本發(fā)明涉及光電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管的制備方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(英文：lightemittingdiode，簡稱：led)作為光電子產(chǎn)業(yè)中極具影響力的新產(chǎn)品，具有體積小、使用壽命長、顏色豐富多彩、能耗低等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明、顯示屏、信號燈、背光源、玩具等領(lǐng)域。

為了提高發(fā)光二極管的出光率，在制作發(fā)光二極管的過程中，通常會對位于出光側(cè)的電流擴(kuò)展層進(jìn)行粗化處理，即通過化學(xué)腐蝕的方式使電流擴(kuò)展層表面形成微觀的粗糙結(jié)構(gòu)。電流擴(kuò)展層在進(jìn)行粗化處理后表面會呈顆粒狀，粗糙度增加，可以減少光在電流擴(kuò)展層中的全反射，從而提高出光率，提高發(fā)光二極管的亮度。

電流擴(kuò)展層中的al組分的含量會影響到顆粒的大小，al組分越高，粗化后形成的顆粒會越小，高度也低，但是al組分過高會導(dǎo)致芯片出現(xiàn)漏電。為了避免出現(xiàn)芯片漏電，現(xiàn)有的電流擴(kuò)展層中al組分的含量都比較低，這就使得粗化后會出現(xiàn)顆粒過大、粗化不均勻等問題，從而導(dǎo)致發(fā)光二極管亮度不均勻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決電流擴(kuò)展層粗化不均勻?qū)е碌陌l(fā)光二極管亮度不均勻的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的制備方法。所述技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的制備方法，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長緩沖層、n型腐蝕停層、n型歐姆接觸層、n型電流擴(kuò)展層、n型限制層、有源層、p型限制層、p型電流擴(kuò)展層和p型歐姆接觸層；

