一種薄膜晶體管、陣列基板、其制作方法及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、陣列基板、其制作方法及顯示裝置，用以解決TFT制作工藝中，光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量偏小，刻蝕溝道時(shí)，源漏極金屬掉的金屬顆粒易污染溝道的問(wèn)題。該方法包括：在襯底基板上依次形成有源層，附加膜層和源漏極的圖形；其中附加膜層的圖形分別設(shè)置在有源層上的兩端，且能夠被源漏極的圖形完全覆蓋；附加膜層與源漏極能夠采用不同的刻蝕液進(jìn)行刻蝕。由于在有源層和源漏極之間增加了附加膜層，可以通過(guò)增加刻蝕液與源漏極金屬的接觸面積，加快源漏極金屬的刻蝕速率，因而可以在少增加刻蝕時(shí)間的前提下，增大光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量，減小在采用干刻蝕法刻蝕溝道時(shí)，金屬顆粒對(duì)溝道的污染。
【專利說(shuō)明】
一種薄膜晶體管、陣列基板、其制作方法及顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板、其制作方法及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，現(xiàn)有的TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶體管)制作工藝中，光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量偏小，采用干刻蝕法刻蝕TFT溝道處N+時(shí)，可能會(huì)由于干法刻蝕工藝的各向異性的性質(zhì)不夠好，造成源漏極金屬掉的金屬顆粒易污染TFT溝道，影響TFT特性，從而引起mura(即顯示器亮度不均勻，造成各種痕跡的現(xiàn)象)等不良，現(xiàn)有的兩種解決方案都存在一定問(wèn)題:
[0003]方案一:減小溝道長(zhǎng)度，易造溝道處成PR膠粘連，不能正常形成溝道，易發(fā)生溝道長(zhǎng)度過(guò)短，甚至造成源極和漏極短路的情況，無(wú)法實(shí)現(xiàn)TFT器件功能；
[0004]方案二:通過(guò)增加刻蝕時(shí)間來(lái)減小源漏極，此工藝容易造成源漏極金屬開(kāi)路及制程時(shí)間增加的問(wèn)題，因?yàn)樵黾釉绰O刻蝕時(shí)間的話，在各處位置線寬都會(huì)相同程度的減小，這樣在一些源漏極金屬走線較窄的位置，很容易出現(xiàn)開(kāi)路的問(wèn)題。
[0005]綜上所述，現(xiàn)有的TFT制作工藝中，光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量偏小，刻蝕TFT溝道處N+時(shí)，源漏極金屬掉的金屬顆粒易污染溝道，影響TFT特性，從而引起mura等不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管、陣列基板、其制作方法及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有的TFT制作工藝中，光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量偏小，刻蝕TFT溝道處N+時(shí)，源漏極金屬掉的金屬顆粒易污染溝道，影響TFT特性，從而引起mura等不良的問(wèn)題。
[0007]因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法，包括:
[0008]在襯底基板上依次形成有源層，附加膜層，以及源漏極的圖形;其中，
[0009]所述附加膜層的圖形分別設(shè)置在所述有源層上的兩端，且能夠被所述源漏極的圖形完全覆蓋;所述附加膜層與所述源漏極能夠采用不同的刻蝕液進(jìn)行刻蝕。
[0010]本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法中，在有源層和源漏電極之間制作一層附加膜層，且附加膜層和源漏極能夠采用不同的刻蝕液進(jìn)行刻蝕，因而本發(fā)明的方法可以通過(guò)先刻蝕附加膜層，使附加膜層與源漏極之間形成偏移量，進(jìn)而在刻蝕源漏極金屬時(shí)，可以在不減小溝道的尺寸的前提下，通過(guò)增加刻蝕液與源漏極金屬的接觸面積，加快源漏極金屬的刻蝕速率，進(jìn)而可以在少增加刻蝕時(shí)間的前提下，增大光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量，減小在采用干刻蝕法刻蝕TFT溝道處N+時(shí)，源漏極金屬掉的金屬顆粒對(duì)TFT溝道的污染，提升了 TFT均一性的效果。同時(shí)由于需要刻蝕的有漏極區(qū)域的刻蝕速率加快，而其它不需要刻蝕的源漏極區(qū)域的刻蝕速率不變，因而可以減小源漏極金屬出現(xiàn)開(kāi)路現(xiàn)象的幾率。[0011 ]較佳的，在襯底基板上依次形成有源層，附加膜層，以及源漏極的圖形，具體包括:
[0012]在襯底基板上依次形成有源層，以及能夠覆蓋所述有源層的附加膜層；
[0013]在所述附加膜層上依次形成一整層的金屬薄膜和具有光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層；
[0014]利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用不同的刻蝕液分別對(duì)所述附加膜層和所述金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，形成小于所述光刻膠保留區(qū)域的圖形的附加膜層的圖形和源漏極的圖形。
