[0054]接著，沉積形成鈍化層323，如圖2-24所示，這里，鈍化層323采用的材料可例如為SiNx0
[0055]最后，將N溝道區(qū)域的漏電極的源電極的重?fù)诫s區(qū)316a上方的部分光刻膠和鈍化層323以及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)319上方的部分光刻膠和鈍化層323去除，從而使N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a上方的第二金屬層322和P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318上方的第二金屬層322漏出，以連接外部驅(qū)動(dòng)電路。
[0056]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法僅利用四道帶條紋的光罩來(lái)完成對(duì)低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作，能夠大幅度降低帶條紋的光罩的使用數(shù)量，在降低制作成本的同時(shí)提高生產(chǎn)效率。
[0057]雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解:在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括步驟: A)利用第一帶條紋的光罩定義出N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)、N溝道區(qū)域的源電極的輕摻雜區(qū)(316b)、N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)及N溝道區(qū)域的漏電極的輕摻雜區(qū)(317b)； B)利用第二帶條紋的光罩定義出P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)(318)及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)(319)； C)利用第三帶條紋的光罩定義出像素區(qū)、N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)處的接觸孔區(qū)、N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)處的接觸孔區(qū)、P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)(318)處的接觸孔區(qū)及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)(319)處的接觸孔區(qū)； D)利用第四帶條紋的光罩定義出N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)處的金屬電極區(qū)、N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)處的金屬電極區(qū)、P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)(318)的金屬電極區(qū)及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)(319)處的金屬電極區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一帶條紋的光罩為灰階掩膜光罩或半色調(diào)掩膜光罩。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二帶條紋的光罩為灰階掩膜光罩或半色調(diào)掩膜光罩。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三帶條紋的光罩為灰階掩膜光罩或半色調(diào)掩膜光罩。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第四帶條紋的光罩為灰階掩膜光罩或半色調(diào)掩膜光罩。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述步驟A)進(jìn)一步包括: 在基板(311)上依次形成緩沖層(312)、多晶硅層(313)、第一絕緣層(314)和第一金屬層(315)； 在第一金屬層(315)上涂布一層光刻膠； 利用所述第一帶條紋的光罩對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，以將N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)和漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)上方的光刻膠去除，并將源電極的輕摻雜區(qū)(316b)和漏電極的輕摻雜區(qū)(317b)上方的部分光刻膠去除； 將N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)及漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)上方的第一金屬層(315)刻蝕去除； 對(duì)N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)及漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)進(jìn)行離子注入； 將N溝道區(qū)域的源電極的輕摻雜區(qū)(316b)和漏電極的輕摻雜區(qū)(317b)上方剩余的光刻膠去除； 將源電極的輕摻雜區(qū)(316b)和漏電極的輕摻雜區(qū)(317b)上方的第一金屬層(315)刻蝕去除； 對(duì)N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)、輕摻雜區(qū)(316b)以及漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)、輕摻雜區(qū)(317b)再次進(jìn)行離子注入； 將剩余的光刻膠全部去除。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，所述步驟B)進(jìn)一步包括: 在完成所述步驟A)的基板(311)上涂布光刻膠； 利用所述第二帶條紋的光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，以將N溝道區(qū)域與P溝道區(qū)域之間的光刻膠去除，并將P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)(318)及漏電極的摻雜區(qū)(319)上方的部分光刻膠去除； 將N溝道區(qū)域與P溝道區(qū)域之間的多晶硅層(313)、第一絕緣層(314)和第一金屬層(315)刻蝕去除； 將P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)(318)及漏電極的摻雜區(qū)(319)上方的剩余光刻膠去除; 將P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)(318)及漏電極的摻雜區(qū)(319)上方的第一金屬層(315)刻蝕去除。 對(duì)P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)(318)和漏電極的摻雜區(qū)(319)進(jìn)行離子注入； 將剩余的光刻膠全部去除。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，所述步驟C)進(jìn)一步包括: 在完成所述步驟B)的基板(311)上形成第二絕緣層(320)、透明導(dǎo)電層(324)和光刻膠； 利用所述第三帶條紋的光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，以將N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)和源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)上方的光刻膠以及P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)(318)和漏電極的摻雜區(qū)(319)上方的光刻膠去除； 將N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)和源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)上方的以及P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)(318)和漏電極的摻雜區(qū)(319)上方的第一絕緣層(314)、透明導(dǎo)電層(324)和第二絕緣層(320)去除，以形成接觸孔(321); 將除所述像素區(qū)的光刻膠之外的光刻膠全部去除，以使除所述像素區(qū)的透明導(dǎo)電層(324)之外的透明導(dǎo)電層(324)暴露； 將所述暴露的透明導(dǎo)電層(324)去除。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的制作方法，其特征在于，所述步驟D)進(jìn)一步包括: 在完成所述步驟C)的基板(311)上形成第二金屬層(322); 在第二金屬層(322)上涂布光刻膠，并利用所述第四帶條紋的光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，以將除N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)和源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)上方的光刻膠以及P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)(318)和漏電極的摻雜區(qū)(319)上方的光刻膠之外的光刻膠去除； 將暴露的第二金屬層(322)刻蝕去除； 將N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)上方的光刻膠和P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)(318)上方的光刻膠去除，并將N溝道區(qū)域的漏電極的源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)上方的部分光刻膠和P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)(319)上方的部分光刻膠去除； 沉積形成鈍化層(323); 將N溝道區(qū)域的漏電極的源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)上方的部分光刻膠和鈍化層(323)以及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)(319)上方的部分光刻膠和鈍化層(323)。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括步驟：A)利用第一帶條紋的光罩定義出N溝道的源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)和輕摻雜區(qū)(316b)、N溝道的漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)和輕摻雜區(qū)(317b)；B)利用第二帶條紋的光罩定義出P溝道的源電極的摻雜區(qū)(318)和漏電極的摻雜區(qū)(319)；C)利用第三帶條紋的光罩定義出像素區(qū)、N溝道的漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)和源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)處的接觸孔區(qū)、P溝道的源電極的摻雜區(qū)(318)和漏電極的摻雜區(qū)(319)處的接觸孔區(qū)；D)利用第四帶條紋的光罩定義出N溝道的漏電極的重?fù)诫s區(qū)(317a)和源電極的重?fù)诫s區(qū)(316a)處的金屬電極區(qū)、P溝道的源電極的摻雜區(qū)(318)和漏電極的摻雜區(qū)(319)處的金屬電極區(qū)。
【IPC分類(lèi)】H01L27-12, H01L21-77
【公開(kāi)號(hào)】CN104701254
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510114652
【發(fā)明人】盧馬才
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月10日
【申請(qǐng)日】2015年3月16日