專利名稱：用于電子應(yīng)用的三芳基胺化合物的制作方法
用于電子應(yīng)用的三芳基胺化合物相關(guān)專利申請資料本專利申請根據(jù)35U. S. C. 119(e)要求提交于2009年10月19日的美國臨時申請61/252812和提交于2010年7月8日的美國臨時申請61/362413的優(yōu)先權(quán)。
背景技術(shù)：
公開領(lǐng)域本發(fā)明涉及三芳基胺化合物。它還涉及其中至少一個活性層包含此類化合物的電子器件。相關(guān)領(lǐng)域說明發(fā)光的有機電子器件諸如組成顯示器的發(fā)光二極管存在于許多不同種類的電子設(shè)備中。在所有的此類器件中，有機活性層均被夾置在兩個電接觸層之間。所述電接觸層中的至少一個是透光的以便光能夠穿過該電接觸層。當在整個電接觸層上施加電流時，有機活性層發(fā)射穿過該透光的電接觸層的光。已知在發(fā)光二極管中將有機電致發(fā)光化合物用作活性組分。已知例如蒽、噻二唑衍生物和香豆素衍生物等簡單有機分子顯示具有電致發(fā)光性。已知有機金屬化合物如Ir和Pt的環(huán)狀金屬絡(luò)合物顯示具有電致發(fā)光性。半導(dǎo)電的共軛聚合物還已被用作電致發(fā)光組分。在許多情況下，電致發(fā)光化合物以摻雜劑形式存在于基質(zhì)材料中。持續(xù)需要用于電子器件的新型材料。發(fā)明概述本發(fā)明提供了包含活性層的電子器件，所述活性層包含具有式I的化合物
權(quán)利要求
1.具有式I的三芳基胺化合物其中R1至R12相同或不同并且選自H、D、烷基和芳基，其中相鄰的R基可被接合在一起以形成環(huán)狀基團，前提條件是(i)R1至R6中的至少一個為烷基或芳基，并且(ii)R7至R12中的至少一個為烷基或芳基；并且R13和R14相同或不同并且選自烷基和芳基，其中R13和R14可被接合在一起以形成環(huán)狀基團。
2.權(quán)利要求1的化合物，所述化合物為至少10%氘代的。
3.權(quán)利要求1的化合物，所述化合物為至少50%氘代的。
4.權(quán)利要求1的化合物，所述化合物為100%氘代的。
5.權(quán)利要求1的化合物，其中R1至R3中的至少一個和R4至R6中的至少一個和R7至R9中的至少一個和Rki至R12中的至少一個為烷基或芳基。
6.權(quán)利要求5的化合物，其中R1至R3中的至少一個和R4至R6中的至少一個和R7至R9中的至少一個和Rki至R12中的至少一個為芳基。
7.權(quán)利要求1的化合物，其中所述烷基具有1-3個碳原子。
8.權(quán)利要求1的化合物，其中所述芳基選自苯基、聯(lián)苯、萘基、它們的氘代衍生物、以及具有式II的基團其中R15在每次出現(xiàn)時相同或不同并且選自H、D和烷基，或相鄰的R15基團可被接合在一起以形成芳族環(huán)；并且m在每次出現(xiàn)時相同或不同并且為0至5的整數(shù)。
9.權(quán)利要求1的組合物，其中R1H和Rki為芳基，并且所有其它R基選自H、D和烷
10.權(quán)利要求1的化合物，其中R7和R8為苯基。
11.權(quán)利要求1的化合物，其中R7和R8被接合在一起以形成6元脂族環(huán)。
12.電活性組合物，包含(a)具有式I的三芳基胺化合物基質(zhì)
13.權(quán)利要求12的電活性組合物，還包含(c)第二基質(zhì)材料。
14.權(quán)利要求13的電活性組合物，其中所述第二基質(zhì)材料選自蘭、菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉、異喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、苯并二呋喃和羥基喹啉金屬絡(luò)合物。
15.有機電子器件，包含第一電接觸層、第二電接觸層、以及介于所述第一電接觸層和所述第二電接觸層之間的至少一個活性層，其中所述活性層包含具有式I的三芳基胺化合物
16.權(quán)利要求15的器件，其中所述活性層基本上由具有式I的化合物和所述有機金屬摻雜劑組成。
17.權(quán)利要求15的器件，其中所述活性層為空穴傳輸層。
18.權(quán)利要求17的器件，其中所述活性層基本上由具有式I的化合物組成。
19.權(quán)利要求15的器件，還包含介于所述第一電接觸層和所述活性層之間的空穴注入層，其中所述空穴注入層包含至少一種導(dǎo)電聚合物和至少一種氟化的酸性聚合物。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于電子應(yīng)用中的三芳基胺化合物。本發(fā)明還涉及其中活性層包含此類化合物的電子器件。
文檔編號H05B33/14GK102574773SQ201080046788
公開日2012年7月11日 申請日期2010年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月19日
發(fā)明者K·D·多布斯, W·吳, Y·王 申請人:E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司