一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，公開一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，該等離子體化學(xué)氣相沉積裝置包括至少一個沉積工藝腔室，每一個沉積工藝腔室中設(shè)有下極板；沉積工藝腔室的側(cè)壁對應(yīng)下極板側(cè)面的部位設(shè)有至少一個通孔；每一個沉積工藝腔室的側(cè)壁外側(cè)設(shè)有與上述通孔一一對應(yīng)的頂桿裝置，每一個頂桿裝置包括：和通孔相通的波紋管，波紋管的第一端通過第一密封板密封，第二端密封安裝于沉積工藝腔室的側(cè)壁、以與通孔相連通；位于波紋管內(nèi)、且一端固定安裝于第一密封板的伸縮桿，伸縮桿的另一端伸入通孔內(nèi)部，當波紋管折疊收縮至一定程度時，伸縮桿可穿過通孔且與下極板的側(cè)面相抵。上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動率較高。
【專利說明】
一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體化學(xué)氣相沉積裝置一般用于實現(xiàn)在基板上進行鍍膜，其在薄膜晶體管液晶顯示技術(shù)(TFT—LCD)行業(yè)、薄膜太陽能行業(yè)中具有廣泛的應(yīng)用。等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中一般包括至少一個沉積工藝腔室，如圖1所示，沉積工藝腔室中設(shè)有用于承載帶加工基板的下極板(SUSCeptOr)20，該下極板20安裝于支承軸30上，其可以在電機的控制下進行上下移動以保證其與上極板之間的間距，并且，該下極板20可以與遮擋板40配合，使基板10邊緣在遮擋板40的保護部分形成膜邊(DEP Design)。
[0003]由于加工生產(chǎn)過程中，下極板20會頻繁的上下調(diào)節(jié)移動，從而其很容易相對于支承軸30發(fā)生旋轉(zhuǎn)，而下極板20產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)會導(dǎo)致基板10與下極板20和遮擋板40的相對位置發(fā)生變動，進而容易造成基板10受壓破損(Glass Broken)或者下極板20受尖端放電破損(Parts Arcing)等情況出現(xiàn)，而一旦發(fā)生上述情況，則必須先將沉積工藝腔室降溫，然后再進行腔室的清理和修復(fù)，這將嚴重降低整個等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動率。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型提供了一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動率較低的問題。
[0005]為達到上述目的，本實用新型提供以下技術(shù)方案:
[0006]—種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，包括至少一個沉積工藝腔室，每一個所述沉積工藝腔室中設(shè)有支承軸以及安裝于所述支承軸上、用于承載待加工基底的下極板;其中，所述沉積工藝腔室的側(cè)壁與所述下極板的側(cè)面相對的部位設(shè)有至少一個通孔;每一個所述沉積工藝腔室的側(cè)壁外側(cè)設(shè)有與所述至少一個通孔一一對應(yīng)的至少一個頂桿裝置，每一個所述頂桿裝置包括:
[0007]和與該頂桿裝置對應(yīng)的通孔相通的波紋管，所述波紋管的第一端通過第一密封板密封，所述波紋管的第二端密封安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁、以與所述通孔相連通；
[0008]位于所述波紋管內(nèi)、且一端固定安裝于所述第一密封板的伸縮桿，所述伸縮桿的另一端伸入所述通孔內(nèi)部，當所述第一密封板朝向所述沉積工藝腔室的側(cè)壁方向運動、以使所述波紋管折疊收縮至一定程度時，所述伸縮桿可穿過所述通孔且與所述下極板的側(cè)面相抵。
[0009]上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中，每一個沉積工藝腔室的側(cè)壁上與下極板的側(cè)壁相對的部位設(shè)有通孔、以及與通孔一一對應(yīng)的頂桿裝置，每一個頂桿裝置中包括與通孔相連通的波紋管、以保證整個沉積工藝腔室內(nèi)部環(huán)境的密封性;每一個頂桿裝置的波紋管中設(shè)有伸縮桿，伸縮桿的一端安裝于波紋管、另一端伸入沉積工藝腔室側(cè)壁上的通孔內(nèi)部，當波紋管折疊收縮至一定程度時，伸縮桿伸入通孔內(nèi)部的一端可以進入沉積工藝腔室中與下極板的側(cè)面相抵，從而，可以通過推動伸縮桿來驅(qū)動下極板旋轉(zhuǎn)，進而實現(xiàn)對下極板的位置進行調(diào)整；因此，上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中，當某一個沉積工藝腔室中的下極板在上下移動過程中產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)時，可以通過該沉積工藝腔室側(cè)壁上設(shè)有的頂桿裝置對下極板的位置進行調(diào)整，以避免由于下極板位置偏移而導(dǎo)致基板受壓破損(Glass Broken)或者下極板受尖端放電破損(Parts Arcing)等情況出現(xiàn)，從而提高整個等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動率。
