[0223]在本實(shí)施方式中，與實(shí)施方式2同樣地，從金屬電阻元件區(qū)域的第2配線層M2延伸到金屬電阻元件層Rmn的接觸插頭CPl能夠使用與在配線區(qū)域中從第2配線層M2延伸到第I配線層Ml的接觸插頭CPl的形成所使用的掩模相同的掩模而形成。因此，不需要單獨(dú)準(zhǔn)備僅用于形成例如用于與金屬電阻元件層Rmn連接的接觸插頭CPl的掩模，能夠使用多層配線結(jié)構(gòu)的形成用的掩模來(lái)形成金屬電阻元件層Rmn用的接觸插頭CPl。因此，能夠削減制造成本。
[0224](實(shí)施方式7)
[0225]首先使用圖39，說(shuō)明包括本實(shí)施方式中的金屬電阻元件層Rmn的、高速OCO電路所構(gòu)成的多層配線結(jié)構(gòu)的一部分。
[0226]參照?qǐng)D39，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的高速OCO電路所構(gòu)成的多層配線結(jié)構(gòu)在基板SUB的(一方的)主表面上具有層間絕緣膜S011，在層間絕緣膜SOll上具有多個(gè)第I配線層Ml。在層間絕緣膜SOll上形成有第I絕緣膜S012(第I絕緣膜下層S012a以及第I絕緣膜上層S012b)，從而覆蓋多個(gè)第I配線層Ml的上表面。
[0227]在本實(shí)施方式中也具有金屬電阻元件區(qū)域和配線區(qū)域。在金屬電阻元件區(qū)域中，在第I絕緣膜S012上，在多個(gè)第I配線層Ml中特別是在金屬電阻元件區(qū)域形成的(例如兩個(gè))第I配線層Ml的正上方配置有(至少一個(gè))金屬電阻元件層Rmn。在此，金屬電阻元件層Rmn以橫跨在金屬電阻元件區(qū)域中X方向上相互隔開間隔地配置兩個(gè)的第I配線層Ml這雙方的方式配置在第I配線層Ml上。
[0228]在配線區(qū)域中，在第I絕緣膜S012上，以與第I配線層Ml在平面上重疊的方式形成有至少一個(gè)第2配線層M2。該第2配線層M2配置為包括與(至少一個(gè))金屬電阻元件層Rmn相同的層，換言之，第2配線層M2和金屬電阻元件層Rmn均配置在同一面即第I絕緣膜S012 (第I絕緣膜上層SO12b)上。
[0229]在作為具有第2配線層M2的區(qū)域的配線區(qū)域中，沿著Z方向延伸的配線區(qū)域接觸插頭CPl從第2配線層M2延伸到第I配線層Ml，由此將第I配線層Ml和第2配線層M2電連接。此外，在作為具有金屬電阻元件層的區(qū)域的金屬電阻元件區(qū)域中，電阻元件區(qū)域接觸插頭CPl從金屬電阻元件層Rmn沿著Z方向延伸到與其相對(duì)的至少一個(gè)第I配線層Ml (例如兩個(gè)第I配線層Ml各自)。由此，多個(gè)接觸插頭CPl各自中的至少一個(gè)作為電阻元件區(qū)域接觸插頭CP1，其他至少一個(gè)作為配線區(qū)域接觸插頭CP1，并分別延伸到多個(gè)第I配線層Ml0
[0230]此外，本實(shí)施方式的除此以外的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式3的結(jié)構(gòu)大致相同，因此對(duì)于同一要素附加同一標(biāo)號(hào)，不重復(fù)其說(shuō)明。
[0231]接著，使用圖40，說(shuō)明作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的微型計(jì)算機(jī)芯片(特別是圖39所示的部分)的制造方法。
[0232]參照?qǐng)D40，進(jìn)行與例如實(shí)施方式3的圖24?圖25所示的工序相同的處理。艮P，與實(shí)施方式I同樣地準(zhǔn)備基板SUB，形成層間絕緣膜S011、多個(gè)第I配線層M1、第I絕緣膜S012。形成有從第I絕緣膜S012的上表面沿與基板SUB的主表面交叉的方向(即Z方向)延伸到其正下方(在平面上重疊的區(qū)域)的第I配線層Ml的多個(gè)接觸插頭CP1。在第I絕緣膜S012的上表面上，在例如金屬電阻元件區(qū)域的X方向上相互隔開間隔而形成的多個(gè)(例如兩個(gè))接觸插頭CPl的正上方，以橫跨兩個(gè)接觸插頭CPl的方式形成有至少一個(gè)金屬電阻元件層Rmn (形成有金屬電阻元件區(qū)域)。在配線區(qū)域中，以覆蓋第I絕緣膜S012的上表面且與第I配線層Ml在平面上重疊的方式形成有第2配線層M2 (形成有配線區(qū)域)。
