技術(shù)編號：11409905
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種紅外LED及其制備方法。背景技術(shù)近年來，Si基光電集成技術(shù)已日趨成熟，Si在地殼中儲量巨大，獲取方便且便宜，其機械強度和熱性質(zhì)好。以Si襯底為基片，制作光源，便于集成，而且可以降低成本，理論上就能實現(xiàn)光信息高速傳輸。同為IV族元素的Ge材料因其與Si的可集成性及其獨特的能帶結(jié)構(gòu)有望成為Si基光電集成電路中的光源。Ge材料的直接帶隙只比間接帶隙高136meV，Ge的直接帶發(fā)光波長(1550nm)位于C帶，這些特點使得Ge成為Si基IV族光、源中十分理想的材料...
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