[0010]因此，上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動率較高。
[0011]優(yōu)選地，所述波紋管的第二端設(shè)有與所述沉積工藝腔室的側(cè)壁相對設(shè)置、且固定安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁的第二密封板，所述第二密封板上設(shè)有與所述通孔相對設(shè)置、且供伸縮桿穿過的過孔，所述第二密封板朝向所述沉積工藝腔室側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有環(huán)繞所述過孔設(shè)置、且壓緊于所述沉積工藝腔室側(cè)壁上的密封環(huán)。
[0012]優(yōu)選地，每一個所述頂桿裝置還包括用于調(diào)節(jié)所述波紋管的折疊伸縮的波紋管架。
[0013]優(yōu)選地，所述波紋管架包括:位于所述波紋管外部、且沿所述波紋管的延伸方向延伸的至少一根螺紋桿;每一根所述螺紋桿的一端固定安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁;所述第一密封板設(shè)有與所述至少一根螺紋桿一一對應(yīng)的至少一個過孔;每一根螺紋桿穿過與其對應(yīng)的過孔，且每一根所述螺紋桿位于所述第一密封板的兩側(cè)分別設(shè)有一個調(diào)節(jié)螺母、以用于驅(qū)動所述第一密封板在沿所述螺紋桿的延伸方向上進行運動。
[0014]優(yōu)選地，所述第二密封板上設(shè)有與所述至少一根螺紋桿一一對應(yīng)的至少一個過孔;每一根螺紋桿穿過與其對應(yīng)的過孔、且每一根所述螺紋桿位于所述第二密封板背離所述沉積工藝腔室側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有鎖緊螺母、以使第二密封板壓緊于沉積工藝腔室的側(cè)壁上。
[0015]優(yōu)選地，所述波紋管架包括四根螺紋桿，所述四根螺紋桿均勻分布于所述波紋管的外側(cè)。
[0016]優(yōu)選地，所述伸縮桿背離所述第一密封板的一端設(shè)有非剛性墊片結(jié)構(gòu)。
[0017]優(yōu)選地，每一個所述沉積工藝腔室的側(cè)壁上設(shè)有2?6個通孔。
[0018]優(yōu)選地，所述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置包括多個沉積工藝腔室、以及將待加工基底傳遞到每一個所述沉積工藝腔室中的一個中間傳遞腔室，所述多個沉積工藝腔室圍繞所述中間傳遞腔室排列設(shè)置;每一個所述沉積工藝腔室為方形、且每一個所述沉積工藝腔室上的通孔設(shè)置于所述沉積工藝腔室中除了與所述中間傳遞腔室相鄰的一個側(cè)壁以外的三個側(cè)壁上。
[0019]優(yōu)選地，每一個所述沉積工藝腔室的側(cè)壁上設(shè)有兩個通孔，所述兩個通孔分別位于所述沉積工藝腔室的三個側(cè)壁中相對的兩個側(cè)壁上。
【附圖說明】
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的一個沉積工藝腔室的切面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為本實用新型實施例提供的一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的一個沉積工藝腔室的切面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為本實用新型實施例提供的一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中的頂桿裝置的切面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4為本實用新型實施例提供的一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的沉積工藝腔室和中間傳遞腔室的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0025]請參考圖2?圖4。
