]負(fù)載鎖定模塊105與處理模塊101a、101b、1lc以及搬送模塊103同樣地構(gòu)成為能夠保持在規(guī)定的減壓氣氛。負(fù)載鎖定模塊105用于在減壓氣氛的搬送模塊103與外部的大氣氣氛之間進(jìn)行基板S的授受。
[0051]真空處理系統(tǒng)100還具備5個閘閥裝置110a、110b、110c、110d、110e。閘閥裝置110a、110b、110c分別配置在搬送模塊103與處理模塊101a、101b、1lc之間。閘閥裝置IlOd配置在搬送模塊103與負(fù)載鎖定模塊105之間。閘閥裝置IlOe配置在負(fù)載鎖定模塊105的與閘閥裝置IlOd相反一側(cè)。閘閥裝置IlOa?IlOe均具有使設(shè)置于將相鄰的2個空間隔開的壁的開口部開閉的功能。
[0052]閘閥裝置IlOa?IlOd能夠在關(guān)閉狀態(tài)下將各模塊氣密地密封，并且在打開狀態(tài)下使模塊間連通而轉(zhuǎn)移基板S。閘閥裝置IlOe能夠在關(guān)閉狀態(tài)下維持負(fù)載鎖定模塊105的氣密性，并且在打開狀態(tài)下在負(fù)載鎖定模塊105內(nèi)與外部之間轉(zhuǎn)移基板S。
[0053]真空處理系統(tǒng)100還具備在與負(fù)載鎖定模塊105之間隔著閘閥裝置IlOe的位置配置的搬送裝置125。搬送裝置125具有:作為基板保持用件的叉127 ;以能夠進(jìn)出、退避以及旋轉(zhuǎn)的方式支承叉127的支承部129 ;和具備驅(qū)動該支承部129的驅(qū)動機(jī)構(gòu)的驅(qū)動部131。
[0054]真空處理系統(tǒng)100還具備:配置在驅(qū)動部131的兩側(cè)的盒載入器121a、121b ;和分別載置在盒載入器(Cassette indexer) 121a、121b之上的盒Cl、C2。盒載入器121a、121b分別具有使盒C1、C2升降的升降機(jī)構(gòu)部123a、123b。在各盒C1、C2內(nèi)能夠?qū)⒒錝在上下隔開間隔以多層配置。搬送裝置125的叉127配置在盒Cl、C2之間。
[0055]另外，雖然圖1中沒有圖示，但真空處理系統(tǒng)100還具備控制在真空處理系統(tǒng)100中需要控制的構(gòu)成構(gòu)件的控制部?？刂撇坷缇哂?具備CPU的控制器；與控制器連接的用戶接口 ；和與控制器連接的存儲部?？刂破骶C合控制真空處理系統(tǒng)100中需要控制的構(gòu)成構(gòu)件。用戶接口由工序管理者為了管理真空處理系統(tǒng)100而進(jìn)行指令的輸入操作等的鍵盤、將真空處理系統(tǒng)100的運行狀況可視化顯示的顯示器等構(gòu)成。在存儲部中保存有方案，上述方案記錄有用于通過控制器的控制實現(xiàn)真空處理系統(tǒng)100實行的各種處理的控制程序(軟件)、處理條件數(shù)據(jù)等。而且，根據(jù)需要，按照來自用戶接口的指示等，從存儲部中調(diào)出任意的方案使其在控制器實行，從而在控制器的控制下，由真空處理系統(tǒng)100進(jìn)行所希望的處理。
[0056]上述控制程序、處理條件數(shù)據(jù)等方案也能夠利用收納于計算機(jī)能夠讀取的存儲介質(zhì)例如CD - ROM、硬盤、軟盤、閃存等的狀態(tài)的方案。或者，也能夠從其它裝置、例如經(jīng)由專用線路隨時傳送而在線利用。
[0057]<等離子體處理裝置>
[0058]圖2是表示作為處理模塊101a、101b、1lc的典型的實施方式的等離子體蝕刻裝置的概略構(gòu)成的截面圖。等離子體蝕刻裝置1lA構(gòu)成為對基板S進(jìn)行蝕刻的電容耦合型的平行平板等離子體蝕刻裝置。
[0059]該等離子體蝕刻裝置1lA具有內(nèi)側(cè)由被陽極氧化處理(耐酸鋁處理)的鋁構(gòu)成的成形為方筒形狀的處理容器I。處理容器I由底壁la、4個側(cè)壁Ib(僅圖示有2個)和蓋體Ic構(gòu)成。處理容器I電接地。在側(cè)壁Ib設(shè)置有用于將基板S搬入搬出的基板搬送用開口 lbl、和將其封閉的閘閥裝置110。此外，閘閥裝置110也可以為圖1所示的閘閥裝置110a、110b、IlOc 的任意一個。
[0060]蓋體Ic構(gòu)成為通過未圖示的開閉機(jī)構(gòu)，能夠相對于側(cè)壁Ib開閉。在將蓋體Ic關(guān)閉的狀態(tài)下，蓋體Ic與各側(cè)壁Ib的接合部分有O形圈3密封，來確保處理容器I內(nèi)的氣密性。
[0061]在處理容器I內(nèi)的底部配置有框形狀的絕緣部件9。在絕緣部件9之上，設(shè)置有作為能夠載置基板S的載置臺的基座11。也作為下部電極的基座11具備基材12?；?2例如由鋁或不銹鋼(SUS)等導(dǎo)電性材料形成?；?2配置在絕緣部件9之上，在兩部件的接合部分配置O形圈等密封部件13來維持氣密性。在絕緣部件9與處理容器I的底壁Ia之間，也通過O形圈等密封部件14維持氣密性?；?2的側(cè)部外周由絕緣部件15包圍。由此，基座11的側(cè)面的絕緣性得以確保，并維持等離子體處理時的異常放電。