[0233]再次參照?qǐng)D39，此后，在第I絕緣膜S012上第3絕緣膜S014以及鈍化膜SNll依次形成，從而覆蓋第2配線層M2的上表面。此外，省略的工序的詳情基本上與上述各實(shí)施方式相同。
[0234]接下來(lái)，說(shuō)明本實(shí)施方式的作用效果。
[0235]在本實(shí)施方式中，從金屬電阻元件區(qū)域的金屬電阻元件層Rmn延伸到第I配線層Ml的接觸插頭CPl能夠使用與從配線區(qū)域中第2配線層M2延伸到第I配線層Ml的接觸插頭CPl的形成所使用的掩模相同的掩模而形成。這是因?yàn)?，金屬電阻元件區(qū)域的接觸插頭CPl和配線區(qū)域的接觸插頭CPl均是從同一面(第I絕緣膜S012的上表面)形成。因此，不需要單獨(dú)準(zhǔn)備僅用于形成例如用于與金屬電阻元件層Rmn連接的接觸插頭CPl的掩模，能夠使用多層配線結(jié)構(gòu)的形成用的掩模來(lái)形成金屬電阻元件層Rmn用的接觸插頭CP1。由此，能夠削減制造成本。
[0236](實(shí)施方式8)
[0237]首先使用圖41，說(shuō)明包括本實(shí)施方式中的金屬電阻元件層Rmn的、高速OCO電路所構(gòu)成的多層配線結(jié)構(gòu)的一部分。
[0238]參照?qǐng)D41，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的高速OCO電路所構(gòu)成的多層配線結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式7同樣地，(配線區(qū)域的)第2配線層M2和(金屬電阻元件區(qū)域的)金屬電阻元件層Rmn以配置于同一層方式配置在第I絕緣膜S012(第I絕緣膜上層S012b)上。其中，在圖41中，在金屬電阻元件區(qū)域中彼此相鄰的多個(gè)(I對(duì))的第2配線層M2各自的上表面及側(cè)面以及彼此相鄰的多個(gè)(I對(duì))的第2配線層M2之間的第I絕緣膜S012上配置有金屬電阻元件層Rmn。如上所述，金屬電阻元件層Rmn具有金屬配線層Rm和防反射膜層SNl的雙層結(jié)構(gòu)，金屬配線層Rm配置在圖的下側(cè)即配置為與第2配線層M2以及第I絕緣膜上層S012b接觸。由此，金屬電阻元件區(qū)域的一對(duì)(在上表面以及側(cè)面具有金屬電阻元件層Rmn的)彼此相鄰的第2配線層M2彼此相互電連接。
[0239]在本實(shí)施方式中，在配線區(qū)域、金屬電阻元件區(qū)域中，均是接觸插頭CPl從第2配線層M2沿著Z方向延伸成到達(dá)第I配線層Ml。其中，金屬電阻元件區(qū)域的第2配線層M2與覆蓋其上表面等的金屬電阻元件層Rmn的金屬配線層Rm電連接，因此金屬電阻元件區(qū)域的金屬電阻元件層Rmn(金屬配線層Rm)與電阻元件區(qū)域接觸插頭CPl電連接。
[0240]此外，在圖41中，配線區(qū)域的第2配線層M2的側(cè)面被其他金屬電阻元件層Rmn覆蓋。其他金屬電阻元件層Rmn形成為與金屬電阻元件層Rmn相同的層(金屬電阻元件層Rmn被分割)，因此，與金屬電阻元件層Rmn同樣地，具有金屬配線層Rm和防反射膜層SNl的雙層結(jié)構(gòu)具有。
[0241]參照?qǐng)D42，也可以是，在圖41中的虛線所包圍的區(qū)域C所示的配線區(qū)域中，第2配線層M2的上表面以及側(cè)面這雙方被其他金屬電阻元件層Rmn覆蓋，參照?qǐng)D43，也可以是，在圖41中的虛線所包圍的區(qū)域C所示的配線區(qū)域中，僅第2配線層M2的上表面被其他金屬電阻元件層Rmn覆蓋。綜上所述，配線區(qū)域中的第2配線層M2的上表面以及側(cè)面中的至少任一方被包括與金屬電阻元件層Rmn相同的層的其他金屬電阻元件層Rmn覆蓋。