[0026]如圖2?圖4所示，本實用新型實施例提供的一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，包括至少一個沉積工藝腔室I，每一個沉積工藝腔室I中設(shè)有支承軸3以及安裝于支承軸3上、用于承載待加工基底10的下極板2;其中，沉積工藝腔室I的側(cè)壁與下極板2的側(cè)面相對的部位設(shè)有至少一個通孔4;每一個沉積工藝腔室I的側(cè)壁外側(cè)設(shè)有與至少一個通孔4一一對應(yīng)的至少一個頂桿裝置5，每一個頂桿裝置5包括:
[0027]和與該頂桿裝置5對應(yīng)的通孔4相通的波紋管6，波紋管6的第一端通過第一密封板61密封，波紋管6的第二端密封安裝于沉積工藝腔室I的側(cè)壁、以與通孔4相連通；
[0028]位于波紋管6內(nèi)、且一端固定安裝于第一密封板61的伸縮桿7，伸縮桿7的另一端伸入通孔4內(nèi)部，當?shù)谝幻芊獍?1朝向沉積工藝腔室I的側(cè)壁方向運動、以使波紋管6折疊收縮至一定程度時，伸縮桿7可穿過通孔4且與下極板2的側(cè)面21相抵。
[0029]上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中，每一個沉積工藝腔室I的側(cè)壁上與下極板2的側(cè)壁21相對的部位設(shè)有通孔4、以及與通孔4——對應(yīng)的頂桿裝置5，每一個頂桿裝置5中包括與通孔4相連通的波紋管6、以保證整個沉積工藝腔室I內(nèi)部環(huán)境的密封性;每一個頂桿裝置5的波紋管6中設(shè)有伸縮桿7，伸縮桿7的一端安裝于波紋管6、另一端伸入沉積工藝腔室I側(cè)壁上的通孔4內(nèi)部，當波紋管6折疊收縮至一定程度時，伸縮桿7伸入通孔4內(nèi)部的一端可以進入沉積工藝腔室I中并與下極板2的側(cè)面21相抵，從而，可以通過推動伸縮桿7來驅(qū)動下極板2旋轉(zhuǎn)，進而實現(xiàn)對下極板2的位置進行調(diào)整；因此，上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置中，當某一個沉積工藝腔室I中的下極板2在上下移動過程中產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)時，可以通過該沉積工藝腔室I側(cè)壁上設(shè)有的頂桿裝置5對下極板2的位置進行調(diào)整，以避免由于下極板2位置偏移而導(dǎo)致基板10受壓破損(Glass Broken)或者下極板2受尖端放電破損(Parts Arcing)等情況出現(xiàn)，從而提高整個等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動率。
[0030]因此，上述等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的稼動率較高。
[0031]如圖2和圖3所示，一種具體的實施例中，頂桿裝置5中，波紋管6的第二端設(shè)有與沉積工藝腔室I的側(cè)壁相對設(shè)置、且固定安裝于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上的第二密封板62，該第二密封板62上設(shè)有與通孔4相對設(shè)置、且供伸縮桿7穿過的過孔，第二密封板62朝向沉積工藝腔室I側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有環(huán)繞過孔設(shè)置、且壓緊于沉積工藝腔室I側(cè)壁上的密封環(huán)620。
[0032]通過第二密封板62可以將波紋管6的第二端封裝起來，而第二密封板62上設(shè)有的密封環(huán)620環(huán)繞第二密封板62上的過孔設(shè)置且壓緊于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上，可以保證第二密封板62與沉積工藝腔室I側(cè)壁之間的密封連接，進而保證波紋管6與通孔4之間的密封連通。
[0033]如圖2和圖3所示，在上述實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，每一個頂桿裝置5還可以包括用于調(diào)節(jié)波紋管6的折疊伸縮的波紋管架8。
[0034]如圖3所示，一種具體的實施方式中，波紋管架8可以包括:
[0035]位于波紋管6外部、且沿波紋管6的延伸方向延伸(即垂直于沉積工藝腔室I的側(cè)壁方向上)的至少一根螺紋桿81;每一根螺紋桿81的一端固定安裝于沉積工藝腔室I的側(cè)壁；
[0036]第一密封板62上設(shè)有與螺紋桿81—一對應(yīng)的過孔，每一根螺紋桿81穿過第一密封板62上與其對應(yīng)的過孔，且每一根螺紋桿81位于第一密封板62的兩側(cè)分別設(shè)有一個調(diào)節(jié)螺母82、以用于驅(qū)動第一密封板62在沿螺紋桿81的延伸方向上進行運動。