[0062]在基座11的上方，與該基座11平行地且相對地設(shè)置有作為上部電極發(fā)揮功能的噴淋頭31。噴淋頭31由處理容器I的上部的蓋體Ic支承。噴淋頭31為中空狀，在其內(nèi)部設(shè)置有氣體擴(kuò)散空間33。另外，在噴淋頭31的下表面(與基座11的相對面)形成有用于排出處理氣體的多個氣體排出孔35。該噴淋頭31電接地，與基座11 一起構(gòu)成一對平行平板電極。
[0063]在噴淋頭31的上部中央附近設(shè)置有氣體導(dǎo)入口 37。該氣體導(dǎo)入口 37與處理氣體供給管39連接。在該處理氣體供給管39，經(jīng)由2個閥41、41和質(zhì)量流量控制器(MFC) 43與供給用于蝕刻的處理氣體的氣體供給源45連接。作為處理氣體，例如能夠使用鹵素類氣體或02氣體，除此以外能夠使用Ar氣體等稀有氣體等。
[0064]在上述處理容器I內(nèi)的底壁Ia形成有在多個部位(例如8處)貫通的排氣用開口 51。各排氣用開口 51分別與排氣管53連接。各排氣管53在其端部具有凸緣部53a，以在該凸緣部53a與底壁Ia之間夾置O形圈(省略圖示)的狀態(tài)固定。各排氣管53與APC閥55和排氣裝置57連接。
[0065]在等離子體蝕刻裝置1lA設(shè)置有測量處理容器I內(nèi)的壓力的壓力計61。壓力計61與控制部連接，實時地向控制部提供處理容器I內(nèi)的壓力的測量結(jié)果。
[0066]基座11的基材12與供電線71連接。該供電線71經(jīng)由匹配箱(M.B.) 73與高頻電源75連接。由此，從高頻電源75例如將13.56MHz的高頻電力供給到作為下部電極的基座11。此外，供電線71經(jīng)由作為形成在底壁Ia的貫通開口部的供電用開口 77被導(dǎo)入處理容器I內(nèi)。
[0067]等離子體蝕刻裝置1lA的各構(gòu)成部構(gòu)成為與控制部連接而被控制。
[0068]接著，對于以上構(gòu)成的等離子體蝕刻裝置1lA中的處理動作進(jìn)行說明。首先，在閘閥裝置110打開的狀態(tài)下，作為被處理體的基板S，經(jīng)由基板搬送用開口 lbl，通過未圖示的搬送裝置從搬送模塊103被搬入處理容器I內(nèi)，交接至基座11。然后，將閘閥裝置110關(guān)閉，利用排氣裝置57，將處理容器I內(nèi)抽真空至規(guī)定的真空度。
[0069]接著，打開閥41，將處理氣體從氣體供給源45經(jīng)由處理氣體供給管39、氣體導(dǎo)入口 37導(dǎo)入噴淋頭31的氣體擴(kuò)散空間33。此時，利用質(zhì)量流量控制器43進(jìn)行處理氣體的流量控制。被導(dǎo)入氣體擴(kuò)散空間33的處理氣體進(jìn)而經(jīng)由多個氣體排出孔35，相對于載置于基座11上的基板S均勻地排出，將處理容器I內(nèi)的壓力維持在規(guī)定的值。
[0070]在該狀態(tài)下，從高頻電源75將高頻電力經(jīng)由匹配箱73施加于基座11。由此，作為下部電極的基座11和作為上部電極的噴淋頭31之間產(chǎn)生高頻電場，處理氣體解離而等離子體化。利用該等離子體，對基板S實施蝕刻處理。
[0071]在實施蝕刻處理后，停止從高頻電源75的高頻電力的施加，停止氣體導(dǎo)入，然后，將處理容器I內(nèi)減壓至規(guī)定的壓力。接著，打開閘閥裝置110，從基座11將基板S交接至未圖示的搬送裝置，從處理容器I的基板搬送用開口 Ibl將基板S搬出到搬送模塊103。通過以上的操作，對于一個基板S的等離子體蝕刻處理結(jié)束。
[0072]<閘閥裝置>
[0073]接著，參照圖3至圖5，對本實施方式涉及的閘閥裝置的構(gòu)成進(jìn)行詳細(xì)說明。圖3和圖4是表示本實施方式涉及的閘閥裝置的構(gòu)成的截面圖。其中，圖3表示閘閥裝置的打開狀態(tài)，圖4表示閘閥裝置的關(guān)閉狀態(tài)。圖5是表示閘閥裝置的閥體的正視圖。
[0074]本實施方式涉及的閘閥裝置110能夠適用于圖1和圖2所示的真空處理系統(tǒng)100中的5個閘閥裝置110a、110b、110c、I1cUllOe的任意一個。其中，閘閥裝置110特別是適合向設(shè)置在處理模塊101a、101b、101c與搬送模塊103之間的閘閥裝置110a、110b、IlOc適用。因此，以下，以適用于閘閥裝置110a、110b、110c的情況為例，對本實施方式涉及的閘閥裝置110進(jìn)行說明。在該例中，閘閥裝置110配置在處理模塊101與搬送模塊103之間。其中，“處理模塊101”的意思是指處理模塊101a、101b、1lc的任意一個。
[0075]處理模塊101具備劃分處理模塊101內(nèi)的空間的處理容器I。如上所述，處理容器I具備與閘閥裝置110相鄰的側(cè)