[0015]較佳的，利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用不同的刻蝕液分別對(duì)所述附加膜層和所述金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，形成小于所述光刻膠保留區(qū)域的圖形的附加膜層的圖形和源漏極的圖形，具體包括:
[0016]利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第一刻蝕液對(duì)所述金屬薄膜進(jìn)行第一次刻蝕，去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的金屬薄膜，形成與所述光刻膠保留區(qū)域的圖形相同的金屬薄膜的圖形；
[0017]利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第二刻蝕液對(duì)所述附加膜層進(jìn)行刻蝕，去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域，以及部分所述光刻膠保留區(qū)域的附加膜層，得到小于所述金屬薄膜的圖形的附加膜層的圖形；
[0018]利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第一刻蝕液對(duì)所述第一次刻蝕后得到的金屬薄膜的圖形進(jìn)行第二次刻蝕，去除掉所述金屬薄膜的圖形上靠近所述光刻膠完全去除區(qū)域的部分金屬，得到與所述光刻膠保留區(qū)域的圖形有預(yù)設(shè)偏移量的源漏極的圖形；
[0019]利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用干法刻蝕工藝形成所述有源層上的溝道區(qū)域。
[0020]較佳的，在所述附加膜層上形成一整層的金屬薄膜之后，在形成具有光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層之前，還包括:
[0021 ]對(duì)所述附加膜層進(jìn)行氫化處理。
[0022]較佳的，所述在襯底基板上依次形成有源層，附加膜層，以及源極和漏極的圖形之前，還包括:
[0023]在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵極的圖形；
[0024]在形成有所述柵極的圖形的襯底基板上形成柵絕緣層。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管，包括:有源層，源漏極，以及設(shè)置在所述有源層上靠近所述源漏極一側(cè)的附加膜層;其中，
[0026]所述附加膜層的圖形分別設(shè)置在所述有源層上的兩端，且能夠被所述源漏極的圖形完全覆蓋。
[0027]較佳的，所述附加膜層的厚度小于所述源漏極的厚度。
[0028]較佳的，所述附加膜層的圖形在所述有源層上的正投影，位于所述源漏極的圖形在所述有源層上的正投影內(nèi)。
[0029]較佳的，所述附加膜層為經(jīng)過(guò)氫化處理后的膜層。
[0030]較佳的，所述附加膜層的材料為氧化銦錫ΙΤ0。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括:像素電極，以及本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管;其中，所述薄膜晶體管中的附加膜層與所述像素電極同層設(shè)置。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。
【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種薄膜晶體管的制作方法的步驟流程圖；
[0034]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種薄膜晶體管的制作方法的步驟流程圖；
[0036]圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖4b為本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法的整體步驟流程圖；
[0039]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的第四種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，并不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0041]附圖中各層薄膜厚度和區(qū)域大小形狀不反映薄膜晶體管和陣列基板的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0042]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟:在襯底基板上依次形成有源層，附加膜層，以及源漏極的圖形；其中，附加膜層的圖形分別設(shè)置在有源層上的兩端，且能夠被源漏極的圖形完全覆蓋；附加膜層與源漏極能夠采用不同的刻蝕液進(jìn)行刻蝕。
[0043]在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，由于在有源層和源漏極之間增加了附加膜層，可以通過(guò)增加刻蝕液與源漏極金屬的接觸面積，加快源漏極金屬的刻蝕速率，因而可以在少增加刻蝕時(shí)間的前提下，增大光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量，減小在采用干刻蝕法刻蝕TFT溝道處N+時(shí)，源漏極金屬掉的金屬顆粒對(duì)TFT溝道的污染，提升了 TFT均一性的效果。
