聚酰亞胺泡沫基材ito電路板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及印制電路板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種以聚酰亞胺泡沫為基材的ITO(氧化銦錫)電路板。
【背景技術(shù)】
[0002]在機(jī)載雷達(dá)裝置、相控陣系統(tǒng)、遙感衛(wèi)星等上應(yīng)用的大型印制電路饋電板、微帶天線和天線陣等，需要印制板面積很大，經(jīng)常有幾個(gè)平方米，甚至于十幾個(gè)平方米，同時(shí)在這些天線電路中需要使用大量電阻元件?，F(xiàn)有技術(shù)通常采用傳統(tǒng)覆銅板，即在環(huán)氧玻纖布基板表面設(shè)置一層銅箔作為導(dǎo)電層；而電阻元件為現(xiàn)成或特制的電阻類產(chǎn)品，以焊接方式設(shè)置在覆銅板的電路層。由于現(xiàn)有技術(shù)的覆銅板屏蔽性能較差，在微帶天線和高頻天線的應(yīng)用上受到很大的限制。同時(shí)現(xiàn)有技術(shù)中電阻類產(chǎn)品的一致性和穩(wěn)定性存在無法得到保證，從而大大影響了天線的性能。
[0003]傳統(tǒng)環(huán)氧玻纖布基板的溫度穩(wěn)定性和吸波性能不佳，使其在雷達(dá)、航空、衛(wèi)星等領(lǐng)域的應(yīng)用受到很大限制。
[0004]故，針對目前現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，實(shí)有必要進(jìn)行研宄，以提供一種方案，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實(shí)用新型提供了一種具有良好吸波性能的聚酰亞胺泡沫基材ITO電路板，以解決上述問題。
[0006]為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:
[0007]一種聚酰亞胺泡沫基材ITO電路板，包括基層及ITO(氧化銦錫)薄膜層，其中，所述基層為采用聚酰亞胺泡沫為基材制成的基板；所述ITO薄膜層涂覆在所述基層上，所述ITO薄膜層上形成有電路圖形，并且所述ITO薄膜層還在所述電路圖形中對應(yīng)電阻圖形形成有電阻。
[0008]優(yōu)選地，所述電阻的材質(zhì)為ITO材料。
[0009]優(yōu)選地，所述ITO薄膜層在所述電路圖形中對應(yīng)的電阻圖形通過蝕刻工藝形成所述電阻。
[0010]優(yōu)選地，所述ITO薄膜層在所述電路圖形中對應(yīng)的電阻圖形通過濺射工藝形成所述電阻。
[0011]優(yōu)選地，所述ITO薄膜層通過濺射工藝形成在所述基層上。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用本實(shí)用新型的上述方案，由于ITO材料和聚酰亞胺泡沫都具有良好的屏蔽性能，大大增強(qiáng)了天線的吸波功能；同時(shí)ITO薄膜層上直接設(shè)置方阻圖形，從而不需要焊接電阻元件，保證了方阻的一致性和穩(wěn)定性，大大提升天線的性能。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型聚酰亞胺泡沫基材ITO電路板的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0015]相反，本實(shí)用新型涵蓋任何由權(quán)利要求定義的在本實(shí)用新型的精髓和范圍上做的替代、修改、等效方法以及方案。進(jìn)一步，為了使公眾對本實(shí)用新型有更好的了解，在下文對本實(shí)用新型的細(xì)節(jié)描述中，詳盡描述了一些特定的細(xì)節(jié)部分。對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說沒有這些細(xì)節(jié)部分的描述也可以完全理解本實(shí)用新型。
[0016]參見圖1，所示為本實(shí)用新型聚酰亞胺泡沫基材ITO電路板的剖面圖，包括基層I及ITO(氧化銦錫)薄膜層2，其中，所述基層I為采用聚酰亞胺泡沫為基材制成的基板；所述ITO薄膜層2涂覆在所述基層I上，所述ITO薄膜層2上形成有電路圖形，并且所述ITO薄膜層還在所述電路圖形中對應(yīng)電阻圖形形成有電阻3。
