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低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、液晶面板的制作方法

文檔序號(hào):10686014閱讀:764來(lái)源:國(guó)知局
低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、液晶面板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,包括基板、在基板上的顯示部以及由顯示部的邊沿延伸的非顯示部,非顯示部包括:在基板上的復(fù)合金屬層;在復(fù)合金屬層上的平坦層;在平坦層中將部分復(fù)合金屬層暴露的第一通孔;在平坦層上的公共電極層;覆蓋公共電極層以及暴露的復(fù)合金屬層的鈍化層;在鈍化層中的第二通孔和第三通孔,第二通孔將部分復(fù)合金屬層暴露,第三通孔將部分公共電極層暴露;在鈍化層上的電連接層,電連接層分別填充第二通孔和第三通孔,以分別與復(fù)合金屬層和公共電極層接觸。由于在鈍化層的制作過(guò)程中,可將鈍化層接觸的復(fù)合金屬層表面形成的金屬氧化物去除,從而改善復(fù)合金屬層和公共電極層的接觸狀況,進(jìn)而提升產(chǎn)品品質(zhì)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、液晶面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體地講,涉及一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法、液晶面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著光電與半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn),也帶動(dòng)了平板顯示器(Flat Panel Display)的蓬勃發(fā)展,而在諸多平板顯示器中,液晶顯示器(Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱(chēng)LCD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無(wú)輻射以及低電磁干擾等諸多優(yōu)越特性,已成為市場(chǎng)的主流。
[0003]目前,作為L(zhǎng)CD的開(kāi)關(guān)元件而廣泛采用的是非晶硅薄膜三極管(a-SiTFT) JSa-SiTFT LCD在滿(mǎn)足薄型、輕量、高精細(xì)度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低溫多晶娃(Lower Temperature Polycrystal Silicon,LTPS)TFT LCD與a_Si TFT LCD相比,在滿(mǎn)足上述要求方面,具有明顯優(yōu)勢(shì)。
[0004]然而,在現(xiàn)有的LTPS陣列基板的制作過(guò)程中,公共電壓信號(hào)是通過(guò)LTPS陣列基板的顯示區(qū)(即AA區(qū))周邊的平坦層(PLN)中的過(guò)孔傳送至公共電極的,而周邊的平坦層下方的信號(hào)線是由復(fù)合金屬結(jié)構(gòu)(例如Ti/Al/Ti結(jié)構(gòu))形成的,但是Ti(鈦)金屬在制程環(huán)境以及后制程(如烘烤)環(huán)境中易發(fā)生氧化,從而形成T1x,而T1x電阻值較高且不易去除,易造成公共電壓信號(hào)輸入異常,從而造成產(chǎn)品顯示特性不佳。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述的技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的目的在于提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,包括:基板、設(shè)置在所述基板上的顯示部以及由所述顯示部的邊沿延伸的非顯示部,所述顯示部包括陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管,所述非顯示部包括:在基板上的復(fù)合金屬層;在所述復(fù)合金屬層上的平坦層;在所述平坦層中的第一通孔,所述第一通孔將部分復(fù)合金屬層暴露;在所述平坦層上的公共電極層;覆蓋所述公共電極層以及暴露的復(fù)合金屬層的鈍化層;在所述鈍化層中的第二通孔和第三通孔,所述第二通孔將部分復(fù)合金屬層暴露,所述第三通孔將部分公共電極層暴露;在所述鈍化層上的電連接層,所述電連接層分別填充所述第二通孔和所述第三通孔,以分別與暴露的復(fù)合金屬層和暴露的公共電極層接觸。
[0006]進(jìn)一步地,所述復(fù)合金屬層包括:依次設(shè)置在所述基板上的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層。
[0007]進(jìn)一步地,所述第一金屬層和所述第三金屬層采用鈦制成,所述第二金屬層采用招制成。
[0008]進(jìn)一步地,所述顯示部還包括與每個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管的漏極相連接的像素電極,所述像素電極與所述電連接層同時(shí)形成,且所述像素電極與所述電連接層彼此獨(dú)立。
[0009]進(jìn)一步地,所述像素電極和所述電連接層均采用氧化銦錫制成。
[0010]本發(fā)明的另一目的還在于提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法,所述制作方法包括:在基板上形成顯示部以及由所述顯示部的邊沿延伸的非顯示部;所述顯示部的具體制作方法包括:在基板上形成陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管,所述非顯示部的具體制作方法包括:在基板上形成復(fù)合金屬層;在所述復(fù)合金屬層上形成平坦層;在所述平坦層中形成第一通孔;所述第一通孔將部分復(fù)合金屬層暴露;在所述平坦層上形成公共電極層;形成覆蓋所述公共電極層以及暴露的復(fù)合金屬層的鈍化層;在所述鈍化層中形成第二通孔和第三通孔;所述第二通孔將部分復(fù)合金屬層暴露,所述第三通孔將部分公共電極層暴露;在所述鈍化層上形成電連接層;所述電連接層分別填充所述第二通孔和所述第三通孔,以分別與暴露的復(fù)合金屬層和暴露的公共電極層接觸。
