原子數(shù)為540的芳基。q是14的整數(shù)。)這里，作為核原子數(shù)為540的芳基，例如可以舉出苯基、萘基、麄基、并四苯基、蒽基、菲基、芘基、暈苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、吡咯基、呋喃基(7，二，基)、噻吩基、苯并噻吩基、噁二唑基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、熒蒽基、苊并熒蒽基、芪基等。而且，作為芳基的優(yōu)選的取代基，可以舉出碳數(shù)為16的烷基(乙基、甲基、異丙基、正丙基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基等)、碳數(shù)為16的烷氧基(乙氧基、甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧基等)、核原子數(shù)為540的芳基、由核原子數(shù)為540的芳基取代的氨基、具有核原子數(shù)為540的芳基的酯基、具有碳數(shù)為16的烷基的酯基、氰基、硝基、鹵原子等。本發(fā)明的EL元件的發(fā)光層不僅可以蒸鍍上述發(fā)光材料，也可以利用濕式方法成膜。在該發(fā)光層的濕式成膜及上述空穴輸送材料及空穴注入材料的濕式成膜中，可以應(yīng)用浸漬法、旋轉(zhuǎn)涂覆法、澆注法、棒涂覆法、輥涂法等涂布法。另外，作為該濕式成膜中所用的溶劑例子，可以舉出二氯甲烷、二氯乙垸、氯仿、四氯化碳、四氯乙烷、三氯乙烷、氯苯、二氯苯、氯甲苯等鹵素系烴系溶劑；二丁基醚、四氫呋喃、二氧雜環(huán)己烷、苯甲醚等醚系溶劑；甲醇或乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、環(huán)己醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、乙二醇等醇系溶劑；苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、萘滿、十二烷基苯、己垸、辛烷、癸烷等烴系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯等酯系溶劑等。其中，優(yōu)選鹵素系烴系溶劑或烴系溶劑、醚系溶劑。另外，這些溶劑既可以單獨(dú)使用，也可以混合多種使用。而且，可以使用的溶劑并不限定于它們。有機(jī)EL元件的元件構(gòu)成可以例示出以下的構(gòu)成。但是，并不限定于它們。(1)陽(yáng)極/發(fā)光層/陰極(2)陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/陰極(3)陽(yáng)極/發(fā)光層/電子注入層/陰極(4)陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/陰極(5)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/發(fā)光層/陰極(6)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/電子阻擋層/發(fā)光層/陰極(7)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/發(fā)光層/附著改善層/陰極(8)陽(yáng)極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極(9)陽(yáng)極/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(10)陽(yáng)極/無(wú)機(jī)半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(11)陽(yáng)極/有機(jī)半導(dǎo)體層/絕緣層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(12)陽(yáng)極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/絕緣層/陰極(13)陽(yáng)極/絕緣層/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子注入層/陰極它們當(dāng)中通常優(yōu)選使用(8)的構(gòu)成?？昭ㄗ⑷搿⑤斔蛯邮禽o助空穴向發(fā)光層中的注入并輸送至發(fā)光區(qū)域的層，空穴遷移率大，離子化能量通常小到5.5eV以下。作為此種空穴注入、輸送層，優(yōu)選在低電場(chǎng)強(qiáng)度下將空穴向發(fā)光層輸送的材料，另外，空穴的遷移率例如在施加104106V/cm的電場(chǎng)時(shí)，優(yōu)選至少為104cm2/V秒。作為形成空穴注入、輸送層的材料，優(yōu)選含有本發(fā)明的聚芳基胺。