此申請要求2015年12月11日提交到韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請第10-2015-0177426號(hào)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其出于所有目的通過引用被合并于此，如同在本文中完全闡述一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

示例性實(shí)施例涉及液晶顯示器及其制造方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示器是廣泛使用的一種平板顯示器，并且包括像素。每個(gè)像素可以包括像素電極以及被設(shè)置在像素電極與公共電極之間的液晶層。液晶顯示器通過控制像素電極和公共電極的電壓以向液晶層的液晶分子提供電場來顯示圖像。液晶顯示器的液晶分子可以根據(jù)電場重新排列，由此控制透射光的量。

像素電極連接至諸如薄膜晶體管的開關(guān)元件，以接收數(shù)據(jù)電壓。薄膜晶體管包括源電極、漏電極以及用作薄膜晶體管的溝道的半導(dǎo)體層。源電極和漏電極中的一個(gè)可以連接至像素電極，并且薄膜晶體管可以通過它們將數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)较袼仉姌O。

在形成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層之后，可在半導(dǎo)體層上形成金屬成分。金屬成分可流入半導(dǎo)體層中，并且可能污染用作溝道的半導(dǎo)體層。在這種情況下，薄膜晶體管的性能可能劣化。

在此背景技術(shù)部分中公開的上述信息僅用于增強(qiáng)對發(fā)明構(gòu)思的背景的理解，因此其可能包含不形成在該國本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

示例性實(shí)施例提供一種具有提高的可靠性的液晶顯示器。

示例性實(shí)施例提供一種制造具有提高的可靠性的液晶顯示器的方法。

另外方面將在隨后的詳細(xì)描述中闡述，并且部分根據(jù)公開是顯而易見的，或者可以通過對本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐來獲知。

示例性實(shí)施例公開了一種液晶顯示器，包括：被設(shè)置在基板上的半導(dǎo)體層；被設(shè)置在半導(dǎo)體層上的透明電極，透明電極與半導(dǎo)體層重疊并包括源電極、面對源電極的漏電極以及從漏電極延伸的第一電極；以及被設(shè)置在透明電極上的絕緣層。半導(dǎo)體層接觸源電極、漏電極和第一電極的整個(gè)表面。

示例性實(shí)施例還公開了一種制造液晶顯示器的方法，包括：在基板上形成半導(dǎo)體層和透明電極，透明電極被設(shè)置在半導(dǎo)體層上并包括源電極、面對源電極的漏電極以及從漏電極延伸的第一電極；在半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和第一電極上形成絕緣層；以及在絕緣層上形成信號(hào)線。半導(dǎo)體層和透明電極基于相同的曝光掩模形成。

示例性實(shí)施例還公開了一種液晶顯示器，包括：被設(shè)置在基板上的半導(dǎo)體層；源電極、面對源電極的漏電極以及從漏電極延伸的像素電極，源電極、漏電極和像素電極中的每一個(gè)被設(shè)置在半導(dǎo)體層上；被設(shè)置在半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和像素電極上的絕緣層；以及被設(shè)置在絕緣層上的信號(hào)線，信號(hào)線通過絕緣層的接觸孔連接至源電極。絕緣層覆蓋源電極與漏電極之間的半導(dǎo)體層，使其與信號(hào)線隔開。

前述一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，并且旨在提供對要求保護(hù)的主題的進(jìn)一步解釋。

附圖說明

被包括進(jìn)來以提供對本發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解并且被并入此說明書中并構(gòu)成說明書一部分的附圖示出了本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理。

