低溫多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低溫多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置，屬于顯示器領(lǐng)域。所述方法包括：在襯底基板上形成金屬圖案；在所述金屬圖案上形成包覆所述金屬圖案的緩沖層；除去所述緩沖層中的所述金屬圖案，使得所述緩沖層中形成空腔結(jié)構(gòu)；在所述緩沖層上形成低溫多晶硅薄膜。低溫多晶硅生長時，空腔結(jié)構(gòu)冷卻速度較慢有利于晶粒成核后長大，從而形成較大的晶粒，因此設(shè)計該空腔結(jié)構(gòu)可以形成較大晶粒，晶粒尺寸較大，相應(yīng)的晶界及缺陷就會較少，從而解決了低溫多晶硅薄膜中由于晶界和缺陷的大量存在，及晶界和缺陷的不均勻分布，導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓和遷移率的均勻性不佳的問題。
【專利說明】
低溫多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示器領(lǐng)域，特別涉及一種低溫多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(ActiveMatrix/Organic Light Emitting D1de，簡稱AMOLED)顯示技術(shù)憑借高畫質(zhì)、低功耗、寬視角及超輕超薄等優(yōu)點，成為了未來顯示技術(shù)的最好選擇。目前AMOLED顯示技術(shù)中薄膜晶體管的有源層一般采用載流子迀移率較高的低溫多晶硅薄膜實現(xiàn)。
[0003]現(xiàn)有的低溫多晶硅薄膜中由于晶界和缺陷的大量存在，且晶界和缺陷的不均勻分布，導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓和迀移率的均勻性不佳，尤其是當(dāng)薄膜晶體管尺寸縮小時，晶界及缺陷分布不均勻性體現(xiàn)的更為明顯，導(dǎo)致閾值電壓和迀移率的均勻性不佳的問題變得更為嚴(yán)重。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決由于晶界和缺陷的大量存在，及晶界和缺陷的不均勻分布，導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓和迀移率的均勻性不佳的問題，本發(fā)明實施例提供了一種低溫多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0005]第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種低溫多晶硅薄膜制作方法，所述方法包括:
[0006]在襯底基板上形成金屬圖案；
[0007]在所述金屬圖案上形成包覆所述金屬圖案的緩沖層；
[0008]除去所述緩沖層中的所述金屬圖案，使得所述緩沖層中形成空腔結(jié)構(gòu)；
[0009]在所述緩沖層上形成低溫多晶硅薄膜。
[0010]在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，所述金屬圖案為鉬Mo金屬圖案或銀Ag金屬圖案。
[0011]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述除去所述緩沖層中的所述金屬圖案，使得所述緩沖層中形成空腔結(jié)構(gòu)，包括:
[0012]在所述緩沖層上形成連通所述金屬圖案的過孔；
[0013]利用所述過孔進(jìn)行濕法刻蝕，除去所述金屬圖案。
[0014]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述過孔與所述金屬圖案的邊緣相連。
[0015]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述在所述緩沖層上形成低溫多晶硅薄膜，包括:
[0016]在所述緩沖層上方沉積非晶硅層；
[0017]利用準(zhǔn)分子激光退火工藝處理所述非晶硅層，形成所述低溫多晶硅薄膜。
[0018]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述準(zhǔn)分子激光退火工藝中使用的激光的能量為 350mJ/cm2 ?450mJ/cm2。
[0019]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述在所述緩沖層上形成低溫多晶硅薄膜，還包括:
[0020]在形成所述非晶硅層后，對形成有所述非晶硅層的所述襯底基板進(jìn)行去氫處理。
[0021]第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括:
[0022]襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的緩沖層、設(shè)置在所述緩沖層上的低溫多晶硅薄膜、設(shè)置在所述低溫多晶硅薄膜上柵極、源極和漏極，所述襯底基板和所述緩沖層之間具有一空腔結(jié)構(gòu)。
[0023]在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，所述緩沖層上設(shè)有連通所述空腔結(jié)構(gòu)的過孔。