[0242]此外，如圖43所示，優(yōu)選的是，在本實(shí)施方式中(僅)配線區(qū)域的第2配線層M2的上表面形成有金屬電阻元件層Rmn的情況下，金屬電阻元件層Rmn具有比第2配線層M2在俯視視角中小的尺寸。因此，優(yōu)選第2配線層M2上的第2金屬電阻元件層Rmn配置為其中央部在俯視視角中與第2配線層M2的中央部大致一致，并配置為在金屬電阻元件層Rmn的最外緣和第2配線層M2的最外緣之間具有恒定寬度的(第2配線層M2外周附近的)區(qū)域。
[0243]此外，本實(shí)施方式的除此以外的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式7的結(jié)構(gòu)大致相同，因此對(duì)于同一要素附加同一標(biāo)號(hào)，不重復(fù)其說(shuō)明。
[0244]接著，使用圖44?圖47，說(shuō)明作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的微型計(jì)算機(jī)芯片(特別是圖41?43所示的部分)的制造方法。
[0245]參照?qǐng)D44，通過(guò)基本上與圖40的工序相同的處理，形成圖44所示的結(jié)構(gòu)。其中，圖44與圖40進(jìn)行比較，不同點(diǎn)在于，在金屬電阻元件區(qū)域中也與配線區(qū)域同樣地，以分別與多個(gè)(例如兩個(gè))排列的第I配線層Ml在平面上重疊的方式形成有多個(gè)(例如兩個(gè))第2配線層M2。在配線區(qū)域以及金屬電阻元件區(qū)域中，均是通過(guò)接觸插頭CPl來(lái)連接第I配線層Ml的每一個(gè)和分別與它們相對(duì)的第2配線層M2。
[0246]參照?qǐng)D45，在第I絕緣膜S012上形成有金屬電阻元件層Rmn，從而覆蓋在圖44的工序中形成的多個(gè)第2配線層M2的上表面以及側(cè)面。此后，通過(guò)照相制版技術(shù)以及干蝕刻處理來(lái)對(duì)金屬電阻元件層Rmn進(jìn)行圖案形成，從而在金屬電阻元件區(qū)域中彼此相鄰的一對(duì)第2配線層M2的上表面和側(cè)面、以及彼此相鄰的一對(duì)第2配線層M2之間的第I絕緣膜S012上殘留金屬電阻元件層Rmn。由此，金屬電阻元件層Rmn形成為在接觸插頭CPl的正上方(經(jīng)由第2配線層M2)也殘留。
[0247]此時(shí)，也可以通過(guò)照相制版技術(shù)以及干蝕刻處理而對(duì)金屬電阻元件層Rmn進(jìn)行圖案形成，從而在配線區(qū)域中金屬電阻元件層Rmn(作為其他金屬電阻元件層Rmn)在第2配線層M2的側(cè)面殘留?；蛘?，也可以參照?qǐng)D46，通過(guò)照相制版技術(shù)以及干蝕刻處理而對(duì)金屬電阻元件層Rmn進(jìn)行圖案形成，從而在配線區(qū)域中金屬電阻元件層Rmn (作為其他金屬電阻元件層Rmn)在第2配線層M2的上表面以及側(cè)面這雙方殘留。或者，也可以參照?qǐng)D47，通過(guò)照相制版技術(shù)以及干蝕刻處理而對(duì)金屬電阻元件層Rmn進(jìn)行圖案形成，從而在配線區(qū)域中金屬電阻元件層Rmn (作為其他金屬電阻元件層Rmn)僅在第2配線層M2的上表面殘留。
[0248]更具體而言，在例如在俯視視角中金屬電阻元件層Rmn的尺寸比第2配線層M2的尺寸大的情況下，如圖46 (圖42)所示，金屬電阻元件層Rmn形成為覆蓋第2配線層M2的上表面以及側(cè)面這雙方。此外，在俯視視角中金屬電阻元件層Rmn的尺寸比第2配線層M2的尺寸小的情況下，如圖47 (圖43)所示，金屬電阻元件層Rmn形成為僅覆蓋第2配線層M2的上表面。
[0249]再次參照?qǐng)D41?圖43，此后，在第I絕緣膜S012上第3絕緣膜S014以及鈍化膜SNll依次形成，從而覆蓋第2配線層M2的上表面。此外，省略的工序的詳情基本上與上述各實(shí)施方式相同。
[0250]接下來(lái)，說(shuō)明本實(shí)施方式的作用效果。
[0251]在本實(shí)施方式中也能夠使用同一掩模來(lái)形成金屬電阻元件區(qū)域和配線區(qū)域的接觸插頭CPl，因此能夠削減制造成本。此外，在本實(shí)施方式中，金屬電阻元件區(qū)域的第2配線層M2的上表面以及側(cè)面被金屬電阻元件層Rmn覆蓋，從而第2配線層M2被金屬電阻元件層Rmn保護(hù)。由此，能夠提高金屬電阻元件區(qū)域的第2配線層M2的可靠性。進(jìn)而，配線區(qū)域的第2配線層M2的上表面以及側(cè)面中的至少任一方也被金屬電阻元件層Rmn覆蓋，從而第2配線層M2被金屬電阻元件層Rmn保護(hù)。由此，能夠提高配線區(qū)域的第2配線層M2的可靠性。
