屬電阻元件區(qū)域形成的至少一個(gè)第I配線層的方式連接。
[0264](11)在(9)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，金屬電阻元件區(qū)域中的電阻元件區(qū)域?qū)щ妼印⒑驮诓皇墙饘匐娮柙^(qū)域的配線區(qū)域中從多個(gè)第2配線層中的至少一個(gè)第2配線層延伸成到達(dá)多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層的配線區(qū)域?qū)щ妼?、在與主表面交叉的方向上的深度相等。
[0265](12)關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法，首先在基板的主表面上形成至少一個(gè)第I配線層以及金屬電阻元件層。第I絕緣膜以覆蓋第I配線層以及金屬電阻元件層的上表面的方式形成。多個(gè)導(dǎo)電層以從第I絕緣膜的上表面沿與主表面交叉的方向朝向金屬電阻元件層延伸的方式形成。多個(gè)第2配線層在第I絕緣膜上以分別覆蓋多個(gè)導(dǎo)電層的方式形成。在形成上述金屬電阻元件層的工序中，在比多個(gè)第2配線層在與主表面交叉的方向上靠第I配線層側(cè)且在多個(gè)第2配線層中的至少一個(gè)第2配線層的正下方形成金屬電阻元件層。多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)導(dǎo)電層配置于與金屬電阻元件層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域，并且是以從多個(gè)第2配線層中的在金屬電阻元件區(qū)域配置的至少一個(gè)第2配線層到達(dá)金屬電阻元件層的方式連接的電阻元件區(qū)域?qū)щ妼印６鄠€(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)導(dǎo)電層是在不是金屬電阻元件區(qū)域的配線區(qū)域中從多個(gè)第2配線層中的至少一個(gè)第2配線層延伸成到達(dá)至少一個(gè)第I配線層的配線區(qū)域?qū)щ妼?。電阻元件區(qū)域?qū)щ妼雍团渚€區(qū)域?qū)щ妼釉谂c主表面交叉的方向上的深度相等。
[0266](13)在(12)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，第I絕緣膜包括覆蓋至少一個(gè)第I配線層的上表面以及形成有至少一個(gè)第I配線層的表面這雙方的薄膜絕緣層。金屬電阻元件層形成為覆蓋薄膜絕緣層的上表面。
[0267](14)關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法，首先在基板的主表面上形成多個(gè)第I配線層。第I絕緣膜以覆蓋多個(gè)第I配線層的上表面的方式形成。形成多個(gè)導(dǎo)電層，該多個(gè)導(dǎo)電層在第I絕緣膜的上表面中分別從與多個(gè)第I配線層在平面上重疊的區(qū)域沿與主表面交叉的方向延伸到多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層。在第I絕緣膜的上表面上的多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)導(dǎo)電層的正上方形成至少一個(gè)金屬電阻元件層。在第I絕緣膜上形成多個(gè)第2配線層。至少一個(gè)金屬電阻元件層的上表面被多個(gè)第2配線層中的至少一個(gè)覆蓋。
[0268](15)在(14)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，形成多個(gè)金屬電阻元件層。形成上述至少一個(gè)金屬電阻元件層的工序包括形成金屬配線層的工序和形成對(duì)金屬配線層的上表面進(jìn)行覆蓋的防反射膜層的工序。在形成上述至少一個(gè)金屬電阻元件層的工序中形成有由構(gòu)成金屬電阻元件層的金屬配線層及防反射膜層和覆蓋防反射膜層的上表面的第2配線層構(gòu)成電容元件的第I金屬電阻元件層以及通過(guò)多個(gè)導(dǎo)電層分別與多個(gè)第I配線層連接的第2金屬電阻元件層。
[0269](16)在(15)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在形成上述多個(gè)第2配線層的工序中，形成以覆蓋第I以及第2金屬電阻元件層各自的上表面的方式形成的多個(gè)保護(hù)用第2配線層、和在與第I以及第2金屬電阻元件層相同的層與金屬電阻元件層隔開(kāi)間隔地配置的至少一個(gè)配線用第2配線層這雙方。