[0011 ]進(jìn)一步地,在基板上形成所述復(fù)合金屬層的具體方法包括:在所述基板上利用鈦材料形成第一金屬層;在所述第一金屬層上利用鋁材料形成第二金屬層;在所述第二金屬層上利用鈦材料形成第三金屬層。
[0012]進(jìn)一步地,所述顯示部的具體制作方法還包括:形成與每個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管的漏極相連接的像素電極;其中,所述像素電極與所述電連接層同時(shí)形成,且所述像素電極與所述電連接層彼此獨(dú)立。
[0013]進(jìn)一步地,利用氧化銦錫同時(shí)形成所述像素電極和所述電連接層。
[0014]本發(fā)明的又一目的又在于提供一種液晶面板,包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板為上述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,或者利用上述的制作方法制成所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。
[0015]本發(fā)明的有益效果:由于在第一通孔暴露的部分復(fù)合金屬層上直接形成鈍化層,而在鈍化層的制作過(guò)程中,可以有效地將由第一通孔暴露的部分復(fù)合金屬層的頂層金屬氧化物(即第三金屬層的表面上的金屬氧化物)去除,從而改善復(fù)合金屬層和公共電極層的接觸狀況,進(jìn)而提升產(chǎn)品品質(zhì)。
【附圖說(shuō)明】
[0016]通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述,本發(fā)明的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚,附圖中:
[0017]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的俯視圖;
[0018]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管和像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0019]圖3是圖1中的A-A向剖面圖;
[0020]圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的非顯示部的制作方法的流程圖;
[0021 ]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]以下,將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而,可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施本發(fā)明,并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反,提供這些實(shí)施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用,從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。在附圖中,相同的標(biāo)號(hào)將始終被用于表示相同的元件。
[0023]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的俯視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管和像素電極的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是圖1中的A-A向剖面圖。
[0024]參照?qǐng)D1至圖3,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板包括:基板100、設(shè)置在基板100上的顯示部(或稱(chēng)顯示區(qū))200以及由顯示部200的邊沿延伸的非顯示部(或稱(chēng)非顯示區(qū))300。
[0025]具體而言,基板100可以為透明的玻璃基板或者樹(shù)脂基板。顯示部200和非顯示部300設(shè)置在基板100的同一表面上。在低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制程過(guò)程中,顯示部200和非顯示部300同時(shí)形成在基板100的同一表面上。通常,顯示部200包括陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管210以及與每個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管210的漏極211連接的像素電極220。當(dāng)然,需要說(shuō)明的是,顯示部200中也可以包括交錯(cuò)設(shè)置的數(shù)據(jù)線和柵極線以及其他必要的元件。
[0026]以下將對(duì)非顯示部300進(jìn)行詳細(xì)地描述。繼續(xù)參照?qǐng)D1至圖3,非顯示部300包括:復(fù)合金屬層310、平坦層320、公共電極層330、鈍化層340以及電連接層350。
[0027]具體地,復(fù)合金屬層310設(shè)置在基板100上。需要說(shuō)明的是,復(fù)合金屬層310與低溫多晶硅薄膜晶體管210的柵極(未示出)同時(shí)形成。進(jìn)一步地,作為一種優(yōu)選,復(fù)合金屬層310包括:依次設(shè)置在基板100上的第一金屬層311、第二金屬層312和第三金屬層313,但本發(fā)明并不限制于此,例如復(fù)合金屬層310可以包括兩層金屬層、四層金屬層或者更多層金屬層。在本實(shí)施例中,優(yōu)選地,第一金屬層311和第三金屬層313由鈦(Ti)制成,而第二金屬層312由鋁(Al)制成;但本發(fā)明并不限制于此,例如這三層金屬層也可以利用其它的導(dǎo)電金屬材料制成。這樣,復(fù)合金屬層310和低溫多晶硅薄膜晶體管210的柵極均具有Ti/Al/Ti金屬結(jié)構(gòu)。