但是，只要是具有上述的優(yōu)選的性質(zhì)的材料，就沒(méi)有特別限制，可以從以往在光傳導(dǎo)材料中作為空穴的電荷輸送材料而慣用的材料、在有機(jī)EL元件的空穴注入層中所用的公知的材料中選擇使用任意的材料。例如，可以舉出芳香族叔胺、腙衍生物、咔唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物以及聚乙烯基咔唑、聚亞乙二氧基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT'PSS)等。另外，作為具體例，可以舉出三唑衍生物(參照美國(guó)專(zhuān)利3，112，197號(hào)說(shuō)明書(shū)等)、噁二唑衍生物(參照美國(guó)專(zhuān)利3，189，447號(hào)說(shuō)明書(shū)等)、咪唑衍生物(參照特公昭37—16096號(hào)公報(bào)等)、聚芳基烷衍生物(參照美國(guó)專(zhuān)利3，615，402號(hào)說(shuō)明書(shū)、相同的第3，820，989號(hào)說(shuō)明書(shū)、相同的第3，542，544號(hào)說(shuō)明書(shū)、特公昭45—555號(hào)公報(bào)、相同的51—10983號(hào)公報(bào)、特開(kāi)昭51—93224號(hào)公報(bào)、相同的55—17105號(hào)公報(bào)、相同的56—4148號(hào)公報(bào)、相同的55—108667號(hào)公報(bào)、相同的55—156953號(hào)公報(bào)、相同的56—36656號(hào)公報(bào)等)、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物(參照美國(guó)專(zhuān)利第3，180，729號(hào)說(shuō)明書(shū)、相同的第4，278，746號(hào)說(shuō)明書(shū)、特開(kāi)昭55—88064號(hào)公報(bào)、相同的55—88065號(hào)公報(bào)、相同的49—105537號(hào)公報(bào)、相同的55—51086號(hào)公報(bào)、相同的56—80051號(hào)公報(bào)、相同的56—88141號(hào)公報(bào)、相同的57—45545號(hào)公報(bào)、相同的54—112637號(hào)公報(bào)、相同的55—74546號(hào)公報(bào)等)、苯二胺衍生物(參照美國(guó)專(zhuān)利第3，615，404號(hào)說(shuō)明書(shū)、特公昭51—10105號(hào)公報(bào)、相同的46—3712號(hào)公報(bào)、相同的47—25336號(hào)公報(bào)、特開(kāi)昭54—53435號(hào)公報(bào)、相同的54—110536號(hào)公報(bào)、相同的54一119925號(hào)公報(bào)等)、芳基胺衍生物(參照美國(guó)專(zhuān)利第3，567，450號(hào)說(shuō)明書(shū)、相同的第3，180，703號(hào)說(shuō)明書(shū)、相同的第3，240，597號(hào)說(shuō)明書(shū)、相同的第3，658，520號(hào)說(shuō)明書(shū)、相同的第4，232，103號(hào)說(shuō)明書(shū)、相同的第4，175，961號(hào)說(shuō)明書(shū)、相同的第4，012，376號(hào)說(shuō)明書(shū)、特公昭49—35702號(hào)公報(bào)、相同的39—27577號(hào)公報(bào)、特開(kāi)昭55—144250號(hào)公報(bào)、相同的56—119132號(hào)公報(bào)、相同的56—22437號(hào)公報(bào)、西德專(zhuān)利第1，110，518號(hào)說(shuō)明書(shū)等)、氨基取代査耳酮衍生物(參照美國(guó)專(zhuān)利第3，526，501號(hào)說(shuō)明書(shū)等)、噁唑衍生物(美國(guó)專(zhuān)利第3，257，203號(hào)說(shuō)明書(shū)等中所公布的化合物)、苯乙烯基蒽衍生物(參照特開(kāi)昭56—46234號(hào)公報(bào)等)、芴酮衍生物(參照特開(kāi)昭54—110837號(hào)公報(bào)等)、腙衍生物(參照美國(guó)專(zhuān)利第3，717，462號(hào)說(shuō)明書(shū)、特開(kāi)昭54—59143號(hào)公報(bào)、相同的55—52063號(hào)公報(bào)、相同的55—52064號(hào)公報(bào)、相同的55—46760號(hào)公報(bào)、相同的55—85495號(hào)公報(bào)、相同的57—11350號(hào)公報(bào)、相同的57—148749號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平2—311591號(hào)公報(bào)等)、芪衍生物(參照特開(kāi)昭61