[0270](17)在(16)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在第I絕緣膜上形成第2絕緣膜，從而覆蓋構(gòu)成電容元件的保護(hù)用第2配線層的上表面。形成從電容元件沿與主表面交叉的方向朝向與基板相反的方向延伸的其他導(dǎo)電層。在第2絕緣膜上的電容元件的正上方形成第3配線層。其他導(dǎo)電層與第3配線層連接。
[0271](18)在(16)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在第I絕緣膜上形成第2絕緣膜，從而覆蓋配線用第2配線層的上表面。形成從配線用第2配線層的上表面沿與主表面交叉的方向朝向與基板相反的方向延伸的其他導(dǎo)電層。在第2絕緣膜上的配線用第2配線層的正上方形成第3配線層。其他導(dǎo)電層與第3配線層連接。
[0272](19)在(14)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在形成上述多個(gè)導(dǎo)電層的工序中，多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)配置于與金屬電阻元件層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域，并且作為以從至少一個(gè)金屬電阻元件層到達(dá)多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層的方式連接的電阻元件區(qū)域?qū)щ妼佣纬伞６鄠€(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)形成為在不是金屬電阻元件區(qū)域的配線區(qū)域中從多個(gè)第2配線層中的至少一個(gè)第2配線層延伸成到達(dá)多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層的配線區(qū)域?qū)щ妼印?br>[0273](20)在(19)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，其他金屬電阻元件層在金屬電阻元件區(qū)域中以覆蓋對(duì)金屬電阻元件層的上表面進(jìn)行覆蓋的第2配線層的上表面以及側(cè)面中的至少任一方的方式形成。
[0274](21)在(20)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，配線區(qū)域中的第2配線層的上表面以及側(cè)面中的至少任一方被其他金屬電阻元件層覆蓋。
[0275](22)關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法，首先在基板的主表面上形成多個(gè)第I配線層。第I絕緣膜以覆蓋多個(gè)第I配線層的上表面的方式形成。形成在第I絕緣膜的上表面中從與多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層在平面上重疊的區(qū)域沿與主表面交叉的方向延伸到多個(gè)第I配線層的至少一個(gè)第I配線層的至少一個(gè)導(dǎo)電層。在第I絕緣膜的上表面上的、至少一個(gè)導(dǎo)電層的正上方形成金屬電阻元件層。第2絕緣膜以覆蓋金屬電阻元件層以及第I絕緣膜的上表面的方式形成。在第2絕緣膜的上表面形成至少一個(gè)其他導(dǎo)電層，該至少一個(gè)其他導(dǎo)電層從在形成導(dǎo)電層的工序中未形成導(dǎo)電層的與多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層在平面上重疊的區(qū)域沿與主表面交叉的方向延伸到未形成至少一個(gè)導(dǎo)電層的第I配線層。在第2絕緣膜上形成至少一個(gè)第2配線層，從而覆蓋至少一個(gè)其他導(dǎo)電層。
[0276](23)關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法，首先在基板的主表面上形成至少一個(gè)第I配線層。第I絕緣膜以覆蓋至少一個(gè)第I配線層的上表面的方式形成。在第I絕緣膜的上表面上的、除了至少一個(gè)第I配線層的正上方以外的區(qū)域形成金屬電阻元件層。第2絕緣膜以覆蓋金屬電阻元件層以及第I絕緣膜的上表面的方式形成。形成從第2絕緣膜的上表面沿與主表面交叉的方向朝向金屬電阻元件層延伸的多個(gè)導(dǎo)電層。在第2絕緣膜上形成多個(gè)第2配線層，從而分別覆蓋多個(gè)導(dǎo)電層。多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)導(dǎo)電層從第2配線層沿與主表面交叉的方向延伸到金屬電阻元件層。
