本發(fā)明涉及一種顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種微發(fā)光二極管顯示面板及制作方法。

背景技術(shù)：

平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺式計算機(jī)等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

微發(fā)光二極管(Micro LED，μLED)顯示器是一種以在一個基板上集成的高密度微小尺寸的LED陣列作為顯示像素來實現(xiàn)圖像顯示的顯示器，同大尺寸的戶外LED顯示屏一樣，每一個像素可定址、單獨驅(qū)動點亮，可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版，將像素點距離從毫米級降低至微米級，μLED顯示器和有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器一樣屬于自發(fā)光顯示器，但μLED顯示器相比OLED顯示器還具有材料穩(wěn)定性更好、壽命更長、無影像烙印等優(yōu)點，被認(rèn)為是OLED顯示器的最大競爭對手。

微轉(zhuǎn)印(Micro TransferPrinting)技術(shù)是目前制備μLED顯示裝置的主流方法，具體制備過程為：首先在藍(lán)寶石類基板生長出微發(fā)光二極管，然后通過激光剝離技術(shù)(Laserlift-off，LLO)將微發(fā)光二極管裸芯片(bare chip)從藍(lán)寶石類基板上分離開，隨后使用一個圖案化的聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)傳送頭將微發(fā)光二極管裸芯片從藍(lán)寶石類基板吸附起來，并將PDMS傳送頭與接收基板進(jìn)行對位，隨后將PDMS傳送頭所吸附的微發(fā)光二極管裸芯片貼附到接收基板上預(yù)設(shè)的位置，再剝離PDMS傳送頭，即可完成將微發(fā)光二極管裸芯片轉(zhuǎn)移到接收基板上，進(jìn)而制得μLED顯示裝置。

目前液晶顯示面板等平板顯示面板中的子像素的尺寸相對于微發(fā)光二極管的尺寸而言都是比較大的，若在相當(dāng)于現(xiàn)有的子像素區(qū)域大小的面積空間對應(yīng)填充一個小尺寸的微發(fā)光二極管，則需要多塊具有微發(fā)光二極晶粒的轉(zhuǎn)印板進(jìn)行陣列排布從而形成子像素區(qū)，現(xiàn)有的一個關(guān)鍵問題在于，對于R/G/BμLED chip(微發(fā)光二極管晶粒),在生產(chǎn)過程中存在一致性偏離的問題，即通常LED的生產(chǎn)，有一個分Bin(Bin Code檔次范圍)級的過程，即根據(jù)微發(fā)光二極管晶粒的光電特性將微發(fā)光二極管晶粒進(jìn)行分類，每一類叫做一個Bin級，一般情況下，分Bin級時會先對于同一批次中的微發(fā)光二極管的峰值波長訂立一個固定值，然后將圍繞該固定值±2nm的微發(fā)光二極管作為一個Bin級，在該范圍值內(nèi)的微發(fā)光二極管晶粒的色度和亮度的一致性較好，而在不同的Bin級中，峰值波長會發(fā)生大范圍的移動，色度和亮度會存在一致性偏離的問題。

若采用Micro LED作為光源，制備Micro LED彩色顯示器，則需要大規(guī)模生產(chǎn)R/G/B LED chip，這個過程中LED chip的一致性偏離是一個必然現(xiàn)象。不同硅晶片(Wafer)生長出的LED chip很大概率處于不同的Bin級中，若直接將不同Bin級中的微發(fā)光二極管直接一次轉(zhuǎn)印至陣列基板上，會導(dǎo)致了微發(fā)光二極管顯示面器顏色和亮度的均勻性差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種微發(fā)光二極管顯示面板及制作方法，有效改善整個微發(fā)光二極管顯示面板的顏色和亮度的勻稱性。

本發(fā)明提供了一種微發(fā)光二極管顯示面板，包括陣列基板，所述陣列基板上陣列排布有多個像素單元，每個像素單元至少包括R、G、B三色的子像素單元，每個子像素單元中均設(shè)有至少一個與該子像素單元顏色相對應(yīng)的微發(fā)光二極管晶粒，相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元的微發(fā)光二極管晶粒的Bin級不同且峰值波長差值>2nm，從而將不同Bin級的微發(fā)光二極管晶?；旌吓挪?。