[0024]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述過孔與所述空腔結(jié)構(gòu)的邊緣相連。
[0025]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述緩沖層包括設(shè)置在所述襯底基板上的SiNx子層和設(shè)置在所述SiNx子層上的S12子層，X為正數(shù)。
[0026]在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述SiNx子層的厚度為279-321nm，所述S12子層的厚度為95-105nm。
[0027]第三方面，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括第二方面任一項所述的薄膜晶體管。
[0028]第四方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第三方面所述的陣列基板。
[0029]本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0030]本發(fā)明通過在緩沖層下設(shè)計空腔結(jié)構(gòu)，再在緩沖層上制作低溫多晶硅薄膜，由于空氣的熱傳導(dǎo)速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于緩沖層，因此空腔結(jié)構(gòu)可以在低溫多晶硅生長過程中起到保溫作用，而低溫多晶硅生長時，空腔結(jié)構(gòu)冷卻速度較慢有利于晶粒成核后長大，從而形成較大的晶粒，因此設(shè)計該空腔結(jié)構(gòu)可以形成較大晶粒，晶粒尺寸較大，相應(yīng)的晶界及缺陷就會較少，從而解決了低溫多晶硅薄膜中由于晶界和缺陷的大量存在，及晶界和缺陷的不均勻分布，導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓和迀移率的均勻性不佳的問題。
【附圖說明】
[0031]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0032]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種低溫多晶硅薄膜制作方法的流程圖；
[0033]圖2是本發(fā)明實施例提供的另一種低溫多晶硅薄膜制作方法的流程圖；
[0034]圖3是本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅薄膜制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖4是本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅薄膜制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖5是本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅薄膜制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖6是本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅薄膜制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖7是本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅薄膜制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖8是本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅薄膜制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖9是本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅薄膜制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041 ]圖10是本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖11是本發(fā)明實施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0043]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0044]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種低溫多晶硅薄膜制作方法的流程圖，參見圖1，該方法包括:
[0045]步驟101:在襯底基板上形成金屬圖案。
[0046]其中，襯底基板可以是玻璃基板、塑料基板、硅基板等。金屬圖案可以為鉬Mo金屬圖案或銀Ag金屬圖案。
[0047]步驟102:在金屬圖案上形成包覆金屬圖案的緩沖層。
[0048]步驟103:除去緩沖層中的金屬圖案，使得緩沖層中形成空腔結(jié)構(gòu)。