[0277](24)在(23)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在形成上述多個(gè)導(dǎo)電層的工序中，多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)延伸到金屬電阻元件層的導(dǎo)電層形成為配置在與金屬電阻元件層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域中的電阻元件區(qū)域?qū)щ妼印６鄠€(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)導(dǎo)電層形成為在不是金屬電阻元件區(qū)域的配線區(qū)域中從多個(gè)第2配線層中的至少一個(gè)第2配線層延伸成到達(dá)至少一個(gè)第I配線層的配線區(qū)域?qū)щ妼印?br>[0278](25)關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法，首先在基板的主表面上形成多個(gè)第I配線層。第I絕緣膜以覆蓋多個(gè)第I配線層的上表面的方式形成。形成在第I絕緣膜的上表面中從多個(gè)第I配線層分別在平面上重疊的區(qū)域沿與主表面交叉的方向延伸到多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層的多個(gè)導(dǎo)電層。在第I絕緣膜的上表面上，在多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)導(dǎo)電層的正上方形成具有至少一個(gè)金屬電阻元件層的金屬電阻元件區(qū)域。在第I絕緣膜上以與至少一個(gè)第I配線層在平面上重疊的方式形成至少一個(gè)第2配線層，從而形成配線區(qū)域。至少一個(gè)第2配線層形成為包括與至少一個(gè)金屬電阻元件層相同的層。
[0279](26)在(25)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在形成上述多個(gè)導(dǎo)電層的工序中，多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)配置于與金屬電阻元件層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域，并且形成為以從至少一個(gè)金屬電阻元件層到達(dá)多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層的方式連接的電阻元件區(qū)域?qū)щ妼?。多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)形成為在不是金屬電阻元件區(qū)域的配線區(qū)域中從至少一個(gè)第2配線層延伸成到達(dá)多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層的配線區(qū)域?qū)щ妼印?br>[0280](27)在(26)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在形成具有第2配線層的區(qū)域的工序中，在金屬電阻元件區(qū)域中形成多個(gè)第2配線層。在金屬電阻元件區(qū)域中彼此相鄰的一對(duì)第2配線層的上表面及側(cè)面、以及彼此相鄰的一對(duì)第2配線層之間的第I絕緣膜上形成金屬電阻元件層。
[0281](28)在(26)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在形成上述金屬電阻元件層的工序中，配線區(qū)域中的第2配線層的上表面以及側(cè)面中的至少任一方被包括與金屬電阻元件層相同的層的其他金屬電阻元件層覆蓋。
[0282]對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是應(yīng)該認(rèn)為本次公開(kāi)的實(shí)施方式在所有的方面是示例，并不是限定。本發(fā)明的范圍通過(guò)權(quán)利要求書(shū)表示，包括在與權(quán)利要求書(shū)相同的意思以及范圍內(nèi)的所有的變更。