一種等離子體化學(xué)氣相沉積鍍膜裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種等離子體化學(xué)氣相沉積鍍膜裝置，涉及技術(shù)領(lǐng)域。該實(shí)用新型包括真空室，真空室內(nèi)設(shè)置有陰極屏、工件架和偏壓電源，陰極屏設(shè)置在真空室的下部，工件架設(shè)置在陰極屏上，偏壓電源設(shè)置在真空室外部，偏壓電源包括第一偏壓電源和第二偏壓電源，第一偏壓電源與陰極屏連接，第二偏壓電源與工件臺(tái)連接，真空室接地。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制造、成本低廉，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本，具有極大的生產(chǎn)實(shí)踐意義。
【專利說(shuō)明】
一種等離子體化學(xué)氣相沉積鍍膜裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種等離子體化學(xué)氣相沉積鍍膜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體化學(xué)氣相沉積(plasmachemical vapor deposit1n)簡(jiǎn)稱PCVD.是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體，促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激活并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程中所需要的激活能，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達(dá)10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學(xué)基團(tuán)，同時(shí)整個(gè)反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點(diǎn)使得原來(lái)需要在高溫下進(jìn)行的CVD過(guò)程得以在低溫下進(jìn)行。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]針對(duì)上述問(wèn)題中存在的不足之處，本實(shí)用新型提供一種等離子體化學(xué)氣相沉積鍍膜裝置，使其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制造、成本低廉，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本，具有極大的生產(chǎn)實(shí)踐意義。
[0004]為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種等離子體化學(xué)氣相沉積鍍膜裝置，其中，包括真空室，所述真空室內(nèi)設(shè)置有陰極屏、工件架和偏壓電源，所述陰極屏設(shè)置在所述真空室的下部，所述工件架設(shè)置在所述陰極屏上，所述偏壓電源設(shè)置在所述真空室外部，所述偏壓電源包括第一偏壓電源和第二偏壓電源，所述第一偏壓電源與所述陰極屏連接，所述第二偏壓電源與所述工件臺(tái)連接，所述真空室接地。
[0005]優(yōu)選的，所述真空室的左端設(shè)置有氣體入口，所述真空室的右端設(shè)置有抽氣口。
[0006]優(yōu)選的，所述真空室的上端設(shè)置有加熱燈絲。
[0007]優(yōu)選的，所述陰極屏的下端設(shè)置有陰極屏座，所述陰極屏座的底端與所述真空室的底端固定連接。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0009]本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于制造、成本低廉，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本，具有極大的生產(chǎn)實(shí)踐意義。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本實(shí)用新型的實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合附圖與實(shí)例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，但所舉實(shí)例不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。
[0012]如圖1所示，本實(shí)用新型的實(shí)施例中，真空室I接地，加熱燈絲2位于真空室I的上端，在工件4溫度不夠高時(shí)使用；陰極屏3設(shè)置在真空室I內(nèi)，由陰極屏座9支撐，工作時(shí)向陰極屏3施加負(fù)偏壓，偏壓連續(xù)可調(diào);工件4設(shè)置在陰極屏3內(nèi)，由工件架8支撐，工作時(shí)向工件4施加比陰極屏3更低的負(fù)偏壓，偏壓連續(xù)可調(diào);氣體入口 5與抽氣口 7分別位于真空室I側(cè)面，等離子體區(qū)6在陰極屏內(nèi)，電場(chǎng)方向?yàn)橛申帢O屏3指向工件。
[0013]本實(shí)施例的工作過(guò)程:啟動(dòng)真空系統(tǒng)的機(jī)械栗對(duì)真空室I進(jìn)行抽氣，真空室I達(dá)到本體真空之后，向陰極屏3充入工作氣體Ar，到達(dá)一定真空度后，啟動(dòng)陰極屏3與工件4的偏壓電源，設(shè)置為工件4偏壓的絕對(duì)值高于陰極屏3，使電子受電場(chǎng)力的作用加速向陰極屏3運(yùn)動(dòng)，電子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中與工作氣體Ar原子發(fā)生碰撞并產(chǎn)生高濃度的等離子體，電離的Ar離子轟擊工件4，使工件4升溫；同時(shí)通入工作氣體，在極強(qiáng)的離子能量與較高的溫度環(huán)境下，工作氣體在工件4表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)沉積在工件4表面。在工作過(guò)程中，若化學(xué)反應(yīng)溫度不夠高，也可開(kāi)啟加熱燈絲，使其溫度進(jìn)一步提高。
[0014]本發(fā)明的核心點(diǎn)是在工件4外圍設(shè)置陰極屏3，在陰極屏3內(nèi)通入Ar，并在陰極屏3與工件4分別施加不同電位的負(fù)偏壓，其中陰極屏3的電位比工件4高，這時(shí)在陰極，3內(nèi)產(chǎn)生高濃度的等離子體，電離的Ar離子轟擊工件4，使工件4升溫，同時(shí)通入工作氣體，在極強(qiáng)的離子能量與較高的溫度環(huán)境下，工作氣體在工，4表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)沉積在工件4表面。
[0015]對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種等離子體化學(xué)氣相沉積鍍膜裝置，其特征在于，包括真空室，所述真空室內(nèi)設(shè)置有陰極屏、工件架和偏壓電源，所述陰極屏設(shè)置在所述真空室的下部，所述工件架設(shè)置在所述陰極屏上，所述偏壓電源設(shè)置在所述真空室外部，所述偏壓電源包括第一偏壓電源和第二偏壓電源，所述第一偏壓電源與所述陰極屏連接，所述第二偏壓電源與所述工件臺(tái)連接，所述真空室接地。2.如權(quán)利要求1所述的等離子體化學(xué)氣相沉積鍍膜裝置，其特征在于，所述真空室的左端設(shè)置有氣體入口，所述真空室的右端設(shè)置有抽氣口。3.如權(quán)利要求2所述的等離子體化學(xué)氣相沉積鍍膜裝置，其特征在于，所述真空室的上端設(shè)置有加熱燈絲。4.如權(quán)利要求3所述的等離子體化學(xué)氣相沉積鍍膜裝置，其特征在于，所述陰極屏的下端設(shè)置有陰極屏座，所述陰極屏座的底端與所述真空室的底端固定連接。
【文檔編號(hào)】C23C16/50GK205443446SQ201620206505
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年3月18日
【發(fā)明人】渠洪波
【申請(qǐng)人】沈陽(yáng)科友真空技術(shù)有限公司