一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示技術領域，具體地講，涉及一種低溫多晶硅(LowerTemperature Polycrystal Silicon，LTPS)薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)陣列基板的制作方法。
【背景技術】
[0002]隨著光電與半導體技術的演進，也帶動了平板顯示器(Flat Panel Display)的蓬勃發(fā)展，而在諸多平板顯示器中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱IXD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等諸多優(yōu)越特性，已成為市場的主流。
[0003]目前，作為LCD的開關元件而廣泛采用的是非晶硅薄膜三極管(a-SiTFT)，但a-Si TFT LCD在滿足薄型、輕量、高精細度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低溫多晶娃(Lower Temperature Polycrystal Silicon，LTPS)TFT LCD 與 a_Si TFT LCD相比，在滿足上述要求方面，具有明顯優(yōu)勢。但是，現(xiàn)有的LTPS TFT的工序較為復雜，一般需要至少8道光罩(Mask)來形成LTPS TFT。
[0004]現(xiàn)有技術的采用8道光罩形成LTPS TFT陣列基板的工藝依次包括:p_Si圖案化，其具體為經(jīng)過P-Si干刻后形成多晶硅圖案；屏蔽P型區(qū)域，對N型區(qū)域?qū)嵭须x子注入(源極/漏極)；柵極沉積，形成第一金屬層，定義出柵極；屏蔽N型區(qū)域，對P型區(qū)域?qū)嵭须x子注入；形成接觸孔；布線層沉積，形成第二金屬層，定義出數(shù)據(jù)線圖案；平坦層沉積，形成接觸孔；定義像素電極形狀?，F(xiàn)有技術的形成LTPS TFT陣列基板的工序步驟復雜，同時不利于降低成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述現(xiàn)有技術存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括步驟:A)利用第一帶條紋的光罩定義出N溝道區(qū)域的源電極的重摻雜區(qū)、N溝道區(qū)域的源電極的輕摻雜區(qū)、N溝道區(qū)域的漏電極的重摻雜區(qū)及N溝道區(qū)域的漏電極的輕摻雜區(qū)；B)利用第二帶條紋的光罩定義出P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)；C)利用第三帶條紋的光罩定義出像素區(qū)、N溝道區(qū)域的漏電極的重摻雜區(qū)處的接觸孔區(qū)、N溝道區(qū)域的源電極的重摻雜區(qū)處的接觸孔區(qū)、P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)處的接觸孔區(qū)及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)處的接觸孔區(qū)；D)利用第四帶條紋的光罩定義出N溝道區(qū)域的漏電極的重摻雜區(qū)處的金屬電極區(qū)、N溝道區(qū)域的源電極的重摻雜區(qū)處的金屬電極區(qū)、P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)的金屬電極區(qū)及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)處的金屬電極區(qū)。
[0006]進一步地，所述第一帶條紋的光罩為灰階掩膜光罩或半色調(diào)掩膜光罩。
[0007]進一步地，所述第二帶條紋的光罩為灰階掩膜光罩或半色調(diào)掩膜光罩。
[0008]進一步地，所述第三帶條紋的光罩為灰階掩膜光罩或半色調(diào)掩膜光罩。
[0009]進一步地，所述第四帶條紋的光罩為灰階掩膜光罩或半色調(diào)掩膜光罩。
[0010]進一步地，所述步驟A)進一步包括:在基板上依次形成緩沖層、多晶硅層、第一絕緣層和第一金屬層；在第一金屬層上涂布一層光刻膠；利用所述第一帶條紋的光罩對所述光刻膠進行曝光、顯影，以將N溝道區(qū)域的源電極的重摻雜區(qū)和漏電極的重摻雜區(qū)上方的光刻膠去除，并將源電極的輕摻雜區(qū)和漏電極的輕摻雜區(qū)上方的部分光刻膠去除；將N溝道區(qū)域的源電極的重摻雜區(qū)及漏電極的重摻雜區(qū)上方的第一金屬層刻蝕去除；對N溝道區(qū)域的源電極的重摻雜區(qū)及漏電極的重摻雜區(qū)進行離子注入；將N溝道區(qū)域的源電極的輕摻雜區(qū)和漏電極的輕摻雜區(qū)上方剩余的光刻膠去除；將源電極的輕摻雜區(qū)和漏電極的輕摻雜區(qū)上方的第一金屬層刻蝕去除；對N溝道區(qū)域的源電極的重摻雜區(qū)、輕摻雜區(qū)以及漏電極的重摻雜區(qū)、輕摻雜區(qū)再次進行離子注入；將剩余的光刻膠全部去除。