[0044]目前，現(xiàn)有的TFT制作工藝中，光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量偏小，采用干刻蝕法刻蝕TFT溝道處N+時(shí)，可能會(huì)由于干法刻蝕工藝的各向異性的性質(zhì)不夠好，造成源漏極金屬掉的金屬顆粒易污染TFT溝道，影響TFT特性，從而引起mura等不良的問(wèn)題。
[0045]而現(xiàn)有的解決方案中雖然可以增大光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量，但其制作工藝要么需要減小溝道長(zhǎng)度，易造溝道處成PR膠粘連，不能正常形成溝道;要么因?yàn)樵跍p小源漏極時(shí)增加刻蝕時(shí)間，而造成在一些源漏極金屬走線較窄的位置，很容易出現(xiàn)開(kāi)路的問(wèn)題。
[0046]基于此，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，在有源層和源漏電極之間制作一層附加膜層，且附加膜層和源漏極能夠采用不同的刻蝕液進(jìn)行刻蝕，因而本發(fā)明的方法可以通過(guò)先刻蝕附加膜層，使附加膜層與源漏極之間形成偏移量，進(jìn)而在刻蝕源漏極金屬時(shí)，可以通過(guò)增加刻蝕液與源漏極金屬的接觸面積，加快源漏極金屬的刻蝕速率，減少制程時(shí)間；同時(shí)由于需要刻蝕的有漏極區(qū)域的刻蝕速率加快，而其它不需要刻蝕的源漏極區(qū)域的刻蝕速率不變，因而可以減小源漏極金屬出現(xiàn)開(kāi)路現(xiàn)象的幾率。
[0047]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，在襯底基板上依次形成有源層，附加膜層，以及源漏極的圖形，如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種薄膜晶體管的制作方法的步驟流程圖，具體可以采用如下步驟實(shí)現(xiàn):
[0048]步驟101，在襯底基板上依次形成有源層，以及能夠覆蓋有源層的附加膜層；
[0049]步驟102，在附加膜層上依次形成一整層的金屬薄膜和具有光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層；
[0050]步驟103，利用光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用不同的刻蝕液分別對(duì)附加膜層和金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，形成小于光刻膠保留區(qū)域的圖形的附加膜層的圖形和源漏極的圖形。
[0051 ]在具體實(shí)施時(shí)，在實(shí)現(xiàn)上述步驟101時(shí)，在襯底基板100上依次形成有源層200和能夠覆蓋有源層的附加膜層300時(shí)，如圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，具體可以利用磁控濺射沉積一定厚度的有源層200，優(yōu)選采用非晶硅材料，其易于在低溫下大面積制備，制作技術(shù)較為成熟;之后，利用磁控濺射沉積一層一定厚度的附加膜層300，此時(shí)附加膜層的大小可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，例如可以覆蓋整個(gè)有源層。
[0052]在具體實(shí)施時(shí)，如圖2所示，在實(shí)現(xiàn)上述步驟102在附加膜層300上依次形成一整層的用于制作源漏極的金屬薄膜400和具有掩膜圖形的光刻膠層500，其中光刻膠層500可以使用掩膜板對(duì)光刻膠曝光顯影，以便得到具有光刻膠完全去除區(qū)域a和光刻膠保留區(qū)域b的光刻膠層。
[0053]在具體實(shí)施時(shí)，上述步驟103利用光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，形成小于光刻膠保留區(qū)域的圖形的附加膜層的圖形和源漏極的圖形，可以通過(guò)下述方式實(shí)現(xiàn)，如圖3所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種薄膜晶體管的制作方法的步驟流程圖，具體包括下列步驟:
[0054]步驟1031，利用光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第一刻蝕液對(duì)金屬薄膜進(jìn)行第一次刻蝕，去除掉光刻膠完全去除區(qū)域的金屬薄膜，形成與光刻膠保留區(qū)域的圖形相同的金屬薄膜的圖形；
[0055]步驟1032，利用光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第二刻蝕液對(duì)附加膜層進(jìn)行刻蝕，去除掉光刻膠完全去除區(qū)域，以及部分光刻膠保留區(qū)域的附加膜層，得到小于金屬薄膜的圖形的附加膜層的圖形；
[0056]步驟1033，利用光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第一刻蝕液對(duì)第一次刻蝕后得到的金屬薄膜的圖形進(jìn)行第二次刻蝕，去除掉金屬薄膜的圖形上靠近光刻膠完全去除區(qū)域的部分金屬，得到與光刻膠保留區(qū)域的圖形有預(yù)設(shè)偏移量的源漏極的圖形；