[0028]平坦層320設(shè)置在復(fù)合金屬層310上,在平坦層320中形成第一通孔321,該第一通孔321將部分復(fù)合金屬層310暴露,即該第一通孔321將部分第三金屬層313暴露。需要說(shuō)明的是,顯示部200中也具有平坦層(未示出),且該平坦層與平坦層320同時(shí)形成。
[0029]公共電極層330設(shè)置在平坦層320上。需要說(shuō)明的是,顯示部200中也具有公共電極層(未示出),且該公共電極層與公共電極層330同時(shí)形成并彼此電連接。
[0030]鈍化層340覆蓋在公共電極層330和暴露的復(fù)合金屬層310上,在鈍化層340中形成第二通孔341和第三通孔342,該第二通孔341將部分復(fù)合金屬層310暴露,該第三通孔342將部分公共電極層330暴露。需要說(shuō)明的是,顯示部200中也具有鈍化層(未示出),且該鈍化層與鈍化層340同時(shí)形成。
[0031]電連接層350設(shè)置在鈍化層340上,并且電連接層350分別填充第二通孔341和第三通孔342,以分別與暴露的復(fù)合金屬層310和暴露的公共電極層330接觸,從而使復(fù)合金屬層310和公共電極層330電連接起來(lái),以使公共電壓信號(hào)通過(guò)復(fù)合金屬層310傳遞至公共電極層330,進(jìn)而傳遞至顯示部200中的公共電極層。需要說(shuō)明的是,該電連接層350與像素電極220同時(shí)形成,但二者彼此獨(dú)立。優(yōu)選地,利用透明的氧化銦錫同時(shí)形成電連接層350與像素電極220,但本發(fā)明并不限制于此,利用也可以利用其它的導(dǎo)電材料制成這二者。
[0032]由于在由第一通孔321暴露的部分復(fù)合金屬層310上直接形成鈍化層340,而在鈍化層340的制作過(guò)程中,可以有效地將由第一通孔321暴露的部分復(fù)合金屬層310的頂層金屬氧化物(即第三金屬層313的表面上的金屬氧化物)去除,從而改善復(fù)合金屬層310和公共電極層330的接觸狀況,進(jìn)而提升產(chǎn)品品質(zhì)。
[0033]以下將對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法進(jìn)行說(shuō)明。參照?qǐng)D1,首先,提供一基板100。接著,在基板100上形成顯示部200以及由顯示部200的邊沿延伸的非顯示部(或稱(chēng)非顯示區(qū))300。
[0034]顯示部200的具體制作方法為:在基板100上形成陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管210;形成與每個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管210的漏極211相連接的像素電極220。每個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管210的制作方法采用現(xiàn)有技術(shù)的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法即可,在此不再贅述。
[0035]以下將對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的非顯示部300的制作方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的非顯示部的制作方法的流程圖。
[0036]參照?qǐng)D1至圖4,在步驟S410中,在基板100上形成復(fù)合金屬層310。需要說(shuō)明的是,復(fù)合金屬層310與低溫多晶硅薄膜晶體管210的柵極212同時(shí)形成。
[0037]進(jìn)一步地,復(fù)合金屬層310的制作方法具體包括:在基板100上利用鈦形成第一金屬層311;在第一金屬層311上利用鋁形成第二金屬層312;以及在第二金屬層312上利用鈦形成第三金屬層313。這樣,復(fù)合金屬層310和低溫多晶硅薄膜晶體管210的柵極均具有Ti/Al/Ti金屬結(jié)構(gòu)。
[0038]在步驟S420中,在復(fù)合金屬層310上形成平坦層320。需要說(shuō)明的是,顯示部200中也具有平坦層(未示出),且該平坦層與平坦層320同時(shí)形成。
[0039]在步驟S430中,在平坦層320中形成第一通孔321;該第一通孔321將將部分復(fù)合金屬層310暴露,即該第一通孔321將部分第三金屬層313暴露。
[0040]在步驟S440中,在平坦層320上形成公共電極層330。需要說(shuō)明的是,顯示部200中也具有公共電極層(未示出),且該公共電極層與公共電極層330同時(shí)形成并彼此電連接。[0041 ] 在步驟S450中,形成覆蓋公共電極層330和由第一通孔321暴露的復(fù)合金屬層310的鈍化層340。需要說(shuō)明的是,顯示部200中也具有鈍化層(未示出),且該鈍化層與鈍化層340同時(shí)形成。
[0042]在步驟S460中,在鈍化層340中形成第二通孔341和第三通孔342,該第二通孔341將部分復(fù)合金屬層310暴露,該第三通孔342將部分公共電極層330暴露。
[0043]在步驟S470中,在鈍化層340上形成電連接層350,該電連接層350分別填充第二通孔341和第三通孔342,以分別與由第二通孔341暴露的復(fù)合金屬層310和由第三通孔342暴露的公共電極層330接觸。這樣,可以使復(fù)合金屬層310和公共電極層330電連接起來(lái),以使公共電壓信號(hào)通過(guò)復(fù)合金屬層310傳遞至公共電極層330,進(jìn)而傳遞至顯示部200中的公共電極層。需要說(shuō)明的是,該電連接層350與像素電極220同時(shí)形成,但二者彼此獨(dú)立。