進(jìn)一步地，每個子像素單元至少由兩個顏色相同、Bin級不同且峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶?；旌吓挪级?。

進(jìn)一步地，所述陣列基板上劃分有n個排布區(qū)，每個排布區(qū)中R、G、B子像素單元分別采用對應(yīng)顏色的m種Bin級的微發(fā)光二極管晶粒混合排布，其中，2<n<m，所述m和n均為正整數(shù)。

進(jìn)一步地，每個排布區(qū)中每種Bin級的微發(fā)光二極管晶粒的個數(shù)為m/n個。

進(jìn)一步地，每個排布區(qū)中相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒的峰值波長差值>2nm。

本發(fā)明還提供了一種微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法，包括如下步驟：

提供一陣列基板；

在陣列基板的像素單元中的R、G、B三色的子像素單元內(nèi)通過轉(zhuǎn)印將對應(yīng)顏色的微發(fā)光二極管晶粒從轉(zhuǎn)印板上轉(zhuǎn)印至相應(yīng)的子像素單元中，每次轉(zhuǎn)印的微發(fā)光二極管晶粒的顏色以及Bin級相同，相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元內(nèi)的微發(fā)光二極管晶粒的Bin級不同且峰值波長差值>2nm。

進(jìn)一步地，每個子像素單元至少通過兩次轉(zhuǎn)印，將兩個顏色相同、Bin級不同且峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶?；旌吓挪荚谙鄳?yīng)的子像素單元中。

進(jìn)一步地，在轉(zhuǎn)印前，將陣列基板劃分為n個排布區(qū)，每個排布區(qū)中R、G、B子像素單元分別采用對應(yīng)顏色的m種Bin級的微發(fā)光二極管晶?；旌吓挪迹恳淮无D(zhuǎn)印將一塊Bin級相同的轉(zhuǎn)印板上的多個微發(fā)光二極管晶粒分別排布至每一個排布區(qū)中對應(yīng)的子像素單元內(nèi)，直到將每個排布區(qū)布滿微發(fā)光二極管晶粒；其中，2<n<m，所述m和n均為正整數(shù)。

進(jìn)一步地，每個排布區(qū)中每種Bin級的微發(fā)光二極管晶粒的個數(shù)為m/n個。

進(jìn)一步地，每個排布區(qū)中相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒的峰值波長差值>2nm。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過在每個子像素單元中陣列排布有顏色相同且Bin級不同的微發(fā)光二極管晶粒，從而使不同色溫、不同批次生產(chǎn)的同一顏色的微微發(fā)光二極管晶?；旌详嚵信挪荚谝黄?，通過多次轉(zhuǎn)印，實現(xiàn)混合陣列排布，將不同Bin級的同一顏色的微微發(fā)光二極管晶粒分散在整個陣列基板中，能夠有效改善微發(fā)光二極管顯示面板的顏色和亮度的均稱性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的排布方式的示意圖；

圖2是本發(fā)明的第一種排布方式的示意圖；

圖3是本發(fā)明的第二種排布方式的示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

本發(fā)明中分Bin級是微發(fā)光二極管生產(chǎn)企業(yè)中的一個常規(guī)做法，因為在一次微發(fā)光二極管生產(chǎn)中會出現(xiàn)同一批次或者是同一塊襯底上形成的微發(fā)光二極管的光電特性都會存在差異，因此需要通過不同的光電特性將微放光二極管進(jìn)行分類，每一類代表一個Bin(Bin Code檔次范圍)級，這里的檔次范圍指的不是質(zhì)量高低檔次，是指根據(jù)色度和亮度來分類，比如紅色的顏色波長一般是620-625NM一個檔或625-630NM一個檔亮度350-450MCD一個檔、450-580MCD一個檔這個檔就是Bin Code。