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置， 包括:多個(gè)第I配線層，配置在基板的主表面上； 第I絕緣膜，配置為覆蓋多個(gè)所述第I配線層的上表面； 第2絕緣膜，配置為覆蓋所述第I絕緣膜的上表面； 多個(gè)第2配線層，配置在所述第2絕緣膜上； 金屬電阻元件層，配置在所述第I絕緣膜的上表面上且配置在多個(gè)所述第2配線層中的至少一個(gè)所述第2配線層的正下方；以及 多個(gè)導(dǎo)電層，分別從多個(gè)所述第2配線層沿與所述主表面交叉的方向朝向所述金屬電阻元件層延伸， 所述金屬電阻元件層包括金屬配線層， 多個(gè)所述導(dǎo)電層中的至少一個(gè)所述導(dǎo)電層的側(cè)面的至少一部分與所述金屬配線層連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述金屬配線層具有沿著所述主表面的第I面和與所述第I面相對(duì)的第2面， 多個(gè)所述導(dǎo)電層中的至少一個(gè)與所述金屬配線層連接的所述導(dǎo)電層是配置在與所述金屬配線層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域的電阻元件區(qū)域?qū)щ妼樱? 所述電阻元件區(qū)域?qū)щ妼訌乃龅贗面到所述第2面貫通所述金屬配線層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述電阻元件區(qū)域?qū)щ妼右詮亩鄠€(gè)所述第2配線層中的配置在所述金屬電阻元件區(qū)域的至少一個(gè)所述第2配線層貫通所述金屬配線層并到達(dá)多個(gè)所述第I配線層中的配置在所述金屬電阻元件區(qū)域的至少一個(gè)所述第I配線層的方式連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述金屬電阻元件區(qū)域中的所述電阻元件區(qū)域?qū)щ妼雍驮诓皇撬鼋饘匐娮柙^(qū)域的配線區(qū)域中從多個(gè)所述第2配線層中的至少一個(gè)所述第2配線層延伸成到達(dá)多個(gè)所述第I配線層中的至少一個(gè)所述第I配線層的配線區(qū)域?qū)щ妼?，在與所述主表面交叉的方向上的深度相等。
5.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 至少一個(gè)第I配線層，配置在基板的主表面上； 第I絕緣膜，配置為覆蓋多個(gè)所述第I配線層的上表面； 第2配線層，在所述第I絕緣膜上配置有多個(gè)； 金屬電阻元件層，配置為在與所述主表面交叉的方向上比多個(gè)所述第2配線層靠所述第I配線層側(cè)，并且配置在多個(gè)所述第2配線層中的至少一個(gè)所述第2配線層的正下方；以及 多個(gè)導(dǎo)電層，分別從多個(gè)所述第2配線層沿與所述主表面交叉的方向朝向所述金屬電阻元件層延伸， 多個(gè)所述導(dǎo)電層中的至少一個(gè)所述導(dǎo)電層是電阻元件區(qū)域?qū)щ妼樱撾娮柙^(qū)域?qū)щ妼优渲糜谂c所述金屬電阻元件層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域，并且以從多個(gè)所述第2配線層中的配置在所述金屬電阻元件區(qū)域的至少一個(gè)所述第2配線層到達(dá)所述金屬電阻元件層的方式連接， 多個(gè)所述導(dǎo)電層中的至少一個(gè)所述導(dǎo)電層是配線區(qū)域?qū)щ妼?，該配線區(qū)域?qū)щ妼釉诓皇撬鼋饘匐娮柙^(qū)域的配線區(qū)域中從多個(gè)所述第2配線層中的至少一個(gè)所述第2配線層延伸成到達(dá)至少一個(gè)所述第I配線層， 所述電阻元件區(qū)域?qū)щ妼雍退雠渚€區(qū)域?qū)щ妼釉谂c所述主表面交叉的方向上的深度相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述第I絕緣膜包括將至少一個(gè)所述第I配線層的上表面以及形成至少一個(gè)所述第I配線層的表面這雙方覆蓋的薄膜絕緣層， 所述金屬電阻元件層形成為覆蓋所述薄膜絕緣層的上表面。
7.一種半導(dǎo)體裝置，包括: 多個(gè)第I配線層，配置在基板的主表面上； 第I絕緣膜，配置為覆蓋多個(gè)所述第I配線層的上表面； 至少一個(gè)金屬電阻元件層，以覆蓋所述第I絕緣膜的上表面的方式配置在多個(gè)所述第I配線層中的至少一個(gè)所述第I配線層的正上方； 多個(gè)第2配線層，配置在所述第I絕緣膜上；以及 多個(gè)導(dǎo)電層，分別從至少一個(gè)所述金屬電阻元件層以及至少一個(gè)所述第2配線層沿與所述主表面交叉的方向延伸到多個(gè)所述第I配線層的各所述第I配線層， 至少一個(gè)所述金屬電阻元件層的上表面被多個(gè)所述第2配線層中的至少一個(gè)覆蓋。