[0044]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0045]參照?qǐng)D5,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶面板包括:對(duì)盒設(shè)置的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板1000和彩膜基板2000,以及夾設(shè)于低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板1000和彩膜基板2000之間的液晶層3000。液晶層3000中具有若干液晶分子。這里,低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板1000為圖1和圖3所示的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,或者,低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板1000為采用上述的制作方法制作的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。此外,彩膜基板2000通常包括由紅(R)濾光片、綠(G)濾光片、藍(lán)(B)濾光片構(gòu)成的彩色濾光片、黑色矩陣、配向膜等。更加詳細(xì)地彩膜基板的結(jié)構(gòu)請(qǐng)參照相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù),這里不再贅述。
[0046]雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明,但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解:在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,包括:基板、設(shè)置在所述基板上的顯示部以及由所述顯示部的邊沿延伸的非顯示部,所述顯示部包括陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管,其特征在于,所述非顯示部包括: 在基板上的復(fù)合金屬層; 在所述復(fù)合金屬層上的平坦層; 在所述平坦層中的第一通孔,所述第一通孔將部分復(fù)合金屬層暴露; 在所述平坦層上的公共電極層; 覆蓋所述公共電極層以及暴露的復(fù)合金屬層的鈍化層; 在所述鈍化層中的第二通孔和第三通孔,所述第二通孔將部分復(fù)合金屬層暴露,所述第三通孔將部分公共電極層暴露; 在所述鈍化層上的電連接層,所述電連接層分別填充所述第二通孔和所述第三通孔,以分別與暴露的復(fù)合金屬層和暴露的公共電極層接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述復(fù)合金屬層包括:依次設(shè)置在所述基板上的第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述第一金屬層和所述第三金屬層采用鈦制成,所述第二金屬層采用鋁制成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述顯示部還包括與每個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管的漏極相連接的像素電極,所述像素電極與所述電連接層同時(shí)形成,且所述像素電極與所述電連接層彼此獨(dú)立。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述像素電極和所述電連接層均采用氧化銦錫制成。6.—種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法,所述制作方法包括:在基板上形成顯示部以及由所述顯示部的邊沿延伸的非顯示部; 所述顯示部的具體制作方法包括:在基板上形成陣列排布的多個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管,其特征在于,所述非顯示部的具體制作方法包括: 在基板上形成復(fù)合金屬層; 在所述復(fù)合金屬層上形成平坦層; 在所述平坦層中形成第一通孔;所述第一通孔將部分復(fù)合金屬層暴露; 在所述平坦層上形成公共電極層; 形成覆蓋所述公共電極層以及暴露的復(fù)合金屬層的鈍化層; 在所述鈍化層中形成第二通孔和第三通孔;所述第二通孔將部分復(fù)合金屬層暴露,所述第三通孔將部分公共電極層暴露; 在所述鈍化層上形成電連接層;所述電連接層分別填充所述第二通孔和所述第三通孔,以分別與暴露的復(fù)合金屬層和暴露的公共電極層接觸。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法,其特征在于,在基板上形成所述復(fù)合金屬層的具體方法包括: 在所述基板上利用鈦材料形成第一金屬層; 在所述第一金屬層上利用鋁材料形成第二金屬層; 在所述第二金屬層上利用鈦材料形成第三金屬層。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法,其特征在于,所述顯示部的具體制作方法還包括:形成與每個(gè)低溫多晶硅薄膜晶體管的漏極相連接的像素電極;其中,所述像素電極與所述電連接層同時(shí)形成,且所述像素電極與所述電連接層彼此獨(dú)立。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作方法,其特征在于,利用氧化銦錫同時(shí)形成所述像素電極和所述電連接層。10.—種液晶面板,包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,其特征在于,所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板為權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板,或者利用權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)所述的制作方法制成所述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK106054472SQ201610701193
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年8月22日
【發(fā)明人】張占東
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司
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