在所述p型歐姆接觸層上制作金屬反射層；

提供一基板；

將所述金屬反射層粘合到所述基板上；

依次去除所述襯底、所述緩沖層和所述n型腐蝕停層，以露出所述n型歐姆接觸層；

在所述n型歐姆接觸層上制作第一電極；

去除所述n型歐姆接觸層中未被所述第一電極覆蓋的部分，以露出所述n型電流擴(kuò)展層；

在所述n型電流擴(kuò)展層和所述第一電極上形成sio2層；

在所述sio2層上形成ag納米顆粒層；

以所述ag納米顆粒層作為遮擋，對所述sio2層進(jìn)行刻蝕，且刻蝕深度不小于所述sio2層的厚度；

刻蝕所述n型電流擴(kuò)展層，且刻蝕深度小于所述n型電流擴(kuò)展層的厚度；

對所述n型電流擴(kuò)展層進(jìn)行粗化處理；

在所述基板的背向所述金屬反射層的一側(cè)面上制作第二電極。

優(yōu)選地，所述sio2層的厚度大于所述n型歐姆接觸層和所述第一電極的厚度之和。

進(jìn)一步地，所述在所述sio2層上形成ag納米顆粒層，包括：

在所述sio2層上形成ag層；

對所述ag層進(jìn)行退火處理，以形成所述ag納米顆粒層。

優(yōu)選地，在所述對所述n型電流擴(kuò)展層進(jìn)行粗化處理之前，所述制備方法還包括：

去除殘留的所述sio2層和ag納米顆粒層。

優(yōu)選地，采用氫氧化鉀溶液或氫氟酸溶液去除殘留的所述sio2層和ag納米顆粒層。

優(yōu)選地，采用氣體對所述sio2層進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕。

進(jìn)一步地，采用氣體對所述n型電流擴(kuò)展層進(jìn)行反應(yīng)耦合等離子體刻蝕。

優(yōu)選地，所述sio2層的厚度為40～100nm。

可選地，所述ag層的厚度為10～30nm。

可選地，所述n型電流擴(kuò)展層的生長溫度為670～685℃。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：通過先在襯底上依次外延生長緩沖層、n型腐蝕停層、n型歐姆接觸層、n型電流擴(kuò)展層、n型限制層、有源層、p型限制層、p型電流擴(kuò)展層和p型歐姆接觸層，以完成對外延層的制作，再通過在p型歐姆接觸層上形成的金屬反射層將外延層轉(zhuǎn)移到基板上，并依次去除襯底、緩沖層和n型腐蝕停層，以露出n型歐姆接觸層，緩沖層可以有利于外延層的生長，n型腐蝕停層可以避免在去除襯底和緩沖層時，n型歐姆接觸層受到腐蝕。在n型歐姆接觸層上制作完成第一電極后，去除n型歐姆接觸層中未被第一電極覆蓋的部分，從而將n型電流擴(kuò)展層露出。通過在n型電流擴(kuò)展層上形成sio2層和ag納米顆粒層，并對sio2層進(jìn)行刻蝕，由于ag納米顆粒層中的ag納米顆粒分布在sio2層上，因此在對sio2層進(jìn)行刻蝕時，會先從ag納米顆粒之間的縫隙間向sio2層進(jìn)行刻蝕，同時又由于刻蝕深度不小于sio2層的厚度，因此可以將sio2層刻蝕成分布在n型電流擴(kuò)展層上的錐形結(jié)構(gòu)。通過刻蝕n型電流擴(kuò)展層，由于n型電流擴(kuò)展層上分布有由sio2層形成的錐形結(jié)構(gòu)，因此在刻蝕n型電流擴(kuò)展層的過程中，會先從錐形結(jié)構(gòu)之間的縫隙間向n型電流擴(kuò)展層進(jìn)行刻蝕，同時由于刻蝕深度小于n型電流擴(kuò)展層的厚度，因此可以在n型電流擴(kuò)展層的表面刻蝕出均勻分布的錐形的納米柱結(jié)構(gòu)，通過對n型電流擴(kuò)展層進(jìn)行粗化處理，由于n型電流擴(kuò)展層的表面被刻蝕出了均勻分布的納米柱結(jié)構(gòu)，因此在粗化處理的過程中，粗化液會先從納米柱之間的間隙向n型電流擴(kuò)展層進(jìn)行腐蝕，使得n型電流擴(kuò)展層的表面不同位置的腐蝕深度不同，從而可以形成顆粒小，分布均勻且高度較高的表面，避免了粗化不均勻?qū)е碌陌l(fā)光二極管亮度不均勻的情況。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的制備方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種發(fā)光二極管的制備方法的流程圖；

圖3～圖24是本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光二極管制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的制備方法的流程圖，如圖1所示，該制備方法包括：

s101：提供一襯底。

s102：在襯底上依次生長緩沖層、n型腐蝕停層、n型歐姆接觸層、n型電流擴(kuò)展層、n型限制層、有源層、p型限制層、p型電流擴(kuò)展層和p型歐姆接觸層。

