等離子體處理設(shè)備和等離子體處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種等離子體處理設(shè)備和一種等離子體處理方法。更具體地，本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種用于執(zhí)行等離子體沉積工藝的等離子體處理設(shè)備和使用等離子體處理設(shè)備的等離子體處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在制造諸如有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置的平板顯示器(FPD)中，等離子體處理設(shè)備可以用于產(chǎn)生等離子體以在基底上形成薄層。
[0003]在等離子體處理設(shè)備中，因?yàn)樯想姌O暴露于等離子體，并且用于等離子體產(chǎn)生的射頻功率施加于上電極，所以上電極的溫度會(huì)比下電極的溫度增加地多，從而會(huì)難以使上電極保持在期望的溫度。
[0004]因此，上電極與下電極之間的溫度差會(huì)引起腔內(nèi)基底的溫度偏差。因此，用于控制上電極和下電極的溫度的控制時(shí)間會(huì)不期望地增加，導(dǎo)致生產(chǎn)率降低。
[0005]在本【背景技術(shù)】部分中公開的以上信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的【背景技術(shù)】的理解，因此它可能包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種能夠提高生產(chǎn)率的等離子體處理設(shè)備。
[0007]本發(fā)明的示例性實(shí)施例還提供了一種使用等離子體處理設(shè)備的等離子體處理方法。
[0008]發(fā)明的附加特征將在下面的描述中進(jìn)行闡述，并且部分將通過描述而變得清楚，或者可以通過發(fā)明的實(shí)踐而了解。
[0009]本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開了一種等離子體處理設(shè)備，所述等離子體處理設(shè)備包括:腔，被構(gòu)造為提供用于處理基底的空間；基底平臺(tái)，被構(gòu)造為在腔內(nèi)支撐基底并且包括第一電極，第一電極被構(gòu)造為接收第一射頻信號(hào)；第二電極，設(shè)置在腔的上部上以面對(duì)第一電極，第二電極被構(gòu)造為接收第二射頻信號(hào)；氣體供給單元，被構(gòu)造為將處理氣體供應(yīng)到腔內(nèi)的基底上；熱控制單元，被構(gòu)造為使傳熱介質(zhì)通過設(shè)置在第一電極中的第一流體通道和設(shè)置在第二電極中的第二流體通道循環(huán)以使第一電極和第二電極保持在相同的溫度。
[0010]本發(fā)明的示例性實(shí)施例還公開了一種等離子體處理方法，所述等離子體處理方法包括:將基底裝載到等離子體處理設(shè)備的腔內(nèi)，等離子體處理設(shè)備包括腔、被構(gòu)造為支撐基底并且包括第一電極的基底平臺(tái)、以及位于腔的上部上且面對(duì)第一電極的第二電極。然后將處理氣體引入到腔內(nèi)的基底上。將第一射頻信號(hào)和第二射頻信號(hào)分別施加到第一電極和第二電極以在基底上執(zhí)行等離子體處理。使第一電極和第二電極保持在相同的溫度。
[0011]將理解的是，前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述是示例性和說明性的，并且意圖對(duì)所要求保護(hù)的發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
【附圖說明】
[0012]包括附圖以提供發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖并入并構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了發(fā)明的示例性實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋發(fā)明的原理。
[0013]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體處理設(shè)備的剖視圖。
[0014]圖2是示出圖1中熱控制單元的框圖。
[0015]圖3是示出圖2中第二電極的俯視圖。
[0016]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體處理方法的流程圖。
[0017]圖5至圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]在下文中參照附圖更充分地描述發(fā)明，其中，在附圖中示出了發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例使得本公開是徹底的，并且將把發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。
[0019]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作為“在”另一個(gè)元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“結(jié)合至IJ”另一個(gè)元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谒隽硪粋€(gè)元件或?qū)由匣蛘咧苯舆B接到或直接結(jié)合到所述另一個(gè)元件或?qū)?，或者也可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“直接在”另一個(gè)元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一個(gè)元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。如在這里所用，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列的項(xiàng)的任何組合和全部組合。將理解的是，出于本公開的目的，“x、Y和Z中的至少一個(gè)”能夠被解釋為只有X、只有Y、只有Ζ，或者Χ、Υ和Z中的兩項(xiàng)或更多項(xiàng)的任意組合(例如，XYZ、XYY> TL、ZZ)。
[0020]將理解的是，盡管在這里可以使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離示例性實(shí)施例的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0021]這里可以使用空間相對(duì)術(shù)語，例如“在…之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、和“上面的”等，以易于描述如附圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一個(gè)元件(多個(gè)元件)或特征(多個(gè)特征)的關(guān)系。將理解的是，空間相對(duì)術(shù)語意在包含除了在附圖中描繪的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其它元件或特征“下方”或“在”其它元件或特征“之下”的元件隨后將被定位為在其它元件或特征“上面”。因此，示例性術(shù)語“在……下方”能包含上面的和下面的兩個(gè)方位。所述裝置可以被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)并相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對(duì)描述符。
[0022]在此使用的術(shù)語僅出于描述特定示例性實(shí)施例的目的，而不意圖限制示例性實(shí)施例。如這里所用，除非上下文另外明確指示，否則單數(shù)形式“一個(gè)(種)”和“所述”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解的是，當(dāng)術(shù)語“包括”和/或“包含”用在本說明書中時(shí)，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0023]這里參照作為理想的示例性實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的剖視圖來描述示例性實(shí)施例。這樣，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的示出的形狀的變化。因此，示例性實(shí)施例不應(yīng)該被解釋為限制于此處示出的區(qū)域的特定形狀，而應(yīng)包括例如由制造所造成的形狀上的偏差。在附圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，也不意圖限制示例性實(shí)施例的范圍。
[0024]除非另有限定，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科技術(shù)語)具有與示例性實(shí)施例所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。將進(jìn)一步理解，除非這里明確這樣定義，否則術(shù)語(例如在通用的字典中定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文中它們的意思相同的意思，而將不以理想的或者過于正式的含義來解釋它們的意思。
[0025]在下文中，將參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
[0026]參照?qǐng)D1至圖3，等離子體處理設(shè)備I可以包括腔10、具有第