[0057]步驟1034，利用光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用干法刻蝕工藝形成有源層上的溝道區(qū)域。
[0058]在具體實(shí)施時(shí)，在實(shí)現(xiàn)上述步驟1031時(shí)，如圖4a所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，利用光刻膠保留區(qū)域b的光刻膠的遮擋，采用能夠刻蝕金屬薄膜的第一刻蝕液，對(duì)形成的一整層的金屬薄膜進(jìn)行第一次刻蝕，去除掉光刻膠完全去除區(qū)域a的那一部分的金屬薄膜，形成如圖4a所示，金屬薄膜的圖形4001邊緣與光刻膠保留區(qū)域的邊緣齊平的圖形。
[0059]在具體實(shí)施時(shí)，在實(shí)現(xiàn)上述步驟1032時(shí)，如圖4b所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，利用光刻膠保留區(qū)域b的光刻膠的遮擋，采用能夠刻蝕附加膜層的第二刻蝕液，對(duì)覆蓋有源層的附加膜層進(jìn)行刻蝕，去除掉光刻膠完全去除區(qū)域a處的附加膜層，以及部分光刻膠保留區(qū)域的附加膜層c處的附加膜層，得到圖形的尺寸小于金屬薄膜的圖形4001的附加膜層的圖形，以便對(duì)金屬薄膜進(jìn)行第二次刻蝕時(shí)，能夠通過(guò)c區(qū)域，增加刻蝕液與源漏極金屬的接觸面積，加快源漏極金屬的刻蝕速率，進(jìn)而可以在少增加刻蝕時(shí)間的前提下，增大光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量。
[0060]在具體實(shí)施時(shí)，在實(shí)現(xiàn)上述步驟1033時(shí)，得到如圖2所示的薄膜晶體管，在步驟1033中，利用光刻膠保留區(qū)域b的光刻膠的遮擋，采用能夠刻蝕金屬薄膜的第一刻蝕液，對(duì)第一次刻蝕后得到的金屬薄膜的圖形進(jìn)行第二次刻蝕，去除掉金屬薄膜的圖形上靠近光刻膠完全去除區(qū)域(即圖中d所示區(qū)域)的部分金屬，得到與光刻膠保留區(qū)域的圖形有預(yù)設(shè)偏移量d的源漏極的圖形400;其中，上述預(yù)設(shè)偏移量d的數(shù)值可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，較佳的，該預(yù)設(shè)偏移量d為在刻蝕溝道區(qū)域時(shí)源漏極金屬不會(huì)污染溝道的最小偏移量。
[0061 ]在具體實(shí)施時(shí)，在實(shí)現(xiàn)上述步驟1034時(shí)，利用光刻膠保留區(qū)域b的光刻膠的遮擋，采用干法刻蝕工藝形成有源層上的溝道區(qū)域。由于本發(fā)明的方法能夠通過(guò)c區(qū)域，增加刻蝕液與源漏極金屬的接觸面積，加快源漏極金屬的刻蝕速率，進(jìn)而可以在少增加刻蝕時(shí)間的前提下，增大光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量，增加減小在采用干刻蝕法刻蝕TFT溝道處N+時(shí)，源漏極金屬掉的金屬顆粒對(duì)TFT溝道的污染，提升了 TFT均一性的效果。
[0062]在具體實(shí)施時(shí)，在實(shí)現(xiàn)上述步驟1034之后，還需要?jiǎng)冸x所述光刻膠層，得到待制作的薄膜晶體管。
[0063]較佳的，在實(shí)現(xiàn)上述步驟1031之前，還包括:
[0064]首先，在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵極的圖形；
[0065]之后，在形成有柵極的圖形的襯底基板上形成柵絕緣層。
[0066]即在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法應(yīng)用于底柵型薄膜晶體管時(shí)，如圖2所示，先制作柵極600的圖形，之后在柵絕緣層700上按照上述方法依次形成有源層200，附加膜層300，以及源漏極400的圖形，并且，一般還會(huì)在接著制作保護(hù)層，以便在薄膜晶體管應(yīng)用于陣列基板時(shí)，通過(guò)保護(hù)層中的過(guò)孔將薄膜晶體管的漏極與保護(hù)層之上制作的像素電極連接。
[0067]在具體實(shí)施時(shí)，為了減少制程時(shí)間，需要盡量增加附加膜層的刻蝕速率，加快附加膜層的刻蝕，較佳的，在附加膜層上形成一整層的金屬薄膜之后，在形成具有光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層之前，還包括:對(duì)附加膜層進(jìn)行氫化處理。也可以根據(jù)需要對(duì)附加膜層進(jìn)行其它的處理，或者是選擇刻蝕速率較快的材料制作附加膜層。
[0068]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括:制作本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管;在薄膜晶體管上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成附加膜層和像素電極的圖形。附加膜層除了可以同像素電極同層設(shè)置，也可以根據(jù)設(shè)計(jì)需要與其它膜層同層設(shè)置。
