閘閥裝置和等離子體處理裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及例如在真空條件下處理基板的等離子體處理裝置中，用于使進行基板的搬入搬出的閘門開口部開閉的閘閥裝置和具備該閘閥裝置的等離子體處理裝置。
【背景技術】
[0002]為了對FPD(平板顯示器)用的玻璃基板等被處理基板在真空條件下進行等離子體蝕刻、等離子體灰化、等離子體成膜等處理，使用等離子體處理裝置。等離子體處理裝置例如能夠構成為具備對基板進行處理的處理模塊、收納有進行向處理模塊搬入基板和從處理模塊搬出基板的搬送裝置的搬送模塊、和設置在處理模塊與搬送模塊之間的閘閥裝置等的真空處理系統(tǒng)的一部分。
[0003]處理模塊具有用于在搬入或搬出基板時使基板通過的開口部。設置在處理模塊與搬送模塊之間的閘閥裝置具有使處理模塊的開口部開閉的閥體。通過由該閥體關閉處理模塊的開口部，處理模塊被氣密地密封。
[0004]在處理模塊內(nèi)進行處理時，處理模塊的開口部由閘閥裝置的閥體關閉。在該狀態(tài)下，金屬制的閥體的表面的一部分在處理模塊內(nèi)空間中露出。另外，由于在閥體與處理模塊之間，存在有由絕緣性的彈性體等構成的密封部件，所以閥體與處理模塊成為電位上獨立的狀態(tài)。因此，如果在處理模塊中導入高頻使等離子體生成，則閥體被高頻充電，會有在閥體的附近產(chǎn)生局部的等離子體或異常放電等問題。
[0005]在專利文獻I中，為了實現(xiàn)閘閥裝置的閥體與處理模塊之間的導通，提出了配備導電性的密封部件的方案。
[0006]現(xiàn)有技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開2009 - 252635號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明想要解決的技術問題
[0010]作為專利文獻I所記載的導電性的密封部件，通常使用不銹鋼制的螺旋屏蔽件。另一方面，在閘閥裝置的閥體或處理模塊的容器(處理容器)中通常使用鋁。其結果，在螺旋屏蔽件與閥體或處理容器之間產(chǎn)生異種金屬間的接觸。特別是由于閥體為可動部件，所以在反復異種金屬間的接觸和離開的期間，由異種金屬接觸腐食引起的化學性的損害、或因硬度不同造成的物理性的損害等，成為對閥體或處理容器造成損傷從而需要更換等的維護，或者產(chǎn)生金屬顆粒的原因。
[0011]本發(fā)明是鑒于這樣的問題而完成的，其目的在于提供一種閘閥裝置，其能夠確保閥體和處理容器的導通，并且降低閥體和處理容器的損傷，抑制金屬顆粒的產(chǎn)生。
[0012]用于解決技術課題的技術方案
[0013]本發(fā)明的閘閥裝置是配置在具有用于將被處理基板搬入處理容器內(nèi)和從上述處理容器內(nèi)搬出上述被處理基板的開口部、利用在上述處理容器內(nèi)生成的等離子體對上述被處理基板實施等離子體處理的等離子體處理裝置中的閘閥裝置。
[0014]本發(fā)明的閘閥裝置具備用于開閉上述開口部的閥體。
[0015]本發(fā)明的閘閥裝置具備閥體移動機構，其使上述閥體移動來通過上述閥體開閉上述開口部。
[0016]本發(fā)明的閘閥裝置具備導電性的閥座部件，其為具有開口的框狀，安裝于上述處理容器中的上述開口部的周圍的壁，在通過上述閥體將上述開口部關閉了的狀態(tài)下介于上述閥體與上述處理容器之間。
[0017]本發(fā)明的閘閥裝置具備第一氣密密封部件，其在通過上述閥體將上述開口部關閉了的狀態(tài)下，介于上述閥體與閥座部件之間而將它們之間氣密地密封。
[0018]本發(fā)明的閘閥裝置具備第一導電性部件，其在通過上述閥體將上述開口部關閉了的狀態(tài)下，介于上述閥體與閥座部件之間而將它們之間電連接。
[0019]本發(fā)明的閘閥裝置具備第二氣密密封部件，其設置成包圍上述開口部，介于上述閥座部件與上述處理容器之間而將它們之間氣密地密封。
[0020]本發(fā)明的閘閥裝置具備第二導電性部件，其設置成包圍上述開口部，介于上述閥座部件與上述處理容器之間而將它們之間電連接。
[0021]在本發(fā)明的第一方面中，在閘閥裝置中，上述第一導電性部件和上述閥座部件由相同材料形成。
[0022]在本發(fā)明的第二方面中，上述閥體包括:主體部；和由與該主體部不同的導電性材料構成的，與上述第一導電性部件抵接的第一抵接部。而且，在本發(fā)明的第二方面中，上述第一導電性部件、上述第一抵接部和上述閥座部件由相同材料形成。