[0049]其中，空腔結(jié)構(gòu)是指位于襯底基板和緩沖層之間的中空的區(qū)域。
[0050]步驟104:在緩沖層上形成低溫多晶硅薄膜。
[0051]本發(fā)明通過在緩沖層下設(shè)計空腔結(jié)構(gòu)，再在緩沖層上制作低溫多晶硅薄膜，由于空氣的熱傳導(dǎo)速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于緩沖層，因此空腔結(jié)構(gòu)可以在低溫多晶硅生長過程中起到保溫作用，而低溫多晶硅生長時，空腔結(jié)構(gòu)冷卻速度較慢有利于晶粒成核后長大，從而形成較大的晶粒，因此設(shè)計該空腔結(jié)構(gòu)可以形成較大晶粒，晶粒尺寸較大，相應(yīng)的晶界及缺陷就會較少，從而解決了低溫多晶硅薄膜中由于晶界和缺陷的大量存在、及晶界和缺陷的不均勻分布，導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓和迀移率的均勻性不佳的問題。
[0052]圖2是本發(fā)明實施例提供的另一種低溫多晶硅薄膜制作方法的流程圖，參見圖2，該方法包括:
[0053]步驟201:在襯底基板上形成一金屬層。
[0054]如圖3所示，在襯底基板10上形成一金屬層11a。
[0055]具體地，步驟201可以包括:采用涂敷、濺射、沉積等工藝在襯底上形成金屬層。金屬層可以為鉬Mo金屬層或銀Ag金屬層，采用Mo或Ag形成金屬圖案，方便在后續(xù)步驟中通過濕法刻蝕除去形成鏤空。金屬層的厚度可以為10-30nm(納米)。
[0056]其中，襯底基板可以是玻璃基板、塑料基板、硅基板等。在步驟201之前，該方法還可以包括:對襯底基板進(jìn)行清洗。
[0057]步驟202:采用構(gòu)圖工藝處理金屬層，形成金屬圖案。
[0058]如圖4所示，對金屬層Ila進(jìn)行處理，得到金屬圖案11。
[0059]具體地，步驟202可以包括:利用曝光、顯影、刻蝕等工藝完成金屬層的圖形化，形成金屬圖案。金屬圖案的形狀可以根據(jù)不同溝道形狀進(jìn)行設(shè)計，例如將金屬圖案的形狀設(shè)計成溝道相同的形狀，具體形狀可以是S形，L形或者拱橋形。
[0060]步驟203:在金屬圖案上形成包覆金屬圖案的緩沖層。
[0061]如圖5所示，在金屬圖案11上形成包覆金屬圖案11的緩沖層12。
[0062]具體地，步驟203可以包括:在金屬圖案上形成SiNx子層;在SiNx子層上形成S12子層，X為整數(shù)。上述SiNx子層和S12子層可以利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposit1n，簡稱PECVD)技術(shù)沉積得到。
[0063]其中，SiNx子層的厚度可以為279-321nm，Si02子層的厚度可以為95-105nm。緩沖層厚度太小，無法起到緩沖層作用;緩沖層厚度太大，造成最終形成的顯示器件厚度過大。
[0064]步驟204:在緩沖層上形成連通金屬圖案的過孔。
[0065]如圖6所示，在緩沖層12上形成連通金屬圖案11的過孔12a。
[0066]具體地，步驟204可以包括:通過干刻工藝在緩沖層上形成過孔。
[0067]其中，過孔與金屬圖案的邊緣相連。將過孔設(shè)置在金屬圖案的邊緣處，避免在金屬圖案中部開孔，導(dǎo)致多晶硅生長異常影響后續(xù)薄膜晶體管特性。
[0068]圖6所示的過孔12a位于金屬圖案11的側(cè)面;在其他實現(xiàn)方式中，過孔12a還可以位于金屬圖案11的邊緣的上方。
[0069]步驟205:利用過孔進(jìn)行濕法刻蝕，除去金屬圖案形成空腔結(jié)構(gòu)。
[0070]如圖7所示，除去金屬圖案11形成空腔結(jié)構(gòu)13。
[0071 ]具體地，步驟205可以包括:將襯底基板浸泡于金屬的刻蝕液中去除剩余金屬圖案，形成空腔結(jié)構(gòu)。當(dāng)將襯底基板浸泡于金屬的刻蝕液中時，刻蝕液通過過孔與金屬圖案接觸，從而對金屬圖案進(jìn)行腐蝕。通過濕法刻蝕工藝除去金屬圖案，操作方便，不會破壞其他膜層。
[0072]其中，刻蝕液可以為乙酸CH3C00H、磷酸H3PO4和硝酸HNO3的混合液。
[0073]步驟206:在緩沖層上方沉積非晶硅層。
[0074]如圖8所示，在緩沖層12上沉積非晶娃層14。
[0075]具體地，步驟206可以包括:利用PECVD技術(shù)在緩沖層上方沉積非晶硅層。
[0076]步驟207:對形成有非晶硅層的襯底基板進(jìn)行去氫處理。
[0077]對非晶硅層進(jìn)行去氫工藝，防止后續(xù)準(zhǔn)分子激光退火工藝產(chǎn)生氫爆。
[0078]具體地，步驟207可以包括:將形成有非晶硅層的襯底放入高溫爐中進(jìn)行去氫處理，高溫爐的溫度為450-490 °C，去氫處理的時間為90-120min。高溫爐的溫度太低或者去氫處理的時間太短，無法除盡非晶硅中的氫，高溫爐的溫度太高或者去氫處理的時間太長，可能會對其他膜層造成影響。
[0079]步驟208:利用準(zhǔn)分子激光退火工藝處理非晶硅層，形成低溫多晶硅薄膜。
[0080]如圖9所示，利用準(zhǔn)分子激光退火工藝處理非晶硅層14，形成低溫多晶硅薄膜15。[0081 ] 其中，準(zhǔn)分子激光退火工藝中使用的激光的能量為350mJ/cm2?450mJ/cm2，保證低溫多晶硅的正常形成。