[0069]其中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法不限于薄膜晶體管的類型，可以應(yīng)用于頂柵型薄膜晶體管，也可以應(yīng)用于底柵型薄膜晶體管。為了方便說(shuō)明，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中包含的薄膜晶體管為底柵型，如圖5所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法的整體步驟流程圖，包括以下步驟:
[0070]步驟501，在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵極的圖形；
[0071]步驟502，在形成有柵極的圖形的襯底基板上形成柵絕緣層；
[0072]步驟503，在襯底基板上依次形成有源層，以及能夠覆蓋有源層的附加膜層；
[0073]步驟504，在附加膜層上依次形成一整層的金屬薄膜和具有光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層；
[0074]步驟505，利用光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第一刻蝕液對(duì)金屬薄膜進(jìn)行第一次刻蝕，去除掉光刻膠完全去除區(qū)域的金屬薄膜，形成與光刻膠保留區(qū)域的圖形相同的金屬薄膜的圖形；
[0075]步驟506，利用光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第二刻蝕液對(duì)附加膜層進(jìn)行刻蝕，去除掉光刻膠完全去除區(qū)域，以及部分光刻膠保留區(qū)域的附加膜層，得到小于金屬薄膜的圖形的附加膜層的圖形；
[0076]步驟507，利用光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第一刻蝕液對(duì)第一次刻蝕后得到的金屬薄膜的圖形進(jìn)行第二次刻蝕，去除掉金屬薄膜的圖形上靠近光刻膠完全去除區(qū)域的部分金屬，得到與光刻膠保留區(qū)域的圖形有預(yù)設(shè)偏移量的源漏極的圖形；
[0077]步驟508，利用光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用干法刻蝕工藝形成有源層上的溝道區(qū)域。
[0078]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括:有源層200，源漏極400，以及設(shè)置在有源層200上靠近源漏極400—側(cè)的附加膜層300;其中，附加膜層300的圖形分別設(shè)置在有源層200上的兩端，且能夠被源漏極400的圖形完全覆蓋。如圖2所示，附加膜層300位于有源層200和源漏極400之間，且附加膜層300的圖形能夠被源漏極400的圖形完全覆蓋。
[0079]如圖2所示，為了加快附加膜層的刻蝕，減少制程時(shí)間，較佳的，附加膜層的厚度小于源漏極的厚度。這樣不僅能夠通過(guò)附加膜層和源漏極之間的偏移量，增加刻蝕液與源漏極的接觸面積，且不會(huì)因?yàn)榭涛g附加膜層而增加過(guò)多的制程時(shí)間。
[0080]在具體實(shí)施時(shí)，附加膜層的圖形大小，可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置，如圖2所示，附加膜層上遠(yuǎn)離溝道區(qū)域的一端與有源層的邊緣齊平;也可以根據(jù)需要減少附加膜層的圖形，較佳的，附加膜層的圖形在有源層上的正投影，位于源漏極的圖形在有源層上的正投影內(nèi)。如圖6所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的第四種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中附加膜層上遠(yuǎn)離溝道區(qū)域的一端與有源層的邊緣有一定的偏移量。
[0081]在具體實(shí)施時(shí)，為了增加附加膜層的刻蝕獨(dú)立，較佳的，附加膜層為經(jīng)過(guò)氫化處理后的膜層。為了不增加掩膜版的數(shù)量，因而附加膜層可以與像素電極同層設(shè)置，較佳的，附加膜層的材料為氧化銦錫ΙΤ0。
[0082]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括:像素電極，以及本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管;其中，薄膜晶體管中的附加膜層與像素電極同層設(shè)置。
[0083]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)上述陣列基板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0084]綜上所述，本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法中，在有源層和源漏電極之間制作一層附加膜層，且附加膜層和源漏極能夠采用不同的刻蝕液進(jìn)行刻蝕，因而本發(fā)明的方法可以通過(guò)先刻蝕附加膜層，使附加膜層與源漏極之間形成偏移量，進(jìn)而在刻蝕源漏極金屬時(shí)，可以在不減小溝道的尺寸的前提下，通過(guò)增加刻蝕液與源漏極金屬的接觸面積，加快源漏極金屬的刻蝕速率，進(jìn)而可以在少增加刻蝕時(shí)間的前提下，增大光刻膠和源漏極金屬之間的刻蝕偏移量，減小在采用干刻蝕法刻蝕TFT溝道處N+時(shí)，源漏極金屬掉的金屬顆粒對(duì)TFT溝道的污染，提升了 TFT均一性的效果。同時(shí)由于需要刻蝕的有漏極區(qū)域的刻蝕速率加快，而其它不需要刻蝕的源漏極區(qū)域的刻蝕速率不變，因而可以減小源漏極金屬出現(xiàn)開(kāi)路現(xiàn)象的幾率。