s103：在p型歐姆接觸層上制作金屬反射層。

s104：提供一基板。

s105：將金屬反射層粘合到基板上。

s106：依次去除襯底、緩沖層和n型腐蝕停層，以露出n型歐姆接觸層。

s107：在n型歐姆接觸層上制作第一電極。

s108：去除n型歐姆接觸層中未被第一電極覆蓋的部分，以露出n型電流擴(kuò)展層。

s109：在n型電流擴(kuò)展層和第一電極上形成sio2層。

s110：在sio2層上形成ag納米顆粒層。

s111：以ag納米顆粒層作為遮擋，對sio2層進(jìn)行刻蝕，且刻蝕深度不小于sio2層的厚度。

s112：刻蝕n型電流擴(kuò)展層，且刻蝕深度小于n型電流擴(kuò)展層的厚度。

s113：對n型電流擴(kuò)展層進(jìn)行粗化處理。

s114：在基板的背向金屬反射層的一側(cè)面上制作第二電極。

通過先在襯底上依次外延生長緩沖層、n型腐蝕停層、n型歐姆接觸層、n型電流擴(kuò)展層、n型限制層、有源層、p型限制層、p型電流擴(kuò)展層和p型歐姆接觸層，以完成對外延層的制作，再通過在p型歐姆接觸層上形成的金屬反射層將外延層轉(zhuǎn)移到基板上，并依次去除襯底、緩沖層和n型腐蝕停層，以露出n型歐姆接觸層，緩沖層可以有利于外延層的生長，n型腐蝕停層可以避免在去除襯底和緩沖層時，n型歐姆接觸層受到腐蝕。在n型歐姆接觸層上制作完成第一電極后，去除n型歐姆接觸層中未被第一電極覆蓋的部分，從而將n型電流擴(kuò)展層露出。通過在n型電流擴(kuò)展層上形成sio2層和ag納米顆粒層，并對sio2層進(jìn)行刻蝕，由于ag納米顆粒層中的ag納米顆粒分布在sio2層上，因此在對sio2層進(jìn)行刻蝕時，會先從ag納米顆粒之間的縫隙間向sio2層進(jìn)行刻蝕，同時又由于刻蝕深度不小于sio2層的厚度，因此可以將sio2層刻蝕成分布在n型電流擴(kuò)展層上的錐形結(jié)構(gòu)。通過刻蝕n型電流擴(kuò)展層，由于n型電流擴(kuò)展層上分布有由sio2層形成的錐形結(jié)構(gòu)，因此在刻蝕n型電流擴(kuò)展層的過程中，會先從錐形結(jié)構(gòu)之間的縫隙間向n型電流擴(kuò)展層進(jìn)行刻蝕，同時由于刻蝕深度小于n型電流擴(kuò)展層的厚度，因此可以在n型電流擴(kuò)展層的表面刻蝕出均勻分布的錐形的納米柱結(jié)構(gòu)，通過對n型電流擴(kuò)展層進(jìn)行粗化處理，由于n型電流擴(kuò)展層的表面被刻蝕出了均勻分布的納米柱結(jié)構(gòu)，因此在粗化處理的過程中，粗化液會先從納米柱之間的間隙向n型電流擴(kuò)展層進(jìn)行腐蝕，使得n型電流擴(kuò)展層的表面不同位置的腐蝕深度不同，從而可以形成顆粒小，分布均勻且高度較高的表面，避免了粗化不均勻?qū)е碌陌l(fā)光二極管亮度不均勻的情況。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種發(fā)光二極管的制備方法的流程圖，下面結(jié)合附圖3～19對圖2提供的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明：

s201：提供一襯底。

實(shí)現(xiàn)時，該襯底可以是gaas襯底，gaas襯底是一種常見的襯底，也是紅黃光發(fā)光二極管常用的襯底。

在步驟s21中，可以對gaas襯底進(jìn)行預(yù)處理，具體可以包括將gaas襯底依次在三氯乙烯、丙酮、乙醇中超聲清洗10分鐘，去除表面有機(jī)物，然后在去離子水中超聲清洗15分鐘后用氮?dú)獯蹈?，最后高溫退火去除gaas襯底表面的氧化薄膜。

s202：在襯底上外延生長緩沖層。

如圖3所示，在襯底10上生長n型gaas緩沖層20。

其中，n型gaas緩沖層20的厚度可以為150nm～300nm，生長的n型gaas緩沖層20的厚度不同，最終形成的外延層的質(zhì)量也會不同，若n型gaas緩沖層20的厚度過薄，則會導(dǎo)致n型gaas緩沖層20的表面較為疏松和粗糙，不能為后續(xù)結(jié)構(gòu)的生長提供一個好的模板，隨著n型gaas緩沖層20厚度的增加，n型gaas緩沖層20的表面逐漸變得較為致密和平整，有利于后續(xù)結(jié)構(gòu)的生長，但是若n型gaas緩沖層20的厚度過厚，則會導(dǎo)致n型gaas緩沖層20的表面過于致密，同樣不利于后續(xù)結(jié)構(gòu)的生長，無法減少外延層中的晶格缺陷。

具體地，生長n型gaas緩沖層20時，控制砷烷(ash3)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(v/iii比)為20～30，生長速率可以控制在0.5～0.8nm/s，生長溫度可以為650～670℃，其中砷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

s203：在緩沖層上外延生長n型腐蝕停層。

如圖4所示，在n型gaas緩沖層20上生長n型gainp腐蝕停層30。

具體地，n型gainp腐蝕停層30的厚度可以為200nm～300nm。

進(jìn)一步地，生長n型gainp腐蝕停層30時，控制磷烷(ph3)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(v/iii比)為20～30，生長速率可以控制在0.5～0.6nm/s，生長溫度可以為650～670℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

s204：在n型腐蝕停層上外延生長n型歐姆接觸層。

如圖5所示，在n型gainp腐蝕停層30上生長n型gaas歐姆接觸層40。

具體地，n型gaas歐姆接觸層40的厚度可以為30nm～60nm。

進(jìn)一步地，生長n型gaas歐姆接觸層40時，控制砷烷(ash3)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(v/iii比)為20～30，生長速率可以控制在0.5～0.8nm/s，生長溫度可以為650～670℃，其中砷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

