ray Tone Mask，灰階掩膜)光罩或者HTM (Half Tone Mask，半色調(diào)掩膜)光罩)定義出N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)316a、N溝道區(qū)域的源電極的輕摻雜區(qū)316b、N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a及N溝道區(qū)域的漏電極的輕摻雜區(qū)317b。
[0022]進(jìn)一步地，步驟210具體包括:
[0023]首先，在基板311上依次形成緩沖層312、多晶硅(ρ-Si)層313、第一絕緣層314和第一金屬層315，如圖2-1所示，這里，基板311可例如為一絕緣的玻璃基板或石英基板；緩沖層312可例如為通過(guò)PECVD工藝在基板311上形成的SiNx/S1x結(jié)構(gòu)；多晶硅層313的形成方式可例如是以濺射方式在緩沖層312表面形成一非晶硅(a-Si)層，再以退火方式使非晶硅層再結(jié)晶；第一絕緣層314可例如為通過(guò)PECVD工藝在基板311上形成的SiNx/S1x結(jié)構(gòu)；第一金屬層315作為柵電極金屬層，其可例如為鉬鋁鉬(MoAlMo)結(jié)構(gòu)或鈦鋁鈦(TiAlTi)結(jié)構(gòu)。
[0024]接著，在第一金屬層315上涂布一層光刻膠(圖中以灰色框表示)，如圖2-2所示。
[0025]接著，利用第一帶條紋的光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，以將N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)316a和漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a上方的光刻膠去除，并將源電極的輕摻雜區(qū)316b和漏電極的輕摻雜區(qū)317b上方的部分光刻膠去除，從而定義出N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)316a和輕摻雜區(qū)316b以及漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a和輕摻雜區(qū)317b，如圖2_3所示。
[0026]接著，將N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)316a及漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a上方的第一金屬層315刻蝕去除，如圖2-4所示，這里，可采用干法刻蝕(Dry etch)或濕法刻蝕(Wet etch)。
[0027]接著，對(duì)N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)316a及漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a進(jìn)行離子注入，如圖2-5所示，這里，可采用磷/砷(P/As)離子進(jìn)行注入。
[0028]接著，對(duì)剩余的光刻膠進(jìn)行灰化(Ashing)處理，以將源電極的輕摻雜區(qū)316b和漏電極的輕摻雜區(qū)317b上方剩余的光刻膠去除，如圖2-6所示。
[0029]接著，將源電極的輕摻雜區(qū)316b和漏電極的輕摻雜區(qū)317b上方的第一金屬層315刻蝕去除，如圖2-7所示，這里，可采用干法刻蝕或濕法刻蝕。
[0030]接著，對(duì)N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)316a、輕摻雜區(qū)316b以及漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a、輕摻雜區(qū)317b再次進(jìn)行離子注入，如圖2_8所示，這里，可采用磷/砷離子進(jìn)行注入。
[0031 ] 最后，利用灰化處理將剩余的光刻膠全部去除。
[0032]在步驟220中，利用第二帶條紋的光罩(例如，GTM(Gray Tone Mask，灰階掩膜)光罩或者HTM(Half Tone Mask，半色調(diào)掩膜)光罩)定義出P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)319。
[0033]進(jìn)一步地，步驟220具體包括:
[0034]首先，在完成步驟210的基板311上涂布光刻膠(圖中以灰色框表示)，如圖2_9所示。
[0035]接著，利用第二帶條紋的光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，以將N溝道區(qū)域與P溝道區(qū)域之間的光刻膠去除，并將P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318及漏電極的摻雜區(qū)319上方的部分光刻膠去除，如圖2-10所示。
[0036]接著，將N溝道區(qū)域與P溝道區(qū)域之間的多晶硅層313、第一絕緣層314和第一金屬層315刻蝕去除，如圖2-11所示，這里，可采用干法刻蝕或濕法刻蝕。
[0037]接著，對(duì)剩余的光刻膠進(jìn)行灰化處理，以將P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318及漏電極的摻雜區(qū)319上方的剩余光刻膠去除，如圖2-12所示。
[0038]接著，將P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318及漏電極的摻雜區(qū)319上方的第一金屬層315刻蝕去除，如圖2-13所示，這里，可采用干法刻蝕或濕法刻蝕。
