一電極22的基底平臺20、第二電極30、具有氣體分配盤40的氣體供給單元以及熱控制單元80。
[0027]等離子體處理設(shè)備I可以是用于執(zhí)行等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝(PECVD)的設(shè)備。腔10可以提供用于在基底G上執(zhí)行等離子體處理的密封的處理空間S。例如，腔10可以包括彼此結(jié)合的下腔12和上腔14以限定用于沉積工藝的空間S。
[0028]用于打開和關(guān)閉基底G的裝載/卸載口的閘門16可以安裝在下腔12的側(cè)壁中。閘門16可以通過閘門閥(未示出)選擇性地打開或關(guān)閉。排氣閥18可以安裝在下腔12的下部中并且通過排氣管92連接到排氣部90。排氣部90可以包括諸如蝸輪分子泵的真空泵，以控制腔的壓力，從而可以使腔10內(nèi)的處理空間減壓至期望的真空水平。
[0029]基底平臺20可以設(shè)置在下腔12中以支撐基底。例如，基底平臺20可以是用于支撐基底G和第一電極22的基座。第一電極22可以被支撐,使得第一電極22在向上和向下的方向上可移動。
[0030]基底G可以被支撐在第一電極22的上表面上。聚焦環(huán)(未示出)可以設(shè)置在第一電極22上以包圍基底G。第一電極22可以具有比基底G的半徑大的半徑。
[0031]第二電極30可以在上腔14中被設(shè)置為上電極。第二電極30可以構(gòu)成腔的上部的全部或一部分。
[0032]如圖2中所示，氣體供給單元可以包括設(shè)置在腔10的上部中并且具有用于噴射處理氣體的噴孔42的氣體分配盤40。第二電極30可以設(shè)置在氣體分配盤40上，使得在第二電極30與氣體分配盤40之間形成緩沖空間B。
[0033]用于引入處理氣體的氣體供給管54可以穿過第二電極30的中部連接到緩沖空間B。因此，可以通過氣體供給管54將處理氣體從氣體供給源50供應(yīng)到緩沖空間B，然后，可以通過氣體分配盤40使處理氣體噴射到基底G上。
[0034]等離子體處理設(shè)備I可以進(jìn)一步包括用于向第一電極22施加第一射頻信號的第一射頻電源單元24和用于向第二電極30施加第二射頻信號的第二射頻電源單元32。第一射頻電源單元24可以包括第一無線電電源和第一抗阻匹配電路。第二射頻電源單元32可以包括第二無線電電源和第二抗阻匹配電路。
[0035]等離子體處理設(shè)備I可以包括用于控制第一射頻電源單元24和第二射頻電源單元32的控制單元(未示出)。包括微型計算機(jī)和各種接口電路的控制單元可以基于存儲在外部存儲器或內(nèi)部存儲器中的程序和方案信息(program and recipe informat1n)來控制等離子體處理設(shè)備I的操作。
[0036]第一射頻信號和第二射頻信號中的每個可以包括具有預(yù)選頻率(例如，13.56MHz)的射頻功率。分別施加于下電極22和上電極30的第一射頻信號和第二射頻信號可以具有相同的相位或者可以偏移預(yù)選的相位差。
[0037]因此，將基底G裝載在第一電極22上之后，可以從氣體分配盤40將處理氣體供應(yīng)到腔10內(nèi)，并且可以通過第二射頻電源單元32將射頻功率施加到第二電極30，以在腔10內(nèi)的處理空間S中由處理氣體產(chǎn)生等離子體。此外，可以通過第一射頻電源單元24將射頻功率施加到第一電極22以誘導(dǎo)等離子體的帶電粒子朝向基底G的移動。因此，目標(biāo)層可以沉積在基底G上?？梢詮那?0中卸載包括其上形成的層的基底G，然后可以將新的基底G裝載到腔10內(nèi)以執(zhí)行沉積工藝。
[0038]熱控制單元80可以使傳熱介質(zhì)通過設(shè)置在第一電極22中的第一流體通道60和設(shè)置在第二電極30中的第二流體通道70循環(huán)，以使第一電極22和第二電極30保持在相同的溫度。