[0252]參照?qǐng)D48的本實(shí)施方式的第I變形例，這是作為實(shí)施方式3的圖22所示的多層配線結(jié)構(gòu)的一部分的、配線區(qū)域以及金屬電阻元件區(qū)域的第2配線層M2的上表面以及側(cè)面這雙方被金屬電阻元件層Rmn覆蓋的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D49的本實(shí)施方式的第2變形例，這是作為實(shí)施方式4的圖27所示的多層配線結(jié)構(gòu)的一部分的、(第I以及第2)金屬電阻元件區(qū)域的第2配線層M2的上表面以及側(cè)面被金屬電阻元件層Rmn覆蓋的結(jié)構(gòu)。由此，也可以是，(其他)金屬電阻元件層Rmn形成為在金屬電阻元件區(qū)域中覆蓋對(duì)金屬電阻元件層Rmn的上表面進(jìn)行覆蓋的第2配線層M2的上表面以及側(cè)面(中的至少任一方)。此外，也可以是(其他)金屬電阻元件層Rmn形成為覆蓋配線區(qū)域中的第2配線層M2的上表面以及側(cè)面(中的至少任一方)。這些結(jié)構(gòu)也與圖45的工序同樣地在第I絕緣膜S012上形成有金屬電阻元件層Rmn，其通過(guò)以成為圖48以及圖49所示的形狀的方式進(jìn)行圖案形成而形成。第2配線層M2的上表面或側(cè)面的被金屬電阻元件層Rmn覆蓋的部分能夠被抑制因在金屬電阻元件層Rmn的蝕刻時(shí)無(wú)意地被蝕刻而對(duì)形狀帶來(lái)不良情況等問(wèn)題的產(chǎn)生。
[0253]除此之外，以下記載(附記)實(shí)施方式所記載的內(nèi)容的一部分。
[0254](I)半導(dǎo)體裝置具有多個(gè)第I配線層、第I絕緣膜、第2絕緣膜、至少一個(gè)第2配線層、金屬電阻元件層和多個(gè)導(dǎo)電層。多個(gè)第I配線層配置在基板的主表面上。第I絕緣膜配置為覆蓋多個(gè)第I配線層的上表面。第2絕緣膜配置為覆蓋第I絕緣膜的上表面。至少一個(gè)第2配線層配置在第2絕緣膜上。金屬電阻元件層配置在第I絕緣膜的上表面上的、多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層的正上方。多個(gè)導(dǎo)電層分別沿與主表面交叉的方向延伸到多個(gè)第I配線層。多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)導(dǎo)電層從金屬電阻元件層沿與主表面交叉的方向延伸到第I配線層。
[0255](2)半導(dǎo)體裝置具有至少一個(gè)第I配線層、第I絕緣膜、第2絕緣膜、多個(gè)第2配線層、金屬電阻元件層和多個(gè)導(dǎo)電層。至少一個(gè)第I配線層配置在基板的主表面上。第I絕緣膜配置為覆蓋至少一個(gè)第I配線層的上表面。第2絕緣膜配置為覆蓋第I絕緣膜的上表面。多個(gè)第2配線層配置在第2絕緣膜上。金屬電阻元件層配置在第I絕緣膜的上表面上的、多個(gè)第2配線層中的至少一個(gè)第2配線層的正下方。多個(gè)導(dǎo)電層分別從多個(gè)第2配線層沿與主表面交叉的方向向金屬電阻元件層延伸。多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)導(dǎo)電層從第2配線層沿與主表面交叉的方向延伸到金屬電阻元件層。