—210363號(hào)公報(bào)、相同的第61—228451號(hào)公報(bào)、相同的61—14642號(hào)公報(bào)、相同的61—72255號(hào)公報(bào)、相同的62—47646號(hào)公報(bào)、相同的62—36674號(hào)公報(bào)、相同的62—10652號(hào)公報(bào)、相同的62—30255號(hào)公報(bào)、相同的60—93455號(hào)公報(bào)、相同的60—94462號(hào)公報(bào)、相同的60—174749號(hào)公報(bào)、相同的60—175052號(hào)公報(bào)等)、硅氮烷衍生物(美國(guó)專(zhuān)利第4，950，950號(hào)說(shuō)明書(shū))、聚硅烷系(特開(kāi)平2—204996號(hào)公報(bào))、苯胺系共聚物(特開(kāi)平2—282263號(hào)公報(bào))、特開(kāi)平1一211399號(hào)公報(bào)中所公布的導(dǎo)電性高分子低聚物(特別是噻吩低聚物)等。作為空穴注入層的材料可以使用上述的物質(zhì)，然而優(yōu)選使用卟啉化合物、芳香族叔胺化合物及苯乙烯基胺化合物(參照美國(guó)專(zhuān)利4，127，412號(hào)說(shuō)明書(shū)、特開(kāi)昭53—27033號(hào)公報(bào)、相同的54—58445號(hào)公報(bào)、相同的54—149634號(hào)公報(bào)、相同的54—64299號(hào)公報(bào)、相同的55—79450號(hào)公報(bào)、相同的55—144250號(hào)公報(bào)、相同的56—119132號(hào)公報(bào)、相同的61—295558號(hào)公報(bào)、相同的61—98353號(hào)公報(bào)、相同的63—295695號(hào)公報(bào)等)，特別優(yōu)選使用芳香族叔胺化合物。另外，可以舉出美國(guó)專(zhuān)利第5，061，569號(hào)中所記載的、在分子內(nèi)具有2個(gè)稠合芳香族環(huán)的例如4，4'一雙(N—(l—萘基)一N—苯基氨基)聯(lián)苯基(以下簡(jiǎn)記為NPD)，特開(kāi)平4一308688號(hào)公報(bào)中記載的、三苯基胺單元被以3個(gè)星爆炸型連結(jié)的4，4，，4"一三(N—G—甲基苯基)一N—苯基氨基)三苯基胺(以下簡(jiǎn)記為MTDATA)等。另外，除了芳香族二次甲基系化合物以外，還可以將p型Si、p型SiC等無(wú)機(jī)化合物作為空穴注入層的材料使用?？昭ㄗ⑷搿⑤斔蛯蛹饶軌蛞杂缮鲜霾牧系囊环N或兩種以上所形成的一層來(lái)構(gòu)成，也可以是疊層了由其他種類(lèi)的化合物所形成的空穴注入、輸送層的層。有機(jī)半導(dǎo)體層是輔助空穴或電子向發(fā)光層中的注入的層，優(yōu)選具有io—1QS/cm以上的電導(dǎo)率。作為此種有機(jī)半導(dǎo)體層的材料，可以使用含噻吩低聚物或特開(kāi)平8—193191號(hào)公報(bào)中所公布的含芳基胺低聚物等導(dǎo)電性低聚物、含芳基胺枝狀物等導(dǎo)電性枝狀物等。電子注入層是輔助電子向發(fā)光層中的注入的層，電子遷移率大，另外，附著改善層是在該電子注入層中由與陰極的附著特別良好的材料所形成的層。作為電子注入層中所用的材料，優(yōu)選8—羥基喹啉、其衍生物的金屬配位化合物或噁二唑衍生物。作為該8—羥基喹啉或其衍生物的金屬配位化合物的具體例，可以舉出含有喔星(一般來(lái)說(shuō)為8—quinolinol或8—hydroxyquinoline)螯合物的金屬螯合化8—羥基喹啉(oxinoid)化合物。例如可以將三(8—羥基喹啉)鋁(Alq)用于電子注入層中。另外，作為噁二唑衍生物，可以舉出以下述式表示的電子傳遞化合物。[化7]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>(式中，Ar"、Ar2'、Ar3>、Ar5'、Ar6'、A,各自表示取代或未取代的芳基，各自既可以相同，也可以不同。另外，Ar4'、Ar7'、A一'表示取代或未取代的亞芳基，各自既可以相同，也可以不同)。這里，作為芳基可以舉出苯基、聯(lián)苯基、蒽基、茈基、芘基等。另外，作為亞芳基可以舉出亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞茈基、亞芘基等。另外，作為取代基可以舉出碳數(shù)為110的垸基、碳數(shù)為110的烷氧基或氰基等。該電子傳遞化合物優(yōu)選薄膜形成性的化合物。作為該電子傳遞性化合物的具體例，可以舉出下述的化合物。[化8]有機(jī)EL元件中，在陰極與有機(jī)層之間也可以還設(shè)置由絕緣體或半導(dǎo)體構(gòu)成的電子注入層，可以有效地防止電流的泄漏，提高電子注入性。作為此種絕緣體，優(yōu)選使用選自由堿金屬硫?qū)倩?、堿土類(lèi)金屬硫?qū)倩铩A金屬的鹵化物及堿土類(lèi)金屬的鹵化物構(gòu)成的組中的至少一種金屬化合物。