[0039]如圖1中所示，第一流體通道60可以設(shè)置在第一電極22中，使得傳熱介質(zhì)流經(jīng)第一流體通道60。第一流體通道60可以在第一電極22中具有圓形或蛇形的形狀。第一流體通道60可以包括第一供給線路62和第一回流線路64以構(gòu)成熱控制單元80的循環(huán)線路的一部分。因此，傳熱介質(zhì)可以通過第一流體通道60循環(huán)，以控制第一電極22和在第一電極22上的基底G的溫度。
[0040]如圖3中所示，第二流體通道70可以設(shè)置在第二電極30的外表面上，使得傳熱介質(zhì)流經(jīng)第二流體通道70。第二流體通道70可以與第二電極30的外表面接觸，并且可以具有蛇形的形狀?？蛇x地，第二流體通道70可以具有橢圓形的形狀。第二流體通道70可以穿過第二電極30。第二流體通道70的兩個端部70a和70b可以分別連接到第二供給線路72和第二回流線路74以構(gòu)成熱控制單元80的循環(huán)線路的一部分。因此，傳熱介質(zhì)可以通過第二流體通道70循環(huán)，以控制第二電極30和與第二電極30相鄰的氣體分配盤40的溫度。
[0041]另外,第一溫度傳感器26可以設(shè)置在第一電極22中以檢測第一電極22的溫度，第二溫度傳感器34可以設(shè)置在第二電極30中以檢測第二電極30的溫度。第一溫度傳感器26和第二溫度傳感器34可以與等離子體處理設(shè)備I的控制單元通信。
[0042]如圖2中所示，熱控制單元80可以包括:循環(huán)線路，具有第一流體通道60和第二流體通道70 ;熱交換器84，設(shè)置在循環(huán)線路中，以從由第一流體通道60和第二流體通道70排出的傳熱介質(zhì)傳熱；加熱器86，設(shè)置在循環(huán)線路中并且布置為與熱交換器84相鄰以加熱傳熱介質(zhì)；箱82，連接到第一流體通道60和第二流體通道70以供應(yīng)傳熱介質(zhì)；以及溫度控制器88。例如，傳熱介質(zhì)可以包括氟基液體、乙二醇等。
[0043]溫度控制器88可以與熱交換器84通信以控制熱交換器84的冷卻操作。溫度控制器88可以與加熱器86和箱82的泵P通信，以控制加熱器86和箱82的泵P的操作。溫度控制器88可以與等離子體處理設(shè)備I的控制單元通信，以基于來自控制單元的信息控制溫度控制單元的操作。
[0044]例如，溫度控制器88可以控制熱交換器84以冷卻傳熱介質(zhì)，使得第一電極22和第二電極30可以保持在低于100°C的溫度，例如，在60°C至85°C的范圍內(nèi)。溫度控制器88可以控制加熱器86以加熱傳熱介質(zhì)，使得第一電極22和第二電極30可以保持在60°C至85°C的溫度范圍內(nèi)。
[0045]在本示例性實施例中，熱控制單元80可以包括至少一個熱交換器和至少一個加熱器。然而，熱交換器和加熱器的數(shù)量不限于此。因此，熱控制單元80可以加熱或冷卻第一電極22和第二電極30中的至少一個。
[0046]如上所述，熱控制單元80可以使傳熱介質(zhì)通過第一流體通道60和第二流體通道70循環(huán)，以控制第一電極22和第二電極30的溫度。因此，第一電極22和第二電極30可以保持在相同的溫度以在等離子體處理的過程中將基底G控制至期望的溫度。
[0047]在下文中，將說明使用圖1中的等離子體處理設(shè)備I處理基底的方法。
[0048]圖4是示出根據(jù)示例性實施例的等離子體處理方法的流程圖。
[0049]參照圖1、圖2和圖4，可以將基底G裝載到等離子體腔10內(nèi)(S100)。
[0050]首先，可以通過閘門16將基底G裝載在腔10內(nèi)的第一電極22上?；譍可以是用于顯示面板的基底?；譍可以包括驅(qū)動電路部分和形成在驅(qū)動電路部分上的有機(jī)發(fā)光顯示元件?；譍可以包括玻璃基底或柔性基底。