圖1是根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的液晶顯示器的剖視圖。

圖2是根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖。

圖3是圖2的液晶顯示器的沿線III-III'截取的剖視圖。

圖4是圖2的液晶顯示器的沿線IV-IV'截取的剖視圖。

圖5是圖2的液晶顯示器的沿線V-V'截取的剖視圖。

圖6是圖2的液晶顯示器的沿線VI-VI'截取的剖視圖。

圖7是根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的液晶顯示器的信號(hào)線的布局圖。

圖8是圖7的液晶顯示器的沿線VIII-VIII'截取的剖視圖。

圖9至圖48是順序地示出了根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的制造液晶顯示器的方法的工藝的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下面的描述中，出于解釋的目的，為了提供對各種示例性實(shí)施例的徹底理解，闡述了許多具體的細(xì)節(jié)。然而，很明顯，各種示例性實(shí)施例可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)或具有一個(gè)或多個(gè)等同布置的情況下實(shí)施。在其他情況下，為了避免不必要地使各種示例性實(shí)施例隱晦費(fèi)解，公知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備以框圖形式示出。

在附圖中，為了清楚和說明的目的，層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對尺寸可能被夸大了。另外，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。

當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接至”或“聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在另一元件或?qū)由?，直接連接至或聯(lián)接至另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g元件或中間層。然而，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接至”或“直接聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。出于公開的目的，“X、Y和Z中的至少一個(gè)”和“選自由X、Y和Z組成的組中的至少一個(gè)”可以被解釋為只有X、只有Y、只有Z、或X、Y和Z中的兩個(gè)或更多個(gè)的任意組合，諸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。如本文所用，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任意和所有組合。

雖然術(shù)語第一、第二等可在本文中用來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用來區(qū)分一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。因此，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，而不脫離本公開的教導(dǎo)。

出于描述的目的，在本文中使用了諸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空間相對術(shù)語來描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征相對于另一個(gè)(些)元件或特征的關(guān)系。除了圖中描述的方位之外，空間相對術(shù)語意在還包含裝置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果圖中裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件將被定向?yàn)樵谄渌蛱卣鞯摹吧戏健?。因此，示例性術(shù)語“下方”可以包括上方和下方兩種方位。此外，裝置可被另外定向(例如旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方向)，并且照此，本文使用的空間相對描述符可以進(jìn)行相應(yīng)的解釋。

本文使用的術(shù)語用于描述特定的實(shí)施例，并不旨在進(jìn)行限制。如本文所用，單數(shù)形式的“一”和“該(所述)”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確說明。此外，當(dāng)在說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括”和/或“包含”表明存在所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組，但不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

在本文中參考作為理想化示例性實(shí)施例和/或中間結(jié)構(gòu)的示意性圖示的剖視圖示來描述各個(gè)示例性實(shí)施例。這樣，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，可以預(yù)期圖示形狀的變化。因此，在本文中公開的示例性實(shí)施例不應(yīng)該被解釋為限于區(qū)域的特定例示形狀，而是包括例如由于制造產(chǎn)生的形狀偏差。圖中所示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不旨在示出設(shè)備的區(qū)域的實(shí)際形狀，并且不旨在進(jìn)行限制。

除非另有定義，本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有本公開所屬的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同含義。例如那些在常用字典中定義的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的上下文的含義一致的含義，并且將不以理想化或過于正式的意義來解釋，除非在本文中明確地如此定義。

圖1是根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的液晶顯示器的剖視圖。

參考圖1，液晶顯示器包括第一顯示面板100、第二顯示面板200以及被插入在第一顯示面板100與第二顯示面板200之間的液晶層3。

第一顯示面板100包括第一基板110、柵電極124、柵極絕緣層140、半導(dǎo)體層154以及透明電極191、192和193。

第一基板110可以在平面方向上延伸。柵電極124被設(shè)置在第一基板110上。柵極絕緣層140被設(shè)置在柵電極124和第一基板110上。半導(dǎo)體層154被設(shè)置在柵極絕緣層140上。作為透明電極的源電極191、漏電極192和像素電極193被設(shè)置在半導(dǎo)體層154上。源電極191可以具有從源電極191延伸的第一延伸部191a。漏電極192可以面對源電極191，并且像素電極193可以從漏電極192延伸到用戶可見的像素區(qū)域。