[0082]本發(fā)明通過在緩沖層下設(shè)計空腔結(jié)構(gòu)，再在緩沖層上制作低溫多晶硅薄膜，由于空氣的熱傳導(dǎo)速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于緩沖層，因此空腔結(jié)構(gòu)可以在低溫多晶硅生長過程中起到保溫作用，而低溫多晶硅生長時，空腔結(jié)構(gòu)冷卻速度較慢有利于晶粒成核后長大，從而形成較大的晶粒，因此設(shè)計該空腔結(jié)構(gòu)可以形成較大晶粒，晶粒尺寸較大，相應(yīng)的晶界及缺陷就會較少，從而解決了低溫多晶硅薄膜中由于晶界和缺陷的大量存在，及晶界和缺陷的不均勻分布，導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓和迀移率的均勻性不佳的問題。
[0083]圖10是本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖10，該薄膜晶體管包括:
[0084]襯底基板10、設(shè)置在襯底基板10上的緩沖層12、設(shè)置在緩沖層上的低溫多晶硅薄膜15、設(shè)置在低溫多晶硅薄膜15上的柵極16、源極17和漏極18，襯底基板10和緩沖層12之間具有一空腔結(jié)構(gòu)13。
[0085]本發(fā)明通過在緩沖層下設(shè)計空腔結(jié)構(gòu)，再在緩沖層上制作低溫多晶硅薄膜，由于空氣的熱傳導(dǎo)速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于緩沖層，因此空腔結(jié)構(gòu)可以在低溫多晶硅生長過程中起到保溫作用，而低溫多晶硅生長時，空腔結(jié)構(gòu)冷卻速度較慢有利于晶粒成核后長大，從而形成較大的晶粒，因此設(shè)計該空腔結(jié)構(gòu)可以形成較大晶粒，晶粒尺寸較大，相應(yīng)的晶界及缺陷就會較少，從而解決了低溫多晶硅薄膜中由于晶界和缺陷的大量存在，及晶界和缺陷的不均勻分布，導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓和迀移率的均勻性不佳的問題。
[0086]如圖10所示的薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管，該薄膜晶體管還包括第一絕緣層19和第二絕緣層20。第一絕緣層19設(shè)置在低溫多晶硅薄膜15上，柵極16設(shè)置在第一絕緣層19上，第二絕緣層20覆蓋在柵極16上，源極17和漏極18設(shè)置在第二絕緣層20上。
[0087]圖11是本發(fā)明實施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，該薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)與圖10相比，僅柵極、源極和漏極設(shè)置方式不同。具體地，該薄膜晶體管包括第一絕緣層19，源極17和漏極18設(shè)置在低溫多晶硅薄膜15上，第一絕緣層19設(shè)置在源極17和漏極18上，柵極16設(shè)置在第一絕緣層19上。
[0088]在圖10和圖11提供的薄膜晶體管中，緩沖層12上設(shè)有連通空腔結(jié)構(gòu)13的過孔12a。過孔用于通過濕法刻蝕工藝除去設(shè)置在襯底基板10上的金屬圖案形成上述空腔結(jié)構(gòu)。
[0089]進(jìn)一步地，過孔12a與空腔結(jié)構(gòu)13的邊緣相連。將過孔設(shè)置在空腔結(jié)構(gòu)的邊緣處，避免在空腔結(jié)構(gòu)中部開孔，導(dǎo)致多晶硅生長異常影響后續(xù)TFT特性。
[0090]在圖10和圖11提供的薄膜晶體管中，緩沖層12包括設(shè)置在襯底基板上的SiNx子層和設(shè)置在SiNx子層上的S12子層，X為正數(shù)。
[0091]進(jìn)一步地，SiNx子層的厚度可以為279-321nm，Si02子層的厚度可以為95-105nm。
[0092]在本發(fā)明實施例中，柵極16、源極17和漏極18均為金屬電極。例如，鋁Al、銅Cu、鉬Mo、鈦T1、絡(luò)Cr等金屬電極。
[0093]在本發(fā)明實施例中，第一絕緣層19和第二絕緣層20可以為氮化硅或氮氧化硅層。
[0094]需要說明的是，上述薄膜晶體管還可以包括更多的膜層，只要其可以實現(xiàn)薄膜晶體管的功能即可。
[0095]本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，陣列基板包括圖10或11提供的薄膜晶體管。
[0096]本發(fā)明通過在緩沖層下設(shè)計空腔結(jié)構(gòu)，再在緩沖層上制作低溫多晶硅薄膜，由于空氣的熱傳導(dǎo)速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于緩沖層，因此空腔結(jié)構(gòu)可以在低溫多晶硅生長過程中起到保溫作用，而低溫多晶硅生長時，空腔結(jié)構(gòu)冷卻速度較慢有利于晶粒成核后長大，從而形成較大的晶粒，因此設(shè)計該空腔結(jié)構(gòu)可以形成較大晶粒，晶粒尺寸較大，相應(yīng)的晶界及缺陷就會較少，從而解決了低溫多晶硅薄膜中由于晶界和缺陷的大量存在，及晶界和缺陷的不均勻分布，導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓和迀移率的均勻性不佳的問題。