如果電子注入層由這些堿金屬硫?qū)倩锏葮?gòu)成，則可以進(jìn)一步提高電子注入性，在這一點(diǎn)上是理想的。具體來(lái)說(shuō)，作為優(yōu)選的堿金屬硫?qū)倩?，例如可以舉出Li20、K20、Na2S、Na2Se&Na20，作為優(yōu)選的堿土類(lèi)金屬硫?qū)倩?，例如可以舉出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及CaSe。另外，作為優(yōu)選的堿金屬的鹵化物，例如可以舉出LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及NaCl等。另外，作為優(yōu)選的堿土類(lèi)金屬的鹵化物，例如可以舉出CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2等氟化物、氟化物以外的鹵化物。另外，作為半導(dǎo)體，可以舉出含有Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn中的至少一種元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等的單獨(dú)一種或兩種以上的組合。另外，構(gòu)成電子輸送層的無(wú)機(jī)化合物優(yōu)選微晶或非晶質(zhì)的絕緣性薄膜。如果電子輸送層由這些絕緣性薄膜構(gòu)成，則可以形成更為均勻的薄膜，因此可以減少暗點(diǎn)等像素缺陷。而且，作為此種無(wú)機(jī)化合物，可以舉出上述的堿金屬硫?qū)倩?，堿土類(lèi)金屬硫?qū)倩?，堿金屬的鹵化物及堿土類(lèi)金屬的鹵化物等。有機(jī)EL元件由于對(duì)超薄膜施加電場(chǎng)，因此容易產(chǎn)生由漏電或短路造成的像素缺陷。為了防止它，最好在一對(duì)電極間插入絕緣性的薄膜層。作為絕緣層中所用的材料，例如可以舉出氧化鋁、氟化鋰、氧化鋰、氟化銫、氧化銫、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氮化鋁、氧化鈦、氧化硅、氧化鍺、氮化硅、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧化釩等。另外，也可以使用它們的混合物或疊層物。形成本發(fā)明的有機(jī)EL元件的有機(jī)薄膜層的各有機(jī)層的膜厚沒(méi)有特別限制，然而一般來(lái)說(shuō)當(dāng)膜厚過(guò)小時(shí)，則容易產(chǎn)生針孔等缺陷，相反當(dāng)過(guò)大時(shí)，則需要高施加電壓，效率變差，因此通常優(yōu)選數(shù)nm到lum的范圍。有機(jī)EL元件的陽(yáng)極是起到將空穴向空穴注入/輸送層或發(fā)光層中注入的作用的構(gòu)件，具有4.5eV以上的功函數(shù)是有效的。作為陽(yáng)極材料的具體例，可以使用摻錫氧化銦合金(ITO)、氧化錫(NESA)、金、銀、鉑、銅等。陽(yáng)極可以通過(guò)將這些電極物質(zhì)利用蒸鍍法或?yàn)R射法等方法形成薄膜而制作。在從陽(yáng)極中取出來(lái)自發(fā)光層的發(fā)光時(shí)，陽(yáng)極對(duì)發(fā)光的透過(guò)率優(yōu)選大于10%。另外，陽(yáng)極的薄層電阻優(yōu)選在數(shù)百Q(mào)/口以下。陽(yáng)極的膜厚雖然根據(jù)材料而不同，然而通常在10nm1um，優(yōu)選在10200nm的范圍中選擇。有機(jī)EL元件的陰極是起到將電子向電子注入/輸送層或發(fā)光層中注入的作用的構(gòu)件，可以將功函數(shù)小(4eV以下)的金屬、合金、電傳導(dǎo)性化合物及它們的混合物作為電極物質(zhì)使用。作為此種電極物質(zhì)的具體例，可以舉出鈉、鈉一鉀合金、鎂、鋰、鎂'銀合金、鋁/氧化鋁、鋁*鋰合金、銦、稀土類(lèi)金屬等。陰極可以通過(guò)將這些電極物質(zhì)利用蒸鍍或?yàn)R射等方法形成薄膜而制作。在從陰極中取出來(lái)自發(fā)光層的發(fā)光時(shí)，陰極對(duì)發(fā)光的透過(guò)率優(yōu)選大于10%。另外，作為陰極的薄層電阻優(yōu)選在數(shù)百Q(mào)/口以下，膜厚通常為10nmllim，優(yōu)選為50200nm。一般來(lái)說(shuō)有機(jī)EL元件是在透光性的基板上制作的。這里所說(shuō)的透光性基板是支承有機(jī)EL元件的基板，優(yōu)選400700nm的可見(jiàn)區(qū)域的光的透過(guò)率在50%以上且平滑的基板。具體來(lái)說(shuō)，可以舉出玻璃板、聚合物板等。作為玻璃板，特別可以舉出鈉鈣玻璃、含鋇鍶玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、鋇硼硅酸玻璃、石英等。另外，作為聚合物板，可以舉出聚碳酸酯、丙烯酸、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫化物、聚砜等。