源電極191、漏電極192和像素電極193被置于同一層，并且由相同的材料形成。源電極191、漏電極192和像素電極193可以由透明導(dǎo)電材料形成。

根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例，透明電極191、192和193的整個(gè)表面可以接觸半導(dǎo)體層154。半導(dǎo)體層154的第一邊緣54a在平面方向上比透明電極191、192和193的第二邊緣93a更突出。這將參考圖2和圖3更詳細(xì)地描述。

第一顯示面板100可以進(jìn)一步包括鈍化層180、信號(hào)線和公共電極270。

鈍化層180被設(shè)置在源電極191、漏電極192和像素電極193上。鈍化層180被提供有用于部分地暴露源電極191的第一延伸部191a的第一接觸孔181。

數(shù)據(jù)線的第二延伸部172被設(shè)置在由第一接觸孔181暴露的源電極191上。源電極191通過第一延伸部191a和第二延伸部172連接至數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線被設(shè)置在鈍化層180上。

形成公共電極的分支電極271被設(shè)置在鈍化層180上。分支電極271與像素電極193重疊并且由多個(gè)切口72限定。第一鈍化構(gòu)件272被設(shè)置在數(shù)據(jù)線171上。

第一鈍化構(gòu)件272和分支電極271可以形成在同一層上。第一鈍化構(gòu)件272和公共電極270可以包括相同的材料。

第二顯示面板200包括第二基板210。

液晶層3包括液晶分子，并且每個(gè)液晶分子的長軸可以與第一基板110和第二基板210的表面平行。

圖2是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例的液晶顯示器的一個(gè)像素的布局圖，圖3是圖2的液晶顯示器的沿線III-III'截取的剖視圖，圖4是圖2的液晶顯示器的沿線IV-IV'截取的剖視圖，圖5是圖2的液晶顯示器的沿線V-V'截取的剖視圖，并且圖6是圖2的液晶顯示器的沿線VI-VI'截取的剖視圖。

將參考圖2至圖6描述根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的液晶顯示器的第一顯示面板100。

柵極線121被設(shè)置在第一基板110上，并且在第一方向上延伸。柵極線121包括柵電極124和柵極焊盤129。數(shù)據(jù)線171在與第一方向相交的第二方向上延伸。數(shù)據(jù)線171包括第二延伸部172和數(shù)據(jù)焊盤179。相鄰的柵極線和相鄰的數(shù)據(jù)線可以限定包括用戶可見的像素區(qū)域的像素。

柵極線121可以由諸如鋁(Al)或鋁合金的鋁基金屬、諸如銀(Ag)或銀合金的銀基金屬、諸如銅(Cu)或銅合金的銅基金屬、諸如鉬(Mo)或鉬合金的鉬基金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦(Ti)制成。柵極線121可以具有包括具有不同物理性質(zhì)的至少兩個(gè)導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。

由氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)等制成的柵極絕緣層140形成在柵極線121上。柵極絕緣層140可以具有包括具有不同物理性質(zhì)的至少兩個(gè)絕緣層的多層結(jié)構(gòu)。

半導(dǎo)體層154被設(shè)置在柵極絕緣層140上。

半導(dǎo)體層154包括氧化物半導(dǎo)體。氧化物半導(dǎo)體可以包括基于鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)的氧化物及其復(fù)合氧化物中的一種。例如，氧化物半導(dǎo)體可以包括氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO₄)、氧化銦鋅(Zn-In-O)、氧化鋅錫(Zn-Sn-O)、氧化銦鎵(In-Ga-O)、氧化銦錫(In-Sn-O)、氧化銦鋯(In-Zr-O)、氧化銦鋯鋅(In-Zr-Zn-O)、氧化銦鋯錫(In-Zr-Sn-O)、氧化銦鋯鎵(In-Zr-Ga-O)、氧化銦鋁(In-Al-O)、氧化銦鋅鋁(In-Zn-Al-O)、氧化銦錫鋁(In-Sn-Al-O)、氧化銦鋁鎵(In-Al-Ga-O)、氧化銦鉭(In-Ta-O)、氧化銦鉭鋅(In-Ta-Zn-O)、氧化銦鉭錫(In-Ta-Sn-O)、氧化銦鉭鎵(In-Ta-Ga-O)、氧化銦鍺(In-Ge-O)、氧化銦鍺鋅(In-Ge-Zn-O)、氧化銦鍺錫(In-Ge-Sn-O)、氧化銦鍺鎵(In-Ge-Ga-O)、氧化鈦銦鋅(Ti-In-Zn-O)和氧化鉿銦鋅(Hf-In-Zn-O)中的至少一種。