可選地，n型gaas歐姆接觸層40中的載流子濃度可以為4e18cm^-3～6e18cm^-3。

s205：在n型歐姆接觸層上外延生長n型電流擴(kuò)展層。

如圖6所示，在n型gaas歐姆接觸層40上生長n型algainp電流擴(kuò)展層50。

具體地，n型algainp電流擴(kuò)展層50的厚度可以為2.5μm～3.5μm，若n型algainp電流擴(kuò)展層50的厚度過薄，會使得n型algainp電流擴(kuò)展層50的橫向的電阻增大，降低電流的擴(kuò)展能力，若n型algainp電流擴(kuò)展層50的厚度過厚，則會增加對光的吸收，降低出光率，使發(fā)光二極管亮度降低，翹曲變大，碎片率增加。

進(jìn)一步地，生長n型algainp電流擴(kuò)展層50時，控制磷烷(ph3)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(v/iii比)為20～30，生長速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生長溫度可以為670～685℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

可選地，n型algainp電流擴(kuò)展層50中的載流子濃度可以為1e18cm^-3～2e18cm^-3。

s206：在n型電流擴(kuò)展層上外延生長n型限制層。

如圖7所示，在n型algainp電流擴(kuò)展層50上生長n型alinp限制層60。

具體地，n型alinp限制層60的厚度可以為250nm～350nm。

進(jìn)一步地，生長n型alinp限制層60時，控制磷烷(ph3)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(v/iii比)為20～30，生長速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生長溫度可以為670～685℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

可選地，n型alinp限制層60中的載流子濃度可以為1e18cm^-3～2e18cm^-3。

s207：在n型限制層上外延生長有源層。

如圖8所示，在n型alinp限制層60上生長有源層70。

具體地，有源層70的厚度可以為150nm～200nm。

進(jìn)一步地，生長有源層70時，控制磷烷(ph3)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(v/iii比)為20～30，生長速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生長溫度可以為670～685℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

s208：在有源層上外延生長p型限制層。

如圖9所示，在有源層70上生長p型alinp限制層80。

具體地，p型alinp限制層80的厚度可以為250nm～350nm。

進(jìn)一步地，生長p型alinp限制層80時，控制磷烷(ph3)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(v/iii比)為20～30，生長速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生長溫度可以為670～685℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

可選地，p型alinp限制層80中的載流子濃度可以為7e17cm^-3～9e17cm^-3。

s209：在p型限制層上外延生長p型電流擴(kuò)展層。

如圖10所示，在p型alinp限制層80上生長p型gap電流擴(kuò)展層90。

具體地，p型gap電流擴(kuò)展層90的厚度可以為1.5μm～2.5μm。

進(jìn)一步地，生長p型gap電流擴(kuò)展層90時，控制磷烷(ph3)和金屬有機(jī)源的摩爾流量比(v/iii比)為20～30，生長速率可以控制在2.5～3nm/s，生長溫度可以為695～710℃，其中磷烷可以為純度在99.9999％以上的電子特氣。

