1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括：基板；設(shè)置在所述基板上相交且絕緣的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，及所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線定義的多個(gè)像素單元；設(shè)置在所述像素單元內(nèi)的薄膜晶體管；
所述薄膜晶體管包括：
柵極，設(shè)置在所述基板上；
柵極絕緣層，設(shè)置在所述柵極上；
數(shù)據(jù)線，設(shè)置在所述柵極絕緣層上；
有源層，包括彼此間隔的第一有源層圖案和第二有源層圖案，所述第一有源層圖案設(shè)置在所述柵極絕緣層上并與所述柵極重疊，所述第二有源層圖案設(shè)置在至少部分所述數(shù)據(jù)線上；
刻蝕阻擋層，包括彼此間隔的第一刻蝕阻擋層圖案和第二刻蝕阻擋層圖案，所述第一刻蝕阻擋層圖案對(duì)應(yīng)覆蓋所述第一有源層圖案，所述第二刻蝕阻擋層圖案對(duì)應(yīng)覆蓋所述第二有源層圖案；
第一絕緣層，設(shè)置在所述刻蝕阻擋層上；
第一過(guò)孔，所述第一過(guò)孔貫穿所述第一刻蝕阻擋層圖案和所述第一絕緣層，并暴露至少部分所述第一有源層圖案；
第二過(guò)孔，所述第二過(guò)孔貫穿所述第二刻蝕阻擋層圖案和所述第一絕緣層，并暴露至少部分所述第二有源層圖案；
導(dǎo)電層，設(shè)置在所述第一絕緣層上，所述導(dǎo)電層一部分填充所述第一過(guò)孔與所述第一有源層圖案接觸，另一部分填充所述第二過(guò)孔與所述第二有源層圖案接觸，所述導(dǎo)電層通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔實(shí)現(xiàn)所述第一有源層圖案與所述第二有源層圖案電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有源層與所述刻蝕阻擋層圖案一致。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括貫穿所述第一刻蝕阻擋層圖案和所述第一絕緣層的第三過(guò)孔；所述第三過(guò)孔暴露至少部分所述第一有源層圖案，且與所述第一過(guò)孔彼此間隔。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層包括彼此間隔的第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案，所述第一導(dǎo)電圖案分別通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔連接所述第一有源層圖案和所述第二有源層圖案；所述第二導(dǎo)電圖案通過(guò)所述第三過(guò)孔連接所述第一有源層圖案。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層還包括像素電極，所述像素電極與所述第二導(dǎo)電圖案電連接。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有源層為氧化物半導(dǎo)體層。
7.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括：
在基板上形成第一金屬層，圖案化所述第一金屬層，形成柵極；
在所述柵極上形成柵極絕緣層；
形成第二金屬層，圖案化所述第二金屬層，形成數(shù)據(jù)線；
形成有源層和覆蓋所述有源層的刻蝕阻擋層；圖案化所述刻蝕阻擋層和所述有源層，形成覆蓋所述柵極絕緣層并與所述柵極重疊的第一有源層圖案和覆蓋至少部分所述數(shù)據(jù)線的第二有源層圖案，以及覆蓋所述第一有源層圖案的第一刻蝕阻擋層圖案和覆蓋所述第二有源層圖案的第二刻蝕阻擋層圖案；
形成覆蓋所述刻蝕阻擋層、第二金屬層及柵極絕緣層的第一絕緣層；圖案化所述第一絕緣層和所述第一刻蝕阻擋層圖案，形成第一過(guò)孔，所述第一過(guò)孔暴露至少部分所述第一有源層圖案；圖案化所述第一絕緣層和所述第二刻蝕阻擋層圖案，形成第二過(guò)孔，所述第二過(guò)暴露至少部分所述第二有源層圖案；
在所述第一絕緣層上形成導(dǎo)電層，圖案化所述導(dǎo)電層，使所述導(dǎo)電層一部分填充所述第一過(guò)孔與所述第一有源層圖案接觸，另一部分填充所述第二過(guò)孔與所述第二有源層圖案接觸所述導(dǎo)電層通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔實(shí)現(xiàn)所述第一有源層圖案與所述第二有源層圖案電連接。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，用同一張掩膜版圖案化所述刻蝕阻擋層和所述有源層，使所述有源層與所述刻蝕阻擋層圖案一致。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述有源層和所述刻蝕阻擋層依次成膜后，先通過(guò)干刻圖案化所述刻蝕阻擋層，再通過(guò)濕刻圖案化所述有源層。
10.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，圖案化所述第一絕緣層和所述刻蝕阻擋層，還包括形成貫穿所述第一刻蝕阻擋層圖案和所述第一絕緣層的第三過(guò)孔；所述第三過(guò)孔暴露至少部分所述第一有源層圖案，且與所述第一過(guò)孔彼此間隔。
11.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，圖案化所述導(dǎo)電層，形成彼此間隔的第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案，所述第一導(dǎo)電圖案分別通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔連接所述第一有源層圖案和所述第二有源層圖案；所述第二導(dǎo)電圖案通過(guò)所述第三過(guò)孔連接所述第一有源層圖案。
12.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，圖案化所述導(dǎo)電層還包括形成像素電極，所述像素電極與所述第二導(dǎo)電圖案電連接。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，圖案化所述第一絕緣層和所述第二刻蝕阻擋層圖案，形成所述第二過(guò)孔后，對(duì)所述第二過(guò)孔暴露的所述第二有源層圖案進(jìn)行導(dǎo)電化處理。