[0037]上述波紋管架8包括沿波紋管6的延伸方向延伸的至少一根螺紋桿81，且每一根螺紋桿81穿過第一密封板61，因此，第一密封板61可以在螺紋桿81的延伸方向上運動以帶動波紋管6伸縮運動;并且，由于與螺紋桿81螺紋配合的調(diào)節(jié)螺母82可以沿螺紋桿81的延伸方向上調(diào)節(jié)移動，因此，通過調(diào)節(jié)移動第一密封板61兩側(cè)的調(diào)節(jié)螺母82，可以驅(qū)動第一密封板61沿螺紋桿81的延伸方向(即朝向或遠離沉積工藝腔室I的側(cè)壁方向)運動，進而實現(xiàn)對波紋管6伸縮運動的調(diào)節(jié);并且，第一密封板61兩側(cè)通過調(diào)節(jié)螺母82進行限位，可以避免第一密封板61受到壓力或者在外部大氣壓力下運動、進而可以避免在不需要調(diào)整下極板2位置時伸縮桿7觸碰到下極板2。
[0038]如圖3所示，在上述實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，第二密封板62上也設(shè)有與螺紋桿81--對應(yīng)的過孔;每一根螺紋桿81穿過第二密封板62上與其對應(yīng)的過孔、且每一根螺紋桿81位于第二密封板62背離沉積工藝腔室I側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有鎖緊螺母83、以使第二密封板62壓緊于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上。
[0039]由于每一根螺紋桿81穿過第二密封板62、且一端安裝于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上，所以，通過調(diào)節(jié)螺紋桿81上的鎖緊螺母83的位置可以使第二密封板62貼緊并固定于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上，進而，可以使第二密封板62的密封環(huán)620壓緊于沉積工藝腔室I的側(cè)壁上，進而保證波紋管6與通孔4之間的密封連通。
[0040]如圖2和圖4所示，在上述兩個實施例的基礎(chǔ)上，一種優(yōu)選的實施例中，波紋管架8可以包括四根螺紋桿81、以保證整個頂桿裝置5的穩(wěn)定性，該四根螺紋桿81均勻分布于波紋管6的外周側(cè)。
[0041]當然，本實用新型中，上述螺紋桿81的數(shù)量并不限于四個，也可以是二個或者三個。
[0042]如圖3所示，在上述各實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，伸縮桿7背離第一密封板61的一端可以設(shè)置有非剛性的墊片結(jié)構(gòu)71;該墊片結(jié)構(gòu)71可以避免伸縮桿7的端部對下極板2造成劃損。進一步地，一種優(yōu)選的實施例中，伸縮桿7安裝于第二密封板62的一端可以設(shè)有臺階部72，以限定伸縮桿7可伸入沉積工藝腔室I中的極限位置。
[0043]優(yōu)選地，上述墊片結(jié)構(gòu)71的材料可以為聚四氟乙烯。聚四氟乙烯(商標名為“特氟龍”)這種材料具有抗酸抗堿、抗各種有機溶劑的特點，幾乎不溶于所有的溶劑，同時，聚四氟乙烯具有耐高溫摩擦系數(shù)極低的特點，因此，它很適合用作于墊片結(jié)構(gòu)。
[0044]在上述各實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，每一個沉積工藝腔室I的側(cè)壁上可以設(shè)有2?6個通孔4、并安裝有2?6個與通孔4——對應(yīng)的頂桿裝置5。
[0045]如圖4所示，在上述實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，本實用新型提供的離子體化學(xué)氣相沉積裝置可以包括多個沉積工藝腔室1、以及將待加工基底10傳遞到每一個沉積工藝腔室I中的一個中間傳遞腔室9，多個沉積工藝腔室I圍繞中間傳遞腔室9排列設(shè)置;每一個沉積工藝腔室I為方形、且每一個沉積工藝腔室I上的通孔4設(shè)置于沉積工藝腔室I中除了與中間傳遞腔室9相鄰的一個側(cè)壁11以外的三個側(cè)壁(側(cè)壁12、側(cè)壁13和側(cè)壁14)上。
[0046]沉積工藝腔室I與中間傳遞腔室9相鄰的側(cè)壁一側(cè)不利于頂桿裝置5的安裝與調(diào)節(jié)，因此，優(yōu)選地，在每一個沉積工藝腔室I的其它三個側(cè)壁(側(cè)壁12、側(cè)壁13和側(cè)壁14)上設(shè)置通孔4并安裝頂桿裝置5。
[0047]如圖4所示，在上述實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，每一個沉積工藝腔室I的側(cè)壁上設(shè)有兩個通孔4，該兩個通孔4分別位于沉積工藝腔室I的三個側(cè)壁(側(cè)壁12、側(cè)壁13和側(cè)壁14)中相對的兩個側(cè)壁(側(cè)壁12和側(cè)壁14)上;優(yōu)選地，該兩個通孔4的中心線重合。通過上述對應(yīng)設(shè)置的兩個頂桿裝置5即可以實現(xiàn)對下極板2在兩個旋轉(zhuǎn)方向上進行移動調(diào)