[0011]進一步地，所述步驟B)進一步包括:在完成所述步驟A)的基板上涂布光刻膠；利用所述第二帶條紋的光罩對光刻膠進行曝光、顯影，以將N溝道區(qū)域與P溝道區(qū)域之間的光刻膠去除，并將P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)及漏電極的摻雜區(qū)上方的部分光刻膠去除；將N溝道區(qū)域與P溝道區(qū)域之間的多晶硅層、第一絕緣層和第一金屬層刻蝕去除；將P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)及漏電極的摻雜區(qū)上方的剩余光刻膠去除；將P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)及漏電極的摻雜區(qū)上方的第一金屬層刻蝕去除。對P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)和漏電極的摻雜區(qū)進行離子注入；將剩余的光刻膠全部去除。
[0012]進一步地，所述步驟C)進一步包括:在完成所述步驟B)的基板上形成第二絕緣層、透明導電層和光刻膠；利用所述第三帶條紋的光罩對光刻膠進行曝光、顯影，以將N溝道區(qū)域的漏電極的重摻雜區(qū)和源電極的重摻雜區(qū)上方的光刻膠以及P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)和漏電極的摻雜區(qū)上方的光刻膠去除；將N溝道區(qū)域的漏電極的重摻雜區(qū)和源電極的重摻雜區(qū)上方的以及P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)和漏電極的摻雜區(qū)上方的第一絕緣層、透明導電層和第二絕緣層去除，以形成接觸孔；將除所述像素區(qū)的光刻膠之外的光刻膠全部去除，以使除所述像素區(qū)的透明導電層之外的透明導電層暴露；將所述暴露的透明導電層去除。
[0013]進一步地，所述步驟D)進一步包括:在完成所述步驟C)的基板上形成第二金屬層；在第二金屬層上涂布光刻膠，并利用所述第四帶條紋的光罩對光刻膠進行曝光、顯影，以將除N溝道區(qū)域的漏電極的重摻雜區(qū)和源電極的重摻雜區(qū)上方的光刻膠以及P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)和漏電極的摻雜區(qū)上方的光刻膠之外的光刻膠去除；將暴露的第二金屬層刻蝕去除；將N溝道區(qū)域的漏電極的重摻雜區(qū)上方的光刻膠和P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)上方的光刻膠去除，并將N溝道區(qū)域的漏電極的源電極的重摻雜區(qū)上方的部分光刻膠和P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)上方的部分光刻膠去除；沉積形成鈍化層溝道區(qū)域的漏電極的源電極的重摻雜區(qū)上方的部分光刻膠和鈍化層以及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)上方的部分光刻膠和鈍化層。
[0014]本發(fā)明的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法，與現(xiàn)有技術的制作方法相比，僅利用四道帶條紋的光罩來完成對低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作，能夠大幅度降低光罩的使用數(shù)量，在降低制作成本的同時提高生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0015]通過結合附圖進行的以下描述，本發(fā)明的實施例的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將變得更加清楚，附圖中:
[0016]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法的流程圖；
[0017]圖2-1至圖2-25是根據(jù)本發(fā)明的實施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作結構圖。
【具體實施方式】
[0018]以下，將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實際應用，從而使本領域的其他技術人員能夠理解本發(fā)明的各種實施例和適合于特定預期應用的各種修改。在附圖中，相同的標號將始終被用于表示相同的元件。
[0019]在本發(fā)明的低溫多晶娃(LowerTemperature Polycrystal Silicon，LTPS)薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板的制作方法中，LTPS TFT陣列基板至少包括N溝道區(qū)域和P溝道區(qū)域，但本發(fā)明不限制于此。
[0020]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法的流程圖。圖2-1至圖2-25是根據(jù)本發(fā)明的實施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作結構圖。
[0021]參照圖1、圖2-1至圖2-25，在步驟210中，利用第一帶條紋的光罩(例如，GTM (G