可選地，p型gap電流擴(kuò)展層90中的載流子濃度可以為2e18cm^-3～5e18cm^-3。

s210：在p型電流擴(kuò)展層上外延生長p型歐姆接觸層。

如圖11所示，在p型gap電流擴(kuò)展層90上生長p型歐姆接觸層100。

具體地，p型歐姆接觸層100的厚度可以為30nm～60nm。

可選地，p型歐姆接觸層100中的載流子濃度可以為3e19cm^-3～8e19cm^-3。

s211：在p型歐姆接觸層上制作金屬反射層。

如圖12所示，在p型歐姆接觸層100上制作金屬反射層110。

金屬反射層110可以將發(fā)光二極管發(fā)出的光向出光側(cè)反射，從而提高出光率，使發(fā)光二極管的亮度得到提升。

s212：提供一基板。

實(shí)現(xiàn)時，該基板可以是硅基板。

s213：將金屬反射層粘合到基板上。

如圖13所示，將金屬反射層110粘合到基板120上。

通過金屬反射層110將外延層轉(zhuǎn)移到基板120上后，從而可以去除gaas襯底10，避免gaas材料對光的吸收。

s214：依次去除襯底、緩沖層和n型腐蝕停層。

如圖14所示，依次去除襯底10、n型gaas緩沖層20和n型gainp腐蝕停層30，以露出n型gaas歐姆接觸層40。

具體地，可以通過腐蝕液將襯底10、n型gaas緩沖層20和n型gainp腐蝕停層30依次腐蝕去除。

實(shí)現(xiàn)時，腐蝕液可以為雙氧水和鹽酸。

s215：制作第一電極。

如圖15所示，在n型gaas歐姆接觸層40上制作第一電極131。

具體地，可以先在n型gaas歐姆接觸層40上蒸鍍電極材料，再通過刻蝕去除部分電極材料，以形成第一電極131。

s216：去除部分n型歐姆接觸層。

如圖16所示，去除n型gaas歐姆接觸層40中未被第一電極131覆蓋的部分，以露出n型algainp電流擴(kuò)展層50。

具體地，可以通過光刻去除位于第一電極131之外的n型gaas歐姆接觸層40，從而將n型algainp電流擴(kuò)展層50露出。

s217：在n型電流擴(kuò)展層和第一電極131上形成sio2層。

如圖17所示，在n型algainp電流擴(kuò)展層50和第一電極131上形成一層sio2層141。

實(shí)現(xiàn)時，sio2層141的厚度大于n型歐姆接觸層和第一電極131的厚度之和。以使sio2層141可以覆蓋住第一電極131，從而對第一電極131提供保護(hù)。

具體地，sio2層141的厚度可以為40～100nm，優(yōu)選為70nm。sio2層141的厚度過薄則可能無法將第一電極131完全覆蓋，使得在后續(xù)的形成ag納米顆粒層的過程中第一電極131被損壞，sio2層141的厚度過厚則在后續(xù)的刻蝕sio2層141的過程中，會延長刻蝕的時間，增加刻蝕的成本。

s218：在sio2層上形成ag納米顆粒層。

如圖18和圖19所示，在sio2層141上形成ag納米顆粒層142a，可以包括：

在sio2層141上形成ag層142。

對ag層142進(jìn)行退火處理，以形成ag納米顆粒層142a。

實(shí)現(xiàn)時，ag層142的厚度可以為10～30nm，優(yōu)選為20nm。ag層142的厚度越薄，則形成的ag納米顆粒層142a中的ag納米顆粒142b的直徑越小，ag納米顆粒142b之間的間距也越小，在sio2層141上形成的錐形結(jié)構(gòu)之間的間距和錐形結(jié)構(gòu)的底面直徑也越小，從而使n型algainp電流擴(kuò)展層50上形成的納米柱結(jié)構(gòu)也越小，ag層142越厚，則形成的ag納米顆粒142b的直徑越大，在sio2層141上形成的錐形結(jié)構(gòu)之間的間距和錐形結(jié)構(gòu)的底面直徑也越大，n型algainp電流擴(kuò)展層50上形成的納米柱結(jié)構(gòu)也越大，通過選擇合適的ag層142的厚度可以使n型algainp電流擴(kuò)展層50上形成滿足制作要求的納米柱結(jié)構(gòu)。

可選地，退火處理的溫度可以為0.5～3min，優(yōu)選為1min，ag層142的厚度越厚，則退火處理的時間也應(yīng)該越長，以確保能夠形成ag納米顆粒層142a。

可選地，退火溫度可以為480～510℃，優(yōu)選為495℃，ag層142的厚度越厚，則退火處理的溫度也應(yīng)該越高，以確保能夠形成ag納米顆粒層142a。

實(shí)現(xiàn)時，可以將待制作的發(fā)光二極管置于快速退火爐中進(jìn)行退火處理，以在sio2層141上形成ag納米顆粒層142a。

s219：以ag納米顆粒層作為遮擋，對sio2層進(jìn)行刻蝕，且刻蝕深度不小于sio2層的厚度。

如圖20所示，刻蝕sio2層141，以在n型algainp電流擴(kuò)展層50上形成錐形結(jié)構(gòu)的sio2。

實(shí)現(xiàn)時，可以采用氣體對sio2層141進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕。

