技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種紅外LED及其制備方法，所述制備方法包括：選取單晶Si襯底；在所述單晶Si襯底上生長(zhǎng)Ge外延層；利用激光再晶化工藝處理包括所述單晶Si襯底、所述Ge外延層的整個(gè)材料，得到晶化Ge層；對(duì)所述晶化Ge層摻雜形成P型晶化Ge層；在所述P型晶化Ge層上生長(zhǎng)第一Ge阻擋層；在所述第一Ge阻擋層上生長(zhǎng)GeSn層；在所述GeSn層上生長(zhǎng)第二Ge阻擋層；在所述第二Ge阻擋層上生長(zhǎng)Ge層并摻雜形成N型Ge層；在所述P型晶化Ge層及所述N型Ge層上分別引出電極。本發(fā)明提供的紅外LED，與傳統(tǒng)發(fā)光管相比，工藝簡(jiǎn)單、發(fā)光效率高、器件性能可靠。

技術(shù)研發(fā)人員：冉文方
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.17
技術(shù)公布日：2017.09.01