本發(fā)明中采用的是以微發(fā)光二極管的峰值波長作為主要參數(shù)進(jìn)行分類。

如圖1所示，本發(fā)明的微發(fā)光二極管顯示面板包括陣列基板1，所述陣列基板1上陣列排布有多個像素單元，每個像素單元至少包括R、G、B三色的子像素單元4，每個子像素單元4中均設(shè)有至少一個與該子像素單元4顏色相對應(yīng)的微發(fā)光二極管晶粒2，相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元4的微發(fā)光二極管晶粒2來自不同的Bin級且相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒2的峰值波長差值>2nm。

由于常規(guī)的微發(fā)光二極管顯示面板中微發(fā)光二極管晶粒2的排布方式是通過將一塊轉(zhuǎn)印板上的微發(fā)光二極管晶粒2整體轉(zhuǎn)印到陣列基板1上，然后將其采用常規(guī)的連接方式與陣列基板1上的像素電極進(jìn)行電連接，實現(xiàn)導(dǎo)通，而兩塊轉(zhuǎn)印板上的微發(fā)光二極管晶粒2由于會存Bin級不同，存在差異性，通過計算發(fā)現(xiàn)，對于相鄰的3-4個不同色溫的微發(fā)光二極管晶粒，其色度差異性大，當(dāng)峰值波長平移2nm，色度差異就超過了0.01，而一個色溫的峰值波長范圍往往由2.5nm。導(dǎo)致在將整塊轉(zhuǎn)印板上的微發(fā)光二極管晶粒2轉(zhuǎn)印后，會導(dǎo)致局部顏色亮度不均勻的現(xiàn)象，因此，通過將相同顏色，Bin級不同且相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒2的峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2進(jìn)行混合排布，使不同Bin級以及峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2分散在整塊陣列基板1中，這樣能夠解決顏色亮度不均勻的問題。

如圖2所示，微發(fā)光二極管晶粒2的第一種排布方式如下，本發(fā)明的微發(fā)光二極管顯示面板包括陣列基板1，所述陣列基板1上陣列排布有多個像素單元，每個像素單元至少包括R、G、B三色的子像素單元4，每個子像素單元4中均設(shè)有至少一個與該子像素單元4顏色相對應(yīng)的微發(fā)光二極管晶粒2，相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元4的微發(fā)光二極管晶粒2的Bin級不同且峰值波長差值>2nm；具體地，每個子像素單元4至少由兩個顏色相同、Bin級不同且相鄰兩個微發(fā)光二極管晶粒2的峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布而成。

以下以G子像素單元為例，進(jìn)行說明，由于微發(fā)光二極管晶粒2的整板尺寸較小，當(dāng)轉(zhuǎn)印至陣列基板1上時，陣列基板1的尺寸有些會大于轉(zhuǎn)印板的尺寸，而且微發(fā)光二極管晶粒2自身的尺寸也較小，因此需要多塊不同Bin級的轉(zhuǎn)印板進(jìn)行轉(zhuǎn)印，轉(zhuǎn)印時，每個G子像素單元由至少兩個顏色相同但是Bin級不同且峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布而成，例如，如圖2所示，每個G子像素單元由兩個顏色相同但是Bin級不同且相鄰兩個微發(fā)光二極管晶粒2的峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布而成。

如圖3所示，為微發(fā)光二極管晶粒2的另一種排布方式，圖中僅顯示出G子像素單元4中的微發(fā)光二極管晶粒2的排布方式，這種排布方式較第一種排布方式，不管從轉(zhuǎn)印或顏色亮度上均較優(yōu)，在陣列基板1上劃分有n個排布區(qū)3，每個排布區(qū)3中R、G、B子像素單元4分別采用對應(yīng)顏色的m種Bin級不同且相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒2的峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布，其中，2<n<m，所述m和n均為正整數(shù)。

在本排布方式中，每個排布區(qū)3中每種Bin級的微發(fā)光二極管晶粒2的個數(shù)為m/n個。

所述每個排布區(qū)3中相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒2的Bin級不同且峰值波長差值>2nm。