具體地，可以采用chf3、cf4的混合氣體或是cf4、h2的混合氣體進(jìn)行刻蝕。

如圖20所示，在刻蝕sio2層141后，可能會有部分ag納米顆粒142b殘留在錐形結(jié)構(gòu)的sio2上。

需要說明的是，在刻蝕sio2層141的過程中，可以不對位于第一電極141上方的sio2層141進(jìn)行刻蝕，從而既可以提高刻蝕的效率，又可以通過第一電極141上的sio2層141對第一電極141提供保護(hù)。

s220：刻蝕n型電流擴(kuò)展層。

如圖21所示，刻蝕n型algainp電流擴(kuò)展層50，以在n型algainp電流擴(kuò)展層50的表面刻蝕出錐形的納米柱結(jié)構(gòu)50a。

需要說明的是，刻蝕深度應(yīng)小于n型電流擴(kuò)展層的厚度，以確保只有部分n型電流擴(kuò)展層被刻蝕。

實(shí)現(xiàn)時，可以采用氣體對n型電流擴(kuò)展層進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕。

具體地，可以采用hbr和ar的混合氣體進(jìn)行刻蝕。

如圖21所示，在刻蝕n型algainp電流擴(kuò)展層50后，可能會有部分sio2層141甚至是部分的ag納米顆粒142b殘留在納米柱結(jié)構(gòu)50a上。

需要說明的是，在刻蝕n型algainp電流擴(kuò)展層50的過程中，也可以避開第一電極141上方的區(qū)域，以提高刻蝕的效率。

s221：去除殘留的sio2層和ag納米顆粒層。

圖22是去除殘留的sio2層和ag納米顆粒層之后的結(jié)構(gòu)示意圖，實(shí)現(xiàn)時，可以采用氫氧化鉀溶液或氫氟酸溶液去除殘留的sio2層和ag納米顆粒層。

s222：粗化處理。

如圖23所示，在粗化處理過程中，粗化液沿著納米柱結(jié)構(gòu)50a之間的間隙對n型algainp電流擴(kuò)展層50進(jìn)行腐蝕，以形成較高的納米柱結(jié)構(gòu)50a。

實(shí)現(xiàn)時，可以進(jìn)行多次粗化，以使粗化深度滿足工藝要求。

具體地，將待粗化處理的發(fā)光二極管浸入粗化液中，進(jìn)行第一次粗化，在完成第一次粗化后，將發(fā)光二極管取出，甩干處理后再次浸入粗化液，進(jìn)行第二次粗化，在完成第二次粗化后，將發(fā)光二極管取出，甩干處理后再次浸入粗化液，以進(jìn)行第三次粗化，如此完成對發(fā)光二極管的多次粗化。由于粗化過程中，無法確保一次粗化就得到所需要的粗化深度，因此需要通過多次粗化逐漸加深粗化深度，以使粗化深度達(dá)到工藝要求。

實(shí)現(xiàn)時，粗化深度可以為0.1～0.3μm。每次粗化的時間可以是5～20s。

優(yōu)選地，第一次粗化的時間可以為15～20s，若第一次粗化時間太短，則第一次的粗化深度過淺，會增加粗化次數(shù)，若第一次粗化時間太長，則可能導(dǎo)致第一次粗化完成后，粗化深度就超過了工藝要求。第一次粗化之后的每次粗化的時間可以為5～10s，第一次粗化之后的每次粗化的時間越短，則總的粗化深度越容易控制，但相應(yīng)地，粗化次數(shù)也可能越多。

進(jìn)一步地，第一次粗化之后的每次粗化的時間可以逐漸縮短，以使總的粗化深度符合工藝要求。

可選地，粗化液可以是h3po4和hcl的混合溶液，其中h3po4和hcl的物質(zhì)的量之比為5∶1。

s223：制作第二電極。

如圖24所示，在基板120的背向金屬反射層110的一側(cè)面上制作第二電極132。

通過完成第二電極132的制作后，即可進(jìn)行裂片，從而得到多個發(fā)光二極管。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。