[0097]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，顯示裝置包括前述陣列基板。
[0098]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0099]本發(fā)明通過在緩沖層下設(shè)計空腔結(jié)構(gòu)，再在緩沖層上制作低溫多晶硅薄膜，由于空氣的熱傳導(dǎo)速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于緩沖層，因此空腔結(jié)構(gòu)可以在低溫多晶硅生長過程中起到保溫作用，而低溫多晶硅生長時，空腔結(jié)構(gòu)冷卻速度較慢有利于晶粒成核后長大，從而形成較大的晶粒，因此設(shè)計該空腔結(jié)構(gòu)可以形成較大晶粒，晶粒尺寸較大，相應(yīng)的晶界及缺陷就會較少，從而解決了低溫多晶硅薄膜中由于晶界和缺陷的大量存在，及晶界和缺陷的不均勻分布，導(dǎo)致薄膜晶體管的閾值電壓和迀移率的均勻性不佳的問題。
[0100]以上僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種低溫多晶硅薄膜制作方法，其特征在于，所述方法包括: 在襯底基板上形成金屬圖案； 在所述金屬圖案上形成包覆所述金屬圖案的緩沖層； 除去所述緩沖層中的所述金屬圖案，使得所述緩沖層中形成空腔結(jié)構(gòu)； 在所述緩沖層上形成低溫多晶硅薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬圖案為鉬Mo金屬圖案或銀Ag金屬圖案。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述除去所述緩沖層中的所述金屬圖案，使得所述緩沖層中形成空腔結(jié)構(gòu)，包括: 在所述緩沖層上形成連通所述金屬圖案的過孔； 利用所述過孔進(jìn)行濕法刻蝕，除去所述金屬圖案。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述過孔與所述金屬圖案的邊緣相連。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述緩沖層上形成低溫多晶硅薄膜，包括: 在所述緩沖層上方沉積非晶硅層； 利用準(zhǔn)分子激光退火工藝處理所述非晶硅層，形成所述低溫多晶硅薄膜。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述準(zhǔn)分子激光退火工藝中使用的激光的能量為 350mJ/cm2 ?450mJ/cm2。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述緩沖層上形成低溫多晶硅薄膜，還包括: 在形成所述非晶硅層后，對形成有所述非晶硅層的所述襯底基板進(jìn)行去氫處理。8.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括: 襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的緩沖層、設(shè)置在所述緩沖層上的低溫多晶硅薄膜、設(shè)置在所述低溫多晶硅薄膜上柵極、源極和漏極，所述襯底基板和所述緩沖層之間具有一空腔結(jié)構(gòu)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述緩沖層上設(shè)有連通所述空腔結(jié)構(gòu)的過孔。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述過孔與所述空腔結(jié)構(gòu)的邊緣相連。11.根據(jù)權(quán)利要求8至10任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述緩沖層包括設(shè)置在所述襯底基板上的SiNx子層和設(shè)置在所述SiNx子層上的S12子層，X為正數(shù)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述SiNx子層的厚度為279-321nm，所述S12子層的厚度為95-105nm。13.—種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括如權(quán)利要求8至12任一項所述的薄膜晶體管。14.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求13所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/324GK105957805SQ201610500820
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年6月29日
【發(fā)明人】李小龍, 高山鎮(zhèn), 劉政, 敏健, 張慧娟
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司