實(shí)施例下面，利用實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更為詳細(xì)的說(shuō)明，然而本發(fā)明并不受這些例子的任何限定。實(shí)施例1在將25mmX75mmXl.lmm厚的帶有ITO透明電極的玻璃基板(GEOMATIC公司制)在異丙醇中進(jìn)行了5分鐘超聲波清洗后，進(jìn)行30分鐘UV臭氧清洗。在該基板上，利用旋轉(zhuǎn)涂覆法以100nm的膜厚形成空穴注入層中所用的聚亞乙二氧基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT'PSS)的膜。然后，將下述聚合物l(分子量145000)的甲苯溶液(0.6wt%)用旋轉(zhuǎn)涂覆法以20nrn的膜厚形成空穴輸送層，在17(TC下干燥30分鐘。然后，作為發(fā)光層利用蒸鍍形成化合物A的膜。而且，此時(shí)相對(duì)于化合物A，以A:B=40:2(wtAvt)蒸鍍化合物B。此時(shí)的發(fā)光層的膜厚為50rnn。在該膜上形成膜厚10nm的三(8—羥基喹啉)鋁膜(以下簡(jiǎn)記為「Alq」膜。)。該Alq膜作為電子輸送層發(fā)揮作用。其后二元蒸鍍作為還原性摻雜劑的Li(Li源SAESGETTER公司制)禾BAlq，作為電子注入層(陰極)形成Alq:Li膜。在該Alq:Li膜上蒸鍍金屬Al，形成金屬陰極，從而制成有機(jī)EL發(fā)光元件。該元件發(fā)出藍(lán)色光，將100cd/cn^下的電壓和發(fā)光效率(cd/A)、初期亮度1000cd/n^下的亮度減半時(shí)間表示于表1中。[化9]除了取代聚合物l，使用了聚合物2(分子量14000)以外，與實(shí)施例1相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表1中。[化10]聚合物2實(shí)施例3除了取代聚合物l，使用了聚合物3(分子量50000)以外，與實(shí)施例1相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表1中。[化11]聚合物3比較例1除了取代聚合物1，使用了聚合物4(分子量270000)以外，與實(shí)施例1相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表1中。[化12]比較例2除了取代聚合物l，使用了聚合物5(分子:例1相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表1中。[化13]聚合物5比較例3除了取代聚合物l，使用了聚合物6(分子:1相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表1中。[化14]16000)以外，與實(shí)施43000)以外，與實(shí)施表l<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>實(shí)施例4除了取代化合物A，使用了化合物C以外，與實(shí)施例l相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表2中。[化15]化合物c實(shí)施例5除了取代化合物A，使用了化合物D以外，與實(shí)施例l相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表2中。[化16]化合物D實(shí)施例6除了取代化合物A，使用了化合物E以外，與實(shí)施例l相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表2中。[化17]化合物E實(shí)施例7除了取代化合物A，使用了化合物F以外，與實(shí)施例l相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表2中。[化18]實(shí)施例8除了取代化合物A，使用了化合物F以外，與實(shí)施例l相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表2中。[化19]化合物G<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>實(shí)施例9在將25mmX75mmXl.lmm厚的帶有ITO透明電極的玻璃基板(GEOMATIC公司制)在異丙醇中進(jìn)行了5分鐘超聲波清洗后，進(jìn)行30分鐘UV臭氧清洗。在該基板上，利用旋轉(zhuǎn)涂覆法以100nm的膜厚形成空穴注入層中所用的聚亞乙二氧基噻吩聚苯乙烯磺酸(PEDOT*PSS)的膜。然后，將上述聚合物l(分子量145000)的甲苯溶液(0.6wt%)用旋轉(zhuǎn)涂覆法以20nm的膜厚形成空穴輸送層，在17(TC下干燥30分鐘。然后，使用化合物A:化合物B(A:B=20:2(wt/wt))的lwt^甲苯溶液，利用旋轉(zhuǎn)涂覆法形成發(fā)光層。此時(shí)的膜厚為50nm。