[0023]在本發(fā)明的第三方面中，上述閥體包括:主體部；和由與該主體部不同的導電性材料構成的，與上述第一導電性部件抵接的第一抵接部。另外，在本發(fā)明的第三方面中，上述閥座部件包括:閥座主體；和由與該閥座主體不同的導電性材料構成的，與上述第一導電性部件抵接的第二抵接部。而且，在本發(fā)明的第三方面中，上述第一導電性部件、上述第一抵接部和上述第二抵接部由相同材料形成。
[0024]本發(fā)明的閘閥裝中，上述第二導電性部件也可以由與上述第一導電性部件相同的材料形成。
[0025]本發(fā)明的閘閥裝置中，上述第一導電性部件和上述第二導電性部件也可以由不銹鋼形成。
[0026]在本發(fā)明的閘閥裝置中，可以設置成在通過上述閥體將上述開口部關閉了的狀態(tài)下，第一導電性部件包圍上述第一氣密密封部件。
[0027]在本發(fā)明的閘閥裝置中，第二導電性部件可以設置成包圍上述第二氣密密封部件。
[0028]本發(fā)明的等離子體處理裝置具備上述任意一種閘閥裝置。
[0029]發(fā)明的效果
[0030]根據(jù)本發(fā)明的閘閥裝置，能夠確保閥體與處理容器的導通，并且降低閥體和處理容器的損傷，抑制金屬顆粒的產(chǎn)生。
【附圖說明】
[0031]圖1是概略性地表示包含本發(fā)明的第一實施方式涉及的閘閥裝置的真空處理系統(tǒng)的立體圖。
[0032]圖2是表示作為圖1所示的處理模塊的典型的實施方式的等離子體蝕刻裝置的概略構成的截面圖。
[0033]圖3是表示本發(fā)明的第一實施方式涉及的閘閥裝置的構成的截面圖。
[0034]圖4是表示將圖3所示的閘閥裝置關閉了的狀態(tài)的截面圖。
[0035]圖5是表示圖3所示的閘閥裝置的閥體的正視圖。
[0036]圖6是表不安裝于處理容器的閥座板的正視圖。
[0037]圖7是表示本發(fā)明的第二實施方式涉及的閘閥裝置的構成的截面圖。
[0038]圖8是表示圖7所示的閘閥裝置的閥體的正視圖。
[0039]圖9是表示圖7所示的閘閥裝置的變形例中的閥體的正視圖。
[0040]圖10是表示本發(fā)明的第三實施方式涉及的閘閥裝置的構成的截面圖。
[0041]附圖標記說明
[0042]I…處理容器；la...底壁；lb...側壁；Ic…蓋體；IbI…基板搬送用開口 ；101...處理模塊;103…搬送模塊;110…閘閥裝置;201…殼體;202…閥體；203…閥體變位裝置；204…閥座板;204a…開口 ;215…輥；221…氣缸；221a…氣缸部；221b…桿部；222…基體部件；223…連桿；231…O形圈；232…屏蔽環(huán)；241…O形圈；242…屏蔽環(huán)。
【具體實施方式】
[0043][第一實施方式]
[0044]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式詳細地進行說明。首先，參照圖1，對作為包含本發(fā)明的第一實施方式涉及的閘閥裝置的系統(tǒng)的一例的真空處理系統(tǒng)100的構成進行說明。
[0045]〈基板處理系統(tǒng)〉
[0046]圖1是概略性地表示真空處理系統(tǒng)100的立體圖。真空處理系統(tǒng)100例如構成為用于對Fro用的玻璃基板(以下，簡稱為“基板”)s進行等離子體處理的處理系統(tǒng)。其中，作為FPD,例示有液晶顯示器(LCD)、電致發(fā)光(Electro Luminescence ；EL)顯示器、等離子體顯示器面板(I3DP)等。
[0047]真空處理系統(tǒng)100具備以十字形連結的5個真空模塊。具體而言，真空處理系統(tǒng)100具備3個處理模塊101a、101b、101c、搬送模塊103、和負載鎖定模塊105作為5個真空模塊。
[0048]處理模塊101a、101b、101c構成為能夠?qū)⑵鋬?nèi)部空間維持在規(guī)定的減壓氣氛(真空狀態(tài))。在處理模塊101a、101b、1lc內(nèi)分別配備有載置基板S的載置臺(省略圖示)。在處理模塊101a、101b、1lc中，能夠在將基板S載置于載置臺的狀態(tài)下，對基板S進行例如真空條件下的蝕刻處理、灰化處理、成膜處理等的等離子體處理。
[0049]搬送模塊103與處理模塊101a、101b、1lc同樣地構成為能夠保持在規(guī)定的減壓氣氛。搬送模塊103內(nèi)設置有未圖示的搬送裝置。通過該搬送裝置，在處理模塊101a、101b、1lc與負載鎖定模塊105之間進行基板S的搬送。
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