[0017]在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，對應(yīng)電阻圖形所形成的電阻3直接由薄膜層的材質(zhì)ITO材料形成。
[0018]所述ITO薄膜層在所述電路圖形中對應(yīng)的電阻圖形通過蝕刻或?yàn)R射工藝形成所述電阻3。
[0019]薄膜層2的材料ITO(氧化銦錫)具有電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明的特性，同時(shí)具有良好的屏蔽性能，作為EMI屏蔽的透明傳導(dǎo)鍍膜應(yīng)用廣泛。聚酰亞胺泡沫材料是一種既耐高溫又耐低溫的材料，同時(shí)具有突出的透波特性，被廣泛應(yīng)用于天線隱身技術(shù)的研發(fā)。
[0020]聚酰亞胺泡沫基材的基層I上以濺射工藝涂覆ITO(氧化銦錫)薄膜層2，由于聚酰亞胺泡沫和ITO材料都具有良好的屏蔽性能，其相對于傳統(tǒng)覆銅板(環(huán)氧玻璃纖維布上設(shè)置一層銅箔)，具備更優(yōu)的屏蔽性能，在天線中使用本實(shí)用新型的聚酰亞胺泡沫基材ITO電路板，能夠大大增加天線的吸波功能。
[0021 ] ITO薄膜層2作為導(dǎo)電層，其作用類似于現(xiàn)有技術(shù)中的銅箔層。通過光刻膠掩膜蝕刻工藝可將電路圖形印制在ITO薄膜層2上。由于ITO材料的電阻率遠(yuǎn)大于銅等金屬，故可以在ITO薄膜層2上直接設(shè)置方阻3，。即在電路圖形的電阻元件位置，根據(jù)其阻值的大小在制備時(shí)沉積與其阻值相對應(yīng)的方阻圖形，實(shí)際方阻圖形可以根據(jù)ITO材料的電阻率計(jì)算得出。在ITO薄膜層2上直接形成方阻3，大大提升了方阻的一致性和穩(wěn)定性，同時(shí)不需要焊接電阻元件，大大提升天線的性能。
[0022]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種聚酰亞胺泡沫基材ITO電路板，其特征在于:包括基層及ITO薄膜層，其中，所述ITO薄膜層由氧化銦錫材料制成，所述基層為采用聚酰亞胺泡沫為基材制成的基板；所述ITO薄膜層涂覆在所述基層上，所述ITO薄膜層上形成有電路圖形，并且所述ITO薄膜層還在所述電路圖形中對應(yīng)電阻圖形形成有電阻。
2.如權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺泡沫基材ITO電路板，其特征在于:所述電阻的材質(zhì)為ITO材料。
3.如權(quán)利要求2所述的聚酰亞胺泡沫基材ITO電路板，其特征在于:所述ITO薄膜層在所述電路圖形中對應(yīng)的電阻圖形通過蝕刻工藝形成所述電阻。
4.如權(quán)利要求2所述的聚酰亞胺泡沫基材ITO電路板，其特征在于:所述ITO薄膜層在所述電路圖形中對應(yīng)的電阻圖形通過濺射工藝形成所述電阻。
5.如權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺泡沫基材ITO電路板，其特征在于:所述ITO薄膜層通過濺射工藝形成在所述基層上。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種聚酰亞胺泡沫基材ITO電路板，包括用聚酰亞胺泡沫為基材制成的基板和涂覆在該基板上的ITO(氧化銦錫)薄膜層；所述ITO薄膜層上印有電路圖形并在其上直接以ITO材料設(shè)置方阻圖形。采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，由于ITO材料和聚酰亞胺泡沫都具有良好的屏蔽性能，大大增強(qiáng)了天線的吸波功能；同時(shí)ITO薄膜層上直接設(shè)置方阻圖形，從而不需要焊接電阻元件，保證了方阻的一致性和穩(wěn)定性，大大提升天線的性能。
【IPC分類】H05K1-16
【公開號】CN204291586
【申請?zhí)枴緾N201420597193
【發(fā)明人】金壬海
【申請人】浙江九通電子科技有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年10月16日