在該膜上形成膜厚10nm的三(8—羥基喹啉)鋁膜(以下簡(jiǎn)記為「Alq」膜。)。該Alq膜作為電子輸送層發(fā)揮作用。其后二元蒸鍍作為還原性摻雜劑的Li(Li源SAESGETTER公司制)禾卩Alq，作為電子注入層(陰極)形成Alq:Li膜。在該Alq:Li膜上蒸鍍金屬Al，形成金屬陰極，從而制成有機(jī)EL發(fā)光元件。該元件發(fā)出藍(lán)色光，將100cd/cn^下的電壓和發(fā)光效率(cd/A)、初期亮度1000cd/n^下的亮度減半時(shí)間表示于表3中。實(shí)施例10除了取代聚合物l，使用了聚合物3(分子量50000)以外，與實(shí)施例9相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表3中。比較例4除了取代聚合物1,使用了聚合物4(分子量270000)以外，與實(shí)施例9相同地制作了元件。將結(jié)果表示于表3中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>實(shí)施例11除了取代化合物A，使用了化合物C以外，與實(shí)施例9相同地制作了元件。此時(shí)，元件發(fā)出藍(lán)色光，100cd/m2的電壓為5.5V，發(fā)光效率為5.8cd/A。實(shí)施例12除了取代化合物A，使用了化合物E以外，與實(shí)施例9相同地制作了元件。此時(shí)，元件發(fā)出藍(lán)色光，100cd/m2的電壓為5.5V，發(fā)光效率為5.2cd/A。如上詳細(xì)說(shuō)明所示，本發(fā)明的芳香族胺化合物溶解性高，可以實(shí)現(xiàn)濕式工藝成膜，使用它的有機(jī)EL元件呈現(xiàn)出各種發(fā)光色調(diào)，耐熱性高，特別是當(dāng)將本發(fā)明的芳香族胺化合物作為空穴注入、輸送材料使用時(shí)，空穴注入、輸送性高，發(fā)光亮度高，發(fā)光效率高，壽命長(zhǎng)。由此，本發(fā)明的有機(jī)EL元件實(shí)用性高，作為壁掛型電視的平面發(fā)光體或顯示器的背光燈等光源十分有用。權(quán)利要求1.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，將至少含有發(fā)光層的一層以上的有機(jī)化合物層用由陽(yáng)極和陰極構(gòu)成的一對(duì)電極夾持而成，其中該有機(jī)化合物層具有空穴輸送層及/或空穴注入層，在該空穴輸送層及/或空穴注入層中含有以下述通式(1)表示的聚芳基胺，[化1]通式(1)中，Ar各自獨(dú)立地表示取代或未取代的碳數(shù)為6～40的芳基，或取代或未取代的碳數(shù)為3～40的雜芳基，Ar1～Ar4各自獨(dú)立地表示取代或未取代的碳數(shù)為6～40的2價(jià)的亞芳基，a、b、c及d各自獨(dú)立地為1～2的整數(shù)，e為0～2的整數(shù)，n為3以上的整數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，上述空穴輸送層及/或空穴注入層主要含有上述聚芳基胺。3.根據(jù)權(quán)利要求12中任意一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，上述發(fā)光層主要含有選自蒽衍生物、芘衍生物及芴衍生物的至少一種。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，上述發(fā)光層含有苯乙烯胺化合物及/或芳基胺化合物。5.根據(jù)權(quán)利要求14中任意一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，利用濕式方法成膜上述空穴輸送層及/或空穴注入層，利用濕式方法成膜上述發(fā)光層。6.根據(jù)權(quán)利要求14中任意一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，利用濕式方法成膜上述空穴輸送層及/或空穴注入層，利用蒸鍍成膜上述發(fā)光層。全文摘要本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光元件，是將一層以上的有機(jī)化合物層用由陽(yáng)極和陰極構(gòu)成的一對(duì)電極夾持而成的有機(jī)EL元件，該有機(jī)化合物層具有空穴輸送層及/或空穴注入層，通過(guò)在該空穴輸送層及/或空穴注入層中含有具有特定構(gòu)造的聚芳基胺，而提供使用了聚芳基胺的有機(jī)電致發(fā)光元件，特別可以實(shí)現(xiàn)制造程序的簡(jiǎn)化、大畫(huà)面化及元件性能的提高。文檔編號(hào)H05B33/10GK101258623SQ20068003300公開(kāi)日2008年9月3日申請(qǐng)日期2006年7月5日優(yōu)先權(quán)日2005年9月8日發(fā)明者井上哲也,近藤浩史,順毛直憲申請(qǐng)人:出光興產(chǎn)株式會(huì)社