[0039]接著，對(duì)P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318及漏電極的摻雜區(qū)319進(jìn)行離子注入，以形成P溝道區(qū)域的源電極和漏電極，如圖2-14所示，這里，可采用磷/砷離子進(jìn)行注入。
[0040]最后，利用灰化處理將剩余的光刻膠全部去除。
[0041]在步驟230中，利用第三帶條紋的光罩(例如，GTM(Gray Tone Mask，灰階掩膜)光罩或者HTM(Half Tone Mask，半色調(diào)掩膜)光罩)定義出像素區(qū)、N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a處的接觸孔區(qū)、N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)316a處的接觸孔區(qū)、P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318處的接觸孔區(qū)及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)319處的接觸孔區(qū)。
[0042]進(jìn)一步地，步驟230具體包括:
[0043]首先，在完成步驟220的基板311上形成第二絕緣層320、透明導(dǎo)電層324和光刻膠，如圖2-15所示，這里，第二絕緣層320可例如是層結(jié)構(gòu)，透明導(dǎo)電層324可例如為銦錫氧化物(ITO)、鋅基氧化物(AZO、BZO等)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)等透明的且導(dǎo)電能力較好的金屬氧化物薄膜層。
[0044]接著，利用第三帶條紋的光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，以將N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a、源電極的重?fù)诫s區(qū)316a上方的光刻膠以及P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318、漏電極的摻雜區(qū)319上方的光刻膠去除，如圖2-16所示。
[0045]接著，將N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a、源電極的重?fù)诫s區(qū)316a上方的以及P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318、漏電極的摻雜區(qū)319上方的第一絕緣層314、透明導(dǎo)電層324和第二絕緣層320去除，以使接觸孔321貫穿透明導(dǎo)電層324、第二絕緣層320和第一絕緣層314，從而使N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a、源電極的重?fù)诫s區(qū)316a以及P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318、漏電極的摻雜區(qū)319都暴露出，如圖2-17所示。
[0046]接著，對(duì)剩余的光刻膠進(jìn)行灰化處理，以將除像素區(qū)的光刻膠之外的光刻膠全部去除，以使除像素區(qū)的透明導(dǎo)電層324之外的透明導(dǎo)電層324暴露，如圖2-18所示。
[0047]最后，將暴露出的透明導(dǎo)電層324去除掉，如圖2-19所示。
[0048]在步驟240中，利用第四帶條紋的光罩(例如，GTM(Gray Tone Mask，灰階掩膜)光罩或者HTM(Half Tone Mask，半色調(diào)掩膜)光罩)定義出N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a處的金屬電極區(qū)、N溝道區(qū)域的源電極的重?fù)诫s區(qū)316a處的金屬電極區(qū)、P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318的金屬電極區(qū)及P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)319處的金屬電極區(qū)。
[0049]進(jìn)一步地，步驟240具體包括:
[0050]首先，在完成步驟230的基板311上形成第二金屬層322，如圖2_20所示，這里，第二金屬層322可例如為鉬鋁鉬(MoAlMo)結(jié)構(gòu)或鈦鋁鈦(TiAlTi)結(jié)構(gòu)。
[0051]接著，在第二金屬層322上涂布光刻膠，并利用第四帶條紋的光罩對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，以將除N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a和源電極的重?fù)诫s區(qū)316a上方的光刻膠以及P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318和漏電極的摻雜區(qū)319上方的光刻膠之外的光刻膠去除，如圖2-21所示。
[0052]接著，對(duì)暴露出的第二金屬層322進(jìn)行刻蝕去除，如圖2-22所示，這里，可采用干法刻蝕或濕法刻蝕。
[0053]接著，將N溝道區(qū)域的漏電極的重?fù)诫s區(qū)317a上方的光刻膠和P溝道區(qū)域的源電極的摻雜區(qū)318上方的光刻膠去除，并將N溝道區(qū)域的漏電極的源電極的重?fù)诫s區(qū)316a上方的部分光刻膠和P溝道區(qū)域的漏電極的摻雜區(qū)319上方的部分光刻膠去除，如圖2-23所不O