[0085]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上依次形成有源層，附加膜層，以及源漏極的圖形;其中， 所述附加膜層的圖形分別設(shè)置在所述有源層上的兩端，且能夠被所述源漏極的圖形完全覆蓋;所述附加膜層與所述源漏極能夠采用不同的刻蝕液進(jìn)行刻蝕。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底基板上依次形成有源層，附加膜層，以及源漏極的圖形，具體包括: 在襯底基板上依次形成有源層，以及能夠覆蓋所述有源層的附加膜層； 在所述附加膜層上依次形成一整層的金屬薄膜和具有光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層； 利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用不同的刻蝕液分別對(duì)所述附加膜層和所述金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，形成小于所述光刻膠保留區(qū)域的圖形的附加膜層的圖形和源漏極的圖形。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用不同的刻蝕液分別對(duì)所述附加膜層和所述金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，形成小于所述光刻膠保留區(qū)域的圖形的附加膜層的圖形和源漏極的圖形，具體包括: 利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第一刻蝕液對(duì)所述金屬薄膜進(jìn)行第一次刻蝕，去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的金屬薄膜，形成與所述光刻膠保留區(qū)域的圖形相同的金屬薄膜的圖形； 利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第二刻蝕液對(duì)所述附加膜層進(jìn)行刻蝕，去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域，以及部分所述光刻膠保留區(qū)域的附加膜層，得到小于所述金屬薄膜的圖形的附加膜層的圖形； 利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用第一刻蝕液對(duì)所述第一次刻蝕后得到的金屬薄膜的圖形進(jìn)行第二次刻蝕，去除掉所述金屬薄膜的圖形上靠近所述光刻膠完全去除區(qū)域的部分金屬，得到與所述光刻膠保留區(qū)域的圖形有預(yù)設(shè)偏移量的源漏極的圖形；利用所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，采用干法刻蝕工藝形成所述有源層上的溝道區(qū)域。4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述附加膜層上形成一整層的金屬薄膜之后，在形成具有光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層之前，還包括: 對(duì)所述附加膜層進(jìn)行氫化處理。5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上依次形成有源層，附加膜層，以及源極和漏極的圖形之前，還包括: 在襯底基板上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵極的圖形； 在形成有所述柵極的圖形的襯底基板上形成柵絕緣層。6.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括:有源層，源漏極，以及設(shè)置在所述有源層上靠近所述源漏極一側(cè)的附加膜層;其中， 所述附加膜層的圖形分別設(shè)置在所述有源層上的兩端，且能夠被所述源漏極的圖形完全覆蓋。7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述附加膜層的厚度小于所述源漏極的厚度。8.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述附加膜層的圖形在所述有源層上的正投影，位于所述源漏極的圖形在所述有源層上的正投影內(nèi)。9.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述附加膜層為經(jīng)過(guò)氫化處理后的膜層。10.如權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述附加膜層的材料為氧化銦錫ITO。11.一種陣列基板，其特征在于，包括:像素電極，以及如權(quán)利要求6-10任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管;其中，所述薄膜晶體管中的附加膜層與所述像素電極同層設(shè)置。12.—種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置包括權(quán)利要求11所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L29/786GK106024641SQ201610617050
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年7月29日
【發(fā)明人】馬俊才, 李寧, 楊杰
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司