包括源電極191、漏電極192和像素電極193的透明電極191、192和193被直接設(shè)置在半導(dǎo)體層154上。柵電極124、源電極191、漏電極192以及半導(dǎo)體層154的位于源電極191與漏電極192之間的一部分可以構(gòu)成位于像素區(qū)域外部的薄膜晶體管。半導(dǎo)體層154的位于源電極191與漏電極192之間的該部分可以用作薄膜晶體管的溝道。

源電極191、漏電極192和像素電極193被置于同一層，并且由透明導(dǎo)電材料制成。

源電極191面對漏電極192，并且包括第一延伸部191a。源電極191的第一延伸部191a朝向數(shù)據(jù)線171的第二延伸部172突出，并且將源電極191連接至第二延伸部172。源電極191通過第一延伸部191a和第二延伸部172連接至數(shù)據(jù)線171。

漏電極192延伸以形成像素電極193。作為漏電極192的延伸部分的像素電極193可以延伸到像素的像素區(qū)域。

源電極191、漏電極192和像素電極193可以包括包含銦、鋅和/或錫的透明金屬氧化物層。

根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例，除了薄膜晶體管的溝道之外，半導(dǎo)體層154的平面形狀在俯視圖中基本上類似于透明電極191、192和193的平面形狀。當(dāng)制造液晶顯示器時(shí)，可以使用相同的曝光掩模來形成半導(dǎo)體層154和透明電極191、192和193。因此，可以降低液晶顯示器的制造成本。

在一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體層154的第一邊緣54a在第一方向和第二方向上比透明電極191、192和193的第二邊緣93a更突出，如圖3所示。如圖2所示，半導(dǎo)體層154的邊緣可以圍繞透明電極191、192和193。半導(dǎo)體層154和像素電極193可以具有圍繞像素區(qū)域的臺(tái)階形狀。

鈍化層180被設(shè)置在源電極191、漏電極192和像素電極193上。鈍化層180可以由無機(jī)絕緣材料等制成。薄膜晶體管的被設(shè)置在源電極191與漏電極192之間的溝道被鈍化層180覆蓋，而與數(shù)據(jù)線171隔開，從而防止形成數(shù)據(jù)線171的金屬層的成分?jǐn)U散到溝道中。

鈍化層180被提供有暴露源電極191的第一延伸部191a的第一接觸孔181和暴露柵極焊盤129的第二接觸孔182。

數(shù)據(jù)線171和公共電壓線131被設(shè)置在鈍化層180上。數(shù)據(jù)線171包括朝向源電極191突出的第二延伸部172以及數(shù)據(jù)焊盤179。

公共電壓線131包括公共焊盤139。

數(shù)據(jù)線171的第二延伸部172通過第一接觸孔181連接至源電極191的第一延伸部191a。數(shù)據(jù)線171的第二延伸部172通過第一接觸孔181接觸源電極191的第一延伸部191a。這樣，源電極191和數(shù)據(jù)線171通過第一接觸孔181彼此直接連接。因此，即使源電極191和漏電極192由透明金屬氧化物形成，通過數(shù)據(jù)線171傳輸?shù)男盘?hào)也被有效地傳輸?shù)皆措姌O191而沒有延遲，并且數(shù)據(jù)線171的信號(hào)可以通過源電極191和漏電極192被有效地傳輸?shù)较袼仉姌O193。