本發(fā)明的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法如下：

如圖1所示，提供一陣列基板1；

在陣列基板1的像素單元中的R、G、B三色的子像素單元4內(nèi)通過轉(zhuǎn)印將對應(yīng)顏色的微發(fā)光二極管晶粒2從轉(zhuǎn)印板上轉(zhuǎn)印至相應(yīng)的子像素單元4中，每次轉(zhuǎn)印的微發(fā)光二極管晶粒2的顏色相同以及Bin級相同，相鄰兩個像素單元中顏色相同的子像素單元4內(nèi)的微發(fā)光二極管晶粒2的Bin級不同且峰值波長差值>2nm。

如圖2所示，本發(fā)明的第一種排布方式的制作方法具體為，每個子像素單元4至少通過兩次轉(zhuǎn)印，將兩個顏色相同、Bin級不同且峰值波長差值>2nm的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布在相應(yīng)的一個子像素單元4中。

如圖3所示，本發(fā)明的另一種排布方式的微發(fā)光二極管顯示面板的制作方法具體為，在轉(zhuǎn)印前，將陣列基板1劃分為n個排布區(qū)3，每個排布區(qū)3中R、G、B子像素單元4分別采用對應(yīng)顏色的m種Bin級不同的微發(fā)光二極管晶粒2混合排布，每一次轉(zhuǎn)印將一塊Bin級相同的轉(zhuǎn)印板上的多個微發(fā)光二極管晶粒2分別排布至每一個排布區(qū)3中對應(yīng)的子像素單元4內(nèi)，直到將每個排布區(qū)布滿微發(fā)光二極管晶粒2；其中，2<n<m，所述m和n均為正整數(shù)；每個排布區(qū)3中每種Bin級的微發(fā)光二極管晶粒2的個數(shù)為m/n個；

具體地，每個排布區(qū)3中相鄰兩個顏色相同的微發(fā)光二極管晶粒2的Bin級不同且峰值波長差值。

在現(xiàn)有的制作方法中，在一次轉(zhuǎn)印后會將一塊Bin級相同的轉(zhuǎn)印板上攜帶的所有微發(fā)光二極管晶粒2都轉(zhuǎn)移到陣列基板對應(yīng)的子像素單元中，同一次轉(zhuǎn)印的所有微發(fā)光二極管晶粒2都密集排布在一起。而在本發(fā)明，每次轉(zhuǎn)印僅從一塊Bin級相同的轉(zhuǎn)印板上抓取部分微發(fā)光二極管晶粒2，將一塊Bin級相同的轉(zhuǎn)印板在陣列基板1上進(jìn)行多次轉(zhuǎn)印，也就是在陣列基板的不同位置都用同一塊Bin級相同的轉(zhuǎn)印板進(jìn)行轉(zhuǎn)印微發(fā)光二極管晶粒2，而不是一次將所有微發(fā)光二極管晶粒2轉(zhuǎn)移完。

在上述過程中，原本一次轉(zhuǎn)印的所有具有相同顏色、Bin級相同的微發(fā)光二極管晶粒2排布是相鄰的，而采用一個Bin級的轉(zhuǎn)印板多次轉(zhuǎn)印意味著在顯示器陣列基板1上存在多個分散的微發(fā)光二極管晶粒組，這種從同一Bin級的轉(zhuǎn)印板上多次轉(zhuǎn)印一致性較好、峰值波長差值較小的微發(fā)光二極管晶粒2，再將它們分散排布放置在陣列基板上的方法，可以有效改善整個微發(fā)光二極管顯示面板的顏色和亮度的均勻性。

本發(fā)明的轉(zhuǎn)印刻采用靜電力控制的轉(zhuǎn)印模板,僅對需要放下的LED進(jìn)行靜電力的解除；另一種是非靜電力控制的轉(zhuǎn)印模板，通過對陣列基板的局部加熱，來控制僅加熱融化對應(yīng)區(qū)域的位置LED被轉(zhuǎn)移到陣列基板上。

雖然已經(jīng)參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。