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[0048]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型實施例進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，包括至少一個沉積工藝腔室，每一個所述沉積工藝腔室中設(shè)有支承軸以及安裝于所述支承軸上、用于承載待加工基底的下極板;其中，所述沉積工藝腔室的側(cè)壁與所述下極板的側(cè)面相對的部位設(shè)有至少一個通孔;每一個所述沉積工藝腔室的側(cè)壁外側(cè)設(shè)有與所述至少一個通孔一一對應(yīng)的至少一個頂桿裝置，每一個所述頂桿裝置包括: 和與該頂桿裝置對應(yīng)的通孔相通的波紋管，所述波紋管的第一端通過第一密封板密封，所述波紋管的第二端密封安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁、以與所述通孔相連通； 位于所述波紋管內(nèi)、且一端固定安裝于所述第一密封板的伸縮桿，所述伸縮桿的另一端伸入所述通孔內(nèi)部，當所述第一密封板朝向所述沉積工藝腔室的側(cè)壁方向運動、以使所述波紋管折疊收縮至一定程度時，所述伸縮桿可穿過所述通孔且與所述下極板的側(cè)面相抵。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述波紋管的第二端設(shè)有與所述沉積工藝腔室的側(cè)壁相對設(shè)置、且固定安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁的第二密封板，所述第二密封板上設(shè)有與所述通孔相對設(shè)置、且供伸縮桿穿過的過孔，所述第二密封板朝向所述沉積工藝腔室側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有環(huán)繞所述過孔設(shè)置、且壓緊于所述沉積工藝腔室側(cè)壁上的密封環(huán)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，每一個所述頂桿裝置還包括用于調(diào)節(jié)所述波紋管的折疊伸縮的波紋管架。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述波紋管架包括: 位于所述波紋管外部、且沿所述波紋管的延伸方向延伸的至少一根螺紋桿;每一根所述螺紋桿的一端固定安裝于所述沉積工藝腔室的側(cè)壁； 所述第一密封板設(shè)有與所述至少一根螺紋桿一一對應(yīng)的至少一個過孔;每一根螺紋桿穿過與其對應(yīng)的過孔，且每一根所述螺紋桿位于所述第一密封板的兩側(cè)分別設(shè)有一個調(diào)節(jié)螺母、以用于驅(qū)動所述第一密封板在沿所述螺紋桿的延伸方向上進行運動。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二密封板上設(shè)有與所述至少一根螺紋桿一一對應(yīng)的至少一個過孔;每一根螺紋桿穿過與其對應(yīng)的過孔、且每一根所述螺紋桿位于所述第二密封板背離所述沉積工藝腔室側(cè)壁的一側(cè)設(shè)有鎖緊螺母、以使第二密封板壓緊于沉積工藝腔室的側(cè)壁上。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述波紋管架包括四根螺紋桿，所述四根螺紋桿均勻分布于所述波紋管的外側(cè)。7.根據(jù)權(quán)利要求1?6任一項所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述伸縮桿背離所述第一密封板的一端設(shè)有非剛性墊片結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利要求1?6任一項所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，每一個所述沉積工藝腔室的側(cè)壁上設(shè)有2?6個通孔。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，包括多個沉積工藝腔室、以及將待加工基底傳遞到每一個所述沉積工藝腔室中的一個中間傳遞腔室，所述多個沉積工藝腔室圍繞所述中間傳遞腔室排列設(shè)置;每一個所述沉積工藝腔室為方形、且每一個所述沉積工藝腔室上的通孔設(shè)置于所述沉積工藝腔室中除了與所述中間傳遞腔室相鄰的一個側(cè)壁以外的三個側(cè)壁上。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，每一個所述沉積工藝腔室的側(cè)壁上設(shè)有兩個通孔，所述兩個通孔分別位于所述沉積工藝腔室的三個側(cè)壁中相對的兩個側(cè)壁上。
【文檔編號】C23C16/54GK205420545SQ201620173419
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年3月7日
【發(fā)明人】楊曉東, 董杰, 金哲山, 王謙, 周東淇, 張興洋, 胡毓龍, 龔勛, 高歡
【申請人】北京京東方顯示技術(shù)有限公司, 京東方科技集團股份有限公司