數(shù)據(jù)線171和公共電壓線131可以被置于同一層。數(shù)據(jù)線171和公共電壓線131可以由諸如鉬、鉻、鉭和鈦的難熔金屬或者其合金制成。數(shù)據(jù)線171和公共電壓線131可以具有包括難熔金屬層和低電阻導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。例如，多層結(jié)構(gòu)可以包括包含鉻或鉬(合金)下層和鋁(合金)上層的雙層，以及包含鉬(合金)下層、鋁(合金)中間層和鉬(合金)上層的三層。然而，數(shù)據(jù)線171和公共電壓線131的各方面不限于此。數(shù)據(jù)線171可以由各種其它金屬和導(dǎo)體制成。

公共電極270被設(shè)置在鈍化層180上。公共電極270與像素電極193重疊，并且包括由多個(gè)切口72限定的多個(gè)分支電極271。

第一鈍化構(gòu)件272被設(shè)置在數(shù)據(jù)線171的直接連接至源電極191的第二延伸部172上，并且第二鈍化構(gòu)件273被設(shè)置在數(shù)據(jù)線171和數(shù)據(jù)焊盤179上。第一鈍化構(gòu)件272和第二鈍化構(gòu)件273可以覆蓋第二延伸部172、數(shù)據(jù)線171和數(shù)據(jù)焊盤179的上表面和側(cè)表面。

分支電極271連接至用于覆蓋公共電壓線131和公共焊盤139的上表面和側(cè)表面的第三鈍化構(gòu)件274。第三鈍化構(gòu)件274可以從分支電極271延伸以覆蓋公共電壓線131。也就是說，公共電極270可以包括分支電極271和第三鈍化構(gòu)件274，并且可以與公共電壓線131直接接觸。

第一鈍化構(gòu)件272、第二鈍化構(gòu)件273和第三鈍化構(gòu)件274與分支電極271被置于同一層，并且覆蓋被形成為金屬層的數(shù)據(jù)線171和公共電壓線131。因此，可以防止金屬層的成分?jǐn)U散到液晶層中。

分支電極271可以通過用于覆蓋公共電壓線131的第三鈍化構(gòu)件274接收公共電壓。因此，公共電壓線131的信號(hào)可以被有效地傳輸?shù)椒种щ姌O271。

第二鈍化構(gòu)件273和第三鈍化構(gòu)件274便于數(shù)據(jù)焊盤179和公共焊盤139與外部驅(qū)動(dòng)器之間的連接。

第四鈍化構(gòu)件275被設(shè)置在由鈍化層180的第二接觸孔182暴露的柵極焊盤129上。第四鈍化構(gòu)件275與公共電極270被置于同一層，并且便于柵極焊盤129與外部柵極信號(hào)傳輸驅(qū)動(dòng)器之間的連接。

將參考圖7和圖8描述根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的液晶顯示器的一部分。

圖7是根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的液晶顯示器的信號(hào)線的布局圖，圖8是圖7的液晶顯示器的沿線VIII-VIII'截取的剖視圖。

參考圖7和圖8，液晶顯示器包括在第一方向上延伸的第一層127以及在與第一方向相交的第二方向上延伸的第二層177。第一層127包括在第二方向上突出的第三延伸部128，并且第二層177包括在第一方向上突出的第四延伸部178。

第一層127與第三延伸部128一起可以被設(shè)置在第一基板110上，并且柵極絕緣層140可以覆蓋第一層127。第二層177被設(shè)置在位于柵極絕緣層140上的鈍化層180上。在一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例中，第一層127可以與柵極線121被置于同一層，并且第二層177可以與數(shù)據(jù)線171被置于同一層。

第一層127的第三延伸部128和第二層177的第四延伸部178通過形成在柵極絕緣層140和鈍化層180中的第三接觸孔183彼此直接連接。

與公共電極270形成在同一層上的第五鈍化構(gòu)件276被設(shè)置在第二層177上。第五鈍化構(gòu)件276可以覆蓋第二層177的上表面和側(cè)表面。