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述金屬電阻元件層配置有多個(gè)，所述金屬電阻元件層包括金屬配線層和覆蓋所述金屬配線層的上表面的防反射膜層，多個(gè)所述金屬電阻元件層包括:由構(gòu)成所述金屬電阻元件層的所述金屬配線層及所述防反射膜層和覆蓋所述防反射膜層的上表面的所述第2配線層形成電容元件的至少一個(gè)第I金屬電阻元件層；以及通過(guò)多個(gè)所述導(dǎo)電層分別與多個(gè)所述第I配線層連接的至少一個(gè)第2金屬電阻元件層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 多個(gè)所述第2配線層包括形成為覆蓋所述第I金屬電阻元件層及所述第2金屬電阻元件層各自的上表面的多個(gè)保護(hù)用第2配線層和在與所述第I金屬電阻元件層及所述第2金屬電阻元件層相同的層與所述金屬電阻元件層隔開(kāi)間隔地配置的至少一個(gè)配線用第2配線層這雙方。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 還包括:第2絕緣膜，以覆蓋構(gòu)成所述電容元件的所述保護(hù)用第2配線層的上表面的方式配置在所述第I絕緣膜上； 其他導(dǎo)電層，從所述電容元件沿與所述主表面交叉的方向朝向與所述基板相反的方向延伸；以及 第3配線層，配置在所述第2絕緣膜上的所述電容元件的正上方， 所述其他導(dǎo)電層與所述第3配線層連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 還包括:第2絕緣膜，以覆蓋所述配線用第2配線層的上表面的方式配置在所述第I絕緣膜上； 其他導(dǎo)電層，從所述配線用第2配線層的上表面沿與所述主表面交叉的方向朝向與所述基板相反的方向延伸；以及 第3配線層，配置在所述第2絕緣膜上的所述配線用第2配線層的正上方， 所述其他導(dǎo)電層與所述第3配線層連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 多個(gè)所述導(dǎo)電層中的至少一個(gè)是電阻元件區(qū)域?qū)щ妼?，該電阻元件區(qū)域?qū)щ妼优渲糜谂c所述金屬電阻元件層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域，并且以從至少一個(gè)所述金屬電阻元件層到達(dá)多個(gè)所述第I配線層中的至少一個(gè)所述第I配線層的方式連接， 多個(gè)所述導(dǎo)電層中的至少一個(gè)是配線區(qū)域?qū)щ妼樱撆渚€區(qū)域?qū)щ妼釉诓皇撬鼋饘匐娮柙^(qū)域的配線區(qū)域中從多個(gè)所述第2配線層中的至少一個(gè)所述第2配線層延伸成到達(dá)多個(gè)所述第I配線層中的至少一個(gè)所述第I配線層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 在所述金屬電阻元件區(qū)域中以覆蓋對(duì)所述金屬電阻元件層的上表面進(jìn)行覆蓋的所述第2配線層的上表面以及側(cè)面中的至少任一方的方式配置其他金屬電阻元件層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述配線區(qū)域中的所述第2配線層的上表面以及側(cè)面中的至少任一方被其他金屬電阻元件層覆蓋。
【專利摘要】一種半導(dǎo)體裝置，其中，多個(gè)第1配線層(M1)配置在基板(SUB)的主表面上，第1絕緣膜(SO12)配置為覆蓋多個(gè)第1配線層(M1)的上表面，第2絕緣膜(SO13)配置為覆蓋第1絕緣膜(SO12)的上表面，多個(gè)第2配線層(M2)配置在第2絕緣膜(SO13)上。金屬電阻元件層(Rmn)配置在多個(gè)第2配線層(M2)中的至少一個(gè)第2配線層(M2)的正下方。多個(gè)導(dǎo)電層(CP1)分別從多個(gè)第2配線層(M2)沿與主表面交叉的Z方向朝向金屬電阻元件層(Rmn)延伸。金屬電阻元件層(Rmn)包括金屬配線層(Rm)。多個(gè)導(dǎo)電層(CP1)中的至少一個(gè)導(dǎo)電層(CP1)的側(cè)面的至少一部分與金屬配線層(Rm)連接。
【IPC分類】H01L23-498, H01L23-522, H01L25-16
【公開(kāi)號(hào)】CN104600052
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410598459
【發(fā)明人】德光成太, 森隆弘, 新田哲也
【申請(qǐng)人】瑞薩電子株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2014年10月30日
【公告號(hào)】EP2869343A2, EP2869343A3, US20150115410