[0256](3)在(2)的半導(dǎo)體裝置中，多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)延伸到金屬電阻元件層的導(dǎo)電層是配置在與金屬電阻元件層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域中的電阻元件區(qū)域?qū)щ妼?。多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)導(dǎo)電層是在不是金屬電阻元件區(qū)域的配線區(qū)域中從多個(gè)第2配線層中的至少一個(gè)第2配線層延伸成到達(dá)至少一個(gè)第I配線層的配線區(qū)域?qū)щ妼印?br>[0257](4)半導(dǎo)體裝置具有多個(gè)第I配線層、第I絕緣膜、至少一個(gè)金屬電阻元件層、至少一個(gè)第2配線層和多個(gè)導(dǎo)電層。多個(gè)第I配線層配置在基板的主表面上。第I絕緣膜配置為覆蓋多個(gè)第I配線層的上表面。至少一個(gè)金屬電阻元件層配置在第I絕緣膜上。至少一個(gè)第2配線層包括與至少一個(gè)金屬電阻元件層相同的層。多個(gè)導(dǎo)電層分別在具有至少一個(gè)金屬電阻元件層的金屬電阻元件區(qū)域以及具有至少一個(gè)第2配線層的配線區(qū)域中從金屬電阻元件層或第2配線層中的至少任一方沿與主表面交叉的方向分別延伸到多個(gè)第I配線層O
[0258](5)在(4)的半導(dǎo)體裝置中，多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)配置于與金屬電阻元件層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域，并且是以從至少一個(gè)金屬電阻元件層到達(dá)多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層的方式連接的電阻元件區(qū)域?qū)щ妼印６鄠€(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)是在不是金屬電阻元件區(qū)域的配線區(qū)域中從至少一個(gè)第2配線層延伸成到達(dá)多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層的配線區(qū)域?qū)щ妼印?br>[0259](6)在(5)的半導(dǎo)體裝置中，在金屬電阻元件區(qū)域中存在多個(gè)第2配線層。在金屬電阻元件區(qū)域中彼此相鄰的一對(duì)第2配線層的上表面和側(cè)面、以及彼此相鄰的一對(duì)第2配線層之間的第I絕緣膜上配置有金屬電阻元件層。
[0260](7)在(5)的半導(dǎo)體裝置中，配線區(qū)域中的第2配線層的上表面以及側(cè)面中的至少任一方被包括與金屬電阻元件層相同的層的其他金屬電阻元件層覆蓋。
[0261](8)關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造方法，首先在基板的主表面上形成多個(gè)第I配線層。第I絕緣膜以覆蓋多個(gè)第I配線層的上表面的方式形成。在第I絕緣膜的上表面上的、多個(gè)第I配線層中的至少一個(gè)第I配線層的正上方形成金屬電阻元件層。第2絕緣膜以覆蓋金屬電阻元件層以及第I絕緣膜的上表面的方式形成。多個(gè)導(dǎo)電層以從第2絕緣膜的上表面沿與主表面交叉的方向朝向金屬電阻元件層延伸的方式形成。多個(gè)第2配線層在第2絕緣膜上以分別覆蓋多個(gè)導(dǎo)電層的方式形成。金屬電阻元件層包括金屬配線層。多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)導(dǎo)電層的側(cè)面的至少一部分與金屬配線層連接。
[0262](9)在(8)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，金屬配線層具有沿著主表面的第I面和與第I面相對(duì)的第2面。在形成上述多個(gè)導(dǎo)電層的工序中，多個(gè)導(dǎo)電層中的至少一個(gè)與金屬配線層連接的導(dǎo)電層在與金屬配線層在平面上重疊的金屬電阻元件區(qū)域作為電阻元件區(qū)域?qū)щ妼佣纬?。電阻元件區(qū)域?qū)щ妼有纬蔀閺牡贗面貫通到第2面的金屬配線層。
[0263](10)在(9)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，電阻元件區(qū)域?qū)щ妼右詮亩鄠€(gè)第2配線層中的在金屬電阻元件區(qū)域形成的至少一個(gè)第2配線層貫通金屬配線層而到達(dá)多個(gè)第I配線層中的在金