由于與柵極線121被置于同一層的第一層127以及與數(shù)據(jù)線171被置于同一層的第二層177通過第三接觸孔183彼此直接連接，因此第一層127的信號(hào)可以被有效地傳輸?shù)降诙?77，或者第二層177的信號(hào)可以被有效地傳輸?shù)降谝粚?27。另外，由于第五鈍化構(gòu)件276覆蓋第二層177的上表面和側(cè)表面，因此可以防止金屬層的成分?jǐn)U散到液晶層中。

圖7和圖8示出的一部分可以是被設(shè)置在液晶顯示器的顯示區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域的一部分。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例，作為透明金屬層的源電極、漏電極和像素電極被直接設(shè)置在半導(dǎo)體層上，鈍化層被設(shè)置在源電極與漏電極之間的半導(dǎo)體層上，并且數(shù)據(jù)線形成在鈍化層上。因此，可以防止在形成數(shù)據(jù)線的工藝中產(chǎn)生的金屬材料流入且擴(kuò)散到半導(dǎo)體層中。因此，包括半導(dǎo)體層的薄膜晶體管可以具有提高的可靠性。

根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例，因?yàn)楸辉O(shè)置在鈍化層上的數(shù)據(jù)線和公共電壓線被與公共電極形成在同一層上的鈍化構(gòu)件覆蓋，因此可以防止信號(hào)線的金屬成分流入且擴(kuò)散到液晶層中。

此外，根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例，覆蓋公共電壓線的鈍化構(gòu)件可以將公共電壓線的信號(hào)傳輸?shù)焦搽姌O。因此，公共電壓線的信號(hào)可以被有效地傳輸?shù)焦搽姌O。

現(xiàn)在將參考圖9至圖48連同圖1至圖8描述根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例的制造液晶顯示器的方法。

圖9至圖48是順序地示出了根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例的制造液晶顯示器的方法的工藝的剖視圖。

圖9、圖14、圖19、圖24、圖29、圖34、圖39和圖44示出了圖2的沿線III-III'截取的剖視圖。圖10、圖15、圖20、圖25、圖30、圖35、圖40和圖45示出了圖2的沿線IV-IV'截取的剖視圖。圖11、圖16、圖21、圖26、圖31、圖36、圖41和圖46示出了圖2的沿線V-V'截取的剖視圖。圖12、圖17、圖22、圖27、圖32、圖37、圖42和圖47示出了圖2的沿線VI-VI'截取的剖視圖。圖13、圖18、圖23、圖28、圖33、圖38、圖43和圖48示出了圖7的沿線VIII-VIII'截取的剖視圖。

參考圖9至圖13，在第一基板110上形成包括柵電極124和柵極焊盤129的柵極線121以及與柵極線121形成在同一層上并且包括第三延伸部128的第一層127，并且在柵極線121和第一層127上形成柵極絕緣層140。

參考圖14至圖18，在柵極絕緣層140上順序地堆疊第一氧化物半導(dǎo)體層150和第一透明金屬層190。在一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例中，第一透明金屬層190可以是透明氧化物導(dǎo)電層。

使用曝光標(biāo)記在第一透明金屬層190上形成第一感光膜圖案400。如圖19至圖23所示，感光膜形成在第一透明金屬層190上，然后被曝光和顯影，使得形成第一感光膜圖案400，第一感光膜圖案400根據(jù)其位置具有彼此不同的第一厚度400a和第二厚度400b。

存在若干種根據(jù)感光膜的位置而不同地形成感光膜的厚度的方法。例如，半透明區(qū)域以及透明區(qū)域和遮光區(qū)域可以被設(shè)置在曝光掩模中。半透明區(qū)域被提供有狹縫圖案、格子圖案或具有中間透射率或中間厚度的薄膜。當(dāng)使用狹縫圖案時(shí)，狹縫的寬度或狹縫之間的間隙可以小于在光刻工藝中使用的曝光的分辨率。在另一個(gè)示例中，可以使用能夠回流的感光膜。也就是說，在用具有透明區(qū)域和遮光區(qū)域的典型掩模形成其中可以回流的感光膜圖案之后，感光膜回流到其中不殘留感光膜的區(qū)域，從而形成薄部分。

參考圖24至圖28，通過使用第一感光膜圖案400作為蝕刻掩模蝕刻第一氧化物半導(dǎo)體層150和第一透明金屬層190，來形成第二氧化物半導(dǎo)體層51和第二透明金屬層91。此外，保留第一感光膜圖案400的具有第一厚度400a的部分，并且通過減小第一感光膜圖案400的高度來去除第一感光膜圖案400的具有第二厚度400b的部分。參考圖29至圖33，形成具有與第一感光膜圖案400的第一厚度400a相對應(yīng)的剩余部分的第二感光膜圖案500。

通過使用第二感光膜圖案500作為蝕刻掩模來蝕刻第二透明金屬層91，并且去除第二感光膜圖案500。參考圖34至圖38，從第二透明金屬層91形成源電極191、漏電極192和像素電極193，并且從第二氧化物半導(dǎo)體層51形成半導(dǎo)體層154。與溝道相對應(yīng)的半導(dǎo)體層154可以被暴露。與源電極191、漏電極192和像素電極193相對應(yīng)的透明金屬層可以被蝕刻兩次，并且半導(dǎo)體層154被蝕刻一次。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，透明金屬層的邊緣被蝕刻的程度比半導(dǎo)體層154的邊緣更大。半導(dǎo)體層154的第一邊緣54a比源電極191、漏電極192和像素電極193的第二邊緣93a更突出。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，像素電極193的邊緣和半導(dǎo)體層154的邊緣可以具有圍繞每個(gè)像素的像素區(qū)域的臺(tái)階形狀。

如圖39至圖43所示，在通過執(zhí)行一次光刻工藝形成半導(dǎo)體層154、源電極191、漏電極192和像素電極193之后，形成被提供有第一接觸孔181、第二接觸孔182和第三接觸孔183的鈍化層180。

如圖44至圖48所示，形成包括數(shù)據(jù)焊盤179以及通過第一接觸孔181直接連接至源電極191的第一延伸部191a的第二延伸部172的數(shù)據(jù)線171，形成包括公共焊盤139的公共電壓線131，并且形成與數(shù)據(jù)線171形成在同一層上并且包括第四延伸部178的第二層177。數(shù)據(jù)線171、公共電壓線131和第二層177同時(shí)形成在同一層上。

如圖1至圖8所示，形成與像素電極193重疊并包括分支電極271的公共電極270、位于數(shù)據(jù)線171的直接連接至源電極191的第二延伸部172上的第一鈍化構(gòu)件272、位于數(shù)據(jù)線171和數(shù)據(jù)焊盤179上的第二鈍化構(gòu)件273、位于公共電壓線131和公共焊盤139上的第三鈍化構(gòu)件274、位于柵極焊盤129上的由第二接觸孔182暴露的第四鈍化構(gòu)件275以及位于包括第四延伸部178的第二層177上的第五鈍化構(gòu)件276。

在將第二基板210設(shè)置為面對第一基板110之后，通過在第一基板110與第二基板210之間注入液晶層3來形成液晶顯示器。

根據(jù)示例性實(shí)施例，由于半導(dǎo)體層和透明金屬層通過一個(gè)光刻工藝形成，因此可以降低制造成本。

根據(jù)示例性實(shí)施例，由于源電極與漏電極之間的半導(dǎo)體層被鈍化層覆蓋，因此可以防止在后續(xù)工藝中可能出現(xiàn)的金屬材料流入且擴(kuò)散到半導(dǎo)體層中。因此，液晶顯示器可以具有提高的可靠性。

盡管在本文中已經(jīng)描述了某些示例性實(shí)施例和實(shí)施方式，但其它實(shí)施例和修改從此描述中將是顯而易見的。因此，本發(fā)明構(gòu)思不限于這樣的實(shí)施例，而是所呈現(xiàn)的權(quán)利要求和各種明顯修改及等同布置的更寬范圍。